專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源,發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優(yōu)點，其作為一種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來越廣泛地應用?，F(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)一般包括基板、形成于基板上的電極以及裝設(shè)于基板上并與電極電性連接的發(fā)光二極管芯片。該發(fā)光二極管芯片與電極的連接方式通常采用固晶打線方式完成。然而固晶打線工藝不僅復雜繁瑣，而且容易因人為操作的失誤導致導線脫落，從而影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作良率。而且發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱問題一直是業(yè)界努力探索的一個主題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種制程簡單、利于散熱的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括電極、與電極電連接的若干發(fā)光二極管及覆蓋所述發(fā)光二極管的封裝體，所述電極包括若干彼此間隔設(shè)置的金屬層，該封裝體與電極鄰接的面設(shè)有與所述發(fā)光二極管對應的凹槽，所述發(fā)光二極管容置于凹槽內(nèi)且通過電極墊與電極連接，該封裝體靠近電極的外圍部分圍設(shè)有反射部。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，包括以下步驟
提供一透明的載板，該載板的其中一個表面向內(nèi)凹陷形成若干凹槽，該載板采用透明材料制成；
于載板的凹槽內(nèi)裝設(shè)發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括發(fā)光二極管芯片和電極墊，該電極墊朝向凹槽的開口方向設(shè)置；
提供一凹形板，該凹形板包括若干分離的金屬層及環(huán)設(shè)于金屬層外圍的反射部；
將凹形板蓋設(shè)于載板上，并使發(fā)光二極管芯片的電極墊與金屬層對應貼設(shè)電連接，且所述反射部環(huán)設(shè)于載板的外側(cè)面上。由于發(fā)光二極管直接與金屬層電性連接，不但省去了為固定和電連接發(fā)光二極管芯片而采用的固晶打線等工序步驟，使制作過程更加簡便，而且由于發(fā)光二極管直接與金屬層接觸連接，從而利于發(fā)光二極管產(chǎn)生的熱量可以直接向下經(jīng)金屬層傳導至發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的外部，利于散熱。下面參照附圖，結(jié)合具體實施方式
對本發(fā)明作進一步的描述。


圖I為本發(fā)明第一實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明第二實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖3為本發(fā)明第三實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明一實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。圖5至圖8為本發(fā)明一實施方式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造過程中各步驟所得
的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括電極、與電極電連接的若干發(fā)光二極管及覆蓋所述發(fā)光二極管的封裝體，其特征在于所述電極包括若干彼此間隔設(shè)置的金屬層，該封裝體與電極鄰接的面設(shè)有與所述發(fā)光二極管對應的凹槽，所述發(fā)光二極管容置于凹槽內(nèi)且通過電極墊與電極連接，該封裝體靠近電極的外圍部分圍設(shè)有反射部。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括支撐所述電極、發(fā)光二極管和封裝體于其上表面的基板，該基板上形成有若干通孔，所述電極還包括分別收容于通孔內(nèi)的第一電極和第二電極，所述第一電極與第二電極的頂端高于基板的上表面，所述第一電極與第二電極的底端與基板的下表面平齊。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述金屬層形成于基板的上表面上，并與反射部共同形成反射面以反射發(fā)光二極管發(fā)出的光線，所述第一電極和第二電極的頂端與基板的上表面之間的高度差與金屬層的厚度相等。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該基板包括連接于其上表面與下表面之間的外側(cè)面，所述反射部進一步環(huán)設(shè)于該基板的外側(cè)面上。
5.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于每相鄰兩金屬層之間通過一絕緣塊連接，所述絕緣塊與金屬層共同形成承載發(fā)光二極管及封裝體于其上的基板。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射部進一步環(huán)設(shè)于該基板的外側(cè)面上。
7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一承載所述電極、發(fā)光二極管和封裝體于其上表面的基板，該基板采用透明材料制成，該基板內(nèi)對應發(fā)光二極管的電極墊的位置處分別開設(shè)有若干穿孔，所述金屬層鋪設(shè)于該基板的下表面并分別封住所述穿孔的底端，每一金屬層包括收容于對應穿孔內(nèi)的導電柱以與對應電極墊電性連接。
8.如權(quán)利要求1-7中任意一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝體的凹槽為多個，并分別對應多個間隔設(shè)置的發(fā)光二極管形成于封裝體與電極鄰接的面上，該封裝體由玻璃材料一體成型制成。
9.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，包括以下步驟 提供一透明的載板，該載板的其中一個表面向內(nèi)凹陷形成若干凹槽，該載板采用透明材料制成； 于載板的凹槽內(nèi)裝設(shè)發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管包括發(fā)光二極管芯片和電極墊，該電極墊朝向凹槽的開口方向設(shè)置； 提供一凹形板，該凹形板包括若干分離的金屬層及環(huán)設(shè)于金屬層外圍的反射部； 將凹形板蓋設(shè)于載板上，并使發(fā)光二極管芯片的電極墊與金屬層對應貼設(shè)電連接，且所述反射部環(huán)設(shè)于載板的外側(cè)面上。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)制造方法，其特征在于該凹形板包括一水平的第一板體和環(huán)設(shè)于第一板體外圍的豎直的第二板體，所述金屬層兩兩間隔形成于第一板體上，所述第二板體形成為反射部。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括電極、與電極電連接的若干發(fā)光二極管及覆蓋所述發(fā)光二極管的封裝體，所述電極包括若干彼此間隔設(shè)置的金屬層，該封裝體與電極鄰接的面設(shè)有與所述發(fā)光二極管對應的凹槽，所述發(fā)光二極管容置于凹槽內(nèi)且通過電極墊與電極連接，該封裝體靠近電極的外圍部分圍設(shè)有反射部。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號H01L33/64GK102867818SQ201110190979
公開日2013年1月9日 申請日期2011年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月8日
發(fā)明者胡必強, 許時淵 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司