專利名稱：元器件側壁圖形化的制作方法
元器件側壁圖形化的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子元器件領域，尤其涉及元器件側壁圖形化的制作方法。背景技術：
目前，現(xiàn)有技術中3D元器件的制作，通常采用厚膜工藝，用毛筆涂覆的方式進行側面金屬化，此種工藝方法，不適合于批量及大規(guī)模生產(chǎn)，也不適合高頻微波器件使用環(huán)境，更加無法制作側面需要圖形化的3D電路。該3D器件的制作還有另一種類似于多層陶瓷電容器端頭制造工藝的方法，該方法雖然適合大批量規(guī)模生產(chǎn)，但是局限性是，僅可以制作低頻使用環(huán)境下的貼片元件。元器件的側壁圖形化，不管采用厚膜工藝，還是多層陶瓷電容器的端頭制作工藝，存在致命的缺點，其一，不能使產(chǎn)品具有金絲互連的特性，更無法確保側面金屬進行金絲互連，制約了產(chǎn)品使用的范圍；其二，無法完成側面金屬具有圖形化要求的場合，只能完成一些簡單側面金屬化的產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術問題是，針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種元器件側壁圖形化的制作方法，解決現(xiàn)有技術中的元器件側壁圖形化時，金絲不能互連，以及使用范圍受到制約的問題。為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用以下技術方案提供一種元器件側壁圖形化的制作方法，包括下列步驟(1)在元器件基片上開槽；(2)將基片的正面和側面利用濺射機進行金屬化濺射，形成金屬電極層；(3)按照產(chǎn)品正面圖形和側面圖形制作光刻掩膜片；(4)將基片的正面和側面涂覆光刻膠，再利用光刻機進行圖形化曝光，然后顯影；(5)將顯影完成的光刻膠進行烘烤，烘烤后進行電鍍加厚金屬電極層，再加保護膜層；(6)將光刻膠剝離干凈，然后用蝕刻液將薄金層蝕刻干凈，再去除保護膜層；(7)按照產(chǎn)品圖形，進行單元電路的劃切，最后形成側面帶有電極圖形的元器件。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下效果通過本發(fā)明的方法，可制作側壁圖形化的元器件，該元器件側壁的金絲互連，改善其高頻特性，降低制造成本，適合于大批量生產(chǎn)。下面結合具體實施例對發(fā)明進行進一步的說明。
具體實施方式本發(fā)明實施例提供一種元器件側壁圖形化的制作方法，通過以下步驟制得1)在0. 254mm陶瓷基片上開槽，該開槽是指在元器件的正面或側壁進行開槽，形成元器件正面或側壁槽體，供濺射形成側面金屬電極層，該陶瓷基片優(yōu)選氧化鋁陶瓷基片， 該基片上的槽寬0. 1-0. 3mm，槽間距為0. 3-0. 8mm。優(yōu)選為槽寬0. 15mm，槽間距0. 5mm。
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2)按照產(chǎn)品正面圖形，以及側面圖形，制作光刻掩膜版，光刻時用。3)將基片正面、側面利用濺射機，進行金屬化濺射，形成金屬電極層。4)陶瓷正面以及側面涂覆光刻膠，再利用光刻掩膜版進行光刻膠圖形化曝光，然
后顯影。5)顯影完畢的光刻膠進行烘烤，烘烤后進行電鍍加厚金電極層，最后在厚金層表面電鍍保護膜鎳層。6)將光刻膠剝離干凈，然后用蝕刻液將薄金層蝕刻干凈，最后去除保護膜鎳層。7)按照產(chǎn)品圖形，進行單元電路劃切，最終形成側面帶有電極的元器件產(chǎn)品。該實施例中所述的金屬電極層及加厚金屬電極層優(yōu)選純金層或純鋁層。下面結合

圖1-圖6詳細介紹本實施的制作過程如圖1和圖2所示，本發(fā)明實施例主要通過劃片機在2英寸元器件基片1上按照產(chǎn)品尺寸開槽，做出符合規(guī)定要求的槽體2圖案，槽體2劃穿整個基板，也可以利用激光劃切進行此步驟。通過此步驟為批量側面金屬化、圖形化提供了一個基片模具。如圖3所示，本發(fā)明實施例在上述開完槽的2英寸基片1上，通過磁控濺射的方法，將金屬層3被覆于陶瓷正面以及槽體側面還有陶瓷背面。如圖4所示，本發(fā)明在上述濺射完薄金屬層的開槽基片1上下表面涂覆光刻膠4， 再根據(jù)產(chǎn)品側壁金屬化圖案，制作對應光刻掩膜版，然后利用帶有圖案的掩膜版對光刻膠4 進行曝光，然后顯影；顯影完畢后，進行光刻膠4后烘烤，然后電鍍加厚金屬層5，最后在加厚金屬層5表面電鍍一層保護膜鎳層6，該保護膜鎳層6化學腐蝕特性與加厚金屬層完全不一樣，通過此步驟完成了圖形區(qū)域的電鍍加厚層以及保護加厚金屬層5。如圖5所示，本發(fā)明實施例在上述被覆有保護膜鎳層6的開槽基片1上進行光刻膠4的剝離，然后將剝離完光刻膠4的基片1利用濕法蝕刻將金屬層3蝕刻干凈，需要保留的金屬層3，由于保護膜鎳層6的存在不會被蝕刻液蝕刻；最后將保護膜鎳層6利用鎳蝕刻液蝕刻完畢，形成需要的電路圖形，通過此步驟制作的電路線條精度高，可控性高。如圖6所示，本發(fā)明實施例在上述形成電路圖案的基片上進行單元電路的切割， 利用半導體劃片機根據(jù)單元電路的尺寸，將產(chǎn)品切割分離，形成最終側壁具有圖形化電極7 的產(chǎn)品。上述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。 因此，本發(fā)明專利和保護范圍應以所附權利要求為準。
權利要求
1.一種元器件側壁圖形化的制作方法，包括下列步驟(1)在元器件基片上開槽；(2)將基片的正面和側面利用濺射機進行金屬化濺射，形成金屬電極層；(3)按照產(chǎn)品正面圖形和側面圖形制作光刻掩膜片；(4)將基片的正面和側面涂覆光刻膠，再利用光刻機進行圖形化曝光，然后顯影；(5)將顯影完成的光刻膠進行烘烤，烘烤后進行電鍍加厚金屬電極層，再加保護膜層；(6)將光刻膠剝離干凈，然后用蝕刻液將薄金層蝕刻干凈，再去除保護膜層；(7)按照產(chǎn)品圖形，進行單元電路的劃切，最后形成側面帶有電極圖形的元器件。
2.根據(jù)權利要求1所述元器件側壁圖形化的制作方法，其特征在于所述的(1)步驟中，元器件基片采用陶瓷材料制作而成，該基片上的槽寬0. 1-0. 3mm，槽間距為0. 3-0. 8mm。
3.根據(jù)權利要求1或2所述元器件側壁圖形化的制作方法，其特征在于所述的(5)步驟中，所述的保護膜層是鎳層。
4.根據(jù)權利要求2所述元器件側壁圖形化的制作方法，其特征在于所述的陶瓷材料是氧化鋁陶瓷材料。
5.根據(jù)權利要求1所述的元器件側壁圖形化的制作方法，其特征在于所述的(1)步驟，在元器件基片上開槽包括在元器件的正面和側面進行開槽。
6.根據(jù)權利要求1所述的元器件側壁圖形化的制作方法，其特征在于所述的金屬電極層和加厚金屬電極層是純金或純鋁電極層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種元器件側壁圖形化的制作方法，通過在元器件基片上開槽；將基片的正面和側面利用濺射機進行金屬化濺射，形成薄金電極層；按照產(chǎn)品正面圖形和側面圖形制作光刻掩膜片；將基片的正面和側面涂覆光刻膠，再利用光刻機進行圖形化曝光，然后顯影；將顯影完成的光刻膠進行烘烤，烘烤后進行電鍍加厚金層，再加保護膜層；將光刻膠剝離干凈，然后用蝕刻液將薄金層蝕刻干凈，再去除保護膜層；按照產(chǎn)品圖形，進行單元電路的劃切，最后形成側面帶有電極圖形的元器件。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下效果通過本發(fā)明的方法，可制作側壁圖形化的元器件，該元器件側壁的金絲互連，改善其高頻特性，降低制造成本，適合于大批量生產(chǎn)。
文檔編號H01L21/768GK102280407SQ20111021408
公開日2011年12月14日 申請日期2011年7月28日 優(yōu)先權日2011年7月28日
發(fā)明者吳浩, 趙海飛 申請人:吳浩