專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且尤其涉及一種適用于發(fā)光元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管的通道層以氧化物半導(dǎo)體來制作(此稱氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管)， 可有效提升元件的載子移動率。同時，由于氧化物半導(dǎo)體具有透明、導(dǎo)電、非晶態(tài)、低溫工藝等特性，因此氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管適于應(yīng)用在顯示面板上。然而，將氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管應(yīng)用于主動式矩陣液晶顯示器(active matrix liquid crystal display,AMLCD)或主動式矩陣有機發(fā)光顯示器(active matrix organic light emitting display, AMOLED)時，需要在封裝或是透明化(UV-bleach)的過程進(jìn)行紫外光(UV-Iight)照射。如此，因為氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的通道層受到紫外光照射，將導(dǎo)致元件特性的不穩(wěn)定，例如可能發(fā)生漏極引發(fā)能障降低(Drain Induced Barrier Lowering, DIBL)效應(yīng)，而使元件容易產(chǎn)生漏電流現(xiàn)象，影響顯示質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，可有效防止光線照射元件造成的元件特性變異。本申請?zhí)峁┮环N有機電致發(fā)光元件，應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)來提供良好、穩(wěn)定的元件特性。在此提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于一基板上。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一柵極、一柵絕緣層、一通道層、一源極、一漏極、一介電層以及一導(dǎo)電遮光圖案層。柵極與柵絕緣層配置于基板上，且柵絕緣層覆蓋柵極。通道層位于柵絕緣層上，且位于柵極上方。通道層沿一通道方向上具有一通道長度L，且通道層具有一第一側(cè)邊以及相對于該第一側(cè)邊的一第二側(cè)邊。源極以及漏極位于通道層的相對兩側(cè)，且分別電性連接通道層的第一側(cè)邊與第二側(cè)邊。 介電層覆蓋源極、漏極以及通道層。導(dǎo)電遮光圖案層配置于介電層上。導(dǎo)電遮光圖案層跟部份源極與通道層在垂直投影上重迭，其中導(dǎo)電遮光圖案層跟通道層具有一重迭長度dl， 且 0. 3 彡 dl/L 彡 0. 85。在一實施例中，通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。在一實施例中，氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)。在一實施例中，導(dǎo)電遮光圖案層沿通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊。第四側(cè)邊跟通道層重迭，其中重迭長度等于第四側(cè)邊跟通道層的第一側(cè)邊在通道方向上的距
1 O在一實施例中，通道層覆蓋部分的源極以及部分的漏極。在一實施例中，源極以及漏極分別覆蓋部分的通道層。在一實施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括一蝕刻阻擋層(etching stop layer)，配置于通道層上，且源極以及漏極更分別覆蓋部分的蝕刻阻擋層。在一實施例中，漏極沿通道方向具有一第五側(cè)邊，其中第五側(cè)邊跟通道層重迭，第五側(cè)邊與第二側(cè)邊在通道方向上相距tl，且0 < tl/L < 0. 15。此外，本申請?zhí)岢龅挠袡C電致發(fā)光元件包括設(shè)置于基板上的前述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)； 一有機發(fā)光層，配置于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電遮光圖案層上；以及，一上電極，配置于有機發(fā)光層上。其中，該通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。其中，該氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物。其中，該導(dǎo)電遮光圖案層沿該通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，該第四側(cè)邊跟該通道層重迭，其中該重迭長度等于該第四側(cè)邊跟該通道層的第一側(cè)邊在該通道方向上的距離。其中，該通道層覆蓋部分的該源極以及部分的該漏極。其中，該源極以及該漏極分別覆蓋部分的該通道層。其中，更包括一蝕刻阻擋層，配置于該通道層上，且該源極以及該漏極更分別覆蓋部分的該蝕刻阻擋層。其中，該漏極沿該通道方向具有一第五側(cè)邊，其中該第五側(cè)邊跟該通道層重迭，且該第五側(cè)邊與該第二側(cè)邊在該通道方向上相距tl，且0 < tl/L < 0. 15。本發(fā)明為了改善照光對薄膜晶體管所造成的影響，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上制作金屬遮光圖案層，借以遮擋光線直射通道層。同時，考慮遮光層覆蓋元件的漏極可能導(dǎo)致漏電流的發(fā)生，本發(fā)明進(jìn)一步調(diào)整金屬遮光圖案層與通道層的重迭長度，借以求得遮光效果與元件效能的間的良好平衡。如此，不僅可以有效防止光線照射元件造成的元件特性變異，更可進(jìn)一步提供良好、穩(wěn)定的元件特性。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖IA繪示依照本申請的一實施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖IB繪示圖IA的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。圖2繪示應(yīng)用圖IA與IB的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一種有機電致發(fā)光元件。圖3A繪示依照本申請的另一實施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖;3B繪示圖3A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。圖4A繪示依照本申請的又一實施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖4B繪示圖4A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。圖5A為依據(jù)本申請的一實施例實際量測重迭長度dl相對于薄膜晶體管的臨界電壓以及載子移動率的關(guān)系曲線。圖5B為依據(jù)本申請的一實施例實際量測重迭長度dl相對于薄膜晶體管的次臨界斜率以及漏極引發(fā)能障降低效應(yīng)的關(guān)系曲線。其中，附圖標(biāo)記12 基板20 有機電致發(fā)光元件100、300、400 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110:柵極
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120 柵絕緣層130、330、430 通道層140,340,440 源極150、；350、450 漏極160、360:介電層170、370 導(dǎo)電遮光圖案層172 遮光部174:下電極210 有機發(fā)光層220:上電極200 有機發(fā)光二極管480 蝕刻阻擋層D 通道方向L 通道長度dl 導(dǎo)電遮光圖案層與通道層的重迭長度tl 漏極與通道層的重迭長度Sl 通道層的第一側(cè)邊S2 通道層的第二側(cè)邊S3 導(dǎo)電遮光圖案層的第三側(cè)邊S4:導(dǎo)電遮光圖案層的第四側(cè)邊S5 漏極的第五側(cè)邊
具體實施例方式為了改善照光對薄膜晶體管所造成的影響，例如可能發(fā)生的漏極引發(fā)能障降低 (DIBL)效應(yīng)以及漏電流現(xiàn)象，本申請人利用光掩膜定義出覆蓋元件的遮光層，借以遮擋光線直射通道層。然，若遮光層覆蓋元件的漏極，會在元件操作時產(chǎn)生額外的電場，如此將導(dǎo)致高源極電壓驅(qū)動下的元件產(chǎn)生臨界電壓(threshold voltage)的漂移與下降，同樣會導(dǎo)致漏電流的發(fā)生?；?，本申請人進(jìn)一步調(diào)整遮光層的覆蓋區(qū)域，以求得遮光效果與元件效能的間的良好平衡。圖IA繪示依照本申請的一實施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖IB繪示圖IA的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。為清楚表達(dá)圖式內(nèi)容，圖IB僅繪出圖IA的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分構(gòu)件。 如圖IA與IB所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的柵極110配置于基板12上。柵絕緣層120配置于基板12上，并且覆蓋柵極110。通道層130位于柵絕緣層120上，并且位于柵極110上方。在本實施例中，通道層130的材質(zhì)例如是氧化物半導(dǎo)體(Oxide Semiconductor)材質(zhì)，比如是銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵氧化物(IGO)、銦鋅氧化物(IZO)等半導(dǎo)體材質(zhì)，且較佳是銦鎵鋅氧化物半導(dǎo)體。通道層130沿一通道方向D上，具有一通道長度L，且通道層130具有一第一側(cè)邊Sl以及相對于第一側(cè)邊Sl的一第二側(cè)邊S2。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的源極140以及漏極150位于通道層130的相對兩側(cè)，且源極140以及漏極150分別電性連接通道層130的第一側(cè)邊Sl以及第二側(cè)邊S2。在本實施例中，通道層130覆蓋部分的源極140以及部分的漏極150。換言之，通道層130的第一側(cè)邊Sl以及第二側(cè)邊S2分別位于源極140以及漏極150上。此外，介電層160覆蓋源極140、漏極 150以及通道層130。本實施例所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為氧化半導(dǎo)體薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。本實施例將導(dǎo)電遮光圖案層170配置于介電層160上，導(dǎo)電遮光圖案層170為電性浮接(electrically floating)，不跟其它電極電性連接，且導(dǎo)電遮光圖案層170跟部份的源極140與部份的通道層130在垂直投影上重迭。導(dǎo)電遮光圖案層170可由金屬層所構(gòu)成，也可由金屬層與透明導(dǎo)電層的迭層所構(gòu)成。此外，導(dǎo)電遮光圖案層170跟通道層130沿通道方向D具有一重迭長度dl。在本發(fā)明中，導(dǎo)電遮光圖案層可以是任何具有遮光效果的可能的圖形。例如，本實施例的導(dǎo)電遮光圖案層170為矩形，而沿通道方向D具有一第三側(cè)邊S3與一第四側(cè)邊S4,且第四側(cè)邊S4跟通道層130在垂直投影上重迭。在此，所述重迭長度dl可進(jìn)一步被定義為第四側(cè)邊S4跟通道層130的第一側(cè)邊Sl在通道方向上D的距離。為了兼顧遮光效果與良好的元件效能，包括漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)，本實施例中所述重迭長度dl的范圍較佳是0. 3 ( dl/L ( 0. 85，且更佳是0. 4彡dl/L彡0. 7。 更詳細(xì)而言，導(dǎo)電遮光圖案層170跟通道層130在垂直投影上會有部份重迭，重迭長度在 0. 3L以上，可以達(dá)到減少漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)，同時可以在照光步驟中遮蔽一定數(shù)量的光線(例如紫外光)，降低光線對通道層130造成的影響。另一方面，導(dǎo)電遮光圖案層170跟通道層130在垂直投影上的重迭長度被限制在0. 85L以下，使得導(dǎo)電遮光圖案層 170不會過度接近或甚至覆蓋漏極150，避免在元件操作時產(chǎn)生額外電場，防止漏電流的發(fā)生。本申請所提出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)適于應(yīng)用在例如有機電致發(fā)光元件上。請參考圖2，其繪示應(yīng)用圖IA與IB的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的一種有機電致發(fā)光元件20。有機電致發(fā)光元件20 包括前述設(shè)置于基板12上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，以及有機發(fā)光二極管200。在一實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100可以作為一切換晶體管(switching transistor)，經(jīng)由其它電路(未圖標(biāo)) 電性連接至有機發(fā)光二極管200，如圖2所示。在另一實施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100也可以作為一驅(qū)動晶體管(driving transistor)，有機發(fā)光二極管200可經(jīng)由一接觸窗開口電性連接至半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的漏極150，上述部分為該項技藝者所熟知，因此不再贅述。通過制作有機發(fā)光二極管200的下電極174時，同時制作導(dǎo)電遮光圖案層172。在本實施例中，制作導(dǎo)電層170的圖案時，除了形成用以遮蔽部份源極140與部份通道層130的導(dǎo)電遮光圖案層172的外，還同時形成下電極174。換言之，導(dǎo)電遮光圖案層172以及下電極174是對同一層的材料層進(jìn)行圖案化來獲得。有機發(fā)光層210配置于導(dǎo)電遮光圖案層170上。上電極 220配置于有機發(fā)光層210上。借此，可經(jīng)由上電極220與下電極174施加電壓，以驅(qū)動有機發(fā)光層210發(fā)光。在一實施例中，導(dǎo)電層170可以是金屬層，或是金屬層與透明導(dǎo)電層的迭層，導(dǎo)電層170圖案化后形成導(dǎo)電遮光圖案層172以及下電極174，接著制作有機發(fā)光層210與上電極220，此時上電極220為透明導(dǎo)電層，可形成向上發(fā)光的有機電致發(fā)光元件20。在另一實施例中，導(dǎo)電層170可以是金屬層與透明導(dǎo)電層的迭層，導(dǎo)電層170圖案化后形成導(dǎo)電遮光圖案層172以及下電極174，并且移除下電極174上的金屬層而僅剩下透明導(dǎo)電層，接著制作有機發(fā)光層210與上電極220，此時上電極220可為不透明導(dǎo)電層，借此可形成向下發(fā)光的有機電致發(fā)光元件20。前述實施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)還可能因?qū)嶋H需求而有其它變化。圖3A繪示依照本申請的另一實施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖:3B繪示圖3A 的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。為清楚表達(dá)圖式內(nèi)容，圖3B僅繪出圖3A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分構(gòu)件。如圖3A與;3B所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300與前述實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100類似，除了兩者的源極；340、漏極350以及通道層330的相對位置不同。更具體而言，本實施例的源極340以及漏極350分別覆蓋部分的通道層330，即通道層330的第一側(cè)邊Sl以及第二側(cè)邊S2分別位于源極340以及漏極350下。介電層360覆蓋源極340、漏極350以及通道層330。導(dǎo)電遮光圖案層370配置于介電層360上。類似地，導(dǎo)電遮光圖案層370跟通道層330在通道方向D上的重迭長度為dl，且較佳是0. 3彡dl/L彡0. 85，且更佳是0. 4彡dl/L彡0. 7。另外，由于源極340以及漏極350分別覆蓋部分的通道層330，本實施例可以考慮進(jìn)一步限定漏極350與通道層330的重迭位置，以避免導(dǎo)電遮光圖案層370覆蓋漏極350。 在本實施例中，漏極350沿通道方向D具有一第五側(cè)邊S5，且第五側(cè)邊S5跟通道層330重迭。如此，第五側(cè)邊S5與第二側(cè)邊S2在通道方向D的距離即被定義為漏極350與通道層 330的重迭長度tl。對比前述導(dǎo)電遮光圖案層170與通道層130的重迭長度dl的范圍較佳為0. 3彡dl/L彡0. 85，且更佳是0. 4彡dl/L彡0. 7，本實施例可以將漏極350與通道層 330的重迭長度tl的范圍較佳為0 < tl/L < 0. 15。如此，便可確保導(dǎo)電遮光圖案層370 不會過度接近或甚至覆蓋漏極350，避免在元件操作時產(chǎn)生額外電場，防止漏電流的發(fā)生。圖4A繪示依照本申請的又一實施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖4B繪示圖4A 的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖。為清楚表達(dá)圖式內(nèi)容，圖4B僅繪出圖4A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分構(gòu)件。如圖4A與4B所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400與前述實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300類似，除了 本實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)400更包括一蝕刻阻擋層480，配置于通道層430上，且源極440以及漏極450更分別覆蓋部分的蝕刻阻擋層480。本實施例的其它構(gòu)件以及重迭長度dl、tl等結(jié)構(gòu)參數(shù)都可沿用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的設(shè)計，因此不再贅述。此外，如圖3A、3B以及圖4A、4B所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300與400同樣可應(yīng)用在如圖 2所示的有機電致發(fā)光元件200上，以得到類似的技術(shù)效果。圖5A為依據(jù)本申請的一實施例實際量測重迭長度dl相對于薄膜晶體管的臨界電壓(threshold voltage)以及載子移動率(carrier mobility)的關(guān)系曲線。圖5B為依據(jù)本申請的一實施例實際量測重迭長度dl相對于薄膜晶體管的次臨界斜率(sub-threshold swing)以及漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)的關(guān)系曲線。在圖5A與圖5B的實施例中，薄膜晶體管的通道層的長度約為23微米(μ m)，而圖5A與圖5B的相關(guān)曲線表示了導(dǎo)電遮光圖案層跟通道層由相互遠(yuǎn)離(-6μπι)到相互重迭QO μ m)所造成的薄膜晶體管的前述電氣特性的變化。由圖5A與圖5B可知，薄膜晶體管的載子移動率以及次臨界斜率在不同的重迭長度下維持穩(wěn)定。此外，薄膜晶體管的漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)在重迭長度大于4μπι 的后有顯著的改善，此時薄膜晶體管的臨界電壓也趨于穩(wěn)定。本實施例的重迭長度dl較佳是不超過20 μ m,以避免導(dǎo)電遮光圖案層與漏極重迭。在重迭長度dl為7 20 μ m的區(qū)間內(nèi)，漏極引發(fā)能障降低(DIBL)效應(yīng)獲得更為良好的改善，且在10 16μπι的區(qū)間內(nèi)更佳。 此范圍為7 20 μ m的重迭長度dl與通道層的長度(Mym)的比值大致符合上文提到的 0. 3 彡 dl/L 彡 0. 85，且更佳是 0. 4 ^ dl/L 彡 0. 7。
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綜上所述，本發(fā)明為了改善照光對薄膜晶體管所造成的影響，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上制作金屬遮光圖案層，借以遮擋光線直射通道層。同時，考慮遮光層覆蓋元件的漏極可能導(dǎo)致漏電流的發(fā)生，本發(fā)明進(jìn)一步調(diào)整金屬遮光圖案層與通道層的重迭長度，借以求得遮光效果與元件效能的間的良好平衡。如此，不僅可以有效防止光線照射元件造成的元件特性變異，更可進(jìn)一步提供良好、穩(wěn)定的元件特性。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一基板上，其特征在于，包括 一柵極，配置于該基板上；一柵絕緣層，配置于該基板上，并且覆蓋該柵極；一通道層，位于該柵絕緣層上，且位于該柵極上方，該通道層沿一通道方向上，具有一通道長度L，該通道層具有一第一側(cè)邊，以及一第二側(cè)邊相對于該第一側(cè)邊；一源極以及一漏極，位于該通道層的相對兩側(cè)，且分別電性連接該通道層的該第一側(cè)邊與該第二側(cè)邊；一介電層，覆蓋該源極、該漏極以及該通道層；以及一導(dǎo)電遮光圖案層，配置于該介電層上，該導(dǎo)電遮光圖案層跟部份該源極與該通道層在垂直投影上重迭，其中該導(dǎo)電遮光圖案層跟該通道層具有一重迭長度dl，且0. 3 ( dl/ L 彡 0. 85。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電遮光圖案層沿該通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，該第四側(cè)邊跟該通道層在垂直投影上重迭，其中該重迭長度dl等于該第四側(cè)邊跟該通道層的第一側(cè)邊在該通道方向上的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該通道層覆蓋部分的該源極以及部分的該漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極以及該漏極分別覆蓋部分的該通道層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更包括一蝕刻阻擋層，配置于該通道層上，且該源極以及該漏極更分別覆蓋部分的該蝕刻阻擋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該漏極沿該通道方向具有一第五側(cè)邊，其中該第五側(cè)邊跟該通道層重迭，且該第五側(cè)邊與該第二側(cè)邊在該通道方向上相距 tl，且 0 < tl/L < 0. 15。
9.一種有機電致發(fā)光元件，設(shè)置于一基板上，其特征在于，包括 一柵極，配置于該基板上；一柵絕緣層，配置于該基板上，并且覆蓋該柵極；一通道層，位于該柵絕緣層上，且位于該柵極上方，該通道層沿一通道方向上，具有一通道長度L，該通道層具有一第一側(cè)邊，以及一第二側(cè)邊相對于該第一側(cè)邊；一源極以及一漏極，位于該通道層的相對兩側(cè)，且分別電性連接該通道層的該第一側(cè)邊與該第二側(cè)邊；一介電層，覆蓋該源極、該漏極以及該通道層；一導(dǎo)電遮光圖案層，配置于該介電層上，該導(dǎo)電遮光圖案層跟部份該源極與該通道層在垂直投影上重迭，其中該導(dǎo)電遮光圖案層跟該通道層具有一重迭長度dl，且0. 3 ( dl/ L 彡 0. 85 ；一有機發(fā)光層，配置于該導(dǎo)電遮光圖案層上；以及一上電極，配置于該有機發(fā)光層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，該通道層的材質(zhì)包括氧化物半導(dǎo)體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，該氧化物半導(dǎo)體包括銦鎵鋅氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，該導(dǎo)電遮光圖案層沿該通道方向具有一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，該第四側(cè)邊跟該通道層重迭，其中該重迭長度等于該第四側(cè)邊跟該通道層的第一側(cè)邊在該通道方向上的距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，該通道層覆蓋部分的該源極以及部分的該漏極。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，該源極以及該漏極分別覆蓋部分的該通道層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機電致發(fā)光元件，更包括一蝕刻阻擋層，配置于該通道層上，且該源極以及該漏極更分別覆蓋部分的該蝕刻阻擋層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機電致發(fā)光元件，其特征在于，該漏極沿該通道方向具有一第五側(cè)邊，其中該第五側(cè)邊跟該通道層重迭，且該第五側(cè)邊與該第二側(cè)邊在該通道方向上相距tl，且0 < tl/L < 0. 15。
全文摘要
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及應(yīng)用此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光元件。其中，柵極與柵絕緣層配置于基板上，且柵絕緣層覆蓋柵極。通道層位于柵絕緣層上，且位于柵極上方。通道層沿一通道方向上具有一通道長度L，且通道層具有第一側(cè)邊以及相對于第一側(cè)邊的一第二側(cè)邊。源極以及漏極位于通道層的相對兩側(cè)，且分別電性連接通道層的第一側(cè)邊與第二側(cè)邊。介電層覆蓋源極、漏極以及通道層。導(dǎo)電遮光圖案層配置于介電層上。導(dǎo)電遮光圖案層跟部份源極與通道層在垂直投影上重迭，其中導(dǎo)電遮光圖案層跟通道層具有重迭長度d1，且0.3≤d1/L≤0.85。本發(fā)明可遮擋光線直射通道層，并且不僅可以有效防止光線照射元件造成的元件特性變異，更可進(jìn)一步提供良好、穩(wěn)定的元件特性。
文檔編號H01L51/50GK102244090SQ20111018474
公開日2011年11月16日 申請日期2011年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月24日
發(fā)明者張志榜, 謝信弘 申請人:友達(dá)光電股份有限公司