專利名稱：半導(dǎo)體封裝以及使用其的移動(dòng)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在此描述的實(shí)施方式總體涉及半導(dǎo)體封裝以及使用其的移動(dòng)設(shè)備。
背景技術(shù)：
對(duì)于以便攜電話機(jī)為代表的便攜通信設(shè)備中使用的半導(dǎo)體裝置，為了防止對(duì)通信特性的不良影響，要求抑制向外部泄漏無用電磁波。因此，應(yīng)用具有屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝。作為具有屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝，已知具有沿著封裝半導(dǎo)體芯片的封裝樹脂層的外面設(shè)置有屏蔽層的結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體芯片搭載于插入式基板上。已知一種半導(dǎo)體封裝，其為了抑制無用電磁波從插入式基板的側(cè)面泄漏，使用了在外周側(cè)配置有連接于接地布線的通孔的插入式基板。在這樣的半導(dǎo)體封裝中，要求提高屏蔽層與插入式基板的接地布線的電以及機(jī)械的連接可靠性。進(jìn)而，要求不使半導(dǎo)體封裝大型化地抑制無用電磁波從插入式基板的側(cè)面泄漏。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體封裝，其具有插入式基板；設(shè)置于插入式基板的第一面的外部連接端子；搭載于插入式基板的第二面上的半導(dǎo)體芯片；以封裝半導(dǎo)體芯片的方式形成于插入式基板的第二面上的封裝樹脂層；以及以覆蓋封裝樹脂層以及插入式基板的側(cè)面的至少一部分的方式設(shè)置的導(dǎo)電性屏蔽層。插入式基板具備形成于絕緣基材的第一面的第一布線層；形成于絕緣基材的第二面的第二布線層；和貫通絕緣基材的多個(gè)通孔。多個(gè)通孔的一部分，具有在插入式基板的側(cè)面露出并在插入式基板的厚度方向被切斷的切斷面。通孔的切斷面與導(dǎo)電性屏蔽層電連接。根據(jù)本實(shí)施例，通過屏蔽效果能夠有效地抑制電磁波從插入式基板泄漏。此外，通過將本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝應(yīng)用于例如便攜電話機(jī)，能夠抑制通信時(shí)的噪音。


圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖2是圖1所示的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。圖3是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝的導(dǎo)電性屏蔽層形成前的狀態(tài)的側(cè)視圖。圖4是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝所使用的插入式基板的一例的俯視圖。圖5是圖4所示的插入式基板的剖視圖。圖6是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝所使用的插入式基板的其他例的俯視圖。圖7是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的其他結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖8是圖7所示的半導(dǎo)體封裝的剖視圖。圖9是表示通孔的切斷面的最大間隔與半導(dǎo)體封裝的磁場屏蔽效果的關(guān)系的圖。圖10是表示導(dǎo)電性屏蔽層與通孔的切斷面的接觸電阻和半導(dǎo)體封裝的磁場屏蔽效果的關(guān)系的圖。圖IlA 圖IlC是表示圖7所示的半導(dǎo)體封裝的制造工序的圖。圖12A 圖12E是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝的制造工序的圖。圖13是圖1所示的半導(dǎo)體封裝的從上面所見的圖。圖14是放大地表示圖13所示的半導(dǎo)體封裝的封裝樹脂層以及導(dǎo)電性屏蔽層的一部分的剖視圖。圖15是表示導(dǎo)電性屏蔽層的標(biāo)識(shí)標(biāo)記的形成部分的薄層電阻率與半導(dǎo)體封裝的磁場屏蔽效果的關(guān)系的圖。圖16是表示實(shí)施方式的便攜電話機(jī)的結(jié)構(gòu)的立體圖。
具體實(shí)施例方式參照附圖對(duì)第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝進(jìn)行說明。圖1是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的側(cè)視圖，圖2是圖1所示的半導(dǎo)體封裝的剖視圖，圖3是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝的導(dǎo)電性屏蔽層形成前的狀態(tài)的側(cè)視圖，圖4是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝所使用的插入式基板的一例的俯視圖，圖5是圖4所示的插入式基板的剖視圖。這些圖中所示的半導(dǎo)體封裝1是在!7BGA(Fine pitch Ball Grid Array，微間距球柵陣列)6上形成有導(dǎo)電性屏蔽層7的帶屏蔽功能的半導(dǎo)體封裝，該FBGA6具備插入式基板2、在插入式基板2的第一面作為外部連接端子而設(shè)置的焊球3、搭載于插入式基板2的第二面上的半導(dǎo)體芯片4以及封裝半導(dǎo)體芯片4的封裝樹脂層5。插入式基板2具有絕緣基板21作為絕緣基材。在絕緣基板21的第一面(下面) 設(shè)置有第一布線層22，在第二面(上面)設(shè)置有第二布線層23。布線層22、23不限于單層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體層，也可以分別包括2層以上的導(dǎo)體層。插入式基板2具有以將第一布線層22 與第二布線層23電連接的方式貫通絕緣基板21而形成的通孔24。布線層22、23和/或通孔M，包含銅箔和/或含有銀或銅的導(dǎo)電性膏，根據(jù)需要對(duì)表面實(shí)施鍍鎳和/或鍍金。插入式基板2的通孔24，如圖5所示，具有形成于貫通絕緣基板21的貫通孔的內(nèi)面的導(dǎo)體層25 ；填充于導(dǎo)體層25的內(nèi)側(cè)的中空部的孔填埋材料沈；和將導(dǎo)體層25與布線層22、23電連接的連接盤(land)27、27?？滋盥癫牧仙虬ɡ缃^緣性樹脂和/或?qū)щ娦詷渲??？滋盥癫牧?6優(yōu)選，由與導(dǎo)電性屏蔽層7的緊密附著性優(yōu)異的材料形成。在孔填埋材料沈由導(dǎo)電材料形成的情況下，由于與導(dǎo)電性屏蔽層7的接觸面積增大，所以可預(yù)見通孔M與導(dǎo)電性屏蔽層7的接觸電阻值的降低。通孔M也可以通過鍍覆等在貫通孔內(nèi)填充有金屬材料(銅等)。在插入式基板2的第一面(設(shè)置有第一布線層22的面)設(shè)置有焊球3。焊球3與第一布線層22電連接。插入式基板2的第二面(設(shè)置有第二布線層23的面)具有芯片搭載區(qū)域X。在圖4中省略了圖示，但在芯片搭載區(qū)域X除了芯片搭載部以外，還設(shè)置有第二布線層23的信號(hào)布線和/或接地布線等。插入式基板2具有形成于第一以及第二面的抗焊層28,290
在插入式基板2的第二面上搭載有半導(dǎo)體芯片4。設(shè)置于半導(dǎo)體芯片4的上面的電極焊盤(未圖示)，經(jīng)由金(Au)線等接合線8與插入式基板2的第二布線層23電連接。 進(jìn)而，在插入式基板2的第二面形成有將半導(dǎo)體芯片4與接合線8等一同封裝的封裝樹脂層5。封裝樹脂層5與插入式基板2的側(cè)面的至少一部分由導(dǎo)電性屏蔽層7覆蓋。導(dǎo)電性屏蔽層7，為了防止從封裝樹脂層5內(nèi)的半導(dǎo)體芯片4和/或插入式基板 2的布線層22、23放射的無用電磁波的泄漏，優(yōu)選由電阻率低的金屬層形成，例如應(yīng)用包含銅、銀、鎳等的金屬層。導(dǎo)電性屏蔽層7的厚度，優(yōu)選基于其電阻率來設(shè)定。例如，優(yōu)選以使得導(dǎo)電性屏蔽層7的電阻率除以厚度所得的薄層電阻值小于等于0.5 Ω的方式，來設(shè)定導(dǎo)電性屏蔽層7的厚度。通過使導(dǎo)電性屏蔽層7的薄層電阻值小于等于0. 5 Ω，能夠再現(xiàn)性良好地抑制無用電磁波從封裝樹脂層5的泄漏。從半導(dǎo)體芯片4等放射的無用電磁波，由于通過覆蓋封裝樹脂層5的導(dǎo)電性屏蔽層7遮斷，所以被防止向外部泄漏。無用電磁波有可能也從插入式基板2的側(cè)面泄漏。因此，在該實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝1中，如圖2 圖5所示，在插入式基板2的外周部配置有一部分通孔24、即與接地布線22Α、23Α連接的通孔24Α。通孔24Α配置為，具有在插入式基板2的厚度方式切斷的切斷面C，該切斷面C在插入式基板2的側(cè)面露出。第一以及第二布線層22、23具有接地布線22Α、23Α。接地布線22Α、23Α以在插入式基板2的側(cè)面露出的方式配置于外周部。進(jìn)而，在插入式基板2的外周部，配置有與接地布線22Α、23Α連接的通孔24Α。通孔24Α配置為，具有在插入式基板2的厚度方式切斷的切斷面C，且使切斷面C在插入式基板2的側(cè)面露出。由于導(dǎo)電性屏蔽層7形成為覆蓋插入式基板2的側(cè)面的一部分，所以導(dǎo)電性屏蔽層7與接地布線23Α電連接，進(jìn)而與通孔24Α的切斷面C電連接。由于導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24Α經(jīng)由通孔24Α的切斷面C電連接，所以能夠提高導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24Α的連接狀態(tài)。具體而言，能夠使導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24Α的接觸電阻降低。導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24Α的切斷面C的連接狀態(tài)不限于直接連接的狀態(tài) (直流連接)，也可以經(jīng)由薄的絕緣體高頻電連接。通孔M的切斷面C優(yōu)選包含導(dǎo)體層25的切斷面和孔填埋材料沈的切斷面。圖 4以及圖5表示以通過通孔24Α的中心的方式進(jìn)行了切斷的狀態(tài)。由此，由于導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24Α的切斷面C的接觸面積增大，所以能夠使導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24Α的連接狀態(tài)更進(jìn)一步提高。但是，通孔24Α的切斷面C也可以不一定通過通孔24Α的中心，而只要切斷面C包含通孔24Α的一部分即可。在切斷通孔24Α時(shí)，優(yōu)選連接盤27的形狀如圖4所示為矩形。切斷后的通孔24Α 的連接盤27的形狀，可以考慮圖4所示的長方形和圖6所示的半圓形。圖4所示的長方形的連接盤27是切斷例如正方形的連接盤而成的部分。圖6所示的半圓形的連接盤271是切斷例如圓形的連接盤而成的部分。在如圖6所示切斷圓形的連接盤的情況下，由于切割線(dicingline)的位置的偏差的影響，連接盤271的剖面露出面積容易偏差。相對(duì)于此， 圖4所示的長方形的連接盤27，即使在切割線的位置偏差了的情況下也能夠使剖面露出面積一定。進(jìn)而，在切斷通孔24A時(shí)，優(yōu)選在插入式基板2的四角不配置通孔24A。配置于四角的通孔24A，由于在切割工序中要被切斷2次，所以容易產(chǎn)生銅箔從插入式基板2的分離等。因此，優(yōu)選在插入式基板2的四角不配置通孔24A。但是，當(dāng)在切割工序中不可能產(chǎn)生因銅箔的分離等所導(dǎo)致的通孔24A的損傷和/或破壞的情況下，也可以在插入式基板2的四角也配置要被切割的通孔24A。圖2 圖5所示的通孔24A具有將其厚度方向(通孔M的貫通方向)的一部分在插入式基板2的厚度方向切斷而成的切斷面C。通孔24A的切斷面C具有從插入式基板 2的第二面?zhèn)惹袛嗤?4A的厚度方向的一部分而成的形狀。通孔24A的插入式基板2的第一面?zhèn)鹊亩瞬考捌涓浇糠钟山^緣基板21覆蓋。導(dǎo)電性屏蔽層7形成為，覆蓋切斷通孔 24A的厚度方向的一部分而成的切斷面C和通過切斷通孔24A的一部分而產(chǎn)生的臺(tái)階面。 由此，能夠提高由導(dǎo)電性屏蔽層7形成的對(duì)FBGA6的被覆性和/或?qū)щ娦云帘螌?與通孔 24A的切斷面C的連接性。如圖7以及圖8所示，通孔24A也可以具有將其整個(gè)厚度方向(通孔M的貫通方向)在插入式基板2的厚度方向切斷而成的切斷面C。圖7以及圖8所示的通孔24A的切斷面C具有切斷通孔24A的整個(gè)厚度方向而成的形狀。導(dǎo)電性屏蔽層7形成為，從插入式基板2的第二面?zhèn)雀采w通孔24A的切斷面C的厚度方向的一部分。切斷面C的未由導(dǎo)電性屏蔽層7所覆蓋的部分在插入式基板2的側(cè)面露出。導(dǎo)電性屏蔽層7也可以形成為覆蓋整個(gè)切斷面C。在該情況下，導(dǎo)電性屏蔽層7可以與第一布線層22的接地布線22A電連接。圖7以及圖8所示的半導(dǎo)體封裝1，由于切斷了整個(gè)通孔24A，所以能夠抑制半導(dǎo)體封裝1的面積的增大。例如在使用在外周部配置有未被切斷的通孔的插入式基板的情況下，與未在外周部配置通孔的插入式基板相比，半導(dǎo)體封裝的一邊的長度增加通孔的連接盤的寬度的2倍以上。相對(duì)于此，在使用在外周部配置有在中心切斷了的通孔24A的插入式基板2的情況下，半導(dǎo)體封裝1的一邊的長度的增加量被抑制為通孔M的連接盤的寬度程度。在通孔24A的連接盤的寬度為0. 2mm的情況下，如果配置未切斷的通孔，則封裝的一邊的長度增加0. 4mm以上，相對(duì)于此，如果配置切斷了的通孔則能夠?qū)⒎庋b的一邊的長度的增加量抑制為0. 2mm左右。具有與導(dǎo)電性屏蔽層7電連接的切斷面C的通孔24A，具有抑制電磁波從插入式基板2的側(cè)面泄漏的效果。由于通孔24A貫通插入式基板2，并且在切斷面C與導(dǎo)電性屏蔽層 7電連接，所以能夠有效地抑制電磁波從插入式基板2的整個(gè)側(cè)面泄漏。例如，即使在插入式基板2的外周部配置有連接于接地布線的通孔，在該通孔僅設(shè)置于插入式基板2的厚度方向的一部分的情況下，電磁波也從在厚度方向不存在通孔的部分泄漏。相對(duì)于此，通過配置貫通插入式基板2的通孔24A，由于通孔24A對(duì)于插入式基板2的整個(gè)側(cè)面發(fā)揮屏蔽效果，所以能夠有效地抑制電磁波從插入式基板2的側(cè)面泄漏。為了抑制電磁波從插入式基板2的側(cè)面泄漏，優(yōu)選使多個(gè)通孔24A的切斷面C在插入式基板2的每一邊的側(cè)面露出。進(jìn)而，在插入式基板2的側(cè)面露出的通孔24A的切斷面C的間隔越窄，電磁波的泄漏抑制效果(磁場屏蔽效果)就變得越高。優(yōu)選，將通孔24A 的切斷面C的最大間隔設(shè)定為小于等于4mm。通孔24A的配置間隔并不限定于等間隔。通孔24A的配置間隔也可以不固定。即使在那樣的情況下，也優(yōu)選以使得切斷面C的最大間隔小于等于4mm的方式配置通孔24A。圖9中示出插入式基板2的側(cè)面的通孔24A的切斷面C的最大間隔與磁場屏蔽效果的關(guān)系。圖9是測定900MHz、2500MHz各個(gè)頻率下的磁場屏蔽效果的結(jié)果。測定樣本設(shè)定為一邊的長度為8. 15mm、高度(包括焊球)為1. 06mm的半導(dǎo)體封裝。噪音從外部供給于焊球，并從焊球起在插入式基板的信號(hào)布線和通孔中傳播而傳播到基板并終止于基板。使導(dǎo)電性屏蔽層、露出的通孔、接地布線以及焊球的接地引腳電連接。磁場強(qiáng)度在距封裝中央部正上方的封裝樹脂層Imm的距離(基準(zhǔn)面)的位置進(jìn)行掃描而測定。磁場屏蔽效果根據(jù)有屏蔽層時(shí)和無屏蔽層時(shí)基準(zhǔn)面處的磁場強(qiáng)度之差而求得。導(dǎo)電性屏蔽層的厚度，在封裝上面設(shè)定為50μπκ在側(cè)面設(shè)定為70μπι。導(dǎo)電性屏蔽層的電阻率為30μ Qcm左右。在圖9中示出這樣測定到的磁場屏蔽效果。圖9示出了使通孔24Α的切斷面C的最大間隔變化了的情況下的磁場屏蔽效果。如圖9所示，通孔MA的切斷面C的最大間隔的對(duì)數(shù)與磁場屏蔽效果具有線性的關(guān)系。可知，在通孔24Α的切斷面C的最大間隔大的情況下，磁場屏蔽效果降低。為了提高磁場屏蔽效果，優(yōu)選使通孔24Α的切斷面C的最大間隔變窄。在便攜設(shè)備所使用的半導(dǎo)體封裝1中，要求使900MHz下的磁場屏蔽效果大于等于34dB。因此，優(yōu)選將切斷面C的最大間隔設(shè)定為小于等于4mm。使通孔24A的切斷面C的間隔變窄的方式效果高，但是由于通孔 24A的間隔受到結(jié)構(gòu)上的限制，所以使其間隔大于等于0. 2mm。進(jìn)而，為了提高由導(dǎo)電性屏蔽層7實(shí)現(xiàn)的磁場屏蔽效果，優(yōu)選使導(dǎo)電性屏蔽層7與插入式基板2的接地布線以低電阻接觸。具體而言，優(yōu)選使導(dǎo)電性屏蔽層7與接地布線23A 和/或通孔24A的切斷面C的接觸電阻降低。圖10中示出通過電磁場模擬求出導(dǎo)電性屏蔽層7和通孔24A的切斷面C的接觸電阻與由導(dǎo)電性屏蔽層7實(shí)現(xiàn)的磁場屏蔽效果的關(guān)系的結(jié)果。對(duì)于一邊的長度為8. 1mm、高度(包括焊球)為1. 06mm的半導(dǎo)體封裝進(jìn)行了基于電磁場模擬的分析。半導(dǎo)體封裝的具體的形狀設(shè)定為，插入式基板2的高度為0. 1mm、通孔 24A的直徑為0. 08mm、通孔24A的連接盤27的寬度為0. 2mm、第一以及第二布線層22、23的厚度為18μπι。設(shè)定通孔24Α在貫通孔內(nèi)填充有銅。如果導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24Α的切斷面C的上半部分接觸，則通孔24Α的每一個(gè)的接觸面積為0. 0076mm2。通孔24A以Imm間距等間隔配置，也配置于插入式基板2的四角。通孔24A的個(gè)數(shù)為33個(gè)。噪音從外部供給于焊球，并從焊球起在插入式基板的信號(hào)布線和通孔中傳播而傳播到基板并終止于基板。使導(dǎo)電性屏蔽層、露出的通孔、接地布線以及焊球的接地引腳電連接。磁場強(qiáng)度在距封裝中央部正上方的封裝樹脂層Imm的位置(基準(zhǔn)面)計(jì)算出。磁場屏蔽效果根據(jù)有屏蔽層時(shí)和無屏蔽層時(shí)基準(zhǔn)面處的磁場強(qiáng)度的最大值之差而求得。導(dǎo)電性屏蔽層的厚度，在封裝上面和側(cè)面都設(shè)定為50 μ m。導(dǎo)電性屏蔽層的電阻率為30μ Qcm左右。 在圖10中示出這樣實(shí)施的電磁場模擬的結(jié)果。如圖10所示，導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24Α的切斷面C的接觸電阻越低，磁場屏蔽效果就變得越高。在便攜設(shè)備所使用的半導(dǎo)體封裝1中，要求使900MHz下的磁場屏蔽效果大于等于34dB。因此，優(yōu)選將導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24A的切斷面C的接觸面積電阻率設(shè)定為小于等于300mQ/mm2。由于每一個(gè)通孔24A的接觸面積為0. 0076mm2，所以優(yōu)選將一個(gè)通孔24A的切斷面C與導(dǎo)電性屏蔽層7的接觸界面的電阻值設(shè)定為小于等于39 Ω。g卩，導(dǎo)電性屏蔽層7，優(yōu)選用與通孔24A的切斷面C的接觸電阻小于等于300m Ω /mm2的導(dǎo)電材料、 或者與一個(gè)通孔24A的切斷面C的接觸界面的電阻值小于等于39 Ω的導(dǎo)電材料來形成。該實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝1，例如如下述這樣制作。首先，如圖IlA所示，應(yīng)用現(xiàn)有的制作工序制作FBGA 6。通過切割將FBGA 6單片化。在將FBGA 6單片化時(shí)，以使得通孔 24A的切斷面C在插入式基板2的側(cè)面露出的方式進(jìn)行切割。接著，在使封裝樹脂層5固化 (cure)之后，如圖IlB所示形成導(dǎo)電性屏蔽層7。圖IlA以及圖IlB示出圖7以及圖8所示的半導(dǎo)體封裝1的制造工序。導(dǎo)電性屏蔽層7，通過用例如轉(zhuǎn)印法、絲網(wǎng)印刷法、噴射涂敷法、噴射分配(jet dispense)法、噴墨法、噴霧法等涂敷導(dǎo)電性膏來形成。導(dǎo)電性膏包含例如銀和/或銅和樹脂作為主成分，優(yōu)選電阻率低。此外，也可以應(yīng)用通過化學(xué)鍍法和/或電鍍法進(jìn)行銅和/或鎳的成膜的方法、通過濺射法進(jìn)行銅等的成膜的方法來形成導(dǎo)電性屏蔽層7。導(dǎo)電性屏蔽層 7形成為，覆蓋封裝樹脂層5以及插入式基板2的側(cè)面的至少一部分。如圖IlC所示，也可以根據(jù)需要用耐蝕性和/或耐遷移性優(yōu)異的保護(hù)層9覆蓋導(dǎo)電性屏蔽層7。作為保護(hù)層9，使用聚酰亞胺樹脂等。之后，通過對(duì)導(dǎo)電性屏蔽層7和/或保護(hù)層9進(jìn)行燒成以使其固化，從而制作半導(dǎo)體封裝1。半導(dǎo)體封裝1根據(jù)需要被進(jìn)行印字。印字，通過基于激光進(jìn)行的印字和/或轉(zhuǎn)印法等來實(shí)施。該實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝1，也能夠如圖12A 圖12E所示，在單片化之前進(jìn)行半切割(half dicing)，接著在形成了導(dǎo)電性屏蔽層7之后，進(jìn)行用于單片化的切割而制作。 圖12A 圖12E示出了圖1 圖3所示的半導(dǎo)體封裝1的制造工序。首先，如圖12A所示，應(yīng)用現(xiàn)有的制作工序制作將多個(gè)FBGA6用封裝樹脂層5 —并封裝而成的封裝。接著，如圖12B所示，以將封裝樹脂層5和插入式基板2的一部分切斷的方式進(jìn)行半切割。半切割以將配置于插入式基板2的外周部的通孔24A的厚度方向的一部分切斷的方式實(shí)施。通孔24A的切斷面C通過半切割而形成。在實(shí)施半切割時(shí)，若在插入式基板2的四角配置通孔24A，則有時(shí)通孔24A會(huì)從插入式基板2分離。為了避免這樣的情況，優(yōu)選在插入式基板2的四角不配置通孔24A。當(dāng)在插入式基板2的四角配置通孔24A且在半切割中通孔24A從插入式基板2分離了的情況下， 通過再次使切割刀片通過與進(jìn)行了半切割的部分相同的位置，能夠除去分離了的通孔24A。 由此，能夠抑制因通孔24A的分離導(dǎo)致的不良的發(fā)生。接著，如圖12C所示，以覆蓋多個(gè)FBGA 6的方式形成導(dǎo)電性屏蔽層7。導(dǎo)電性屏蔽層7以填充于通過半切割而形成的切割槽內(nèi)的方式形成。如圖12D所示，在一并搭載了焊球3之后，如圖12E所示，進(jìn)行用于單片化的切割而制作半導(dǎo)體封裝1。用于單片化的切割， 以將填充于切割槽內(nèi)的導(dǎo)電性屏蔽層7和插入式基板2的剩余部分切斷的方式實(shí)施。如圖 IlC所示，在應(yīng)用保護(hù)層9的情況下，在用于單片化的切割工序之前或者工序之后在導(dǎo)電性屏蔽層7上形成保護(hù)層9。半導(dǎo)體封裝1根據(jù)需要被進(jìn)行印字。如圖13所示，當(dāng)在半導(dǎo)體封裝1的導(dǎo)電性屏蔽層7的表面形成文字10A、符號(hào)10B、 圖形等標(biāo)識(shí)標(biāo)記10的情況下，如果在厚度方向全部削去導(dǎo)電性屏蔽層7、使封裝樹脂層5露出，則電磁噪音可能會(huì)從標(biāo)識(shí)標(biāo)記10的形成部分泄漏。因此，標(biāo)識(shí)標(biāo)記10，優(yōu)選通過僅在厚度方向的一部分削去導(dǎo)電性屏蔽層7來形成。標(biāo)識(shí)標(biāo)記10，也可以通過不削去導(dǎo)電性屏蔽層7的轉(zhuǎn)印墨的方法來形成。作為標(biāo)識(shí)標(biāo)記10的形成方法，可舉出以不怎么削去導(dǎo)電性屏蔽層7的方式調(diào)節(jié)激光輸出的激光打標(biāo)法。在對(duì)導(dǎo)電性屏蔽層7進(jìn)行激光標(biāo)記的情況下，如圖14所示，優(yōu)選調(diào)節(jié)激光的輸出以使標(biāo)識(shí)標(biāo)記10的形成部分的表面粗糙度變得與導(dǎo)電性屏蔽層7的其他部分的表面粗糙度不同。例如，使標(biāo)識(shí)標(biāo)記10的形成部分的表面粗糙度變得比導(dǎo)電性屏蔽層 7的其他部分的表面粗糙度小。由此，不大幅削去導(dǎo)電性屏蔽層7便能夠識(shí)別性良好地形成標(biāo)識(shí)標(biāo)記10。在圖15以及表1中示出通過電磁場模擬求出導(dǎo)電性屏蔽層7的標(biāo)識(shí)標(biāo)記10的形成部分的薄層電阻值與磁場屏蔽效果的關(guān)系的結(jié)果。對(duì)于一邊的長度為8. 1mm、高度(包括焊球)為1.06mm的半導(dǎo)體封裝進(jìn)行了基于電磁場模擬的分析。半導(dǎo)體封裝的具體的形狀設(shè)定為，插入式基板2的高度為0. 1mm、通孔24A的直徑為0. 08mm、通孔24A的連接盤27 的寬度為0. 2mm、第一以及第二布線層22、23的厚度為18 μ m。設(shè)定通孔24A在貫通孔內(nèi)填充有銅。如果導(dǎo)電性屏蔽層7與通孔24A的切斷面C的上半部分接觸，則通孔24A的每一個(gè)的接觸面積為0. 0076mm2。通孔24A以Imm間距等間隔配置，也配置于插入式基板2的四角。通孔24A的個(gè)數(shù)為33個(gè)。噪音從外部供給于焊球，并從焊球起在插入式基板的信號(hào)布線和通孔中傳播而傳播到基板并終止于基板。使導(dǎo)電性屏蔽層、露出的通孔、接地布線以及焊球的接地引腳電連接。分析頻率設(shè)定為900MHz。磁場強(qiáng)度在距封裝中央部正上方的封裝樹脂層Imm的位置 (基準(zhǔn)面)計(jì)算出。磁場屏蔽效果根據(jù)有屏蔽層時(shí)和無屏蔽層時(shí)基準(zhǔn)面處的磁場強(qiáng)度的最大值之差而求得。導(dǎo)電性屏蔽層的厚度，在封裝上面和側(cè)面都設(shè)定為50μπι。導(dǎo)電性屏蔽層的電阻率為30 μ Ω cm,導(dǎo)電性屏蔽層的薄層電阻值為0. 006 Ω。在導(dǎo)電性屏蔽層7形成有圖13所示那樣的標(biāo)識(shí)標(biāo)記10。文字IOA的粗細(xì)是 0. 08mm,文字IOA的大小設(shè)定為縱1mm、橫0. 7mm。表示封裝方向的標(biāo)記IOB設(shè)定為直徑Imm 的圓形。通過切削導(dǎo)電性屏蔽層7而形成了圖13所示那樣的標(biāo)識(shí)標(biāo)記10。使標(biāo)識(shí)標(biāo)記10 的形成部分的導(dǎo)電性屏蔽7的厚度從0 μ m變化至50 μ m，對(duì)與磁場屏蔽效果的關(guān)系進(jìn)行了分析。在導(dǎo)電性屏蔽層7的厚度為0 μ m時(shí)，是標(biāo)記形成部分的導(dǎo)電性屏蔽層7被完全削去而不存在的狀態(tài)，該情況下的薄層電阻值為無限大。在導(dǎo)電性屏蔽層7的厚度為50 μ m時(shí)， 標(biāo)記形成部分的導(dǎo)電性屏蔽層7未被切削，該情況下的薄層電阻值為0. 006Ω。表 權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝，具備插入式基板，其具備具有第一面和第二面的絕緣基材、形成于所述絕緣基材的所述第一面的第一布線層、形成于所述絕緣基材的所述第二面的第二布線層和以貫通所述絕緣基材的方式形成的多個(gè)通孔；外部連接端子，其設(shè)置于具有所述第一布線層的所述插入式基板的第一面； 半導(dǎo)體芯片，其搭載于具有所述第二布線層的所述插入式基板的第二面上； 封裝樹脂層，其以封裝所述半導(dǎo)體芯片的方式設(shè)置于所述插入式基板的所述第二面上；以及導(dǎo)電性屏蔽層，其以覆蓋所述封裝樹脂層和所述插入式基板的側(cè)面的至少一部分的方式設(shè)置，其中，所述多個(gè)通孔的一部分具有在所述插入式基板的側(cè)面露出并在所述插入式基板的厚度方向被切斷的切斷面，并且所述通孔的切斷面與所述導(dǎo)電性屏蔽層電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，多個(gè)所述通孔的切斷面在所述插入式基板的每一邊的側(cè)面露出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中， 所述多個(gè)通孔的切斷面的間隔小于等于4mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述通孔的切斷面具有將所述插入式基板的厚度方向的所述通孔的一部分切斷而成的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述通孔的切斷面具有將所述插入式基板的厚度方向的整個(gè)所述通孔切斷而成的形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第一布線層以及所述第二布線層的至少一方具有接地布線，所述切斷了的通孔與所述接地布線電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述第二布線層具有接地布線，所述接地布線在所述插入式基板的側(cè)面露出，并且與所述導(dǎo)電性屏蔽層電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述通孔具有形成于貫通所述絕緣基材的貫通孔的內(nèi)面的導(dǎo)體層；以及填充于所述導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)的中空部的孔填埋材料，所述通孔的切斷面包含所述孔填埋材料的切斷面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中， 所述孔填埋材料包含導(dǎo)電材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述導(dǎo)電性屏蔽層包含與構(gòu)成所述通孔的切斷面的導(dǎo)電材料的接觸面積電阻率小于等于300m Ω/mm2的導(dǎo)電材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述導(dǎo)電性屏蔽層包含與一個(gè)所述通孔的切斷面的接觸界面的電阻值小于等于39 Ω 的導(dǎo)電材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中， 在所述插入式基板的四角未配置所述切斷了的通孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述通孔具有形成于貫通所述絕緣基材的貫通孔的內(nèi)面的導(dǎo)體層；填充于所述導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)的中空部的孔填埋材料；以及與所述導(dǎo)體層和所述第一或第二布線層電連接的連接盤，所述切斷了的通孔的連接盤具有矩形形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述導(dǎo)電性屏蔽層具有標(biāo)識(shí)標(biāo)記，所述標(biāo)識(shí)標(biāo)記通過以所述封裝樹脂層的表面不露出的方式切削所述導(dǎo)電性屏蔽層的厚度方向的一部分而設(shè)置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述標(biāo)識(shí)標(biāo)記的形成部分具有與所述導(dǎo)電性屏蔽層的其他部分的表面不同的表面粗糙度。
16.一種半導(dǎo)體封裝，具備插入式基板，其具備具有第一面和第二面的絕緣基材、形成于所述絕緣基材的所述第一面的第一布線層、形成于所述絕緣基材的所述第二面的第二布線層和以貫通所述絕緣基材的方式形成的多個(gè)通孔；外部連接端子，其設(shè)置于具有所述第一布線層的所述插入式基板的第一面； 半導(dǎo)體芯片，其搭載于具有所述第二布線層的所述插入式基板的第二面上； 封裝樹脂層，其以封裝所述半導(dǎo)體芯片的方式設(shè)置于所述插入式基板的所述第二面上；以及導(dǎo)電性屏蔽層，其以覆蓋所述封裝樹脂層和所述插入式基板的側(cè)面的至少一部分的方式設(shè)置，其中，所述導(dǎo)電性屏蔽層具有標(biāo)識(shí)標(biāo)記，所述標(biāo)識(shí)標(biāo)記通過以所述封裝樹脂層的表面不露出的方式切削所述導(dǎo)電性屏蔽層的厚度方向的一部分而設(shè)置。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述標(biāo)識(shí)標(biāo)記的形成部分具有與所述導(dǎo)電性屏蔽層的其他部分的表面不同的表面粗糙度。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述導(dǎo)電性屏蔽層的設(shè)置有所述標(biāo)識(shí)標(biāo)記的部分的薄層電阻值小于等于0.觀Ω。
19.一種便攜通信設(shè)備，具備權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的便攜通信設(shè)備，其中， 便攜通信設(shè)備為便攜電話機(jī)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝以及使用其的移動(dòng)設(shè)備。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體封裝具備搭載于插入式基板上的半導(dǎo)體芯片、封裝半導(dǎo)體芯片的封裝樹脂層和覆蓋封裝樹脂層以及插入式基板的側(cè)面的至少一部分的導(dǎo)電性屏蔽層。插入式基板具有貫通絕緣基材的多個(gè)通孔。多個(gè)通孔的一部分具有在插入式基板的側(cè)面露出且在插入式基板的厚度方向被切斷的切斷面。通孔的切斷面與導(dǎo)電性屏蔽層電連接。
文檔編號(hào)H01L23/552GK102339817SQ201110199379
公開日2012年2月1日 申請日期2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月15日
發(fā)明者小鹽康弘, 山崎尚, 山田啟壽, 福田昌利 申請人:株式會(huì)社東芝