專利名稱：襯底加工裝置和加熱設備的制作方法
技術(shù)領域：
本公開內(nèi)容涉及一種襯底加工裝置和加熱設備。
背景技術(shù)：
襯底加工裝置的一個例子可以包括半導體制造裝置。另外作為半導體制造裝置的例子，已知的是豎直擴散CVD (化學氣相沉積)裝置。在這樣的豎直擴散CVD裝置中，可以通過加熱諸如半導體、玻璃等襯底來進行處理。例如將襯底加載到豎直型反應爐中，然后將反應氣體引入到反應爐中。在此之后，對反應爐進行加熱，從而在襯底的表面上以氣相生長薄膜。在這一類型的半導體制造裝置中，需要對加熱部分(用作加熱設備)進行冷卻并且需要將從加熱部分生成的熱排放到裝置之外。出于這一目的，公開號為2005-217335的日本待審專利公開了如下布置，在該布置中， 加熱裝置包括外部絕熱體，在其本身與發(fā)熱器之間限定空間；冷卻氣體引入管道，包圍布置于該空間中和外部絕熱體底部處的、發(fā)熱器的底部部分，以由此將冷卻氣體從冷卻氣體引入管道引入到該空間中。然而在具有上述布置的襯底加工裝置中，可能從用作加熱設備的發(fā)熱器的后側(cè)生成大量散熱。具體而言，發(fā)熱器的下部受到從爐開口耗散的大量熱的影響，這進一步增加為了從加熱設備散熱而需要的負荷。這縮短加熱設備的壽命。此外，需要快速降低爐中的溫度以提高襯底加工裝置的吞吐量。

發(fā)明內(nèi)容
本公開內(nèi)容提供一種襯底加工裝置、半導體器件制造方法和加熱設備的一些實施例，這些實施例可以快速降低爐中的溫度以提高工藝吞吐量而又保持裝置的尺寸最小并且延長裝置的壽命。根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施例，提供一種襯底加工裝置，該襯底加工裝置包括加熱部分，包括圓柱體成形的絕熱體和在絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線；絕熱部分，配置成在加熱部分與絕熱部分之間限定圓柱體空間；冷卻氣體引入部分，耦合到圓柱體空間并且設置在絕熱部分之上以包圍加熱部分；以及冷卻氣體排放部分，設置在與冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸。根據(jù)本公開內(nèi)容的另一實施例，提供一種襯底加工裝置，該襯底加工裝置包括加熱部分，包括圓柱體成形的絕熱體和在絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線；絕熱部分，配置成在加熱部分與絕熱部分之間限定圓柱體空間；頂板，設置在加熱部分和絕熱部分之上；冷卻氣體引入部分，耦合到圓柱體空間并且設置在絕熱部分之上以包圍加熱部分；冷卻氣體排放部分，設置在與冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸；冷卻氣體引入入口，配置成通過冷卻氣體引入入口向冷卻氣體引入部分中引入冷卻氣體；以及冷卻氣體排放出口，配置成將引入到冷卻氣體引入部分中冷卻氣體排放到外界，其中冷卻氣體引入入口和冷卻氣體排放出口設置在頂板中。根據(jù)本公開內(nèi)容的又一實施例，提供一種使用襯底加工裝置制造半導體器件的方法，該襯底加工裝置包括加熱部分，包括圓柱體成形的絕熱體和在絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線；絕熱部分，配置成在加熱部分與絕熱部分之間限定圓柱體空間；冷卻氣體引入部分，耦合到圓柱體空間并且設置在絕熱部分之上以包圍加熱部分；以及冷卻氣體排放部分，設置在與冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸，該方法包括使用加熱部分對襯底進行加熱工藝。根據(jù)本公開內(nèi)容的又一實施例，提供一種制造半導體器件的方法，該方法包括使用加熱部分對襯底進行加熱工藝，該加熱部分包括圓柱體成形的絕熱體和在絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線；形成絕熱部分，該絕熱部分被配置成在加熱部分與絕熱部分之間限定圓柱體空間；將冷卻空氣引入到冷卻空氣引入部分中，該冷卻氣體引入部分耦合到圓柱體空間并且設置在絕熱部分之上以包圍加熱部分；以及通過冷卻氣體排放部分排放引入到圓柱體空間中的冷卻氣體，該冷卻氣體排放部分被設置在與冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸。根據(jù)本公開內(nèi)容的又一實施例，提供一種制造半導體器件的方法，該方法包括使用加熱部分對襯底進行加熱工藝，該加熱部分包括圓柱體成形的絕熱體和在絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線；形成絕熱部分以在加熱部分與絕熱部分之間限定圓柱體空間；通過在布置在加熱部分和絕熱部分之上的頂板中設置的冷卻氣體引入入口將冷卻氣體引入到冷卻氣體引入部分中，該冷卻氣體引入部分耦合到圓柱體空間并且設置在絕熱部分之上以包圍加熱部分；以及通過冷卻氣體排放部分排放引入到圓柱體空間中的冷卻氣體，該冷卻氣體排放部分被設置在與冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度設置的頂板中從冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸。根據(jù)本公開內(nèi)容的又一實施例，提供一種加熱設備，該加熱設備包括加熱部分， 包括圓柱體成形的絕熱體和在絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線；絕熱部分，配置成在加熱部分與絕熱部分之間限定圓柱體空間；冷卻氣體引入部分，耦合到圓柱體空間并且設置在絕熱部分之上以包圍加熱部分；以及冷卻氣體排放部分，設置在與冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸。根據(jù)本公開內(nèi)容的又一實施例，提供一種加熱設備，該加熱設備包括加熱部分， 包括圓柱體成形的絕熱體和在絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線；絕熱部分，配置成在加熱部分與絕熱部分之間限定圓柱體空間；頂板，布置在加熱部分和絕熱部分之上；冷卻氣體引入部分，耦合到圓柱體空間并且布置在絕熱部分之上以包圍加熱部分；冷卻氣體排放部分，設置在與冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸；冷卻氣體引入入口，配置成通過冷卻氣體引入入口將冷卻氣體引入到冷卻氣體引入部分中；以及冷卻氣體排放出口，配置成將引入到冷卻氣體引入部分中的冷卻氣體排放到外界，其中冷卻氣體引入入口和冷卻氣體排放出口布置在頂板中。


圖1是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個示例實施例的襯底加工裝置的橫截面圖。圖2是沿著圖1中的線A-A’獲得的襯底加工裝置的橫截面圖。圖3是示出了襯底加工裝置中的冷卻氣體引入部分的外圍的放大橫截面圖。圖4是根據(jù)第一比較例子的襯底加工裝置的橫截面圖。圖5是根據(jù)第二比較例子的襯底加工裝置的橫截面圖。圖6是根據(jù)第三比較例子的襯底加工裝置的橫截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照圖1至圖3對根據(jù)本公開內(nèi)容的一個示例實施例的襯底加工裝置10 進行詳細描述。根據(jù)本實施例的襯底加工裝置10包括形成為圓柱體形狀的加熱設備12、形成為圓柱體形狀并且設置在加熱設備12中的均熱管16(均熱管16與加熱設備12之間限定爐內(nèi)空間14)、形成為圓柱體形狀并且設置在均熱管16中的反應管18 (在反應管18與均熱管 16之間限定間隙)和配置成將待加工的多個襯底20保持在反應管18內(nèi)的舟22。舟22在其上將多個襯底20保持在反應管18以內(nèi)，從而襯底水平地堆疊并且由在豎直方向上某一間隙相互隔開。舟22放置于升降機(未示出)上而舟帽M置于舟22與升降機之間，使得可以通過升降機的操作來豎直移動舟22。通過升降機的操作，可以向反應管18中加載和從反應管18卸載多個襯底20。另外，反應管18限定用于在其中容納襯底20的反應室。反應管18與連接到反應氣體供應源(未示出)的氣體引入管沈連通。連接到反應管18的下端部分的是配置成將反應管18內(nèi)的空氣排出(或者排放)到外界的排氣管觀。加熱設備12包括加熱部分30、絕熱部分32和頂板34。絕熱部分32被設置成與加熱部分30為同心關系而在絕熱部分32與加熱部分30之間形成圓柱體空間33。由頂板 ；34使絕熱部分32的頂部開口閉合。加熱部分30包括圓柱體成形的絕熱體36和在絕熱體36的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線38。多個氣體出口 35按給定分布形成于加熱部分30中，使得圓柱體空間33與爐內(nèi)空間14基本上水平地連通。因此，加熱部分30的內(nèi)部限定加熱區(qū)。頂板34包括相互覆蓋的下絕熱板44和上絕熱板46。將下絕熱板44設置成抵靠對接到加熱部分30的上端，并且下絕熱板44包括在下絕熱板44的中心(即沿著加熱設備 12的中心軸)形成的圓形氣流孔48。覆蓋在下絕熱板44上的上絕熱板46包括形成于其上的槽50。槽50被形成為在上絕熱板46的直徑方向上從上絕熱板46的中心(與氣流孔 48對應)基本上水平地延伸到上絕熱板46的如下側(cè)表面，該側(cè)表面(即槽50的末端)開有槽口以形成冷卻氣體排氣出口 51 (見圖2)。冷卻氣體引入部分40形成于在絕熱部分32的頂部定位的頂板34中，使得它豎直穿過下絕熱板44和上絕熱板46的外圓周并且包圍加熱部分30的上部。連接到冷卻氣體引入部分40的是一個或者多個(例如兩個)冷卻氣體引入入口 47 (通過該冷卻氣體引入入口將冷卻氣體引入)。具有給定寬度的通道開口 42形成于冷卻氣體引入部分40的下表面上。將具有給定寬度的通道孔43形成為沿著其圓周與通道開口 42連通。使通道孔43的下端開放以在朝向圓柱體空間33的中心側(cè)的方向上與圓柱體空間33連通。具體而言， 在上述配置中，冷卻氣體引入部分40的內(nèi)圓周表面形成于圓柱體空間33的內(nèi)圓周表面以外的位置處。這樣形成通道孔33允許流暢地將冷卻氣體從冷卻氣體引入入口 47引入到圓柱體空間33中。因而，從冷卻氣體引入入口 47引入的冷卻氣體可以流過冷卻氣體引入部分40、通道開口 42、通道孔43、圓柱體空間33、氣體出口 35、爐內(nèi)空間14、氣流孔48和槽50 并且最后通過在與冷卻氣體引入入口 47的高度近似相同的高度處形成的冷卻氣體排放出口 51排放。冷卻氣體排放部分52由如上文所述的氣流孔48、槽50和冷卻氣體排放出口 51組成。冷卻氣體排放部分52形成于與冷卻氣體引入部分40的高度近似相同的高度處從而從冷卻氣體引入部分40的近似中心在直徑方向上向外延伸。連接到冷卻氣體排放出口 51的是散熱管56，而可切換擋板M裝配于散熱管56中，該散熱管同樣連接到一連串散熱器58 和冷卻風扇60。加熱設備12內(nèi)的經(jīng)加熱的冷卻氣體可以通過穿過散熱管56、散熱器58和冷卻風扇60來排放。冷卻氣體引入入口 47和冷卻氣體排放出口 51布置在加熱區(qū)之外并且在加熱部分 30和絕熱部分32之上。另外，冷卻氣體引入入口 47和冷卻氣體排放出口 51形成于頂板 34中?？梢酝ㄟ^以下操作序列來進行在加載到反應管18中的各襯底20上沉積薄膜從加熱設備12的加熱部分30產(chǎn)生熱、接下來通過均熱管16加熱反應管18、繼而通過氣體引入管沈?qū)⒎磻獨怏w引入到反應管18中、繼而通過排氣管觀排出反應管18內(nèi)的空氣。在完成上述沉積工藝時，在繼續(xù)通過排氣管觀排出反應管18內(nèi)的空氣之時，停止加熱設備12的加熱操作并且將反應管18以內(nèi)經(jīng)加熱的空氣排放到外界，由此降低反應管 18內(nèi)的溫度。同時，打開可切換擋板M并且同時操作冷卻風扇60，使得通過冷卻氣體引入入口 47將冷卻氣體引入到冷卻氣體引入部分40中，該冷卻氣體然后經(jīng)由通道開口 42和通道孔43流過圓柱體空間33。在圓柱體空間33中，冷卻氣體向下流動并且隨后通過氣體出口 35流入爐內(nèi)空間14。然后，流入到爐內(nèi)空間14的冷卻氣體再次向上流動以通過冷卻氣體排放部分52來排放，從而可以使加熱部分30的內(nèi)表面和外表面兩者冷卻。結(jié)果，通過冷卻氣體排放部分52將在加熱設備12內(nèi)的經(jīng)加熱的冷卻氣體排放到外界，從而降低加熱設備12內(nèi)的溫度并且因此降低反應管18內(nèi)的溫度。 在將反應管18內(nèi)的溫度降低到預定溫度之后，操作升降機，使得舟22在反應管18 中向下移動，并且然后將保持在舟22中的已加工襯底20從反應管18取出。下文是對根據(jù)比較例子的襯底加工裝置的操作的描述。[第一比較例子]圖4示出了根據(jù)第一比較例子的襯底加工裝置62的配置。在下文中，與在上述實施例中所用的相同的參考標號指代相同元件，因此在此將省略對其的描述以免重復。在根據(jù)第一比較例子的襯底加工裝置62中，冷卻氣體引入部分40設置在加熱設備12的下部。另外，加熱設備12中不包括圓柱體空間33。在這樣的配置中，在完成沉積工藝之后，打開可切換擋板54，并且同時操作冷卻風扇60使得通過設置在加熱設備12的下部的冷卻氣體引入部分40將冷卻氣體引入。引入的冷卻氣體在加熱設備12與均熱管16之間沿著爐內(nèi)空間14向上流動，使得其中的經(jīng)加熱的空氣通過冷卻氣體排放部分52排放到外界。因此降低加熱設備12內(nèi)的溫度，由此降低反應管18內(nèi)的溫度。在根據(jù)第一比較例子的襯底加工裝置62中，由于冷卻氣體引入部分40設置在加熱設備12的下部，所以襯底加工裝置62的豎直尺度增加了冷卻氣體引入部分40的高度。 此外，在無圓柱體空間33的情況下，通過僅在加熱部分30的一側(cè)與爐內(nèi)空間14之間限定的空間中形成冷卻氣體流動路徑來進行冷卻。[第二比較例子]圖5示出了根據(jù)第二比較例子的襯底加工裝置70的配置。在根據(jù)第二比較例子的襯底加工裝置70中，冷卻氣體引入部分40設置在加熱設備12的下部的側(cè)表面上。在這樣的配置中，在完成沉積工藝之后，打開可切換擋板54，并且同時操作冷卻風扇60使得通過設置在加熱設備12的下部的側(cè)表面上的冷卻氣體引入部分40將冷卻氣體引入。引入的冷卻氣體沿著爐內(nèi)空間14向上流動而同時穿過圓柱體空間33和氣體出口 35，從而其中的經(jīng)加熱的空氣通過冷卻氣體排放部分52排放到外界。因此，降低了加熱設備12內(nèi)的溫度， 由此降低反應管18內(nèi)的溫度。在根據(jù)前述第二比較例子的襯底加工裝置70中，襯底加工裝置70的豎直尺度可以不增加(例如，在第一比較例子中增加冷卻氣體引入部分40的高度)。然而，由于加熱部分的下部比上部冷卻得更快，所以從加熱設備12的側(cè)表面中的加熱部分30的后側(cè)耗散的熱量可能增加。具體而言，由于襯底加工裝置70的下部可能受到從爐開口的大量散熱的影響，這在加熱設備12上引起明顯應力。這可能縮短加熱設備12的壽命。[第三比較例子]圖6示出了根據(jù)第三比較例子的襯底加工裝置80的配置。在根據(jù)第三比較例子的襯底加工裝置80中，冷卻氣體引入部分40設置在加熱設備12的上部的側(cè)表面上。在這樣的配置中，在完成沉積工藝之后，打開可切換擋板54，并且同時操作冷卻風扇60使得通過設置在加熱設備12的上部的側(cè)表面上的冷卻氣體引入部分40將冷卻氣體引入。引入的冷卻氣體沿著爐內(nèi)空間14流動而同時穿過圓柱體空間33和氣體出口 35，使得其中的經(jīng)加熱空氣通過冷卻氣體排放部分52排放到外界。因此，降低加熱設備12內(nèi)的溫度，由此降低反應爐18內(nèi)的溫度。在根據(jù)前述第三比較例子的襯底加工裝置80中，由于冷卻氣體引入部分40設置在加熱設備12的上部的側(cè)表面上，所以加熱設備12的水平尺度可能增加，這引起其中容納加熱設備12的裝置的外部尺度增加。對比而言，在根據(jù)本公開內(nèi)容的上述實施例的襯底加工裝置10中，其中通過冷卻氣體排放部分52排出(或者排放)經(jīng)加熱的空氣來進行冷卻過程，冷卻氣體引入部分40 設置在加熱設備12之上并且也在絕熱體之上，從而冷卻氣體引入部分40包圍加熱部分30 并且與圓柱體空間33連通。另外，冷卻氣體排放部分52設置在與冷卻氣體引入部分40的高度近似相同的高度處從冷卻氣體引入部分40的近似中心在直徑方向上延伸。這使得有可能以緊湊尺寸實現(xiàn)加熱設備12的配置，這繼而減小包含加熱設備12的襯底加工裝置的尺寸。另外，由于冷卻氣體引入部分40不是設置在加熱部分30的后表面上，所以從其產(chǎn)生的散熱的量可以減小。因此，可以均勻和高效地使爐的內(nèi)部冷卻，并且因此快速降低反應管 18內(nèi)的溫度，使得襯底20的溫度可以快速降低至可以從反應爐卸載襯底20的預定溫度。 這導致吞吐量提高并且延長加熱設備12的壽命。
在前述實施例中，襯底加工裝置被說明為具有均熱管16。然而本公開內(nèi)容可以不限于此而是可以適用于無均熱管16的襯底加工裝置，該襯底加工裝置可以具有與前述實施例相同的效果。另外，盡管在前述實施例中采用了形成為圓柱體形狀的加熱設備12，但是其僅通過例子來呈現(xiàn)，可以不限于此。實際上，本公開內(nèi)容也適用于具有各種橫截面形狀的任何柱體加熱器。另外，下絕熱板44和上絕熱板46的形狀可以不限于盤狀，而是可以根據(jù)加熱設備12的橫截面形狀變化，只要它們可以氣密密封加熱設備12的頂端。另外，盡管在前述實施例中具有預定寬度的通道孔43 (配置成允許冷卻氣體引入部分40和圓柱體空間33相互連通)被形成為沿著冷卻氣體引入部分40的圓周方向，但是本公開內(nèi)容可以不限于此。例如，替代地，本公開內(nèi)容適用于如下配置，在該配置中，冷卻氣體引入部分40和圓柱體空間33相互直接連通而未在其間提供通道孔43。另外，盡管在前述實施例中設置了兩個冷卻氣體引入入口 47，但是本公開內(nèi)容可以不限于此，而是可以運用單個冷卻氣體引入入口。另外，上述實施例可以涉及半導體制造技術(shù)，并且具體來說涉及熱處理技術(shù)，其中在加工室中加載和加工襯底同時加熱單元對襯底進行加熱。例如，上述實施例可以有效地應用于如下襯底加工裝置，其中包括在其上制造有半導體集成電路器件(半導體器件)的半導體晶片經(jīng)歷氧化、擴散或者離子注入，然后經(jīng)歷回流或者退火以用于載流子激活和平坦化以及熱CVD膜形成。因而，上述實施例可以具有快速降低爐中的溫度以提高加工吞吐量而同時使裝置的尺寸保持最小并且延長裝置的壽命的效果。盡管已經(jīng)描述了某些實施例，但是這些實施例僅通過例子來呈現(xiàn)，并且并非旨在限制本公開內(nèi)容的范圍。實際上，這里描述的新穎方法和裝置可以用多種其它形式實施；另外，可以對這里描述的實施例在形式上做出各種省略、替換和改變而不脫離公開內(nèi)容的精神實質(zhì)。所附權(quán)利要求及其等效含義旨在于覆蓋如將落入本公開內(nèi)容的范圍和精神實質(zhì)內(nèi)的這樣的形式或者修改。
權(quán)利要求
1.一種襯底加工裝置，包括加熱部分，包括圓柱體成形的絕熱體和在所述絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線； 絕熱部分，配置成在所述加熱部分與所述絕熱部分之間限定圓柱體空間； 冷卻氣體引入部分，耦合到所述圓柱體空間并且設置在所述絕熱部分之上以包圍所述加熱部分；以及冷卻氣體排放部分，設置在與所述冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從所述冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括冷卻氣體引入入口，配置成通過所述冷卻氣體引入入口將冷卻氣體引入到所述冷卻氣體引入部分中；其中所述冷卻氣體排放部分包括配置成將引入到所述冷卻氣體引入部分中的所述冷卻氣體排放到外界的冷卻氣體排放出口，其中所述冷卻氣體引入入口和所述冷卻氣體排放出口設置在所述加熱部分之上的加熱區(qū)之外。
3.一種襯底加工裝置，包括加熱部分，包括圓柱體成形的絕熱體和在所述絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線； 絕熱部分，配置成在所述加熱部分與所述絕熱部分之間限定圓柱體空間； 頂板，設置在所述加熱部分和所述絕熱部分之上；冷卻氣體引入部分，耦合到所述圓柱體空間并且設置在所述絕熱部分之上以包圍所述加熱部分；冷卻氣體排放部分，設置在與所述冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從所述冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸；冷卻氣體引入入口，配置成通過所述冷卻氣體引入入口將冷卻氣體引入到所述冷卻氣體引入部分中；以及冷卻氣體排放出口，配置成將引入到所述冷卻氣體引入部分中的所述冷卻氣體排放到外界，其中所述冷卻氣體引入入口和所述冷卻氣體排放出口設置在所述頂板中。
4.一種加熱設備，包括加熱部分，包括圓柱體成形的絕熱體和在所述絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線； 絕熱部分，配置成在所述加熱部分與所述絕熱部分之間限定圓柱體空間； 冷卻氣體引入部分，耦合到所述圓柱體空間并且設置在所述絕熱部分之上以包圍所述加熱部分；以及冷卻氣體排放部分，設置在與所述冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從所述冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設備，還包括冷卻氣體引入入口，配置成通過所述冷卻氣體引入入口將冷卻氣體引入到所述冷卻氣體引入部分中；其中所述冷卻氣體排放部分包括配置成將引入到所述冷卻氣體引入部分中的所述冷卻氣體排放到外界的冷卻氣體排放出口，其中所述冷卻氣體引入入口和所述冷卻氣體排放出口設置在所述加熱部分之上的加熱區(qū)之外。
全文摘要
本發(fā)明涉及襯底加工裝置和加熱設備。一種襯底加工裝置包括加熱部分，包括圓柱體成形的絕熱體和在絕熱體的內(nèi)圓周表面上布置的加熱線；絕熱部分，配置成在加熱部分與絕熱部分之間限定圓柱體空間；冷卻氣體引入部分，耦合到圓柱體空間并且設置在絕熱部分之上以包圍加熱部分；以及冷卻氣體排放部分，設置在與冷卻氣體引入部分的高度近似相同的高度處從冷卻氣體引入部分的近似中心在直徑方向上延伸。
文檔編號H01L21/205GK102315102SQ201110195218
公開日2012年1月11日 申請日期2011年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月9日
發(fā)明者小杉哲也, 村田等 申請人:株式會社日立國際電氣