專利名稱：薄膜晶體管基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常薄膜晶體管基板是指形成有電容器和薄膜晶體管的基板，用于有源驅(qū)動型平板顯示裝置，所謂的有源驅(qū) 動型平板顯示裝置通過電連接于各像素或者子像素的薄膜晶體管來控制像素或者子像素的驅(qū)動。薄膜晶體管基板包括多個薄膜，在各薄膜上形成所需的細微的圖案。為形成這種細微圖案要進行多種工序。此時，可使用多種方法形成圖案，主要使用的是利用掩模板的光刻法。光刻法是需要進行精確控制的工序。并且，利用掩模板形成圖案時，需要進行形成光刻膠、曝光、顯影、蝕刻等多個工序。因此，隨著利用掩模板的光刻法的工序增多，平板顯示裝置的工序變復雜、工序時間延長，并且不易管理工序，從而會發(fā)生不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，提供簡化制造工序、使用適合器件特性的排線的薄膜晶體管基板。本發(fā)明要解決的另外的技術(shù)問題在于，提供簡化制造工序、使用適合器件特性的排線的薄膜晶體管基板的制造方法。但是本發(fā)明的技術(shù)問題不限于以上所述的技術(shù)問題，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可通過以下說明來理解本文未提及的其他技術(shù)問題。為解決所述技術(shù)問題的根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板的一實施例，包括基板；形成于所述基板上的活性層以及電容器第一電極；形成于所述基板、所述活性層以及所述電容器第一電極上的柵絕緣膜；形成于所述柵絕緣膜上的柵電極以及電容器第二電極，所述柵電極對應于所述活性層，所述電容器第二電極對應于所述電容器第一電極；形成于所述柵絕緣膜、所述柵電極以及所述電容器第二電極上的層間絕緣膜；以及形成于所述層間絕緣膜上的像素電極、源電極和漏電極，其中，所述源電極和漏電極中的至少一個形成于所述像素電極上。為解決所述技術(shù)問題的根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板的制造方法的一實施例，包括在基板上形成活性層以及電容器第一電極；在所述基板、所述活性層以及所述電容器第一電極上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成柵電極以及電容器第二電極；在所述柵絕緣膜、所述柵電極以及所述電容器第二電極上依次形成層間絕緣膜以及像素電極用導電膜；蝕刻所述像素電極用導電膜、所述層間絕緣膜以及所述柵絕緣膜的部分區(qū)域，以形成露出所述活性層的部分區(qū)域的接觸孔；在所述像素電極用導電膜上形成源/漏電極用導電膜；使用半色調(diào)掩模板在所述源/漏電極用導電膜上形成第一光刻膠圖案；以及將所述第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模板，蝕刻所述源/漏電極用導電膜以及所述像素電極用導電膜，以形成源電極、漏電極以及像素電極。


圖I是概略示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管基板的截面圖；圖2至圖17是依次示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管基板的制造方法截面圖。附圖標記說明10:基板；11:緩沖層；13 :活性層；15 :電容器第一電極；20:柵絕緣膜；31:柵電極；35:電容器第二電極；36:焊盤；40:層間絕緣膜； 50:像素電極；65:漏電極；66:源電極。
具體實施例方式參照附圖和后述的詳細實施例，可了解本發(fā)明的優(yōu)點、特征以及實現(xiàn)該優(yōu)點和特征的方法。然而，本發(fā)明并不局限于下面所公開的實施例，而是將會以多種不同的形態(tài)實施。本說明書中實施例的目的僅在于，使本發(fā)明所公開的內(nèi)容更加完整，使所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能夠完整地理解本發(fā)明的范圍。本發(fā)明所要保護的范圍應由權(quán)利要求的范圍所決定。為了便于說明，可能放大顯示附圖中組成要素的尺寸以及相對尺寸。在說明書全文中，相同的附圖標記代表相同的組成要素，“和/或”包括所提及的每一個技術(shù)特征以及所有一個以上的技術(shù)特征的組合。說明書中使用的術(shù)語僅用于說明實施例，并不用于對本發(fā)明加以限制。在本說明書中，若沒有特別的說明，單數(shù)術(shù)語包括多數(shù)的含義。在說明書中使用的“包括(comprises) ”和/或“組成(made of) ”中提及的組成要素、步驟、動作和/或器件并不排除存在或增加另外的一個以上的組成要素、步驟、動作和/或器件。雖然第一、第二等術(shù)語用于說明多種組成要素，但所述組成要素不限于所述術(shù)語。使用所述術(shù)語的目的僅在于區(qū)別一個組成要素與另一個組成要素。從而，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的前提下，下面提及的第一組成要素還可以是第二組成要素。在說明書中描述的實施例，將參照如平面圖以及截面圖等本發(fā)明的理想簡要圖進行說明。因此，示意圖的形態(tài)可能根據(jù)制造技術(shù)和/或允許的誤差等而發(fā)生變化。所以，本發(fā)明的實施例并不局限于所圖示的特定形態(tài)，還包括根據(jù)制造工序而產(chǎn)生的形態(tài)變化。因而，附圖中示出的區(qū)域具有概略屬性，附圖中示出的區(qū)域形狀僅用于示出器件區(qū)域的特定形態(tài)，并不用于對發(fā)明的范圍加以限制。沒有其他定義時，在說明書中使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)或科學術(shù)語)，可用作與本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的通常理解相同的含義。并且，針對與通常使用的詞典的定義相同的術(shù)語，除本發(fā)明明確定義的以外，不應解釋成理想或過于形式的含義。參照圖I對根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管基板進行說明。圖I是概略示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管基板的截面圖。
如圖I所示，根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管基板，包括基板10、活性層13、柵電極31、源電極66、漏電極65、像素電極55、電容器第一電極15、電容器第二電極35以及焊盤36。
薄膜晶體管基板包括發(fā)光部I、薄膜晶體管部II、電容器部III以及焊盤部IV。在薄膜晶體管部II形成有薄膜晶體管。可以針對每個像素形成至少一個薄膜晶體管。圖I中示出了一個薄膜晶體管，但這僅為了便于說明而示出的，本發(fā)明并不限于此。即，各像素可以包括多個薄膜晶體管?？梢杂梢許iO2為主要成分的透明玻璃材質(zhì)形成基板10。基板10并不限于此，還可以由透明的塑料材質(zhì)形成。透明的塑料材質(zhì)可以是絕緣性有機物，所述絕緣性有機物可以為選自聚醚砜膜(Polyethersulfone,簡稱PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate,簡稱PAR)、聚醚酸亞胺(Polyetherimide,簡稱 PEI)、聚鄰苯二甲酸酯(Polyethylene naphthalate)，簡稱PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,簡稱PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,簡稱 PPS :)、聚芳酯(Polyarylate)、聚酰亞胺(Polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate,簡稱PC)、三醋酸纖維素(Cellulose Triacetate,簡稱TAC)、醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate,簡稱CAP)的有機物?；?0的上部形成平滑的面，為防止雜質(zhì)滲透至基板10，在基板10的上部形成緩沖層11?？梢杂蒘iO2和/或SiNx等形成緩沖層11。緩沖層11上形成活性層13以及電容器第一電極15?？梢杂煞蔷Ч杌蚨嗑Ч璧葻o機半導體或者有機半導體形成活性層13以及電容器第一電極15?；钚詫?3可以包括源區(qū)域、漏區(qū)域以及溝道區(qū)?？梢韵蛴煞蔷Ч杌蛘叨嗑Ч栊纬傻幕钚詫?3注入雜質(zhì)，以形成源區(qū)域和漏區(qū)域。制造N型薄膜晶體管時，可以注入P、As、Sb等V族離子雜質(zhì)；制造P型薄膜晶體管時，可以注入B、Al、Ga、In等III族離子雜質(zhì)。向如非晶硅或者多晶硅的無機半導體或有機半導體注入雜質(zhì)，使得無機半導體或者有機半導體具有導電性，從而形成電容器第一電極15。緩沖層11、活性層13以及電容器第一電極15上形成柵絕緣膜20。柵絕緣膜20使活性層13和柵電極31絕緣，且用于形成位于電容器第一電極15以及電容器第二電極35之間的絕緣體，并可以由有機絕緣膜或如SiNx、Si02、SiON的無機絕緣膜形成。柵絕緣膜20上形成柵電極31、電容器第二電極35以及焊盤36。柵電極31包括在柵絕緣膜20上依次層疊的第一柵電極膜32、第二柵電極膜33以及第三柵電極膜34。可以由鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉻(Cr)等形成第一柵電極膜32。為減少柵電極31的信號延遲或電壓下降，可以由低電阻率(resistivity)的金屬，例如鋁(Al)和鋁合金等鋁系列的金屬；銀(Ag)和銀合金等銀系列的金屬；銅(Cu)和銅合金等銅系列的金屬等形成第二柵電極膜33。可以由鑰(Mo)和鑰合金等鑰系列的金屬等形成第三柵電極膜34。柵電極31與施加薄膜晶體管的開啟、關(guān)閉信號的柵線(未圖示)連接。以與柵電極31的第一柵電極膜32相同的膜，形成電容器第二電極35。如圖10所不，在形成有用于形成電容器第二電極35的導電膜的狀態(tài)下，向形成電容器第一電極15的無機半導體或者有機半導體注入雜質(zhì)，因此向電容器第一電極15注入的雜質(zhì)還可以包括于電容器第二電極35。電容器第二電極35和柵電極31可以具有彼此不同的厚度，電容器第二電極35可以具有與柵電極31的第一柵電極膜32相同的厚度。
焊盤部IV上形成焊盤36。焊盤36與電容器第二電極35相同地、由與柵電極31的第一柵電極膜32相同的膜形成。以形成柵電極31的第一柵電極膜32的物質(zhì)，即，鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉻(Cr)等形成的焊盤36不會發(fā)生腐蝕。焊盤36和柵電極31可以具有彼此不同的厚度，焊盤36可以具有與柵電極31的第一柵電極膜32相同的厚度。另外，柵電極31的第二柵電極膜33和第三柵電極膜34的寬度可以相比于第一柵電極膜32的寬度更小。即，第二柵電極膜33和第三柵電極膜34可以露出第一柵電極膜32端部的部分區(qū)域。本實施例中，在柵電極31使用由與Al等相同的低電阻率金屬形成的第二柵電極膜33 ;還可以由不發(fā)生腐蝕的、與第一柵電極膜32相同的膜形成焊盤36。另外，去除第二柵電極膜33以及第三柵電極膜34，僅使用第一柵電極膜32形成電容器第二電極35，因此無需掩模板可同時進行向電容器第一電極15和活性層13注入雜質(zhì)的工序。另外，本實施例中，使用一個半色調(diào)(halftone)掩模板形成柵電極31、電容器第二電極35以及焊盤36，從而可減少工序中使用的掩模板數(shù)量。柵絕緣膜20、柵電極31、電容器第二電極35以及焊盤36的上部形成層間絕緣膜40。層間絕緣膜40和柵絕緣膜20上形成接觸孔45和接觸孔46，其中所述接觸孔45和接觸孔46分別露出活性層13的源區(qū)域和漏區(qū)域；層間絕緣膜40上形成孔47，其中所述孔47露出焊盤36的部分區(qū)域。本實施例中，像素電極55直接接觸形成于層間絕緣膜40上，從而層間絕緣膜40的上部可平坦地形成。但本發(fā)明不限于此，層間絕緣膜40的上部面還可以根據(jù)下部層的段差而形成為不平坦的面?？梢杂蔁o機絕緣膜或者有機絕緣膜形成層間絕緣膜40。形成層間絕緣膜40的無機絕緣膜可包括例如 Si02、SiNx, SiON, A1203、TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST、PZT 等，有機絕緣膜可以包括例如常用商用高分子(PMMA、PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸類高分子、酰亞胺類高分子、烯丙醚類高分子、酰胺類高分子、含氟高分子、對二甲苯類高分子、乙烯基類高分子及其混合物等。層間絕緣膜40還可以形成為無機絕緣膜和有機絕緣膜的層疊體。層間絕緣膜40上形成像素電極55。像素電極55直接接觸形成于層間絕緣膜40的上部?？梢杂赏该鲗щ娔ば纬上袼仉姌O55，其中由包括選自如ITO、IZO、ZnO和In2O3等透明物質(zhì)的至少一種以上的物質(zhì)形成透明導電膜。像素電極55上形成源電極66和漏電極65。具體地，源電極66和漏電極65的中的一個直接接觸形成于像素電極55上，例如，漏電極65直接接觸形成于像素電極55上；源電極66和漏電極65中的另一個直接接觸形成于像素電極用導電膜50上，例如，源電極66直接接觸形成于像素電極用導電膜50上，其中所述像素電極形成于層間絕緣膜40上?；蛘吲c此不同，源電極66直接接觸形成于像素電極55上，漏電極65直接接觸形成于像素電極用導電膜50上，其中所述導電膜50形成于層間絕緣膜40上。
源電極66和漏電極65可以為由選自Mo、W、MoW、AlNcUTi、Al、Al合金、Ag以及Ag合金的一種物質(zhì)形成的單層結(jié)構(gòu)；或者為降低排線的電阻，由作為低電阻率物質(zhì)的Mo、Al或者Ag形成的二層結(jié)構(gòu)；或者兩層以上的多重膜結(jié)構(gòu)，即可以為由選自Mo/Al/Mo、MoW/Al-Nd/MoW、Ti/Al/Ti、Mo/Ag/Mo以及Mo/Ag-合金/Mo等的物質(zhì)形成的一個層疊結(jié)構(gòu)。源電極66和漏電極65分別通過接觸孔45和接觸孔46，與活性層13的源區(qū)域和漏區(qū)域接觸。本實施例中，在層間絕緣膜40上首先形成用于形成像素電極的導電膜，在其上部形成源/漏電極用導電膜，然后使用一個半色調(diào)掩模板對其進行圖案化，從而可減少工序所需的掩模板數(shù)量。另外，圖I所示的薄膜晶體管基板可以用于平板顯示裝置。例如，像素電極55的上部形成有公共電極(未圖示)，像素電極55和公共電極之間形成液晶層(未圖示)而實現(xiàn)液晶顯示裝置。參照圖I至圖17對根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管基板的制造方法進行說明。圖2至圖17是依次示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管基板的制造方法的截面圖。對于實際上與圖I相同的組成要素使 用了相同的附圖標記，對于相同的部分省略詳細的說明。如圖2所示，基板10上依次形成緩沖層11以及半導體膜12?？梢杂苫瘜W氣相沉積法(CVD Chemical Vapor Deposition)沉積緩沖層11以及半導體膜12。以多晶娃形成半導體膜12時，在緩沖層11上沉積非晶娃，使用ELA(Excimer Laser Annealing)、SLS(Sequential Lateral Solidification)、MIC(Metal Induced Crystallization)或者MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)法將所述非晶娃層結(jié)晶化，以形成多晶硅。半導體膜12上形成第一光刻膠膜100。第一光刻膠膜100上設置第一光刻掩模板200。為了便于說明，對第一光刻膠膜100為正(positive)性光刻膠的實施例進行說明。但是本發(fā)明不限于此，作為第一光刻膠膜100也可以使用負(negative)性光刻膠。第一光刻掩模板200包括光阻斷部201以及光透過部202。光透過部202用于透過照射的光，光阻斷部201用于阻斷照射的光。將第一光刻掩模板200設置成使光阻斷部201對應于將要形成為活性層(圖I的13)和電容器第一電極(圖I的15)的區(qū)域。如圖2和圖3所不,經(jīng)由第一光刻掩模板200向第一光刻膠膜100照射光以后,顯影第一光刻膠膜100，則第一光刻膠膜100與光透過部202對應的區(qū)域被去除，第一光刻膠膜100與光阻斷部201對應的區(qū)域被殘留，從而形成第一光刻膠圖案101。如圖3和圖4所不,將第一光刻膠圖案101作為蝕刻掩模板蝕刻半導體膜12,以形成活性層13和電容器第一電極15。如圖5所示，在緩沖層11、活性層13以及電容器第一電極15上形成柵絕緣膜20?？梢允褂糜袡C絕緣膜或者如SiNx、Si02、Si0N等無機絕緣膜，通過化學氣相沉積法形成柵絕緣膜20。然后，在柵絕緣膜20上形成用于形成柵電極(圖I的31)的柵形成用導電膜21。在柵絕緣膜20上依次層疊第一導電膜22、第二導電膜23以及第三導電膜24，以形成柵形成用導電膜21。可以由鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉻(Cr)等形成第一導電膜22，可以由鋁(Al)和鋁合金等鋁系列的金屬、銀(Ag)和銀合金等銀系列的金屬、銅(Cu)和銅合金等銅系列的金屬等形成第二導電膜23，可以由鑰(Mo)和鑰合金等鑰系列的金屬形成第三導電膜24?？梢酝ㄟ^濺射法(sputtering)等方法形成第一導電膜22、第二導電膜23、第三導電膜24。在第三導電膜24上形成第二光刻膠膜110。在第二光刻膠膜110的上部設置第二光刻掩模板210。為了便于說明,對第二光刻膠膜110為正(positive)性光刻膠的實施例進行說明。但是本發(fā)明不限于此，作為第二光刻膠膜110也可以使用負(negative)性光刻膠。第二光刻掩模板210是包括光透過部211、光阻斷部212以及半透過部213的半色調(diào)掩模板。半透過部213只讓照射光的一部分通過。將第二光刻掩模板210設置成使光阻斷部212對應于將要形成為柵電極(圖I的31)的區(qū)域，并且使半透過部213對應于將要形成為電容器第二電極(圖I的35)和焊盤(圖I的36)的區(qū)域。如圖5和圖6所示，經(jīng)由第二光刻掩模板210向第二光刻膠膜110照射光以后，顯影第二光刻膠膜110，則第二光刻膠膜110與光透過部211對應的區(qū)域被去除，第二光刻膠膜110與光阻斷部212和半透過部213對應的區(qū)域被殘留，從而形成第二光刻膠圖案111。第二光刻膠圖案111包括與光阻斷部212對應的第一子光刻膠圖案112以及與半透過部213對應的第二子光刻膠圖案113。第二子光刻膠圖案113的厚度相比第一子光刻膠圖案112更薄。如圖6和圖7所示，將第二光刻膠圖案111作為蝕刻掩模板，對柵形成用導電膜21進行第一次蝕刻。對柵形成用導電膜21進行第一次蝕刻的步驟可以包括對第三導電膜24和第二導電膜23進行濕蝕刻的步驟，以及對第一導電膜22進行干蝕刻的步驟。濕蝕刻時，可使用磷酸、硝酸、醋酸等蝕刻液。干蝕刻時，可使用氯族的蝕刻氣體，例如可使用C12、BC13等如圖7和圖8所示，去除第二子光刻膠圖案113?？赏ㄟ^使用氧等的灰化(ashing)工序，去除第二子光刻膠圖案113。此時，第一子光刻膠圖案112的一部分也會被去除，因此會減少第一子光刻膠圖案112的厚度和寬度。如圖8和圖9所示，將殘留的第一子光刻膠圖案112作為蝕刻掩模板，對已經(jīng)過第一次蝕刻的第三導電膜24和第二導電膜23進行第二次蝕刻。對第三導電膜24和第二導電膜23進行第二次蝕刻時，可使用濕蝕刻。此時，電容器部III和焊盤部IV的第三導電膜24和第二導電膜23被去除。殘留于電容器部III的第一導電膜22用作電容器第二電極35，殘留于焊盤部IV的第一導電膜22用作焊盤36。殘留于薄膜晶體管部II的第一導電膜22、第二導電膜23、以及第三導電膜24分別用作第一柵電極膜32、第二柵電極膜33以及第三柵電極膜34。通過使用寬度減少的第一子光刻膠圖案112對第三導電膜24和第二導電膜23進行二次蝕刻，因此第二柵電極膜33和第三柵電極膜34的寬度相比第一柵電極膜32的寬度更小。即，第二柵電極膜33和第三柵電極膜34可以使第一柵電極膜32端部的部分區(qū)域露出。另外，圖9中說明了焊盤部IV的第三導電膜24和第二導電膜23全部被去除的情況。但是本發(fā)明不限于此，使用光刻膠圖案保護焊盤部IV的第三導電膜24和第二導電膜23以使其不被去除后，在此后的工序中，例如在去除位于焊盤部IV的用于形成源漏電極的導電膜時，可將其一并去除。如圖9和圖10所不,去除第一子光刻膠圖案112,向活性層13以及電容器第一電極15注入離子雜質(zhì)。離子雜質(zhì)注入工序中無需使用掩模板，通過將形成有柵電極31和電容器第二電極35的整個基板10暴露于離子雜質(zhì)，從而實現(xiàn)離子注入。其中，對于活性層13，只有被柵電極31露出的區(qū)域，才會被注入離子雜質(zhì)。由于電容器第二電極35的厚度相比柵電極31更薄，因此離子雜質(zhì)經(jīng)由電容器第二電極35注入到電容器第一電極15。若制造N型薄膜晶體管時，可注入P、As、Sb等V族離子雜質(zhì)；若制造P型薄膜晶體管時，可注入B、Al、Ga、In等III族離子雜質(zhì)。此時，由于在注入離子時露出電容器第二電極35，因此摻雜于電容器第一電極15的雜質(zhì)也可以摻雜于電容器第二電極35。如圖11所示，柵絕緣膜20、柵電極31、電容器第二電極35、焊盤36的上部形成層間絕緣膜40和像素電極用導電膜50。形成層間絕緣膜40，以使層間絕緣膜40的上部面平坦。并且，其可使用無機絕緣膜、有機絕緣膜或者它們的復合層疊體。像素電極用導電膜50直接接觸形成于層間絕緣膜40的上部，可以由選自ITO、IZO、ZnO和In2O3等透明物質(zhì)中的一種以上的物質(zhì)形成透明導電膜。像素電極用導電膜50的上部形成第三光刻膠膜120。在第三光刻膠膜120上設置第三光刻掩模板220。為了便于說明，對第三光刻膠膜120為正(positive)性光刻膠的實施例進行說明。但是本發(fā)明不限于此，作為第三光刻膠膜120也可以使用負(negative)性光刻膠。第三光刻掩模板220包括光阻斷部221以及光透過部222，將第三光刻掩模板220設置成使光透過部222對應于將要形成為接觸孔(圖I的45、46)和將要在焊盤部IV形成為孔(圖I的47)的區(qū)域。如圖11和12所示，經(jīng)由第三光刻掩模板220向第三光刻膠膜120照射光以后，顯影第三光刻膠膜120，則第三光刻膠膜120與光透過部222對應的區(qū)域被去除，第三光刻膠膜120與光阻斷部221對應的區(qū)域被殘留，從而形成第三光刻膠圖案121。如圖12和圖13所示，將第三光刻膠圖案121作為蝕刻掩模板蝕刻層間絕緣膜40和像素電極用導電膜50，以形成接觸孔45、接觸孔46以及露出焊盤36的部分區(qū)域的孔47。蝕刻層間絕緣膜40和像素電極用導電膜50時，可使用干蝕刻工序。如圖13和圖14所示，去除第三光刻膠圖案121后，在像素電極用導電膜50上形成源/漏電極用導電膜60。源/漏電極用導電膜60填充接觸孔45、接觸孔46以及露出焊盤36的部分區(qū)域的孔47。源/漏電極用導電膜60可以為由選自Mo、W、MoW、AlNd、Ti、Al、Al合金、Ag以及Ag合金的一種物質(zhì)形成的單層結(jié)構(gòu)；或者為降低排線的電阻，由作為低電阻率物質(zhì)的Mo、Al或者Ag形成的雙層結(jié)構(gòu)；或者兩層以上的多重膜結(jié)構(gòu)，即可以為由選自Mo/Al/Mo、MoW/Al-Nd/MoW、Ti/Al/Ti、Mo/Ag/Mo以及Mo/Ag-合金/Mo等的物質(zhì)形成的一個層疊結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^濺射等方法形成源/漏電極用導電膜60。源/漏電極用導電膜60上形成第四光刻膠膜130。在第四光刻膠膜130的上部設置第四光刻掩模板230。為了便于說明，對第四光刻膠膜130為正(positive)性光刻膠的實施例進行說明。但是本發(fā)明不限于此，作為第四光刻膠膜130也可以使用負(negative)性光刻膠。第四光刻掩模板230是包括光透過部231、光阻斷部232以及半透過部233的半色調(diào)掩模板。將第四光刻掩模板230設置成使光阻斷部232對應于將要形成為源電極以及漏電極(圖I的65、66)的區(qū)域，并且使半透過部233對應于將要形成為像素電極(圖1的55)的區(qū)域。 如圖14和圖15所不,經(jīng)由第四光刻掩模板230向第四光刻膠膜130照射光以后，顯影第四光刻膠膜130，則第四光刻膠膜130與光透過部231對應的區(qū)域被去除，第四光刻膠膜130與光阻斷部232和半透過部233對應的區(qū)域被殘留，從而形成第四光刻膠圖案131。第四光刻膠圖案131包括與光阻斷部232對應的第三子光刻膠圖案132以及與半透過部233對應的第四子光刻膠圖案133。第四子光刻膠圖案133的厚度相比第三子光刻膠圖案132更薄。
如圖15和圖16所示，將第四子光刻膠圖案133作為蝕刻掩模板蝕刻像素電極用導電膜50以及源/漏電極用導電膜60。使用濕蝕刻或者干蝕刻分別蝕刻像素電極用導電膜50以及源/漏電極用導電膜60 ;或者使用含有硝酸和氟離子的蝕刻液統(tǒng)一地進行濕蝕刻。
如圖16和圖17所示，通過使用氧等的灰化工序，去除第四子光刻膠圖案133。此時，第三子光刻膠圖案132的一部分也會被去除，因此會減少第三子光刻膠圖案132的厚度和寬度。然后，將殘留的第三子光刻膠圖案132作為蝕刻掩模板，蝕刻源/漏電極用導電膜60。此時，發(fā)光部I的源/漏電極用導電膜60被去除，并且在發(fā)光部I露出像素電極用導電膜50，從而形成像素電極55。在薄膜晶體管部II，像素電極55上形成源電極66和漏電極65中的一個，例如形成漏電極65 ;在像素電極用導電膜50上形成源電極66和漏電極65中的另一個,例如形成源電極66?；蛘吲c此不同，源電極66直接接觸形成于像素電極55上，漏電極65直接接觸形成于像素電極用導電膜50上，其中所述導電膜50形成于層間絕緣膜40上。在焊盤部I V，像素電極用導電膜50和源/漏電極用導電膜60被去除，從而露出焊盤36的部分區(qū)域。根據(jù)本實施例，可以使用四個光刻掩模板，即第一光刻掩模板200、第二光刻掩模板210、第三光刻掩模板220、第四光刻掩模板230，制造薄膜晶體管基板。并且，在柵電極31使用由與Al等相同的低電阻率金屬形成的第二柵電極膜33;還可以由不發(fā)生腐蝕的、與第一柵電極膜32相同的膜形成焊盤36。以附圖所示的實施例對本發(fā)明進行了說明，但是這種說明僅為示例性的說明，應當理解本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員由此可進行多種變換及等同的其它實施例。由此，應由權(quán)利要求書的技術(shù)思想來限定本發(fā)明真正的技術(shù)保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，包括 基板； 活性層以及電容器第一電極，形成于所述基板上； 柵絕緣膜，形成于所述基板、所述活性層以及所述電容器第一電極上； 柵電極以及電容器第二電極，形成于所述柵絕緣膜上，所述柵電極對應于所述活性層，所述電容器第二電極對應于所述電容器第一電極； 層間絕緣膜，形成于所述柵絕緣膜、所述柵電極以及所述電容器第二電極上；以及 像素電極、源電極和漏電極，形成于所述層間絕緣膜上， 其中，所述源電極和漏電極中的至少一個形成于所述像素電極上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管基板，其中， 所述像素電極直接接觸形成于所述層間絕緣膜上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中， 所述漏電極直接接觸形成于所述像素電極上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中， 所述源電極直接接觸形成于所述像素電極上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管基板，其中， 所述柵電極和所述電容器第二電極具有彼此不同的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中， 所述柵電極包括依次層疊于所述柵絕緣膜上的第一柵電極膜、第二柵電極膜以及第三柵電極膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中， 以與所述第一柵電極膜相同的膜形成所述電容器第二電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，其中， 以與所述第一柵電極膜相同的厚度形成所述電容器第二電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板，還包括 焊盤，形成于所述柵絕緣膜上； 其中，以與所述第一柵絕緣膜相同的膜形成所述焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中， 所述第二柵電極膜以及所述第三柵電極膜的寬度小于所述第一柵電極膜的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管基板，其中， 由鈦、鉭或者鉻形成所述第一柵電極膜； 由鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅或者銅合金形成所述第二柵電極膜； 由鑰或者鑰合金形成所述第三柵電極膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管基板，其中， 所述電容器第一電極通過向多晶硅注入離子雜質(zhì)而形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管基板，其中， 所述電容器第二電極包含向所述電容器第一電極注入的所述離子雜質(zhì)。
14.一種薄膜晶體管基板的制造方法，包括 在基板上形成活性層以及電容器第一電極；在所述基板、所述活 性層以及所述電容器第一電極上形成柵絕緣膜； 在所述柵絕緣膜上形成柵電極以及電容器第二電極； 在所述柵絕緣膜、所述柵電極以及所述電容器第二電極上依次形成層間絕緣膜以及像素電極用導電膜； 蝕刻所述像素電極用導電膜、所述層間絕緣膜以及所述柵絕緣膜的部分區(qū)域，以形成露出所述活性層的部分區(qū)域的接觸孔； 在所述像素電極用導電膜上形成源/漏電極用導電膜； 使用半色調(diào)掩模板在所述源/漏電極用導電膜上形成第一光刻膠圖案；以及將所述第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模板，蝕刻所述源/漏電極用導電膜以及所述像素電極用導電膜，以形成源電極、漏電極以及像素電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其中，使用所述半色調(diào)掩模板在所述源/漏電極用導電膜上形成第一光刻膠圖案的步驟，包括 形成與所述源電極和所述漏電極對應的第一子光刻膠圖案以及與所述像素電極對應的第二子光刻膠圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其中，將所述第一光刻膠圖案作為蝕刻掩模板，蝕刻所述源/漏電極用導電膜以及所述像素電極用導電膜，以形成源電極、漏電極以及像素電極的步驟，包括 將所述第一子光刻膠圖案以及所述第二子光刻膠圖案作為蝕刻掩模板，對所述源/漏電極用導電膜以及所述像素電極導電膜進行第一次蝕刻， 去除所述第二子光刻膠圖案；以及 將殘留的所述第一子光刻膠圖案作為蝕刻掩模板，對所述源/漏電極用導電膜進行第二次蝕刻。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其中，在所述柵絕緣膜上形成柵電極以及電容器第二電極的步驟，包括 在所述柵絕緣膜上依次形成第一導電膜、第二導電膜以及第三導電膜； 使用所述半色調(diào)掩模板，在所述第三導電膜上形成第二光刻膠圖案；以及將所述第二光刻膠圖案用作蝕刻掩模板，蝕刻所述第一導電膜、第二導電膜以及第三導電膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其中，形成第二光刻膠圖案的步驟，包括 形成與所述柵電極對應的第一子光刻膠圖案以及與所述電容器第二電極對應的第二子光刻膠圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其中，將所述第二光刻膠圖案作為蝕刻掩模板，蝕刻所述第一導電膜、第二導電膜以及第三導電膜的步驟，包括 將所述第一子光刻膠圖案以及所述第二子光刻膠圖案作為蝕刻掩模板，對所述第一導電膜、第二導電膜以及第三導電膜進行第一次蝕刻； 去除所述第二子光刻膠圖案；以及 將殘留的所述第一子光刻膠圖案作為蝕刻掩模板，對所述第二導電膜以及所述第三導電膜進行第二次蝕刻。
全文摘要
本發(fā)明提供了薄膜晶體管基板及其制造方法。薄膜晶體管基板，包括基板；活性層以及電容器第一電極，形成于所述基板上；柵絕緣膜，形成于所述基板、所述活性層以及所述電容器第一電極上；柵電極以及電容器第二電極，形成于所述柵絕緣膜上，所述柵電極對應于所述活性層，所述電容器第二電極對應于所述電容器第一電極；層間絕緣膜，形成于所述柵絕緣膜、所述柵電極以及所述電容器第二電極上；以及像素電極、源電極和漏電極，形成于所述層間絕緣膜上，其中，所述源電極和漏電極中的至少一個形成于所述像素電極上。
文檔編號H01L21/77GK102623460SQ20111020457
公開日2012年8月1日 申請日期2011年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月1日
發(fā)明者柳春基 申請人:三星移動顯示器株式會社