專(zhuān)利名稱(chēng)：光器件晶片的分割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及沿著間隔道分割光器件晶片的光器件晶片的分割方法，所述光器件晶片在藍(lán)寶石基板的表面上的、由形成為格子狀的多個(gè)間隔道劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成有光器件。
背景技術(shù)：
在光器件制造工序中，在大致圓板形狀的藍(lán)寶石基板的表面層疊由氮化鎵類(lèi)化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的光器件層，并且，在由形成為格子狀的多個(gè)間隔道劃分出的多個(gè)區(qū)域中形成發(fā)光二極管、激光二極管等光器件，從而構(gòu)成光器件晶片。然后，沿著間隔道分割光器件晶片而制造出一個(gè)個(gè)光器件。通常，通過(guò)被稱(chēng)為劃片機(jī)(dicer)的切削裝置來(lái)進(jìn)行上述光器件晶片的沿著間隔道的切斷。該切削裝置具備卡盤(pán)臺(tái)，其保持被加工物；切削單元，其用于對(duì)保持于該卡盤(pán)臺(tái)上的被加工物進(jìn)行切削；以及切削進(jìn)給單元，其使卡盤(pán)臺(tái)與切削單元相對(duì)移動(dòng)。切削單元包含旋轉(zhuǎn)主軸、裝配于該旋轉(zhuǎn)主軸上的切削刀具、以及驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)主軸旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。切削刀具由圓盤(pán)狀的基座和裝配于該基座的側(cè)面外周部上的環(huán)狀的切削刃構(gòu)成，切削刃例如通過(guò)電鑄將粒徑為3 μ m左右的金剛石磨粒固定于基座而形成，并且其厚度形成為20 μ m左右ο然而，由于構(gòu)成光器件晶片的藍(lán)寶石基板的莫氏硬度高，所以利用上述切削刀具進(jìn)行的切斷未必容易。因此，不能增大切削刀具的切入量，而需要多次實(shí)施切削工序來(lái)切斷光器件晶片，所以存在生產(chǎn)性較差的問(wèn)題。為了消除上述問(wèn)題，提出了這樣的方法通過(guò)從光器件晶片的一面?zhèn)妊刂g隔道照射對(duì)于光器件晶片具有吸收性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線來(lái)形成作為斷裂起點(diǎn)的激光加工槽，沿著形成了該作為斷裂起點(diǎn)的激光加工槽的間隔道施加外力，由此使光器件晶片沿著間隔道斷裂(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)平10-305420號(hào)公報(bào)然而，當(dāng)沿著形成有作為斷裂起點(diǎn)的激光加工槽的間隔道施加外力來(lái)使光器件晶片沿著間隔道斷裂時(shí)，存在這樣的問(wèn)題斷裂面相對(duì)于與正面和背面垂直的面傾斜了 5 IOym左右而裂開(kāi)，降低了光器件的亮度。根據(jù)本發(fā)明人的研究推斷出，光器件晶片的斷裂面相對(duì)于與正面和背面垂直的面傾斜5 10 μ m左右而裂開(kāi)與以下因素有關(guān)構(gòu)成藍(lán)寶石基板的藍(lán)寶石的結(jié)晶方位以及通過(guò)照射激光光線而生成的細(xì)微裂紋。S卩，如圖1所示，光器件晶片2在形成有表示藍(lán)寶石的結(jié)晶方位的定向平面 (Orientation Flat) 21的藍(lán)寶石基板的正面加，在由與定向平面21平行的多個(gè)第1間隔道22和與定向平面21垂直的多個(gè)第2間隔道23劃分出的區(qū)域中，形成有光器件對(duì)。構(gòu)成光器件晶片2的藍(lán)寶石基板在與定向平面21垂直的方向上且與正面和背面傾斜地形成有作為R面的結(jié)晶層。因此，當(dāng)沿著第1間隔道22照射激光光線時(shí)，在激光加工槽的下側(cè)沿著R面較深地形成了細(xì)微的裂紋。因此，當(dāng)沿著激光加工槽(該激光加工槽是沿著第2間隔道23形成的)施加外力而使光器件晶片2斷裂時(shí)，受到在沿著第1間隔道22形成的激光加工槽的下側(cè)生成的細(xì)微裂紋的影響而沿著R面斷裂，因此斷裂面相對(duì)于正面和背面傾斜地裂開(kāi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供一種光器件晶片的分割方法，能夠以斷裂面與正面和背面垂直的方式沿著間隔道分割形成在藍(lán)寶石基板表面的光器件晶片。為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種光器件晶片的分割方法，該分割方法沿著第1間隔道和第2間隔道將光器件晶片分割成各個(gè)光器件，其中，所述光器件晶片在形成有表示藍(lán)寶石的結(jié)晶方位的定向平面的藍(lán)寶石基板的正面，在由與定向平面平行的多個(gè)第1間隔道和與定向平面垂直的多個(gè)第2間隔道劃分出的區(qū)域中，形成有光器件， 該分割方法的特征在于，包含以下工序第1激光加工槽形成工序，從光器件晶片的正面或背面?zhèn)妊刂?間隔道照射激光光線，在光器件晶片的正面或背面形成作為斷裂起點(diǎn)的第1激光加工槽；第2激光加工槽形成工序，從光器件晶片的正面或背面?zhèn)妊刂?間隔道照射激光光線，在光器件晶片的正面或背面形成作為斷裂起點(diǎn)的第2激光加工槽；第1斷裂工序，沿著實(shí)施了該第1激光加工槽形成工序和該第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第1間隔道施加外力，使光器件晶片沿第1激光加工槽斷裂，其中， 該第1激光加工槽是沿著第1間隔道形成的；以及第2斷裂工序，沿著實(shí)施了該第1激光加工槽形成工序和該第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第2間隔道施加外力，使光器件晶片沿第2激光加工槽斷裂，其中， 該第2激光加工槽是沿著第2間隔道形成的，該第2激光加工槽的深度被設(shè)定為比該第1激光加工槽的深度深。所述第1激光加工槽的深度被設(shè)定為光器件晶片的厚度的10 20%，所述第2激光加工槽的深度被設(shè)定為比第1激光加工槽的深度深40 60%。在本發(fā)明的光器件晶片的分割方法中，沿著與表示藍(lán)寶石的結(jié)晶方位的定向平面垂直的第2間隔道形成的第2激光加工槽的深度被設(shè)定為比沿著與定向平面平行的第1間隔道形成的第1激光加工槽的深度深，因此，在沿著形成了第2激光加工槽的第2間隔道使光器件晶片斷裂時(shí)，不會(huì)受到在激光加工槽的下側(cè)沿著R面形成的裂紋的影響。因此，沿著形成了第2激光加工槽的第2間隔道斷裂的光器件晶片的斷裂面與正面及背面垂直。


圖1是示出剖切光器件晶片的一部分后的狀態(tài)的立體圖。圖2是示出將圖1所示的光器件晶片粘貼到裝配在環(huán)狀框上的切割帶表面后的狀態(tài)的立體圖。圖3是用于實(shí)施本發(fā)明的光器件晶片的分割方法中的第1激光加工槽形成工序和第2激光加工槽形成工序的激光加工裝置的要部立體圖。
圖4是本發(fā)明的光器件晶片的分割方法中的第1激光加工槽形成工序的說(shuō)明圖。圖5是放大地示出實(shí)施了圖4所示的第1激光加工槽形成工序后的光器件晶片的要部的剖視圖。圖6是本發(fā)明的光器件晶片的分割方法中的第2激光加工槽形成工序的說(shuō)明圖。圖7是放大地示出實(shí)施了圖6所示的第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的要部的剖視圖。圖8是本發(fā)明的光器件晶片的分割方法中的第1斷裂工序和用于實(shí)施第1斷裂工序的晶片斷裂裝置的立體圖。圖9是本發(fā)明的光器件晶片的分割方法中的第1斷裂工序的說(shuō)明圖。圖10是本發(fā)明的光器件晶片的分割方法中的第2斷裂工序的說(shuō)明圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明2 光器件晶片21 定向平面22 第1間隔道23 第2間隔道24 光器件25 第1激光加工槽26 第2激光加工槽3 激光加工裝置31 激光加工裝置的卡盤(pán)32 激光光線照射單元322 聚光器4:晶片斷裂裝置41:晶片斷裂裝置的基座42 移動(dòng)臺(tái)44 框保持單元46 張力施加單元F 環(huán)狀框T 切割帶
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的光器件晶片的分割方法的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。為了沿第1間隔道22和第2間隔道23分割上述圖1所示的光器件晶片2，在圖示的實(shí)施方式中，如圖2所示，將光器件晶片2的背面2b粘貼到由聚烯烴等合成樹(shù)脂片構(gòu)成的切割帶T上，該切割帶T被裝配于環(huán)狀框F上(晶片支撐工序)。因此，被粘貼到切割帶T上的光器件晶片2的正面加成為上側(cè)。此外，也可以將光器件晶片2的正面加粘貼到切割帶T上而使背面2b成為上側(cè)。在實(shí)施了上述晶片支撐工序后，實(shí)施如下的第1激光加工槽形成工序從光器件
5晶片2的正面或背面?zhèn)妊刂?間隔道22照射激光光線，在光器件晶片2的正面或背面形成作為斷裂起點(diǎn)的第1激光加工槽。另外，在圖示的實(shí)施方式中，對(duì)下例進(jìn)行說(shuō)明在上述晶片支撐工序中，將光器件晶片2的背面2b粘貼到裝配于環(huán)狀框F上的切割帶T上，在第1 激光加工槽形成工序中，從光器件晶片2的正面?zhèn)妊刂?間隔道22照射激光光線，在光器件晶片2的正面形成作為斷裂起點(diǎn)的第1激光加工槽。使用圖3所示的激光加工裝置3 來(lái)實(shí)施該第1激光加工槽形成工序。圖3所示的激光加工裝置3具備卡盤(pán)臺(tái)31，其保持被加工物；激光光線照射單元32，其向保持于該卡盤(pán)臺(tái)31上的被加工物照射激光光線；和攝像單元33，其對(duì)保持于卡盤(pán)臺(tái)31上的被加工物進(jìn)行拍攝。上述卡盤(pán)臺(tái)31構(gòu)成為吸附保持被加工物，該卡盤(pán)臺(tái)31通過(guò)未圖示的加工進(jìn)給單元在圖3中箭頭X所示的加工進(jìn)給方向上移動(dòng)，并且通過(guò)未圖示的分度進(jìn)給單元在圖3中箭頭Y所示的分度進(jìn)給方向上移動(dòng)。上述激光光線照射單元32包含實(shí)質(zhì)上水平配置的圓筒形狀的殼體321。在殼體 321內(nèi)配設(shè)有脈沖激光光線振蕩單元，該脈沖激光光線振蕩單元具有由未圖示的YAG激光振蕩器或YV04激光振蕩器構(gòu)成的脈沖激光光線振蕩器和重復(fù)頻率設(shè)定單元。在上述殼體 321的前端部，裝配有聚光器322，聚光器322用于使從脈沖激光光線振蕩單元振蕩出的脈沖激光光線會(huì)聚。攝像單元33裝配在構(gòu)成上述激光光線照射單元32的殼體321的前端部，該攝像單元33具有對(duì)被加工物進(jìn)行照明的照明單元；捕捉由該照明單元照明的區(qū)域的光學(xué)系統(tǒng)；以及對(duì)由該光學(xué)系統(tǒng)捕捉到的像進(jìn)行拍攝的攝像元件(CCD)等，該攝像單元33將拍攝到的圖像信號(hào)發(fā)送到未圖示的控制單元。為了使用上述激光加工裝置3實(shí)施上述第1激光加工槽形成工序，將粘貼著光器件晶片2的切割帶T側(cè)載置到圖3所示的激光加工裝置3的卡盤(pán)臺(tái)31上。然后，使未圖示的吸附單元工作，將光器件晶片2隔著切割帶T吸附保持在卡盤(pán)臺(tái)31上(晶片保持工序)。 因此，保持于卡盤(pán)臺(tái)31上的光器件晶片2的正面加成為上側(cè)。另外，在圖3中，省略了裝配著切割帶T的環(huán)狀框F的圖示，而環(huán)狀框F是由配置于卡盤(pán)臺(tái)31上的適當(dāng)?shù)目虮３謫卧獊?lái)保持的。接著，使未圖示的加工進(jìn)給單元工作而將吸附保持著半導(dǎo)體晶片2的卡盤(pán)臺(tái)31移動(dòng)到攝像單元33的正下方。在卡盤(pán)臺(tái)31被定位于攝像單元33的正下方時(shí)，通過(guò)攝像單元 33和未圖示的控制單元來(lái)執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)作業(yè)，該對(duì)準(zhǔn)作業(yè)是檢測(cè)光器件晶片2的應(yīng)進(jìn)行激光加工的加工區(qū)域的作業(yè)。即，攝像單元33和未圖示的控制單元執(zhí)行圖案匹配等圖像處理，從而執(zhí)行激光光線照射位置的對(duì)準(zhǔn)(對(duì)準(zhǔn)工序)，其中，上述圖案匹配等圖像處理用于進(jìn)行形成在光器件晶片2上的第1間隔道22、與沿著該第1間隔道22照射激光光線的激光光線照射單元32的聚光器322之間的位置對(duì)準(zhǔn)。此外，對(duì)于形成在光器件晶片2上的第2間隔道 23，也同樣地執(zhí)行激光光線照射位置的對(duì)準(zhǔn)。在實(shí)施了上述對(duì)準(zhǔn)工序后，如圖4(a)所示，將卡盤(pán)臺(tái)31移動(dòng)至激光光線照射單元 32的聚光器322所在的激光光線照射區(qū)域，并將預(yù)定的第1間隔道22定位于聚光器322 的正下方。此時(shí)，如圖4(a)所示，光器件晶片2被定位成，使得第1間隔道22的一端(圖 4(a)中為左端)位于聚光器322的正下方。然后，如圖4(a)所示，使從聚光器322照射出的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)P對(duì)準(zhǔn)光器件晶片2的正面加(上表面)附近。接著，從激光光線照射單元32的聚光器322照射對(duì)于光器件晶片2具有吸收性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線，同時(shí)使卡盤(pán)臺(tái)31以預(yù)定的加工進(jìn)給速度在圖4(a)中箭頭Xl所示的方向上移動(dòng)。然后，如圖 4(b)所示，當(dāng)?shù)?間隔道22的另一端(圖4(b)中為右端)到達(dá)聚光器322的正下方位置時(shí)，停止照射脈沖激光光線，并且使卡盤(pán)臺(tái)31停止移動(dòng)。其結(jié)果，如圖4(b)所示，在光器件晶片2的正面2a，沿著第1間隔道22形成了作為斷裂起點(diǎn)的第1激光加工槽25。
在圖5(a)和(b)中示出了放大地表示實(shí)施了上述第1激光加工槽形成工序后的光器件晶片2的要部的剖視圖，圖5(a)是與第1間隔道22垂直的方向的剖視圖，圖5 (b) 是圖5(a)中的A-A線剖視圖。如圖5(a)和(b)所示，在光器件晶片2的正面加沿著第1 間隔道22形成的第1激光加工槽25的深度被設(shè)定為光器件晶片2的厚度的10 20%。 例如，在光器件晶片2的厚度為100 μ m的情況下，優(yōu)選將第1激光加工槽25的深度設(shè)定為 10 20 μ m。當(dāng)這樣地在光器件晶片2的正面加沿著第1間隔道22形成第1激光加工槽 25時(shí)，在第1激光加工槽25的下側(cè)沿著上述R面形成深度為幾μ m的細(xì)微裂紋251。對(duì)于第1激光加工槽25的深度，當(dāng)比光器件晶片2的厚度的10%淺時(shí)，難以沿著第1激光加工槽25使光器件晶片2確切地?cái)嗔?，?dāng)比光器件晶片2的厚度的20%深時(shí)，形成在第1激光加工槽25下側(cè)的裂紋251的影響變大，因此優(yōu)選將第1激光加工槽25的深度設(shè)定為光器件晶片2的厚度的10 20%。上述第1激光加工槽形成工序中的加工條件例如如下所示地設(shè)定。
光源半導(dǎo)體激勵(lì)固體激光器(Nd:YAG)
波長(zhǎng)355nm脈沖激光
重復(fù)頻率200kHz
平均輸出1. 4W
聚光點(diǎn)直徑φΙΟμιη
加工進(jìn)給速度300mm/ 秒
通過(guò)根據(jù)上述加工條件實(shí)施第1激光加工槽形成工序，由此能夠形成深度為
15 μ m的第1激光加工槽25。并且，沿著形成在光器件晶片2上的所有第1間隔道22實(shí)施上述第1激光加工槽形成工序。在沿著形成在光器件晶片2上的所有第1間隔道22實(shí)施了上述第1激光加工槽形成工序后，實(shí)施如下的第2激光加工槽形成工序從光器件晶片2的正面?zhèn)妊刂?間隔道23照射激光光線，在光器件晶片2的正面形成作為斷裂起點(diǎn)的第2激光加工槽?？墒褂蒙鲜鰣D3所示的激光加工裝置3來(lái)實(shí)施該第2激光加工槽形成工序。即，在實(shí)施了上述第1 激光加工槽形成工序后，使卡盤(pán)臺(tái)31轉(zhuǎn)動(dòng)90度，沿著在與上述第1間隔道22垂直的方向上形成的第2間隔道23照射激光光線，在光器件晶片2的正面形成作為斷裂起點(diǎn)的第2激光加工槽。為了實(shí)施第2激光加工槽形成工序，如圖6(a)所示，將卡盤(pán)臺(tái)31移動(dòng)至激光光線照射單元32的聚光器322所在的激光光線照射區(qū)域，并將預(yù)定的第2間隔道23定位于聚光器322的正下方。此時(shí)，如圖6(a)所示，光器件晶片2被定位成，使得第2間隔道23的一端(圖6(a)中為左端)位于聚光器322的正下方。然后，如圖6(a)所示，使從聚光器322 照射出的脈沖激光光線的聚光點(diǎn)P對(duì)準(zhǔn)光器件晶片2的正面加(上表面)附近。接著，從激光光線照射單元32的聚光器322照射對(duì)于光器件晶片2具有吸收性的波長(zhǎng)的脈沖激光光線，同時(shí)使卡盤(pán)臺(tái)31以預(yù)定的加工進(jìn)給速度在圖6(a)中箭頭Xl所示的方向上移動(dòng)。然后，如圖6(b)所示，當(dāng)?shù)?間隔道23的另一端(圖6(b)中為右端)到達(dá)聚光器322的正下方位置時(shí)，停止照射脈沖激光光線，并且使卡盤(pán)臺(tái)31停止移動(dòng)。其結(jié)果，如圖6(b)所示， 在光器件晶片2的正面2a，沿著間隔道23形成了作為斷裂起點(diǎn)的第2激光加工槽26。在圖7(a)和(b)中示出了放大地表示實(shí)施了上述第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片2的要部的剖視圖，圖7(a)是與第2間隔道23垂直的方向的剖視圖，圖7 (b) 是圖7(a)中的B-B線剖視圖。如圖7(a)和(b)所示，在光器件晶片2的正面加沿著第2 間隔道23形成的第2激光加工槽沈的深度被設(shè)定為比第1激光加工槽25的深度深40 60%。例如，在第1激光加工槽25的厚度為10 20 μ m的情況下，優(yōu)選將第2激光加工槽 26的深度設(shè)定為14 32 μ m。這樣，通過(guò)將第2激光加工槽沈的深度設(shè)定為比第1激光加工槽25的深度深40 60%，由此如圖7 (a)和(b)所示，第2激光加工槽沈的底部比形成在第1激光加工槽25下側(cè)的細(xì)微裂紋251更靠下側(cè)。另外，當(dāng)這樣地在光器件晶片2上沿著第2間隔道23形成第2激光加工槽沈時(shí)，在第2激光加工槽沈的下側(cè)形成細(xì)微裂紋 261。上述第2激光加工槽形成工序中的加工條件例如如下所示地設(shè)定。光源波長(zhǎng)重復(fù)頻率平均輸出聚光點(diǎn)直徑加工進(jìn)給速度
半導(dǎo)體激勵(lì)固體激光器(Nd:YAG) 355nm脈沖激光 200kHz 2. 5W φΙΟμιη :300mm/ 秒通過(guò)根據(jù)上述加工條件實(shí)施第2激光加工槽形成工序，由此能夠形成深度為 25 μ m的第2激光加工槽26。并且，沿著形成在光器件晶片2上的所有第2間隔道23實(shí)施上述第2激光加工槽形成工序。接著，實(shí)施如下的第1斷裂工序沿著實(shí)施了上述第1激光加工槽形成工序和第2 激光加工槽形成工序后的光器件晶片2的第1間隔道22施加外力，使光器件晶片2沿第1 激光加工槽25斷裂，該第1激光加工槽25是沿著第1間隔道22形成的。使用圖8所示的晶片斷裂裝置4實(shí)施該第1斷裂工序。圖8所示的晶片斷裂裝置4具備基座41和移動(dòng)臺(tái) 42，該移動(dòng)臺(tái)42以能夠在箭頭Y所示的方向上移動(dòng)的方式被配設(shè)在該基座41上?；?1 形成為矩形形狀，在該基座41的兩側(cè)部上表面上沿箭頭Y所示的方向相互平行地配設(shè)有兩根導(dǎo)軌411、412。移動(dòng)臺(tái)42以能夠移動(dòng)的方式被配設(shè)在這兩根導(dǎo)軌411、412上。移動(dòng)臺(tái) 42借助于移動(dòng)單元43在箭頭Y所示的方向上移動(dòng)。在移動(dòng)臺(tái)42上配設(shè)有用于保持上述環(huán)狀框F的框架保持單元44?？虮３謫卧?4具有圓筒狀的主體441 ；設(shè)于該主體441的上端的環(huán)狀的框保持部件442 ；以及配設(shè)于該框保持部件442的外周的作為固定單元的多個(gè)夾具443。如此構(gòu)成的框保持單元44通過(guò)夾具443對(duì)載置于框保持部件442上的環(huán)狀框 5進(jìn)行固定。此外，圖8所示的晶片斷裂裝置4具備使上述框保持單元44轉(zhuǎn)動(dòng)的轉(zhuǎn)動(dòng)單元 45。該轉(zhuǎn)動(dòng)單元45由以下部分構(gòu)成配設(shè)于上述移動(dòng)臺(tái)42上的脈沖電動(dòng)機(jī)451 ；帶輪452，其裝配于該脈沖電動(dòng)機(jī)451的旋轉(zhuǎn)軸上；以及環(huán)狀帶453，其卷繞在該帶輪452和圓筒狀的主體441上。如此構(gòu)成的轉(zhuǎn)動(dòng)單元45通過(guò)驅(qū)動(dòng)脈沖電動(dòng)機(jī)451而經(jīng)由帶輪452和環(huán)狀帶 453使框保持單元44轉(zhuǎn)動(dòng)。圖8所示的晶片斷裂裝置4具備張力施加單元46，該張力施加單元46在與第1間隔道22或第2間隔道23垂直的方向上對(duì)光器件晶片2作用拉伸力，其中，該光器件晶片2 隔著切割帶T被支撐于環(huán)狀框F上，而該環(huán)狀框F則被保持于上述環(huán)狀的框保持部件442 上。張力施加單元46被配置于環(huán)狀的框保持部件442內(nèi)。該張力施加單元46具備第1吸附保持部件461和第2吸附保持部件462，所述第1吸附保持部件461和第2吸附保持部件 462具備在與箭頭Y方向垂直的方向上較長(zhǎng)的長(zhǎng)方形的保持面。在第1吸附保持部件461 上形成有多個(gè)吸附孔461a，在第2吸附保持部件462上形成有多個(gè)吸附孔46加。多個(gè)吸附孔461a和46 與未圖示的吸附單元連通。此外，第1吸附保持部件461和第2吸附保持部件462構(gòu)成為借助于未圖示的移動(dòng)單元分別在箭頭Y方向上移動(dòng)。圖8所示的晶片斷裂裝置4具備用于檢測(cè)光器件晶片2的第1間隔道22和第2 間隔道23的檢測(cè)單元47，其中，該光器件晶片2隔著切割帶T被支撐于由上述環(huán)狀的框保持部件442保持的環(huán)狀框F上。檢測(cè)單元47被安裝在配設(shè)于基座41上的L字狀的支撐柱 471上。該檢測(cè)單元47由光學(xué)系統(tǒng)和攝像元件(CCD)等構(gòu)成，且該檢測(cè)單元47被配置在上述張力施加單元46的上方位置處。如此構(gòu)成的檢測(cè)單元47對(duì)光器件晶片2的第1間隔道22和第2間隔道23進(jìn)行拍攝，并將其轉(zhuǎn)換成電信號(hào)發(fā)送至未圖示的控制單元，其中，該光器件晶片2隔著切割帶T被支撐于由上述環(huán)狀的框保持部件442保持的環(huán)狀框F上。參照?qǐng)D9對(duì)使用上述的晶片分割裝置4實(shí)施的第1斷裂工序進(jìn)行說(shuō)明。如圖9 (a)所示，將裝配著切割帶T的環(huán)狀框F載置到框保持部件442上，并利用夾具443將該環(huán)狀框F固定于框保持部件442上，其中，在切割帶T上粘貼著實(shí)施了上述第 1激光加工槽形成工序和第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片2。接著，使移動(dòng)單元43 工作，使移動(dòng)臺(tái)42在箭頭Y所示的方向(參照?qǐng)D8)上移動(dòng)，如圖9(a)所示，將形成于光器件晶片2上的一條第1間隔道22 (在圖示的實(shí)施方式中為最左端的間隔道)定位于構(gòu)成張力施加單元46的第1吸附保持部件461的保持面與第2吸附保持部件462的保持面之間。 此時(shí)，借助檢測(cè)單元47拍攝第1間隔道22，進(jìn)行第1吸附保持部件461的保持面與第2吸附保持部件462的保持面之間的位置對(duì)準(zhǔn)。這樣，在將一條第1間隔道22定位于第1吸附保持部件461的保持面與第2吸附保持部件462的保持面之間后，使未圖示的吸附單元工作，使吸附孔461a和46 作用負(fù)壓，由此，隔著切割帶T將光器件晶片2吸附保持于第1 吸附保持部件461的保持面和第2吸附保持部件462的保持面上(保持工序)。在實(shí)施了上述保持工序后，使構(gòu)成張力施加單元46的未圖示的移動(dòng)單元工作，使第1吸附保持部件461與第2吸附保持部件462如圖9 (b)所示那樣朝相互分離的方向移動(dòng)。其結(jié)果，在被定位于第1吸附保持部件461的保持面與第2吸附保持部件462的保持面之間的第1間隔道22上，沿與第1間隔道22垂直的方向作用拉伸力，光器件晶片2以第 1激光加工槽25成為斷裂起點(diǎn)的方式沿著第1間隔道22斷裂(第1斷裂工序)。通過(guò)實(shí)施該第1斷裂工序，切割帶τ被稍稍拉伸。在該第1斷裂工序中，由于光器件晶片2已沿著第1間隔道22形成了第1激光加工槽25從而降低了強(qiáng)度，因此，通過(guò)使第1吸附保持部件 461與第2吸附保持部件462向相互分離的方向移動(dòng)0. 5mm左右，能夠使光器件晶片2以形成于光器件晶片2上的第1激光加工槽25成為斷裂起點(diǎn)的方式沿著第1間隔道22斷裂。在這樣地實(shí)施了沿著形成于光器件晶片2上的一條第1間隔道22斷裂的第1斷裂工序后，解除上述第1吸附保持部件461和第2吸附保持部件462對(duì)光器件晶片2的吸附保持。接著，使移動(dòng)單元43工作，使移動(dòng)臺(tái)42在箭頭Y所示的方向(參照?qǐng)D8)上移動(dòng)與第1間隔道22的間隔相應(yīng)的量，將與實(shí)施了上述斷裂工序后的第1間隔道22相鄰的第 1間隔道22定位于構(gòu)成張力施加單元46的第1吸附保持部件461的保持面與第2吸附保持部件462的保持面之間。接著，實(shí)施上述保持工序和第1斷裂工序。在如上那樣對(duì)形成在光器件晶片2上的所有第1間隔道22實(shí)施了上述保持工序和斷裂工序后，實(shí)施第2斷裂工序，在該第2斷裂工序中，沿著光器件晶片2的第2間隔道 23施加外力，沿第2激光加工槽沈使光器件晶片2斷裂，其中，該第2激光加工槽沈是沿著第2間隔道23形成的。在該第2斷裂工序中，從實(shí)施了第1斷裂工序的狀態(tài)起，使轉(zhuǎn)動(dòng)單元45工作，并使框保持單元44轉(zhuǎn)動(dòng)90度。其結(jié)果，保持于框保持單元44的框保持部件 442上的光器件晶片2也轉(zhuǎn)動(dòng)90度，將第2間隔道23定位成與第1吸附保持部件461的保持面和第2吸附保持部件462的保持面平行的狀態(tài)，其中，該第2間隔道23形成在與形成于預(yù)定方向且實(shí)施了上述第1斷裂工序后的第1間隔道22垂直的方向(與定向平面21垂直)上。接著，使移動(dòng)單元43工作，使移動(dòng)臺(tái)472在箭頭Y所示的方向(參照?qǐng)D8)上移動(dòng)，如圖10(a)所示，將形成于光器件晶片2上的一條第2間隔道23(在圖示的實(shí)施方式中為最左端的間隔道)定位于構(gòu)成張力施加單元46的第1吸附保持部件461的保持面與第 2吸附保持部件462的保持面之間。這樣，將一條第2間隔道23定位于第1吸附保持部件 461的保持面與第2吸附保持部件462的保持面之間，之后，使未圖示的吸附單元工作，使吸附孔461a和46 作用負(fù)壓，由此，隔著切割帶T將光器件晶片2吸附保持于第1吸附保持部件461的保持面和第2吸附保持部件462的保持面上(保持工序)。在實(shí)施了上述保持工序后，使構(gòu)成張力施加單元46的未圖示的移動(dòng)單元工作，使第1吸附保持部件461與第2吸附保持部件462如圖10 (b)所示那樣朝相互分離的方向移動(dòng)。其結(jié)果，在被定位于第1吸附保持部件461的保持面與第2吸附保持部件462的保持面之間的第2間隔道23上，沿與第2間隔道23垂直的方向作用拉伸力，光器件晶片2以第 2激光加工槽沈成為斷裂起點(diǎn)的方式沿著第2間隔道23斷裂(第2斷裂工序)。這樣，在第2斷裂工序中，光器件晶片2以第2激光加工槽沈成為斷裂起點(diǎn)的方式沿著第2間隔道 23斷裂，而如上所述，第2激光加工槽沈形成為第2激光加工槽沈的底部比形成在第1激光加工槽25下側(cè)的細(xì)微裂紋251更靠下側(cè)(參照?qǐng)D7(a)和(b))，從而不會(huì)受到沿著R面形成的裂紋251的影響。因此，沿著形成了第2激光加工槽沈后的第2間隔道23斷裂的光器件晶片2的斷裂面與正面加及背面2b垂直。另外，雖在第2激光加工槽沈的下側(cè)形成了細(xì)微裂紋沈1，但由于裂紋261形成為與R面大致平行，因此不會(huì)受到R面的影響。以上，根據(jù)圖示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅限于實(shí)施方式， 可在本發(fā)明的主旨范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形。例如，在上述實(shí)施方式中，對(duì)于第1激光加工槽形成工序和第2激光加工槽形成工序，示出了如下例子從光器件晶片的正面?zhèn)日丈浼す夤饩€，在光器件晶片的正面形成第1激光加工槽和第2激光加工槽，但是第1激光加工槽形成工序和第2激光加工槽形成工序也可以從光器件晶片的背面?zhèn)日丈浼す夤饩€，從而在光器件晶片的背面形成第1激光加工槽和第2激光加工槽。
權(quán)利要求
1.一種光器件晶片的分割方法，該分割方法沿著第1間隔道和第2間隔道將光器件晶片分割成各個(gè)光器件，其中，所述光器件晶片在形成有表示藍(lán)寶石的結(jié)晶方位的定向平面的藍(lán)寶石基板的正面，在由與定向平面平行的多個(gè)第1間隔道和與定向平面垂直的多個(gè)第 2間隔道劃分出的區(qū)域中，形成有光器件，該分割方法的特征在于，包含以下工序第1激光加工槽形成工序，從光器件晶片的正面或背面?zhèn)妊刂?間隔道照射激光光線，在光器件晶片的正面或背面形成作為斷裂起點(diǎn)的第1激光加工槽；第2激光加工槽形成工序，從光器件晶片的正面或背面?zhèn)妊刂?間隔道照射激光光線，在光器件晶片的正面或背面形成作為斷裂起點(diǎn)的第2激光加工槽；第1斷裂工序，沿著實(shí)施了該第1激光加工槽形成工序和該第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第1間隔道施加外力，使光器件晶片沿第1激光加工槽斷裂，其中，該第 1激光加工槽是沿著第1間隔道形成的；以及第2斷裂工序，沿著實(shí)施了該第1激光加工槽形成工序和該第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第2間隔道施加外力，使光器件晶片沿第2激光加工槽斷裂，其中，該第 2激光加工槽是沿著第2間隔道形成的，該第2激光加工槽的深度被設(shè)定為比該第1激光加工槽的深度深。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光器件晶片的分割方法，其中，該第1激光加工槽的深度被設(shè)定為光器件晶片的厚度的10 20%，該第2激光加工槽的深度被設(shè)定為比第1激光加工槽的深度深40 60%。
全文摘要
光器件晶片的分割方法，能夠以斷裂面與正面和背面垂直的方式沿著間隔道分割在藍(lán)寶石基板的表面形成有光器件層的光器件晶片。其中，沿間隔道將光器件晶片分割成各個(gè)光器件，光器件晶片在由第1、第2間隔道劃分的區(qū)域中形成有光器件，該分割方法包含第1激光加工槽形成工序，從光器件晶片的正面或背面?zhèn)妊刂?間隔道照射激光光線，形成第1激光加工槽；第2激光加工槽形成工序，從光器件晶片的正面或背面?zhèn)妊氐?間隔道照射激光光線，形成第2激光加工槽；第1斷裂工序，沿光器件晶片的第1間隔道施加外力使光器件晶片斷裂；第2斷裂工序，沿光器件晶片的第2間隔道施加外力使光器件晶片斷裂，第2激光加工槽的深度比第1激光加工槽的深度深。
文檔編號(hào)H01L21/78GK102315169SQ201110188100
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月9日
發(fā)明者相川力 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科