專利名稱：發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，特別是涉及一種具有較佳光學(xué)效率的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light emitted diode,以下簡稱LED)在照明或顯示應(yīng)用中扮演重要的角色。LED與傳統(tǒng)光源相比較具有許多優(yōu)勢，例如體積小、發(fā)光效應(yīng)佳、操作反應(yīng)速度快。 早期LED已廣泛地應(yīng)用于手機(jī)、小型裝置如遙控器等，到近年因高亮度、高功率LED出現(xiàn)，應(yīng)用范圍擴(kuò)大至汽車、照明、戶外大型顯示器等產(chǎn)品。然而，由于LED的亮度已積極提升，特別是用于背光與電子照明等應(yīng)用，因此光學(xué)效率的提升變得日益重要。在此技術(shù)領(lǐng)域中，有需要一種具有較佳光學(xué)效率的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)包括一承載基底，其具有一頂面和一底面，且上述承載基底具有至少兩個(gè)導(dǎo)通孔；一介電反射鏡結(jié)構(gòu)，形成于上述承載基底的上述頂面上，其中上述介電反射鏡結(jié)構(gòu)包括堆疊至少五個(gè)介電層組，其中每一個(gè)上述介電層組包括一上方的第一介電層，其具有一第一反射系數(shù)；以及一下方的第二介電層，其具有小于上述第一反射系數(shù)的一第二反射系數(shù)；一第一導(dǎo)線和一第二導(dǎo)線，彼此電性隔絕，上述第一導(dǎo)線和上述第二導(dǎo)線形成于上述介電反射鏡結(jié)構(gòu)上，且分別沿不同的上述些導(dǎo)通孔的側(cè)壁，從上述承載基底的上述頂面延伸至上述底面；以及一發(fā)光裝置芯片，固定于上述承載基底的上述頂面上，其中上述發(fā)光裝置芯片具有一第一電極和一第二電極，分別電連接至上述第一導(dǎo)線和上述第二導(dǎo)線。本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)的制作方法包括提供一承載基底，其具有一頂面和一底面，且上述承載基底具有至少兩個(gè)導(dǎo)通孔；在上述承載基底的上述頂面上形成一介電反射鏡結(jié)構(gòu)，其中上述介電反射鏡結(jié)構(gòu)包括堆疊至少五個(gè)介電層組，其中每一個(gè)上述介電層組包括一上方的第一介電層，其具有一第一反射系數(shù)；以及一下方的第二介電層，其具有小于上述第一反射系數(shù)的一第二反射系數(shù)；在上述介電反射鏡結(jié)構(gòu)上形成彼此電性隔絕的一第一導(dǎo)線和一第二導(dǎo)線，上述第一導(dǎo)線和上述第二導(dǎo)線分別沿不同的上述些導(dǎo)通孔的側(cè)壁，從上述承載基底的上述頂面延伸至上述底面；以及在上述承載基底的上述頂面上固定一發(fā)光裝置芯片。


圖1 圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)的制作工藝剖視圖；圖7a 圖7c為本發(fā)明其他實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖8為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)的介電反射鏡結(jié)構(gòu)的放大示意圖。主要元件符號說明500a 500d 發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)；200、300 承載基底；201 頂面；202 導(dǎo)通孔；203 底面；204 側(cè)壁；206 介電反射鏡結(jié)構(gòu)；208 導(dǎo)電種晶層；210 掩模層；212a 第一導(dǎo)線；212b 第二導(dǎo)線；214a、214b 焊球下金屬層；216a 第一電極；21 第二電極；218 發(fā)光裝置芯片；220 絕緣層；222 第一介電層；2 第二介電層；2 介電層組；230 光線；230 、230￡12、230￡13 反射光；232、234、236 界面；
302 凹槽；301 內(nèi)側(cè)壁；Cl1 第一厚度；d2 第二厚度；1A、1B、1C 路徑長。
具體實(shí)施例方式以下以各實(shí)施例詳細(xì)說明并伴隨著

的范例，做為本發(fā)明的參考依據(jù)。在附圖或說明書描述中，相似或相同的部分皆使用相同的圖號。且在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說明之， 值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知的形式， 另外，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)。圖1 圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500a的制作工藝剖視圖。本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)是利用晶片級封裝(WLCSP)制作工藝來封裝例如一發(fā)光二極管(LED)或一激光二極管(LD)的一發(fā)光裝置。晶片級封裝制作工藝主要是指在晶片階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體芯片重新分布在一承載晶片上， 再進(jìn)行封裝制作工藝，也可稱之為晶片級封裝制作工藝。本發(fā)明實(shí)施例是通過垂直堆疊 (stack)方式安排具有集成電路的多片晶片，經(jīng)由晶片級封裝制作工藝以形成具有多層集成電各(multi-layer integrated circuit devices)的電子元件封裝體。請參考圖1，首先，提供承載基底200，其具有一頂面201和一底面203，且承載基底200被至少兩個(gè)導(dǎo)通孔202分開。承載基底200可包括硅基底、半導(dǎo)體基底、化合物半導(dǎo)體基底、半導(dǎo)體晶片、藍(lán)寶石基底、或前述的組合。在本發(fā)明一實(shí)施例中，承載基底200可包括不設(shè)有任何電子元件、導(dǎo)線或?qū)щ妷|于其上的裸晶片(bare silicon wafer) 0承載基底200不僅可視為支撐后續(xù)固定的發(fā)光裝置的一載板，而且可視為發(fā)光裝置的一散熱物。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，可進(jìn)行一薄化制作工藝，利用蝕刻法(etching)、銑削法(milling)、 磨削法(grinding)或研磨法(polishing)等方式從承載基底200的底面203予以薄化至一預(yù)定厚度。如圖1所示，可利用圖案化和蝕刻一掩模層，接著利用介層孔濕蝕刻法、干蝕刻法、超音波銑削法(ultrasonic milling)、激光鉆孔法(laser drilling)、噴砂法(sand blasting)、水刀法(water jetting)、深度蝕刻法(de印etch)、或利用其他機(jī)械/激光鉆孔器具、或利用上述方法組合等方式，形成從承載基底200的頂面201至底面203垂直貫穿承載基底200的導(dǎo)通孔(TSV) 202。進(jìn)行介層孔蝕刻制作工藝后，移除上述掩模層。接著，請參考圖2，可在承載基底200的表面上順應(yīng)性形成一介電反射鏡結(jié)構(gòu)206。 上述介電反射鏡結(jié)構(gòu)206是沿導(dǎo)通孔202的側(cè)壁204，從承載基底200的頂面201延伸至承載基底200的底面203。圖8為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)的介電反射鏡結(jié)構(gòu)206 的放大示意圖。如圖8所示，可利用垂直堆疊至少五個(gè)介電層組226的方式形成介電反射鏡結(jié)構(gòu)206，其中每一個(gè)介電層組266可包括一上方的第一介電層222以及一下方的第二介電層224，第一介電層222具有一第一反射系數(shù)(reflective index)ni，且第二介電層2M 具有小于第一反射系數(shù)Ii1的一第二反射系數(shù)n2。在本發(fā)明一實(shí)施例中，第一介電層222具有一第一厚度Cl1,且第二介電層2M具有大于第一厚度Cl1的一第二厚度d2。在本發(fā)明一實(shí)施例中，介電反射鏡結(jié)構(gòu)206可做為一隔絕結(jié)構(gòu)和一高反射結(jié)構(gòu)，通過一簡單制作工藝和低成本的方式以改善發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)的光學(xué)效能。當(dāng)一光線230入射至介電反射鏡結(jié)構(gòu) 206中，光線230可在空氣和第一介電層222之間的一界面232被反射、在同一介電層組226 中的上方的第一介電層222和下方的第二介電層2M之間的一界面234被反射、及在上方的介電層組2 的第二介電層2M和下方的介電層組226的第一介電層222之間的一界面 236被反射。上述界面232和236也可視為低反射-高反射界面(low-to-high interface), 其原因?yàn)樯鲜鼋缑嫔戏降奈矬w的反射系數(shù)低于上述界面下方的物體的反射系數(shù)。此外，上述界面234也可視為一高反射-低反射界面(high-to-low interface)，其原因?yàn)樯鲜鼋缑嫔戏降奈矬w的反射系數(shù)高于上述界面下方的物體的反射系數(shù)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，可決定介電層組226的介電層的反射系數(shù)或厚度，以使從上述不同的低反射-高反射界面 (low-to-high interface)反射的光線之間的一路徑差(path-length difference)為上述光線的波長的整數(shù)倍，為光線波長整數(shù)倍的上述路徑差會(huì)導(dǎo)致建設(shè)性干涉(constructive interference)。舉例來說，如圖8所示，光線230入射至介電反射鏡結(jié)構(gòu)206中，會(huì)從低反射-高反射界面232產(chǎn)生反射光230 ,且會(huì)從低反射-高反射界面236產(chǎn)生反射光230 。如果一路徑長Ia和一路徑長間的路徑差為上述光線的波長的整數(shù)倍，則會(huì)形成一建設(shè)性干涉(constructive interference)。另外，如果從高反射-低反射界面(high-to-low interface)(例如界面234) 反射的反射光與從低反射-高反射界面(low-to-high interface)(例如界面232和 236)反射的反射光具有180度的相位差的話。因此，可決定介電層組226的介電層的反射系數(shù)或厚度，以使從上述低反射-高反射界面(low-to-high interface)和上述高反射-低反射界面(high-to-low interface)反射的光線之間的一路徑差(path-length difference)為上述光線的波長的半整數(shù)倍，為光線波長半整數(shù)倍的上述路徑差也會(huì)導(dǎo)致建設(shè)性干涉(constructive interference)。舉例來說，如圖8所示，如果反射光230 (從低反射-高反射界面反射的光)的路徑長Ib和反射光230 (從高反射-低反射界面反射的光)的路徑長1。之間的路徑差為上述光線的波長的半整數(shù)倍，則會(huì)形成一建設(shè)性干涉 (constructiveinterference)0在本發(fā)明一實(shí)施例中，介電反射鏡結(jié)構(gòu)206的第一介電層222和第二介電層2 可包括環(huán)氧樹脂(印oxy)、氧化硅(silicon oxide)、防焊層(solder mask)，或例如氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物、聚酰亞胺樹脂(polyimide)、苯環(huán)丁烯(butylcyclobutene， BCB，道氏化學(xué)公司)、聚對二甲苯(parylene)、萘聚合物(polynaphthalenes)、氟碳化物(fluorocarbons)或丙烯酸酯(accrylates)的任何其他適當(dāng)?shù)慕殡姴牧稀６谝唤殡妼?22和第二介電層224的形成方式可包括旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)、噴涂(spray coating)、淋幕涂布(curtain coating)、液相沉積(liquid phase d 印 osition)、物理氣相沉禾只(physical vapor deposition ；PVD)、化學(xué)氣相沉禾只(chemical vapor deposition ； CVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure chemical vapor d印osition ;LPCVD)、等離子體 ±曾強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor d印osition ;PECVD)、快速熱化學(xué)氣相沉積(rapid thermal-CVD ；RTCVD)或常壓化學(xué)氣相沉積(atmospheric pressure chemical vapor deposition ；APCVD)。接著，如圖3所示，在介電反射鏡結(jié)構(gòu)206上順應(yīng)性形成一導(dǎo)電種晶層208，上述導(dǎo)電種晶層208是沿著導(dǎo)通孔202的側(cè)壁204，從承載基底200的頂面201延伸至底面203。然后，如圖4所示，形成例如光致抗蝕劑層的多個(gè)掩模層210，并覆蓋一部分導(dǎo)電種晶層208， 以定義出后續(xù)形成的導(dǎo)線的形成位置。之后，在未被掩模層210覆蓋的導(dǎo)電種晶層208上， 順應(yīng)性形成隔開的第一導(dǎo)線21 和第二導(dǎo)線212b。上述第一導(dǎo)線21 和第二導(dǎo)線212b 是沿著導(dǎo)通孔202的側(cè)壁204，從承載基底200的頂面201延伸至底面203。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述第一導(dǎo)線21 和第二導(dǎo)線212b是用來傳遞后續(xù)設(shè)置的發(fā)光裝置芯片的輸入/輸出(1/0)信號、接地(ground)信號或電源(power)信號等。舉例來說，上述第一導(dǎo)線21 和第二導(dǎo)線212b可以是金屬或金屬合金，例如鎳層、銀層、鋁層、銅層或其合金?；蛘撸鲜龅谝粚?dǎo)線21 和第二導(dǎo)線212b可包括摻雜多晶硅、單晶硅、或?qū)щ姴Ａ拥炔牧稀?此外，上述第一導(dǎo)線21 和第二導(dǎo)線212b可包括與例如鈦、鉬、鉻、或是鈦鎢層的耐火金屬 (refractory metal)材料結(jié)合的金屬層。如圖5所示，在本發(fā)明一實(shí)施例中，可在上述第一導(dǎo)線21 和第二導(dǎo)線212b的表面上，局部或全面性形成例如為鎳/金層的焊球下金屬層(Under Bump Metallurgy, UBM)2Ha和214b。焊球下金屬層21 和214b是沿著不同導(dǎo)通孔202的側(cè)壁204，分別從承載基底200的頂面201延伸至底面203。在本發(fā)明一實(shí)施例中，可利用電鍍 (electroplating)、無電鍍(electroless plating)或物理氣相沉積(PVD)等方式形成焊球下金屬層21 和214b。在形成焊球下金屬層21 和214b之后，移除如圖4所示的掩模層210和其下的導(dǎo)電種晶層208。接著，如圖6所示，在承載基底200的頂面201上固定一發(fā)光裝置芯片218，其中發(fā)光裝置芯片218可具有一第一電極216a和一第二電極216b，分別電連接至第一導(dǎo)線21 和第二導(dǎo)線212b。然后，請?jiān)賲⒖紙D6，沿導(dǎo)通孔202分割上述承載基底200，以分離出多個(gè)發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500a，完成上述發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500a的制作。圖7a 圖7c為本發(fā)明其他實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500b 500d的剖視圖。 上述附圖中的各元件如有與圖1 圖6所示相同或相似的部分，則可參考前面的相關(guān)敘述， 在此不做重復(fù)說明。在如圖7a所示的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500b中，介電反射鏡結(jié)構(gòu)206是形成于承載基底200的頂面201上和導(dǎo)通孔202的側(cè)壁204上。在介電反射鏡結(jié)構(gòu)206形成之前，在承載基底200上順應(yīng)性形成一絕緣層220。上述絕緣層220沿著導(dǎo)通孔202的側(cè)壁204，從承載基底200的頂面201延伸至底面203。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述絕緣層 220可包括環(huán)氧樹脂(印oxy)、氧化硅(silicon oxide)、防焊層(solder mask)，或例如氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物、聚酰亞胺樹脂(polyimide)、苯環(huán)丁烯(butylcyclobutene， BCB，道氏化學(xué)公司)、聚對二甲苯(parylene)、萘聚合物(polynaphthalenes)、氟碳化物 (fluorocarbons)或丙烯酸酯(accrylates)的任何其他適當(dāng)?shù)慕殡姴牧?。而上述絕緣層 220的形成方式可包括旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)、或可包括例如噴涂(spray coating)、 淋幕涂布(curtain coating)、液相沉積(liquid phase d印osition)、物理氣相沉積 (physical vapor deposition ；PVD)、化學(xué)氣相沉禾只(chemical vapor deposition ；CVD)、 低壓化學(xué)氣相沉積(low pressure chemical vapor exposition ;LPCVD)、等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor d印osition ;PECVD)、快速熱化學(xué)氣相沉積(rapid thermal-CVD ；RTCVD)或常壓化學(xué)氣相沉積(atmospheric pressure chemical vapor deposition ；APCVD)的任何適當(dāng)方式。在如圖7b所示的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500c中，在介電反射鏡結(jié)構(gòu)206形成之前，在承載基底200的底面203上和導(dǎo)通孔202的側(cè)壁204上順應(yīng)性形成一絕緣層220。接著，在承載基底200上順應(yīng)性形成介電反射鏡結(jié)構(gòu)206，并覆蓋上述絕緣層220。圖7c顯示另一實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500d。如圖7c所示，發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500d可包括具有一凹槽302的一承載基底300 (也可視為一凹槽承載基底300)，且發(fā)光裝置芯片218可固定于承載基底300上，并固定于凹槽中。介電反射鏡結(jié)構(gòu)206形成包圍承載基底300，以使凹槽302的內(nèi)側(cè)壁301被介電反射鏡結(jié)構(gòu)206所覆蓋。此外，導(dǎo)電種晶層208、第一導(dǎo)線21 和第二導(dǎo)線212b、焊球下金屬層21 和214b覆蓋一部分凹槽302 的內(nèi)側(cè)壁301。且介于第一電極216a和第二電極216b之間的凹槽302的內(nèi)側(cè)壁301僅被介電反射鏡結(jié)構(gòu)206所覆蓋。類似于如圖7a所示的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500b，介電反射鏡結(jié)構(gòu)206可形成于承載基底300的頂面201上、凹槽302的內(nèi)側(cè)壁301上和導(dǎo)通孔202的側(cè)壁204上，但不形成于承載基底300的底面203上。此外，類似于如圖7b所示的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)500c，在介電反射鏡結(jié)構(gòu)206形成之前，在承載基底200的底面203上、凹槽302 的內(nèi)側(cè)壁301上和導(dǎo)通孔202的側(cè)壁204上順應(yīng)性形成一絕緣層220。接著，在承載基底
7300上順應(yīng)性形成介電反射鏡結(jié)構(gòu)206，并覆蓋上述絕緣層220。本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)可包括一承載基底，其具有一頂面和一底面，且上述承載基底具有至少兩個(gè)導(dǎo)通孔；一介電反射鏡結(jié)構(gòu)，形成于上述承載基底的上述頂面上，其中上述介電反射鏡結(jié)構(gòu)包括堆疊至少五個(gè)介電層組，其中每一個(gè)上述介電層組包括一上方的第一介電層，其具有一第一反射系數(shù)；以及一下方的第二介電層，其具有小于上述第一反射系數(shù)的一第二反射系數(shù)；一第一導(dǎo)線和一第二導(dǎo)線，彼此電性隔絕，上述第一導(dǎo)線和上述第二導(dǎo)線形成于上述介電反射鏡結(jié)構(gòu)上，且分別沿不同的上述些導(dǎo)通孔的側(cè)壁，從上述承載基底的上述頂面延伸至上述底面；以及一發(fā)光裝置芯片，固定于上述承載基底的上述頂面上，其中上述發(fā)光裝置芯片具有一第一電極和一第二電極，分別電連接至上述第一導(dǎo)線和上述第二導(dǎo)線。本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)可具有下列優(yōu)點(diǎn)。發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)在承載基底和導(dǎo)線之間，通過在承載基底上堆疊至少五個(gè)介電層組的方式提供一介電反射鏡結(jié)構(gòu)，其中每一個(gè)上述介電層組包括一上方的第一介電層，其具有一第一反射系數(shù)Ii1 ；以及一下方的第二介電層，其具有小于上述第一反射系數(shù)Ii1的一第二反射系數(shù)n2。介電反射鏡結(jié)構(gòu)206可做為一隔絕結(jié)構(gòu)和一高反射結(jié)構(gòu)，通過一簡單制作工藝和低成本的方式以改善發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)的光學(xué)效能。可決定介電層組的介電層的反射系數(shù)或厚度， 以使從上述不同的低反射-高反射界面(low-to-high interface)反射的光線之間的一路徑差(path-length difference)為上述光線的波長的整數(shù)倍，因而導(dǎo)致建設(shè)性干涉(constructive interference) 0另外，可決定介電層組的介電層的反射系數(shù)或厚度， 以使從上述低反射-高反射界面(low-to-high interface)和上述高反射-低反射界面(high-to-low interface)反射的光線之間的一路徑差(path-length difference) 為上述光線的波長的半整數(shù)倍，為光線波長半整數(shù)倍的上述路徑差也會(huì)導(dǎo)致建設(shè)性干涉 (constructive interference) 0承載基底200不僅可視為支撐后續(xù)固定的發(fā)光裝置的一載板，而且可視為發(fā)光裝置的一散熱物。本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)是利用晶片級封裝((WLCSP))制作工藝來封裝一發(fā)光裝置。因此，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)的尺寸遠(yuǎn)小于現(xiàn)有打線(wire bond, WB)型發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)。雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，包括承載基底，其具有頂面和底面，且該承載基底具有至少兩個(gè)導(dǎo)通孔；介電反射鏡結(jié)構(gòu)，形成于該承載基底的該頂面上，其中該介電反射鏡結(jié)構(gòu)包括堆疊至少五個(gè)介電層組，其中每一個(gè)該介電層組包括上方的第一介電層，其具有一第一反射系數(shù)；以及下方的第二介電層，其具有小于該第一反射系數(shù)的一第二反射系數(shù)；第一導(dǎo)線和一第二導(dǎo)線，彼此電性隔絕，該第一導(dǎo)線和該第二導(dǎo)線形成于該介電反射鏡結(jié)構(gòu)上，且分別沿不同的該些導(dǎo)通孔的側(cè)壁，從該承載基底的該頂面延伸至該底面；以及發(fā)光裝置芯片，固定于該承載基底的該頂面上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，其中該介電反射鏡結(jié)構(gòu)沿不同的該些導(dǎo)通孔的側(cè)壁，從該承載基底的該頂面延伸至該底面。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，還包括絕緣層，形成于該承載基底和該介電反射鏡結(jié)構(gòu)之間。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，其中該絕緣層沿不同的該些導(dǎo)通孔的側(cè)壁，從該承載基底的該頂面延伸至該底面。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，還包括絕緣層，形成于該承載基底的該底面上，且位于該承載基底和該第一導(dǎo)線之間或該承載基底和該第二導(dǎo)線之間。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一介電層具有第一厚度，且該第二介電層具有大于該第一厚度的第二厚度。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，其中從上方的該介電層組的該第二介電層與下方的該介電層組的該第一介電層之間的不同界面反射的光線之間的一路徑差為該光線的一波長的整數(shù)倍。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，其中從上方的該介電層組的該第二介電層與下方的該介電層組的該第一介電層之間的一界面反射的一光線，以及從同一個(gè)該介電層組的該第一介電層和該第二介電層之間的另一界面反射的的另一光線之間的一路徑差為該光線的一波長的半整數(shù)倍。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光裝置芯片具有第一電極和第二電極，分別電連接至該第一導(dǎo)線和該第二導(dǎo)線。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)，其中該承載基底具有凹槽，且該發(fā)光裝置芯片固定于該凹槽中。
全文摘要
本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。發(fā)光裝置封裝結(jié)構(gòu)包括一承載基底，其具有一頂面、一底面和至少兩個(gè)導(dǎo)通孔。一介電反射鏡結(jié)構(gòu)，形成于承載基底的頂面上，其中上述介電反射鏡結(jié)構(gòu)包括堆疊至少五個(gè)介電層組，其中每一個(gè)介電層組包括上方的第一介電層，其具有第一反射系數(shù)。下方的第二介電層，其具有小于第一反射系數(shù)的第二反射系數(shù)。一第一導(dǎo)線和一第二導(dǎo)線，彼此電性隔絕，形成于上述介電反射鏡結(jié)構(gòu)上，且分別沿不同的些導(dǎo)通孔的側(cè)壁，從承載基底的頂面延伸至上述底面。一發(fā)光裝置芯片，固定于承載基底的頂面上。
文檔編號H01L33/60GK102280560SQ20111015504
公開日2011年12月14日 申請日期2011年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月10日
發(fā)明者吳上義 申請人:精材科技股份有限公司