專利名稱：一種適用于三維集成技術(shù)的模版對準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于三維集成電路和微傳感器芯片系統(tǒng)領(lǐng)域，特別涉及一種適用于三維集成技術(shù)的模版對準(zhǔn)方法。
背景技術(shù)：
在過去四十多年里，集成電路按“Moore定律”高速發(fā)展，即每隔18個月，集成電路的集成度、功能和性能提升一倍。集成電路的發(fā)展是通過不斷地縮小晶體管的特征尺寸來實現(xiàn)。然而，目前集成電路的特征尺寸已經(jīng)進(jìn)入到納米級別，逐漸逼近物理極限，而且使集成電路在設(shè)計、制造和成本等方面都遇到了難以逾越的發(fā)展瓶頸。集成電路的總延時包括晶體管延時和互連延時，其中互連延時主要為全局互連延時。隨著特征尺寸的縮小，晶體管的延時得到了改善，但是全局互連延時卻快速上升。當(dāng)特征尺寸小于130nm時，互邊延時已經(jīng)成為主導(dǎo)因素，互連延時的上升已經(jīng)超過了晶體管延時的下降，嚴(yán)重影響了集成電路性能的進(jìn)一步提高。目前解決互連延遲的方法是在全局互連線上增加一系列緩沖器，但這種方法的作用有限，并且由于大量緩沖器的加入，電路的功耗大幅度增加，即利用功耗換取速度。銅互連及低K介質(zhì)的使用使串連電阻和寄生電容有所降低，但隨著特征尺寸的減小該方法仍舊不能徹底解決延遲等問題。因此，互連已經(jīng)取代晶體管成為決定集成電路性能的主要因素和集成電路發(fā)展的真正瓶頸。三維集成技術(shù)被認(rèn)為是一種“More than Moore”技術(shù)，是改善互連延時問題，使得集成電路繼續(xù)延伸“Moore定律”的有效解決方案之一。三維集成技術(shù)，利用了第三維度，在垂直方向上把多層芯片集成在一起，并且通過穿透硅襯底制造垂直方向的互連，實現(xiàn)多層芯片間的電學(xué)導(dǎo)通。三維集成技術(shù)通過大量的垂直互連代替平面集成電路的全局互連，由于垂直互連長度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于平面全局互連的長度，從而，三維集成技術(shù)能有效地縮短芯片互連的長度，改善互連的延時問題，提高集成電路速度，并且降低芯片的功耗。另一方面，三維集成技術(shù)在垂直方向上疊加多層芯片，能大幅度提高芯片的集成度，有利于提高集成電路的功能。并且，三維集成技術(shù)提供異質(zhì)集成能力，可以把多層不同工藝、不同襯底材料的芯片集成在一起，并且各層芯片的制造工藝不相互制約，可以進(jìn)行獨立的優(yōu)化，即可以實現(xiàn)每層芯片性能和功能的最優(yōu)化，是實現(xiàn)高性能SOC (System on Chip)系統(tǒng)的有效方法。可見， 三維集成技術(shù)是解決平面集成電路所面臨的瓶頸問題的最可行手段。晶圓或芯片的對準(zhǔn)，是三維集成技術(shù)的關(guān)鍵集成技術(shù)。在三維集成技術(shù)中，需要在上下兩層芯片的特定位置制造垂直互連實現(xiàn)電學(xué)導(dǎo)通，從而，需要把上層芯片與下層芯片進(jìn)行位置的對準(zhǔn)，對準(zhǔn)精度要求在數(shù)微米甚至亞微米級別。三維集成中的對準(zhǔn)技術(shù)主要分為芯片級對準(zhǔn)技術(shù)和晶圓級的對準(zhǔn)技術(shù)，芯片級對準(zhǔn)技術(shù)是把一個芯片對準(zhǔn)到另一個芯片或者晶圓的特定位置，晶圓級對準(zhǔn)技術(shù)則是把一個晶圓與另一個晶圓進(jìn)行對準(zhǔn)。目前，三維集成的對準(zhǔn)技術(shù)，無論是芯片級的對準(zhǔn)技術(shù)還是晶圓級的對準(zhǔn)技術(shù)，主要采用光學(xué)對準(zhǔn)技術(shù)，即利用上下兩層芯片/晶圓的圖案標(biāo)志，通過復(fù)雜的光學(xué)視覺系統(tǒng)，實現(xiàn)上下兩層芯片/晶圓的光學(xué)對準(zhǔn)。隨后，通過機(jī)械轉(zhuǎn)移方法移動上下兩層芯片/晶圓，使得兩層芯片/晶圓接觸在一起，完成芯片/晶圓的對準(zhǔn)過程。然而，這種光學(xué)對準(zhǔn)技術(shù)的對準(zhǔn)精度與操作時間相關(guān)，如果要實現(xiàn)較高的對準(zhǔn)精度，需要耗費大量的操作時間，例如，采用倒裝芯片 (Flip-chip)設(shè)備實現(xiàn)芯片到晶圓的對準(zhǔn)，若每秒完成一個芯片的對準(zhǔn)，其對準(zhǔn)精度只有 10 μ m ；若要求對準(zhǔn)精度為1 μ m,則完成一個芯片的對準(zhǔn)需要10秒或者更多。此外，光學(xué)對準(zhǔn)的設(shè)備不具有通用性，根據(jù)不同的晶圓或芯片尺寸，需要使用不同的設(shè)備；如EVG公司的 SmartViewTM只能實現(xiàn)晶圓到晶圓的對準(zhǔn)，而一般的Flip-Chip設(shè)備只能實現(xiàn)芯片到芯片以及芯片到晶圓的對準(zhǔn)。另外，在三維集成技術(shù)中，完成光學(xué)對準(zhǔn)過程后，還需要機(jī)械轉(zhuǎn)移過程完成兩層芯片/晶圓的接觸，這一機(jī)械轉(zhuǎn)移過程容易帶來額外的對準(zhǔn)誤差?？梢?，對準(zhǔn)技術(shù)是三維集成技術(shù)的重要挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對上述缺陷公開了一種適用于三維集成技術(shù)的模版對準(zhǔn)方法，從而克服了目前三維集成對準(zhǔn)方法的限制，實現(xiàn)了快速、高精度的晶圓或芯片對準(zhǔn)。所述模板對準(zhǔn)方法為以深槽對準(zhǔn)模板為定位基準(zhǔn)，將平板對準(zhǔn)裝置嵌入深槽對準(zhǔn)模板，兩者在垂直方向上重疊；深槽對準(zhǔn)模板的內(nèi)側(cè)面與平板對準(zhǔn)裝置的外側(cè)面接觸。所述基片為芯片或晶圓。所述深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置通過在基片表面添加高分子聚合物材料制備， 或者直接在基片襯底上制備。所述深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置的制備方法為光刻、刻蝕、切割、壓印、激光燒蝕或者混合制備方法。所述混合制備方法為將光刻、刻蝕、切割、壓印和激光燒蝕中的兩種或兩種以上制備方法相結(jié)合。所述深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置的數(shù)量為1至η個。所述深槽對準(zhǔn)模板制造在基片的正面或基片的背面，平板對準(zhǔn)裝置制造在基片的正面、背面或側(cè)面。所述深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置的形狀為圓形、線形、多邊形或混合形狀。所述混合形狀為圓形、線形、多邊形中的兩種或兩種以上形狀相結(jié)合而成的形狀。所述模板對準(zhǔn)方法能夠?qū)?zhǔn)后的兩層基片視為一層基片，表面再制備深槽對準(zhǔn)模板或平板對準(zhǔn)裝置，實現(xiàn)三層或三層以上基片的對準(zhǔn)。本發(fā)明的有益效果為1)不需要機(jī)械裝置測量芯片的相對位置以及移動距離，亦不需要進(jìn)行復(fù)雜的光學(xué)視覺對準(zhǔn)過程，可以直接實現(xiàn)芯片到芯片、芯片到晶圓、或晶圓到晶圓的對準(zhǔn)，具有很強(qiáng)的通用性；2)同時完成兩層晶圓或芯片的對準(zhǔn)與接觸，不需要額外的機(jī)械轉(zhuǎn)移過程使得兩層晶圓或芯片接觸在一起，能有效地避免機(jī)械轉(zhuǎn)移過程所帶來的誤差，有利于實現(xiàn)高精度的晶圓或芯片對準(zhǔn)。


圖IA是晶圓到晶圓的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的晶圓上制造深槽對準(zhǔn)模版的三維示意圖IB是晶圓到晶圓的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的晶圓上制造平板對準(zhǔn)裝置的三維示意圖；圖IC是晶圓到晶圓的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的實現(xiàn)晶圓到晶圓的對準(zhǔn)的剖面示意圖；圖2A是晶圓到芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的在晶圓上制造深槽對準(zhǔn)模版的三維示意圖；圖2B是晶圓到芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的在芯片上制造平板對準(zhǔn)裝置的三維示意圖；圖2C是晶圓到芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的實現(xiàn)晶圓到芯片的對準(zhǔn)的剖面示意圖；圖3A是芯片到芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的在芯片上制造深槽對準(zhǔn)模版的三維示意圖；圖;3B是芯片到芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的在芯片上制造平板對準(zhǔn)裝置的三維示意圖；圖3C是芯片到芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的實現(xiàn)芯片到芯片的對準(zhǔn)的剖面示意圖；圖4是晶圓-芯片-芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的實現(xiàn)兩層芯片到一層晶圓的對準(zhǔn)剖面示意圖；圖5是晶圓到芯片(背面)的模板對準(zhǔn)方法實施例提供的實現(xiàn)面對背的芯片到晶圓的對準(zhǔn)的剖面示意圖。
具體實施例方式模板對準(zhǔn)方法為以深槽對準(zhǔn)模板為定位基準(zhǔn)，將平板對準(zhǔn)裝置嵌入深槽對準(zhǔn)模板，兩者在垂直方向上重疊；深槽對準(zhǔn)模板的內(nèi)側(cè)面與平板對準(zhǔn)裝置的外側(cè)面接觸；基片為芯片或晶圓。深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置通過在基片表面添加高分子聚合物材料制備，或者直接在基片襯底上制備。兩者的制備方法為光刻、刻蝕、切割、壓印、激光燒蝕或者混合制備方法。其中，混合制備方法為將光刻、刻蝕、切割、壓印和激光燒蝕中的兩種或兩種以上制備方法相結(jié)合。深槽對準(zhǔn)模板制造在基片的正面或基片的背面，平板對準(zhǔn)裝置制造在基片的正面、背面或側(cè)面。兩者的形狀為圓形、線形、多邊形或混合形狀，其中，混合形狀為圓形、線形、多邊形中的兩種或兩種以上形狀相結(jié)合而成的形狀。深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置的數(shù)量均為1至η個。平板對準(zhǔn)裝置和深槽對準(zhǔn)模板的橫截面積可以根據(jù)需要靈活配置，兩者的范圍為零至基片橫截面積的125%。模板對準(zhǔn)方法能夠?qū)?zhǔn)后的兩層基片視為一層基片，表面再制備深槽對準(zhǔn)模板或平板對準(zhǔn)裝置，實現(xiàn)三層或三層以上基片的對準(zhǔn)。下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。1)晶圓到晶圓的模板對準(zhǔn)方法實施例如圖1Α、圖IB所示，在第一晶圓WlOO正面制造第一深槽對準(zhǔn)模版Sl 1，在第二晶圓W200正面制造第一平板對準(zhǔn)裝置Tl 1，通過將第一平板對準(zhǔn)裝置Tll嵌入第一深槽對準(zhǔn)模版Sll來實現(xiàn)第一晶圓WlOO和第二晶圓W200的對準(zhǔn)，第一深槽對準(zhǔn)模版Sll由四部分組成，每部分橫截面均為弧形，其中以深槽對準(zhǔn)模版 Sll的水平方向內(nèi)側(cè)面標(biāo)定第一晶圓WlOO的X方向，以垂直方向內(nèi)側(cè)面標(biāo)定第一晶圓WlOO 的Y方向，水平方向側(cè)面與垂直方向內(nèi)側(cè)面的交點標(biāo)定第一晶圓WlOO的原點位置，從而實現(xiàn)用深槽對準(zhǔn)模版Sll對第一晶圓WlOO的位置標(biāo)定作用。第一平板對準(zhǔn)裝置Tll橫截面為圓角矩形，同樣分別以平板對準(zhǔn)裝置Tll的水平方向外側(cè)面和垂直方向外側(cè)面標(biāo)定第二晶圓W200的X方向和Y方向，以水平外側(cè)面與垂直外側(cè)面的交點標(biāo)定原點位置，從而實現(xiàn)用平板對準(zhǔn)裝置Tll對第二晶圓W200的位置標(biāo)定作用。如圖IC所示，第一晶圓WlOO和第二晶圓W200對準(zhǔn)后，第一平板對準(zhǔn)裝置Tll與第一深槽對準(zhǔn)模版Sll在垂直方向上重疊，并且第一深槽對準(zhǔn)模版Sll的內(nèi)側(cè)面與第一平板對準(zhǔn)裝置Tll的外側(cè)面緊密接觸。第一晶圓介質(zhì)層W104與第二晶圓介質(zhì)層W204緊密接觸，位于第二晶圓襯底W201下方的第二晶圓金屬互連線W203與位于第一晶圓襯底WlOl上方的第一晶圓金屬互連線W103連接，因此，第二晶圓晶體管(或微結(jié)構(gòu))W202與第一晶圓晶體管(或微結(jié)構(gòu))W102連接在一起。2)晶圓到芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例如圖2A、圖2B所示，在第三晶圓W300正面制造第二深槽對準(zhǔn)模版S22，在10個第一芯片ClOO正面各制造1個第二平板對準(zhǔn)裝置 T22，通過將10個第二平板對準(zhǔn)裝置T22嵌入第二深槽對準(zhǔn)模版S22來實現(xiàn)第三晶圓W300 和10個第一芯片ClOO的對準(zhǔn)，第二深槽對準(zhǔn)模版由多組模截面為矩形的深槽結(jié)構(gòu)組成，分別以深槽的水平方向內(nèi)側(cè)面標(biāo)定第三晶圓上芯片的X方向，以深槽的垂直方向內(nèi)側(cè)面標(biāo)定第三晶圓上芯片的Y方向，以深槽轉(zhuǎn)角標(biāo)定第三晶圓上芯片的原點位置，從而實現(xiàn)用深槽模版S22對晶圓W300上各芯片的位置標(biāo)定作用。第二平板對準(zhǔn)裝置T22模截面均為矩形， 同樣分別以水平和垂直方向外側(cè)面標(biāo)定各第一芯片ClOO的X方向和Y方向，以轉(zhuǎn)角標(biāo)定原點位置，從而實現(xiàn)用水平對準(zhǔn)裝置對第一芯片ClOO的位置標(biāo)定作用。如圖2C所示，第三晶圓W300和第一芯片ClOO對準(zhǔn)后，第二平板對準(zhǔn)裝置T22與第二深槽對準(zhǔn)模版S22在垂直方向上重疊，并且第二深槽對準(zhǔn)模版S22的內(nèi)側(cè)面與第二平板對準(zhǔn)裝置T22的外側(cè)面緊密接觸。第三晶圓介質(zhì)層W304與第一芯片介質(zhì)層C104緊密接觸，位于第一芯片襯底ClOl下方的第一芯片金屬互連線C103與位于第三晶圓襯底W301上方的第三晶圓金屬互連線W303連接，因此，第一芯片晶體管(或微結(jié)構(gòu))C102與第三晶圓晶體管(或微結(jié)構(gòu))W302連接在一起。3)芯片到芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例如圖3A、圖;3B所示，在第二芯片C200正面制造第三深槽對準(zhǔn)模版S33，在第三芯片C300正面制造第三平板對準(zhǔn)裝置T33，通過將第三平板對準(zhǔn)裝置T33嵌入第三深槽對準(zhǔn)模版S33來實現(xiàn)第二芯片C200和第三芯片C300的對準(zhǔn)，第三深槽對準(zhǔn)模版S33模截面為矩形，以深槽對準(zhǔn)模版S33的水平方向內(nèi)側(cè)面標(biāo)定第二芯片C200的X方向，以垂直方向內(nèi)側(cè)面標(biāo)定第二芯片C200的Y方向，以轉(zhuǎn)角標(biāo)定第二芯片 C200的原點位置，從而實現(xiàn)用深槽模版S33對芯片C200的位置標(biāo)定作用。第三平板對準(zhǔn)裝置T33模截面為矩形，同樣分別以水平和垂直方向外側(cè)面標(biāo)定第三芯片C300的X方向和Y 方向，以轉(zhuǎn)角標(biāo)定原點位置，從而實現(xiàn)用水平對準(zhǔn)裝置T33對芯片C300的位置標(biāo)定作用。如圖3C所示，第二芯片C200和第三芯片C300對準(zhǔn)后，第三平板對準(zhǔn)裝置T33與第三深槽對準(zhǔn)模版S33在垂直方向上重疊，并且第三深槽對準(zhǔn)模版S33的內(nèi)側(cè)面與第三平板對準(zhǔn)裝置T33的外側(cè)面緊密接觸。，第二芯片介質(zhì)層C204與第三芯片介質(zhì)層C304緊密接觸，位于第三芯片襯底C301下方的第三芯片金屬互連線C303與位于第二芯片襯底C201上方的第二芯片金屬互連線C203連接，因此，第二芯片晶體管(或微結(jié)構(gòu))C202與第三芯片晶體管(或微結(jié)構(gòu))C302連接在一起。4)晶圓-芯片-芯片的模板對準(zhǔn)方法實施例如圖4所示，在實現(xiàn)第三晶圓W300 和第一芯片ClOO對準(zhǔn)后(如圖2C所示)，將第一芯片襯底ClOl減薄，隨后，在第一芯片 ClOO上制備深槽對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)S44，在第四芯片C400正面制造第四平板對準(zhǔn)裝置T44，將第四平板對準(zhǔn)裝置T44嵌入至第四深槽對準(zhǔn)模板S44中，實現(xiàn)了第一芯片ClOO和第四芯片C400 的對準(zhǔn)，進(jìn)而實現(xiàn)了第三晶圓C300、第一芯片ClOO和第四芯片三層結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)，此時，第四深槽對準(zhǔn)模版S44的內(nèi)側(cè)面與第四平板對準(zhǔn)裝置T44的外側(cè)面緊密接觸；第四平板對準(zhǔn)裝置T44與第四深槽對準(zhǔn)模版S44在垂直方向重疊，第一芯片介質(zhì)層C104與第四芯片介質(zhì)層 C404緊密接觸，位于第四芯片襯底C401下方的第四芯片金屬互連線C403與位于第一芯片襯底ClOl上方的第一芯片金屬互連線C103連接，因此，第一芯片晶體管(或微結(jié)構(gòu))C102 與第四芯片晶體管(或微結(jié)構(gòu))C402連接在一起。5)晶圓到芯片(背面)的模板對準(zhǔn)方法實施例如圖5所示，在第四晶圓正面制造第五深槽對準(zhǔn)模版S55，在第五芯片背面制造第五平板對準(zhǔn)裝置T55，通過將第五平板對準(zhǔn)裝置T55嵌入第五深槽對準(zhǔn)模版S55來實現(xiàn)第四晶圓和第五芯片的對準(zhǔn)，此時第五平板對準(zhǔn)裝置T55與第五深槽對準(zhǔn)模版S55在垂直方向上重疊，并且第五深槽對準(zhǔn)模版S55的內(nèi)側(cè)面與第五平板對準(zhǔn)裝置T55的外側(cè)面緊密接觸以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述模板對準(zhǔn)方法為以深槽對準(zhǔn)模板為定位基準(zhǔn)，將平板對準(zhǔn)裝置嵌入深槽對準(zhǔn)模板，兩者在垂直方向上重疊；深槽對準(zhǔn)模板的內(nèi)側(cè)面與平板對準(zhǔn)裝置的外側(cè)面接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述基片為芯片或晶圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置通過在基片表面添加高分子聚合物材料制備，或者直接在基片襯底上制備。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置的制備方法為光刻、刻蝕、切割、壓印、激光燒蝕或者混合制備方法。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述混合制備方法為將光刻、刻蝕、切割、壓印和激光燒蝕中的兩種或兩種以上制備方法相結(jié)合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置的數(shù)量為1至η個。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述深槽對準(zhǔn)模板制造在基片的正面或基片的背面，平板對準(zhǔn)裝置制造在基片的正面、背面或側(cè)面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述深槽對準(zhǔn)模板和平板對準(zhǔn)裝置的形狀為圓形、線形、多邊形或混合形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述混合形狀為圓形、線形、多邊形中的兩種或兩種以上形狀相結(jié)合而成的形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于三維集成的模版對準(zhǔn)方法，其特征在于，所述模板對準(zhǔn)方法能夠?qū)?zhǔn)后的兩層基片視為一層基片，表面再制備深槽對準(zhǔn)模板或平板對準(zhǔn)裝置，實現(xiàn)三層或三層以上基片的對準(zhǔn)。
全文摘要
本發(fā)明公開了屬于三維集成電路和微傳感器芯片系統(tǒng)領(lǐng)域的一種適用于三維集成技術(shù)的模版對準(zhǔn)方法。其技術(shù)方案如下以深槽對準(zhǔn)模板為定位基準(zhǔn)，將平板對準(zhǔn)裝置嵌入深槽對準(zhǔn)模板，兩者在垂直方向上重疊；深槽對準(zhǔn)模板的內(nèi)側(cè)面與平板對準(zhǔn)裝置的外側(cè)面接觸。本發(fā)明的有益效果為1)不需要機(jī)械裝置測量芯片的相對位置以及移動距離，亦不需要進(jìn)行復(fù)雜的光學(xué)視覺對準(zhǔn)過程，可以直接實現(xiàn)芯片到芯片、芯片到晶圓、或晶圓到晶圓的對準(zhǔn)，具有很強(qiáng)的通用性；2)同時完成兩層晶圓或芯片的對準(zhǔn)與接觸，能有效地避免機(jī)械轉(zhuǎn)移過程所帶來的誤差，有利于實現(xiàn)高精度的晶圓或芯片對準(zhǔn)。
文檔編號H01L21/768GK102290361SQ20111018595
公開日2011年12月21日 申請日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者劉理天, 呂建強(qiáng), 王喆垚, 陳倩文 申請人:清華大學(xué)