專利名稱：顯示裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，更具體而言，涉及包括有機薄膜晶體管(OTFT)的顯示裝置及其制造方法。
背景技術：
包括液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的平板顯示裝置采用薄膜晶體管(TFT)形成圖像。TFT是用于控制和驅動每一像素的操作的開關和驅動元件。TFT 包括柵電極、覆蓋所述柵電極的柵極絕緣層和設置于所述柵極絕緣層上的半導體層。所述半導體層包括非晶硅或多晶硅，最近還有人采用有機半導體。有機半導體(OSC)形成于常溫常壓下，并且可以通過無需涂覆、曝光和顯影過程的噴墨打印工藝形成，其方式為形成圍繞設置有機半導體的區(qū)域，即溝道區(qū)的壁。所述壁具有暴露溝道區(qū)的開口。之后，通過所述開口向溝道區(qū)噴射有機半導體溶液，并從有機半導體溶液中去除溶劑，由此形成有機半導體。但是，由于TFT是一個非常小的元件，因而不易于向所述開口適當地噴射有機半導體溶液。例如，可能未將有機半導體溶液噴射到適當位置，而是使其淀積在了所述壁上。 因此，每一像素上的有機半導體層的厚度可能不同，因而有機半導體的特性也可能是不均勻的。為了解決這一問題，對壁的表面進行處理，使之防水防油。但是，通過表面處理可能會改變位于有機半導體層之下的柵極絕緣層的特性，因而可能對包括有機半導體層的TFT的特性造成不利影響。

發(fā)明內容
—種顯示裝置，包括形成于絕緣基板上的柵極導體和柵電極；通過在所述柵極導體上涂覆金屬形成的金屬層；位于所述金屬層上的優(yōu)選由無定形ITO或IZO形成的透明電極層，優(yōu)選采用鉻蝕刻劑對所述透明電極層進行構圖，從而跨越所述柵電極將其劃分為兩部分，之后對其退火，從而使其變?yōu)榫酆暇w；采用所述透明電極作為阻擋層對所述金屬層構圖，以機誒定通過所述柵電極被劃分為兩部分的溝道區(qū)；以及形成于所述溝道區(qū)內的有機半導體層。在所述絕緣基板上形成數據導體，并在形成所述柵極導體之前，在所述數據導體上形成中間絕緣層。在所述中間絕緣層上形成的第一壁，使之具有暴露所述柵電極的第一開口，在所述第一開口內形成覆蓋所述柵電極的柵極絕緣層。優(yōu)選通過噴墨法在所述第一開口內形成所述柵極絕緣層。在所述透明電極層上形成第二壁，從而提供暴露所述溝道區(qū)的第二開口。在所述退火之后，并且在對所述金屬層構圖之前，對所述第二壁進行表面處理。優(yōu)選通過噴墨法在所述第二開口內形成所述有機半導體層。
通過02等離子體處理工藝、CF4等離子體處理工藝或自聚集單原子層工藝(SAM) 中的至少一種執(zhí)行所述表面處理。在所述有機半導體層上形成鈍化層。根據本發(fā)明的一個方面，提供一種制造顯示裝置的方法，包括在絕緣基板上形成包括柵電極的柵極導體；在所述柵電極上形成柵極絕緣層；通過在所述柵極絕緣層上涂覆金屬材料形成金屬層；通過向所述金屬層涂覆透明電極材料形成透明電極層；對所述透明電極層構圖，從而跨越所述柵電極將其劃分為兩部分；對所述透明電極層退火；對所述金屬層構圖以具有溝道區(qū)，使之被跨越所述柵電極劃分為兩部分；以及在所述溝道區(qū)內形成有機半導體層。


通過閱讀下文中結合附圖的說明，本發(fā)明的前述和其他目的、特征和優(yōu)點將變得更為顯見，附圖中圖1是說明根據本發(fā)明第一實施例的TFT基板的布局圖。圖2是沿圖1的II-II線獲得的截面圖。圖3A到圖3L示出了根據本發(fā)明的第一實施例的顯示裝置的制造方法。圖4是根據本發(fā)明第二實施例的顯示裝置的截面圖。
具體實施例方式根據本發(fā)明的TFT基板組件100包括絕緣基板110、數據導體121、123、中間絕緣層130、柵極導體141、143、145、第一壁150、柵極絕緣層155、源電極161、171和漏電極163、 173。在絕緣基板110上形成數據導體121、123，在數據導體121、123上形成中間絕緣層 130，在層130上形成柵極導體141、143、145。壁150具有暴露柵極導體141、143和145的至少一部分的開口 151。在開口 151內形成柵極絕緣層155?？缭綎烹姌O143將源電極161、 171與漏電極163、173相互分開，以界定溝道區(qū)C。TFT 基板組件 100 包括導電層 161、163、171、173、175、177 和 179、第二壁 180 和有機半導體層190。導電層161、163、171、173、175、177和179包括多個層。第二壁180具有開口 181，其暴露位于導電層161、163、171、173、175、177和179、源電極161,171以及漏電極163、173上的溝道區(qū)C。在開口 181內形成有機半導體層190。絕緣基板110可以由玻璃或塑料構成。如果絕緣基板110由塑料構成，那么TFT 基板組件100將具有柔軟的特點，但可能易于受到熱量的影響。但是，如果在常溫常壓下形成第一實施例中的有機半導體層190，則可以毫無困難地采用塑料基板。所述塑料可以是聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚砜(PES)、多芳基化合物(PAR)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等。在絕緣基板110上形成數據導體121、123。數據導體121、123包括沿一個方向延伸的數據線121和設置在數據線121的末端部分的數據焊盤123，數據焊盤123用于從外部接收驅動信號和控制信號。數據焊盤1 接收驅動信號和控制信號，并將其傳輸給數據線 121。數據導體 121、123 包括鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、金(Au)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銅(Cu) 和鋁釹(AlNd)中的至少一種。此外，數據導體121、123可以具有包括前述材料中的至少一種的單個層或多層。在本發(fā)明中，首先在絕緣基板110上形成數據導體121、123，隨后形成覆蓋數據導體121、123的中間絕緣層130。數據導體121、123可以具有單個層或者多層。絕緣層130將數據導體121、123與柵極導體141、143和145電絕緣。層130可以是具有良好的耐用性的有機層或者具有良好的工藝效率的無機層。在另一示范性實施例中，中間絕緣層可以是設置于有機層之下的多層，其包括由具有良好的工藝效率的氮化硅 (SiNx)或氧化硅(SiOx)構成的無機層?？梢愿鶕袡C層的工藝效率省略所述無機層。在絕緣層130內形成暴露數據線121的一部分和數據焊盤123的絕緣層接觸孔 131和接觸孔(未示出)。采用絕緣層130覆蓋數據導體121、123降低了可能對有機半導體層190造成的劣化，所述劣化可能是由用于形成數據導體121、123的化學制品或等離子體引起的，這些化學制品可能殘留并擴散到絕緣層接觸孔131、接觸孔153或開口 151之間的界面內。在絕緣層130上形成柵極導體141、143和145。柵極導體141、143和145包括柵極線141、柵極焊盤145和柵電極143。柵極線141與數據線121絕緣并與之相交以界定像素區(qū)。柵極焊盤145設置在柵極線141的末端部分，用來從外部接收驅動信號或控制信號。 柵電極143從柵極線141分支出來，并對應于有機半導體層190形成，在下文中將對此予以說明。柵極焊盤145接收來自外部的用于導通/截止TFT的驅動和控制信號，并將其通過柵極線141傳輸至柵電極143。柵極導體141、143與數據導體121、123相似，包括Al、Cr、 Mo、Au、Pt、Pd、Cu和AlNd中的至少一種。在中間絕緣層130上形成壁150。壁150包括包括壁接觸孔153和暴露柵極導體141、143和145的至少一部分的開口 151。具體而言，壁 150包括暴露柵電極143的開口 151、對應于絕緣層接觸孔131形成并暴露數據線121的一部分的壁接觸孔153以及每者暴露數據焊盤123和柵極焊盤145的接觸孔152和154。提供壁150的作用在于通過噴墨法形成柵極絕緣層155，壁150可以包括光致抗蝕劑有機層。 為了保持位于柵電極143上柵極絕緣層155的平面化表面，優(yōu)選采用較大開口 151。通過開口 151噴射柵極絕緣層材料。從所述材料中去除溶劑，以形成柵極絕緣層155。在去除溶劑的過程中，柵極絕緣層155干燥，并變?yōu)槠桨逍螤?，即外圍區(qū)域厚，中央區(qū)域薄并且平坦。我們將其稱為咖啡漬現(xiàn)象。當在咖啡漬現(xiàn)象的影響下，柵極絕緣層巧5根據其在柵電極143上的位置而具有不同厚度時，可能會劣化TFT的特性。因此，將開口 151形成為具有大尺寸， 使得厚度大的外圍區(qū)域與柵電極143具有最小范圍的重疊。因此，使TFT特性受到最小的影響。在開口 151內形成柵極絕緣層155。柵極絕緣層155使數據導體121、123與柵極導體141、143和145絕緣，并防止雜質擴散到易于受到化學制品和等離子體影響的有機半導體層190內。柵極絕緣層155可以是包括具有低介電常數的丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂和苯并環(huán)丁烯中的至少一種的厚層。優(yōu)選地，根據本發(fā)明的柵極絕緣層155所包括的材料具有極佳的耐用性，并且具有低介電常數，從而將源電極171和柵電極143之間的以及漏極 173和柵電極143之間的電容Cgs和Cgd降至最低，由此提高有機TFT的特性。柵極絕緣層 155優(yōu)選具有處于1和3之間的相對介電常數。在壁150和柵極絕緣層155上形成導電層161、163、171、173、175、177和179。導電層161、163、171、173、175、177和179為多層，其中，金屬層161和163設置在下部，透明電極層171、173、175、177和179設置于上部。金屬層161和163與透明電極層171、173、 175、177和179電連接。金屬層161禾口 163包括Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd、Cu和AlNd中的至少一種，透明電極層171、173、175、177和179包括諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO) 的透明導電材料。例如，金屬層161和163可以包括鉻(Cr)和鉬(Mo)，或者鋁(Al)。透明電極層171、173、175、177和179可以包括無定形ITO0導電層161、163、171、173、175、177和179通過絕緣層接觸孔131和壁接觸孔153 連接到數據線121。導電層161、163、171、173、175、177和179包括與有機半導體層190的至少一部分接觸的源電極161、171、跨越柵電極143與源電極161、171隔開的漏電極163、 173以及連接至漏電極163,173的像素電極175。而且，導電層161、163、171、173、175、177 和179還包括連接到數據焊盤123的數據焊盤接觸構件177和連接到柵極焊盤145的柵極焊盤接觸構件179。源電極171通過絕緣層接觸孔131和壁接觸孔153從物理和電的角度連接至數據線121，以接收圖像信號?？缭綎烹姌O143將漏電極163、173與源電極161、171 分隔開，以界定溝道區(qū)C。漏電極163、173和源電極161、171形成了控制每一像素電極175 的工作的TFT開關和驅動元件。在源電極161、171和漏電極163、173上形成壁180。壁180包圍溝道區(qū)C，并且包括開口 181，開口 181暴露源電極161、171的一部分和漏電極、163、173的一部分。壁180 起著形成有機半導體層190的模具的作用。在開口 181內形成有機半導體層190。有機半導體層190覆蓋溝道區(qū)C，并與源電極161、171的至少一部分和漏電極163、173的一部分接觸。有機半導體層190包括下述材料之一包括丁省或戊省的置換基的衍生物；連接到噻吩環(huán)的2、5位置的4 8低聚噻吩；四羧酸二酐(perylenetetracarboxilic dianhidride)或其酰亞胺衍生物；萘四酸二酐(naphthalenetetracarboxilic dianhydride)或其酰亞胺衍生物；金屬化酞菁 (pthalocyanine)或其鹵化衍生物或二萘嵌苯、coroene或者包括其置換基的衍生物；噻吩基(thienylene)和亞乙烯基的共低聚物或共聚合物；噻吩；二萘嵌苯或coroene，或者包括其置換基的衍生物；以及包括一個或多個1 30個碳原子到芳香環(huán)或芳香雜環(huán)的烴鏈的前述材料的衍生物(derivatives including one or more hydrocarbon chains of 1 30 carbons to aromatic or heteroaromatic ring of the aforementioned materials)?；蛘撸袡C半導體層190可以包括任何公知的有機半導體材料。在另一示范性實施例中，，可以通過蒸鍍法或涂敷法形成有機半導體層。在這種情況下，無需形成壁180。在有機半導體層190上形成鈍化層195。如圖所示，鈍化層195為單個層，但是其可以是雙層。鈍化層195防止有機半導體層190的特性劣化，并且其包括氟聚合物、聚乙烯醇(PVA)或類似物。當鈍化層195為雙層時，其可以包括位于下層中的氟聚合物和位于上層中的ITO和IZO之一。在下文中，將參考圖3A到圖3L描述根據本發(fā)明的第一實施例的顯示裝置的制造方法。參考圖3A，絕緣基板110包括諸如玻璃、石英、陶瓷或塑料的絕緣材料。優(yōu)選采用塑料基板制造軟性顯示裝置。通過濺射法等在絕緣基板110上淀積數據導體材料，通過光刻等對其進行蝕刻以形成數據線121和數據焊盤123(參考圖1)。
參考圖:3B，在絕緣基板110和數據導體121、123上淀積包括諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的無機材料的中間絕緣材料，以形成中間絕緣層130。在另一示范性實施例中，，中間絕緣層可以是有機層。在這種情況下，通過旋涂法、絲網印刷法等在絕緣基板110 上形成中間絕緣層130。中間絕緣層130可以包括有機層和無機層。采用光致抗蝕劑有機層作為壁，通過蝕刻工藝形成暴露部分數據線121的絕緣層接觸孔131。參考圖3C，通過濺射法等在中間絕緣層130上淀積包括Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd、Cu 和AlNd中的至少一種的柵極導體材料，并通過光刻對其蝕刻，以形成柵極線141 (參見圖 1)、柵電極143和柵極焊盤145(參見圖1)。參考圖3D，形成壁150，壁150具有暴露柵電極143的開口 151和暴露數據線121 的部分并對應于絕緣層接觸孔131的壁接觸孔153。壁150可以包括光致抗蝕劑有機層。 按照下述步驟形成壁150 通過旋涂法或絲網印刷法在中間絕緣層130上形成具有預定厚度的有機層；將有機層與構圖光掩模對準并對其曝光；以及對有機層顯影以形成開口 151 和壁接觸孔153。參考圖3E，噴嘴200向開口 151噴射柵極絕緣材料156。柵極絕緣材料156包括具有低介電常數的丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂和苯并環(huán)丁烯中的至少一種。柵極絕緣材料 156優(yōu)選具有1到3之間的相對介電常數。這將降低源電極161、171和柵電極143之間的以及漏電極163、173和柵電極143之間的電容Cgs和Cgd，由此改善有機TFT的特性。之后，從柵極絕緣材料156去除溶劑，由此形成如圖3F所示的柵極絕緣層155。優(yōu)選形成足夠大的開口 151，從而將對TFT特性造成不利影響的咖啡漬效應降至最低。參考圖3F，在壁150和柵極絕緣層155上淀積包括Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd、Cu和 AlNd中的至少一種的金屬材料，以形成金屬材料層160。通過濺射法形成金屬材料層160。 將金屬材料層160通過壁接觸孔153和絕緣層接觸孔131連接至數據線121。這里，金屬材料層160優(yōu)選包括鋁，因為鋁不與蝕刻劑發(fā)生反應。由此，利用蝕刻劑的選擇性，可以對金屬材料層160毫無困難地構圖。參考圖3G，在金屬材料層160上形成透明電極材料層170。透明電極材料層170 可以是ITO或ΙΖ0。透明電極材料層170優(yōu)選為無定形ΙΤ0。其目的在于利用用于對金屬材料層160和透明電極材料層170構圖的蝕刻劑的選擇性，更容易地對金屬材料層160構圖。在透明電極材料層170上形成光致抗蝕劑層(未示出)，所述光致抗蝕劑層用于形成透明電極層171、173、175、177和179，如圖3H所示。將光致抗蝕劑層相對于柵電極143 劃分為兩部分，光致抗蝕劑層起著用于形成透明電極層171、173、175、177和179的阻擋層的作用。這里，在附圖中未示出數據焊盤接觸構件177和柵極焊盤接觸構件179?？梢酝ㄟ^鉻蝕刻劑對透明電極材料層170構圖，以形成透明電極層171、173、175、177和179。也可以采用鉻蝕刻劑去除設置于透明電極材料層170之下的金屬材料層160。因此，必須監(jiān)視蝕刻速度，從而有選擇地去除包括無定形ITO的透明電極材料層170，但不去除金屬材料層 160。同時，希望金屬材料層170包括鋁。鋁不與鉻蝕刻劑發(fā)生反應，并且這樣無需監(jiān)視蝕刻速度。這表明，透明電極材料層170可能會受到過蝕刻。參考圖31，執(zhí)行退火工藝。在退火工藝中，對材料充分加熱并使之緩慢冷卻，以獲得穩(wěn)定狀態(tài)。通過退火工藝，透明電極層171、173、175、177和179從無定形ITO變?yōu)榉€(wěn)定的多晶ΙΤ0。參考圖3J，形成包圍溝道區(qū)的壁180，壁180具有開口 181，開口 181暴露源電極 171的部分和漏電極173的部分。壁180起著形成有機半導體層190的模具的作用。壁180 可以是光致抗蝕劑層。按照下述步驟形成壁180 通過旋涂法或絲網印刷法在源電極171、 漏電極173和像素電極195的部分上形成具有預定厚度的有機層；將有機層與位于其上的構圖掩模對準，并對其曝光；以及對有機層顯影，從而在壁180內形成如圖3J所示的開口 181。為了使噴射到壁180的表面上的有機半導體溶液193(參考圖3L)自然地流動到開口 181內，對壁180的表面進行處理。但是，在常規(guī)顯示裝置中，在暴露溝道區(qū)C的同時實施等離子體表面處理，這樣將對柵極絕緣層155造成不利影響，并降低有機薄膜晶體管的質量。具體而言，柵極絕緣層155的表面處理提供了針對有機半導體溶液193的疏水性和疏油性，因此有機半導體溶液193無法均勻擴展，而是集中在源電極161、171和漏電極163、 173周圍。因此，無法在柵極絕緣層155和有機半導體層190之間形成良好的界面，并且有機半導體層190不具有均勻厚度，由此對有機薄膜晶體管的特性造成不利影響。因此，在本發(fā)明中，參考圖3J，對壁180的表面進行處理，從而在使金屬材料層160 覆蓋溝道區(qū)C的同時使壁180的表面具有疏水性和疏油性。也就是說，由于金屬材料層160 覆蓋溝道區(qū)C，因此等離子體和化學材料無法擴散到柵極絕緣層155內，由此改善了有機薄膜晶體管的特性。通過O2等離子體處理工藝、CF4等離子體處理工藝或自聚集單原子層 (self-assembled monolayer, SAM)工藝中的至少一種執(zhí)行所述表面處理。這里，將O2等離子體處理工藝和CF4等離子體處理工藝用于壁180的表面，以獲得疏水性和疏油性。另一方面，自聚集單原子層工藝用于通過降低噴射到溝道區(qū)C上的有機半導體層190與源電極 171和漏電極173之間的接觸電阻而使電荷容易移動，由此改善有機薄膜晶體管的特性。參考圖I，對金屬材料層160構圖，以形成跨越柵電極143劃分為兩個部分的金屬層161和163?？梢酝ㄟ^鉻蝕刻劑對金屬材料層160構圖。具體地，未通過鉻蝕刻劑去除包括通過退火過程變?yōu)榫酆暇w的ITO的透明電極層171、173、175、177和179，因而其起著對金屬材料層160構圖的屏蔽的作用。當金屬材料層160由鋁構成時，優(yōu)選通過鋁蝕刻劑對其構圖。由通過退火工藝變?yōu)榫酆暇w的ITO構成的透明電極層171、173、175、177和179不與鋁蝕刻劑發(fā)生反應，因而可以通過浸泡或沖洗對金屬材料層160容易地構圖，以形成源電極161和漏電極163。在另一個實施例中，用于形成壁的光致抗蝕劑層或基本成分可能殘留在溝道區(qū)C 中，所述基本成分可能降低有機薄膜晶體管的特性。但是，在本發(fā)明中，采用弱酸性蝕刻劑對金屬材料層160構圖，由此與殘留在溝道區(qū)內的基本成分中和，并將其去除。相應地，提高了導通電流和電荷的流動度，由此提高了有機薄膜晶體管的特性。參考圖3L，通過噴嘴200向溝道區(qū)C內噴射有機半導體溶液193。有機半導體溶液 193可以根據溶劑而為水溶液或油溶液。從有機半導體溶液193中去除所述溶劑，由此形成有機半導體層190(參考圖幻。由于可以在無需光刻的情況下，通過噴墨法對有機半導體層 190構圖，因而使其避免受到光刻過程中采用的化學材料的影響，由此降低了對其特性的劣化。
在另一示范性實施例中，，可以通過蒸鍍法或涂敷法形成有機半導體層。在這種情況下，無需形成壁180。同樣地，可以通過在有機半導體層190上噴射鈍化溶液形成鈍化層(未示出)。所述鈍化溶液可以根據溶劑而為水溶液或油溶液。從所述鈍化溶液中去除溶劑，由此形成鈍化層195。所述鈍化層195的表面是平坦的。在下文中，將參考圖4描述根據本發(fā)明第二實施例的顯示裝置及其制造方法。在下述說明中，將描述根據第二實施例的顯示裝置及其制造方法的區(qū)別性特征。如圖4所示，根據第二實施例的顯示裝置包括源電極261、271和漏電極沈3、273。 源電極261、271和漏電極263、273每者包括多個層。根據第二實施例的源電極261、271和漏電極263、273的制造過程與根據第一實施例制造過程相同，因而如上所述改善了有機薄膜晶體管的特性。在第二實施例中，在與金屬層261和263相同的層上形成數據導體沈5。 也就是說，形成金屬材料層(未示出)并對其構圖，以形成數據導體265。接下來，如前所述，在其上形成透明電極材料層，并對其構圖，以形成透明電極層271、273、275、277和279。 之后，形成壁觀0，并對其表面進行處理。采用透明電極層271、273、275、277和279作為阻擋層形成金屬層261和沈3。相對于柵電極243將金屬層261和263劃分為兩個部分。相應地，與第一實施例相比，在第二實施例中可以省略對數據導體構圖的過程，形成中間絕緣層的過程以及形成絕緣層接觸孔的過程。此外，由于在以金屬材料層(未示出)覆蓋溝道區(qū)C的同時，通過對第二壁觀0的表面的處理，使其具有疏水性和疏油性，因此用于表面處理的等離子體和化學材料不能擴散到柵極絕緣層255內，由此改善了有機薄膜晶體管的特性?？梢詫⒏鶕景l(fā)明的壁用于諸如液晶顯示器(LCD)、有機發(fā)光二極管(OLED)、電泳指示顯示器等。OLED是采用有機材料接收電信號由此發(fā)光的自發(fā)光裝置。在OLED中層疊著陰極層(像素電極)、空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)光層、電子輸運層、電子注入層和陽極層(對電極)。將根據本發(fā)明的位于TFT基板上的漏電極電連接到陰極層，以施加數據信號。電泳指示顯示器是用于電子書(e-book)的平板顯示器。電泳指示顯示器包括形成第一電極和TFT的第一基板、形成第二電極的第二基板、設置于兩基板之間的液體以及分布在所述液體內的帶電粒子。所述帶電粒子是正的或者是負的，且是黑的或者是白的。如果向彼此相對的兩個電極施加電壓，從而在其間形成電勢差，那么帶電粒子將朝向具有相反極性的電極上下移動。因此，觀察者將看到從外部入射并在帶電粒子內受到反射的光。電泳指示顯示器利用了當帶電粒子上下移動時，觀察者對帶電粒子顏色的強弱識別的原理。但是，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領域的技術人員顯然可以做出各種修改和變型。本申請要求于2005年12月13日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請 No. 2005-0122752的權益，在此將其全部內容引入以供參考。
權利要求
1.一種制造顯示裝置的方法，包括在絕緣基板上形成包括柵電極的柵極導體；在所述柵電極上形成柵極絕緣層；通過在所述柵極絕緣層上涂覆金屬材料形成金屬層；通過向所述金屬層涂覆透明電極材料形成透明電極層；對所述透明電極層構圖，從而跨越所述柵電極將其劃分為兩部分；對所述透明電極層退火；對所述金屬層構圖以具有溝道區(qū)，使之被跨越所述柵電極劃分為兩部分；以及在所述溝道區(qū)內形成有機半導體層。
2.根據權利要求1所述的制造顯示裝置的方法，其中，所述透明電極材料包括無定形氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
3.根據權利要求2所述的制造顯示裝置的方法，其中，采用鉻蝕刻劑執(zhí)行對所述透明電極層的構圖。
4.根據權利要求2所述的制造顯示裝置的方法，其中，通過所述退火使所述透明電極層變?yōu)槎嗑w。
5.根據權利要求4所述的制造顯示裝置的方法，其中，所述金屬材料包括鋁、鉻、鉬、 金、鉬、鈀、銅和鋁釹中的至少一種。
6.根據權利要求5所述的制造顯示裝置的方法，其中，采用所述透明電極層作為阻擋層執(zhí)行對所述金屬層的構圖。
7.根據權利要求6所述的制造顯示裝置的方法，其中，采用鉻蝕刻劑執(zhí)行對所述金屬層的構圖。
8.根據權利要求6所述的制造顯示裝置的方法，其中，所述金屬層包括鋁，并采用鋁蝕刻劑執(zhí)行對所述金屬層的構圖。
9.根據權利要求1所述的制造顯示裝置的方法，還包括在形成所述柵極導體之前，在所述絕緣基板上涂覆數據導體材料，以形成數據導體，在所述數據導體上涂覆中間絕緣材料，以形成中間絕緣層。
10.根據權利要求9所述的制造顯示裝置的方法，還包括在所述中間絕緣層上形成第一壁，使之具有暴露所述柵電極的第一開口，并在所述第一開口內形成所述柵極絕緣層，從而覆蓋所述柵電極。
11.根據權利要求10所述的制造顯示裝置的方法，其中，通過噴墨法在所述第一開口內形成所述柵極絕緣層。
12.根據權利要求10所述的制造顯示裝置的方法，還包括在所述退火之后，并且在對所述金屬層構圖之前，在所述透明電極層上形成第二壁，使之具有暴露所述溝道區(qū)的第二開口，并對所述第二壁的表面進行表面處理。
13.根據權利要求12所述的制造顯示裝置的方法，其中，通過噴墨法在所述第二開口內形成所述有機半導體層。
14.根據權利要求12所述的制造顯示裝置的方法，其中，通過O2等離子體處理工藝、CF4 等離子體處理工藝或自聚集單原子層工藝中的至少一種執(zhí)行所述表面處理。
15.根據權利要求1臓的制顏示體的方法，還包括在臓有機半導體層上形成鈍化層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種制造顯示裝置的方法，包括在絕緣基板上形成包括柵電極的柵極導體；在所述柵電極上形成柵極絕緣層；通過在所述柵極絕緣層上涂覆金屬材料形成金屬層；通過向所述金屬層涂覆透明電極材料形成透明電極層；對所述透明電極層構圖，從而跨越所述柵電極將其劃分為兩部分；對所述透明電極層退火；對所述金屬層構圖以具有溝道區(qū)，使之被跨越所述柵電極劃分為兩部分；以及在所述溝道區(qū)內形成有機半導體層。
文檔編號H01L51/40GK102280582SQ20111020147
公開日2011年12月14日 申請日期2006年12月13日 優(yōu)先權日2005年12月13日
發(fā)明者吳俊鶴, 宋根圭 申請人:三星電子株式會社