專利名稱：薄膜晶體管基板和采用該薄膜晶體管基板的液晶顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板，更具體的說，涉及一種具有反向交錯結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管廣泛用作顯示設(shè)備(例如液晶顯示器(IXD)或有機發(fā)光二極管顯示器 (OLED))的開關(guān)裝置。薄膜晶體管包含柵極、半導(dǎo)體層、源極與漏極?；陔姌O的布置方式，薄膜晶體管可分為交錯結(jié)構(gòu)和共面結(jié)構(gòu)。在交錯結(jié)構(gòu)中，柵極和源極/漏極分別布置在相對于半導(dǎo)體層的上面部分和下面部分。而在平面結(jié)構(gòu)中，柵極和源極/漏極布置在同一平面。交錯結(jié)構(gòu)也可分為常規(guī)交錯結(jié)構(gòu)和反向交錯結(jié)構(gòu)。在反向交錯結(jié)構(gòu)情況中，柵極布置在下面部分而源極/漏極布置上面部分。在常規(guī)交錯結(jié)構(gòu)情況中，柵極布置在上面部分而源極/漏極布置下面部分。通常來說，交錯結(jié)構(gòu)尤其是反向交錯結(jié)構(gòu)，能夠減少工序數(shù)量并改善界面間特性，因此，反向交錯結(jié)構(gòu)通常用于大規(guī)模生產(chǎn)。在下文中，結(jié)合附圖描述現(xiàn)有技術(shù)的具有反向交錯結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板(在下文中簡稱為“薄膜晶體管基板”)。圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管基板的截面圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管基板包括基板10、柵極20、柵絕緣層25、半導(dǎo)體層30、源極40a和漏極40b。柵極20被構(gòu)圖在基板10上，柵絕緣膜25形成在包括柵極20的基板10的整個表面上。半導(dǎo)體層30被構(gòu)圖在柵絕緣膜25上。半導(dǎo)體層30包括沒有摻雜有雜質(zhì)離子的有源層32和摻雜有雜質(zhì)離子的歐姆接觸層34。有源層32形成在柵絕緣膜25上，由此有源層32充當電荷漂流溝道。歐姆接觸層34形成在和源極40a和漏極40b之間的界面區(qū)域上，從而降低電荷漂流的障礙。源極40a和漏極40b形成在半導(dǎo)體層30上，并以預(yù)先設(shè)定的間隔互相隔開。但是，現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管基板中存在這樣一個問題，就是半導(dǎo)體層30與源極 40a之間和半導(dǎo)體層30與漏極40b之間的粘合強度很低。也就是說，由于半導(dǎo)體層30中的歐姆接觸層34通常由非晶硅構(gòu)成，而源極40a和漏極40b由金屬(例如銅Cu)構(gòu)成，因此半導(dǎo)體層30與源極/漏極40a/40b之間的低粘合強度會使得薄膜晶體管基板退化。

發(fā)明內(nèi)容
相應(yīng)地，本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板和采用該薄膜晶體管基板的LCD設(shè)備， 其在實質(zhì)上可以解決由現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺陷導(dǎo)致的一個或多個問題。本發(fā)明的一個目的在于提供一種可以很方便地提高半導(dǎo)體層與源極之間以及半
4導(dǎo)體層與漏極之間的粘合強度的薄膜晶體管基板，以及一種采用該薄膜晶體管基板的LCD 設(shè)備。本發(fā)明的其他優(yōu)點和特征將會在部分下文中闡述，并對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說在檢驗下文之后將會部分地變得顯而易見，并且可以從本發(fā)明的實例中學(xué)到。通過由這里所記錄的說明書和權(quán)利要求書以及附圖所特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點。為了獲取這些目的和其他優(yōu)點并依照本發(fā)明的目標，如這里所示例和廣泛描述地，提供有一種薄膜晶體管基板，其包括基板；所述基板上的柵極；所述柵極上的柵絕緣膜；所述柵絕緣膜上的有源層；所述有源層上的歐姆接觸層；所述歐姆接觸層上的隔離層， 其中所述隔離層由含Ge的材料層構(gòu)成；和所述隔離層上的源極和漏極，其中所述源極和漏極相互具有預(yù)定的間隔。本發(fā)明的另外一個目的在于提供一種薄膜晶體管基板，其包括基板；所述基板上的柵極；所述柵極上的柵絕緣膜；所述柵絕緣膜上的有源層；所述有源層上的界面層，其中所述界面層由含Ge的材料層構(gòu)成；和所述界面層上的源極和漏極，其中所述源極和漏極相互具有預(yù)定的間隔。本發(fā)明的另外一個目的在于提供一種LCD設(shè)備，其包括第一與第二基板和介于兩基板之間的液晶層，其中第一基板由上述薄膜晶體管基板構(gòu)成?？梢岳斫獾?，對于本發(fā)明的上述總體描述和下文詳細描述都是示例性和解釋性的，并且旨在用來對所要求保護的本發(fā)明提供進一步的解釋。


附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解，并被引入而構(gòu)成本申請的一部分，本發(fā)明的實施方式與說明書一起旨在解釋本發(fā)明的原理。其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；圖3A到3G是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的截面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式的薄膜晶體管基板的截面圖；圖5A到5G是示出根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的截面圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的LCD設(shè)備的截面圖；和圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式的LCD設(shè)備的截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)將對本發(fā)明的具體實施方式
進行詳細說明，其示例在附圖中顯示。在所有附圖中，盡可能使用相同的附圖標記來表示相同或者類似的部分。在下文中，結(jié)合附圖描述根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板以及采用該薄膜晶體管基板的IXD設(shè)備。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。圖3A到3G是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的截面圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的薄膜晶體管基板包括基板100、柵極 200、柵絕緣膜250、有源層300、歐姆接觸層320、隔離層340、源極400a和漏極400b?；?00可以由透明材料(例如玻璃或透明塑料)構(gòu)成。柵極200被構(gòu)圖在基板100上。柵極200可以由金屬材料(例如鉬(Mo)、鋁(Al)、 鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)或他們的合金)構(gòu)成。柵極200可以以包括由前述金屬材料中任何一種構(gòu)成的一層的單層結(jié)構(gòu)形成，或者以包括由前述金屬材料構(gòu)成的兩層或更多層的多層結(jié)構(gòu)形成。柵絕緣膜250形成在包括柵極200的基板100的整個表面上。柵絕緣膜250可以由硅氧化物(SiOx)或者硅氮化物(SiNx)構(gòu)成。柵絕緣膜250可以以由硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)構(gòu)成的一層的單層結(jié)構(gòu)形成，或者以包括兩層或更多層的多層結(jié)構(gòu)形成。有源層300被構(gòu)圖在柵絕緣膜250上。特別地，提供在柵極200上方的有源層300 充當電荷漂流溝道。有源層300可以由半導(dǎo)體材料(例如非晶硅(a-Si))構(gòu)成。歐姆接觸層320形成在有源層300上。歐姆接觸層320可以通過對半導(dǎo)體材料摻雜雜質(zhì)離子(例如，元素周期表中的V組元素比如磷(P))而得到。從而，歐姆接觸層320 可由摻雜有磷(P)的非晶硅(a-Si)構(gòu)成。隔離層340形成在歐姆接觸層320與源極400a之間。隔離層340提高了歐姆接觸層320與源極400a之間的粘合強度。同樣地，隔離層340也形成在歐姆接觸層320與漏極400b之間，因而提高了歐姆接觸層320與漏極400b之間的粘合強度。隔離層340可以由MoTi、Ti、Mo、CuN、Ge、GeSi、或者GeC形成。特別地，隔離層 340優(yōu)選地由含有Ge (例如，Ge、GeSi和GeC)的材料構(gòu)成。這是因為含Ge材料的蝕刻速度遠快于其他材料。因此，如果隔離層340由含Ge材料構(gòu)成，可以提高產(chǎn)量。優(yōu)選地，隔離層 340厚度約為100-500A。如果隔離層340厚度小于100A，粘合強度可能會降低。同時，如果隔離層340厚度大于500A，產(chǎn)量可能會降低。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，隔離層340和歐姆接觸層320以相同的構(gòu)圖而形成。 同樣地，隔離層340和源極/漏極400a/400b以相同的構(gòu)圖而形成。也就是說，隔離層340、 歐姆接觸層320和源極400a/漏極400b以相同的構(gòu)圖形成。除有源層300額外地形成在源極400a和漏極400b之間以外，有源層300還以與歐姆接觸層320相同的頭圖而形成。還有，有源層300以這樣一種方式形成，其中在源極400a 和漏極400b之間的溝道區(qū)域的厚度(tl)小于其他區(qū)域的厚度(t2)。結(jié)合以下對于生產(chǎn)工藝的講解很容易理解有源層300、歐姆接觸層320、隔離層 340和源極400a/漏極400b的詳細的構(gòu)圖。 在隔離層340上形成源極400a與漏極400b時，源極400a與漏極400b具有預(yù)先設(shè)定的間隔。源極400a與漏極400b可以由金屬材料例如鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、 鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)或他們的合金構(gòu)成。同樣地，源極400a或漏極400b均可以以包括由前述金屬材料中任何一種構(gòu)成的一層的單層結(jié)構(gòu)形成，或者以包括由前述金屬材料構(gòu)成的兩層或更多層的多層結(jié)構(gòu)形成。以下描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的生產(chǎn)薄膜晶體管基板的方法。首先，如圖3A所示，在基板100上對柵極200進行構(gòu)圖。柵極200可以通過以下步驟獲得淀積鉬(Mo)金屬層，和通過采用光掩膜的光刻法對所淀積的金屬層進行構(gòu)圖。接下來，如圖;3B所示，在包括柵極200的基板100的整個表面上形成柵絕緣膜 250。柵絕緣膜250可以通過PECVD (等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)由硅氧化物(SiOx) 或者硅氮化物(SiNx)形成。如圖3C所示，有源層300、歐姆接觸層320、隔離層340和用于源極/漏極的金屬層400順序地形成在柵絕緣膜250上。有源層300可以由非晶硅通過PECVD形成；歐姆接觸層320可以由摻雜磷⑵的非晶硅通過PECVD形成；隔離層340可以由前面提到的材料通過PECVD或濺射形成；和用于源極/漏極的金屬層400可以由前面提到的金屬通過濺射形成。優(yōu)選地，隔離層340通過淀積含有Ge的材料形成，其厚度為100-500A。同樣地，隔離層340也可以通過PECVD采用GeH4和吐形成，與濺射法相比，這種方法可以進一步減少生產(chǎn)成本。如圖3D所示，在用于源極/漏極的金屬層400上形成光刻膠圖案410。通過采用半色調(diào)掩膜，光刻膠圖樣410包括相對較薄區(qū)域(tl)和相對較厚區(qū)域(t2)。如圖3E所示，在這種光刻膠圖樣410用作掩膜的情況下，依次對用于源極/漏極的金屬層400、隔離層340、歐姆接觸層320和有源層300進行蝕刻。這里，可以通過濕式蝕刻工藝對用于源極/漏極的金屬層400和隔離層340加以蝕刻；而可以通過干式蝕刻工藝對歐姆接觸層320和有源層300加以蝕刻。如上所述，如果隔離層340由含Ge材料構(gòu)成，那么同采用其他材料的情況相比，該濕法蝕刻工藝能夠相對縮短。更具體地說，根據(jù)實驗結(jié)果，如果用于源極/漏極的金屬層 400由Cu構(gòu)成并且隔離層340由MoTi構(gòu)成，那么該濕法蝕刻所消耗的時間約為110秒。同時，如果用于源極/漏極的金屬層400由Cu構(gòu)成并且隔離層340由含Ge材料構(gòu)成，那么該濕法蝕刻所消耗的時間約為80秒。如圖3F所示，去掉光刻膠圖樣410，使得光刻膠圖樣410中相對較薄區(qū)域(tl)被移除而光刻膠圖樣410中相對較厚區(qū)域(t2)得以保留。如圖3G所示，在保留的光刻膠圖樣410用作掩膜的情況下，依次蝕刻所述溝道區(qū)域中的用于源極/漏極的金屬層400、隔離層340和歐姆接觸層320，并且接下來，移除光刻膠圖樣410從而形成以預(yù)先設(shè)定的間隔互相隔開的源極400a與漏極400b?？梢酝ㄟ^濕式蝕刻工藝對用于源極/漏極的金屬層400和隔離層340加以蝕刻； 而可以通過干式蝕刻工藝對歐姆接觸層320和有源層300加以蝕刻。如上所述，如果隔離層340由含Ge材料構(gòu)成，那么該濕法蝕刻工藝消耗的時間能夠縮短。如果蝕刻溝道區(qū)域中的歐姆接觸層320，歐姆接觸層320下方的有源層300會與歐姆接觸層320 —起被蝕刻到預(yù)先設(shè)定的深度。因此，有源層300是以這樣的方式形成的，其中源極400a與漏極400b之間的溝道區(qū)域中的厚度(tl)小于其他區(qū)域的厚度(t2)。當蝕刻溝道區(qū)域中的歐姆接觸層320時，有源層300會與歐姆接觸層320 —起被蝕刻。這是因為在圖3C前述工藝中的用以形成歐姆接觸層320而摻雜的雜質(zhì)離子也許會擴散到有源層300的上側(cè)，從而由于該擴散的雜質(zhì)離子使得漏電流可能增大。雖未顯示，但是可以額外地在包括源極400a與漏極400b的基板100的整個表面上形成鈍化膜，并且可以額外地在該鈍化膜上形成像素電極。這時，在該鈍化膜中形成接觸孔，并且該像素電極通過該接觸孔與漏極400b實現(xiàn)電連接。參考以下關(guān)于IXD設(shè)備的講解
很容易理解這一點。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式的薄膜晶體管基板的截面圖。圖5A 到6G是示出根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式的薄膜晶體管基板的制造方法的截面圖。在下文中，省略掉和上述實施方式中相同部件的詳細描述。如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式的薄膜晶體管基板包括基板100、柵極200、柵絕緣膜250、有源層300、界面層350、源極400a和漏極400b。柵極200被構(gòu)圖在基板100上。柵絕緣膜250形成在包括柵極200的基板100的整個表面上。有源層300被構(gòu)圖在柵絕緣膜250上。界面層350形成在有源層300上。特別地，界面層350形成在有源層300與源極 400a之間和有源層300與漏極400b之間。界面層350作用相當于圖2所示的薄膜晶體管基板的上述歐姆接觸層320和隔離層340。也就是說，界面層350降低了電荷漂流障礙，并與此同時提高了粘合強度。為了通過高速蝕刻從而提高產(chǎn)量，界面層350優(yōu)選地由含Ge材料(例如，Ge、GeSi和GeC)構(gòu)成。 特別地，更加優(yōu)選地，界面層350由含Ge并摻雜有雜質(zhì)離子(比如磷(P))構(gòu)成，從而增強降低電荷漂流障礙的功能。優(yōu)選地，界面層350厚度約為100-500A。如果界面層350厚度小于100A，降低電荷
漂流障礙和增強粘合強度的功能可能會降低。同時，如果隔離層340厚度大于500A，產(chǎn)量可能會降低。根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式，界面層350的圖案可以和源極/漏極400a/400b 的整個圖案相同。同樣地，除了有源層300額外地形成在溝道區(qū)域，即源極400a和漏極400b 之間的區(qū)域以外，有源層300還以與界面層350相同的圖案形成。還有，有源層300以這樣一種方式形成，其中在源極400a和漏極400b之間的溝道區(qū)域的厚度(tl)實際上和其他區(qū)域的厚度(U)相同。結(jié)合以下對于生產(chǎn)過程的講解很容易理解有源層300、界面層350和源極400a/漏極400b的詳細的構(gòu)圖方式。在界面層350上形成源極400a與漏極400b。以下描述根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式的生產(chǎn)薄膜晶體管基板的方法。省略掉和上述實施方式中相同部件的詳細描述。首先，如圖5A所示，在基板100上對柵極200進行構(gòu)圖。接下來，如圖5B所示，在包括柵極200的基板100的整個表面上形成柵絕緣膜 250。如圖5C所示，在柵絕緣膜250上順序地形成有源層300、界面層350和用于源極/ 漏極的金屬層400。有源層300可以由非晶硅通過PECVD形成；界面層350可以由前面提到的材料通過PECVD形成；和用于源極/漏極的金屬層400可以由前面提到的金屬通過濺射形成。優(yōu)選地，界面層350通過淀積含有Ge并摻雜有雜質(zhì)離子的材料形成，其厚度為 100-500A。更具體地說，界面層350可以采用GeH4、H2或PH3通過PECVD形成。接下來，如圖5D所示，在用于源極/漏極的金屬層400上形成光刻膠圖樣410。如圖5E所示，在光刻膠圖樣410用作掩膜的情況下，依次蝕刻用于源極/漏極的金屬層400、界面層350和有源層300。這里，可以通過濕式蝕刻工藝來蝕刻用于源極/漏極的金屬層400和界面層350 ；而可以通過干式蝕刻工藝來蝕刻有源層300。如圖5F所示，去除掉光刻膠圖樣410。如圖5G所示，在剩余的光刻膠圖樣410用作掩膜的情況下，依次蝕刻所述溝道區(qū)域中的用于源極/漏極的金屬層400和界面層350，并且接下來，移除光刻膠圖樣410從而形成以預(yù)先設(shè)定的間隔互相隔開的源極400a與漏極400b?？梢酝ㄟ^干式蝕刻工藝來蝕刻用于源極/漏極的金屬層400和界面層350。和前面提到的實施方式不同，在蝕刻溝道區(qū)域的界面層350時，位于界面層350下方的有源層300沒有被蝕刻。因此，有源層300是以這樣的方式形成的，其中源極400a與漏極400b之間的溝道區(qū)域的厚度(tl)實際上和其他區(qū)域的厚度(U)相同。在本發(fā)明的這一實施方式中，在形成界面層350的過程中，雜質(zhì)離子極少擴散到有源層300中，并且在蝕刻源極400a與漏極400b的過程中，界面層350連同源極400a與漏極400b —起被蝕刻。因此，當蝕刻溝道區(qū)域的界面層350時，沒有必要蝕刻位于界面層350 下方的有源層300。與上面提到的實施方式相比，有源層300相對更薄，因此，有源層300的淀積工藝的時間消耗被縮短了，并且由于有源層300很薄，電流通道也減小了，故而可以改善設(shè)備特性。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的LCD設(shè)備的截面圖，其中采用圖2中的薄膜晶體管基板。因此，在附圖中，使用相同的附圖標記來表示相同或者類似的部分，并省略掉對相同部分的詳細描述。從圖6可以得知，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的LCD設(shè)備包括薄膜晶體管基板 (St)，濾色器基板(Sc)和介于兩基板之間的液晶層(LC)。在薄膜晶體管基板上，在第一基板100上具有柵極200、柵絕緣膜250、有源層300、 歐姆接觸層320、隔離層340、源極400a和漏極400b。這些部分和圖2所示相同。在包括源極400a與漏極400b的第一基板100的整個表面上形成有鈍化膜450。 在鈍化膜450中形成有接觸孔455，由此通過接觸孔455將漏極400b暴露出來。鈍化膜450 可以由基于無機的材料(例如硅氧化物或硅氮化物)構(gòu)成，或可以由基于有機的材料(例如丙烯醛基)構(gòu)成。同時，也在鈍化膜450上形成像素電極500。像素電極500通過接觸孔455與漏極 400b實現(xiàn)電連接。像素電極500可以由透明傳導(dǎo)材料(例如ΙΤ0)構(gòu)成。同時，也可以在與柵極200同一層中形成公共電極210。公共電極210連同像素電極500 —起產(chǎn)生面內(nèi)電場從而來驅(qū)動液晶。從圖中可以得知，公共電極210可以形成在與柵極200相同的層中，但并非必要。公共電極210可以在位置上變動。例如，公共電極210 可以形成在與像素電極500相同層中。除了公共電極210與像素電極500形成在同一基板上的面內(nèi)切換模式之外，還可以存在公共電極210與像素電極500形成在不同基板上時的扭曲向列(TN)模式和豎向排列(VA)模式。在TN和VA模式情況下，公共電極210可以形成在濾色器基板(S。)上。在濾色器基板(Se)上，存在有光屏蔽層610、濾色器層630和覆蓋層650。在該情況下，光屏蔽層610形成在第二基板上；濾色器層630形成在光屏蔽層610上；并且覆蓋層 650形成在濾色器層630上。
光屏蔽層610避免光泄露到除像素區(qū)域以外的其他區(qū)域上，其中光屏蔽層610被構(gòu)圖為矩陣結(jié)構(gòu)。濾色器層630包括分別插入各光屏蔽層610之間的紅色(R)、綠色(G)、 藍色(B)濾色器。覆蓋層650形成在第二基板600的整個表面上。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式的LCD設(shè)備的截面圖。除了采用圖4 中的薄膜晶體管基板以外，根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式的LCD設(shè)備和上述圖6所示的 LCD設(shè)備的結(jié)構(gòu)相同。在薄膜晶體管基板&上，如圖7所示，在第一基板上具有柵極200、柵絕緣膜250、 有源層300、界面層350、源極400a和漏極400b。除此之外，圖7中的IXD設(shè)備和圖6中的 IXD設(shè)備相同。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式中，由含Ge材料構(gòu)成的隔離層340形成在歐姆接觸層 320與源極400a和歐姆接觸層320與漏極400b之間，因而提高了歐姆接觸層320與源極 400a/漏極400b之間的粘合強度。此外，在形成隔離層340的工藝中消耗在蝕刻工藝中的時間被縮短了，因此可以提高產(chǎn)量。根據(jù)本發(fā)明的另外一個實施方式中，由含Ge材料構(gòu)成的界面層350形成在有源層 300與源極400a和有源層300與漏極400b之間，因而提高了有源層300與源極400a/漏極 400b之間的粘合強度。此外，在形成界面層350的工藝中消耗在蝕刻工藝中的時間被縮短了，因此可以提高產(chǎn)量。同時，有源層300很薄，故而用于淀積有源層300的工藝時間消耗被縮短了，并且由于有源層300很薄，電流通道也減短了，故而可以改善設(shè)備特性。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和保護范圍的情況下，很顯然可以對本發(fā)明進行多種改進和變化。因此，如果這些改進和變化落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明涵蓋這些改進和變化。本申請要求2010年7月6日提交的第10-2010-0064955號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，在此通過參弓I并入其全部內(nèi)容。
10
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，其包括 基板；所述基板上的柵極； 所述柵極上的柵絕緣膜； 所述柵絕緣膜上的有源層； 所述有源層上的歐姆接觸層；所述歐姆接觸層上的隔離層，其中所述隔離層由含Ge的材料層構(gòu)成；和所述隔離層上的源極和漏極，其中所述源極和漏極相互具有預(yù)定的間隔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中 所述隔離層的厚度約為100-500A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中 所述隔離層以和所述歐姆接觸層相同的構(gòu)圖而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中 所述隔離層由Ge、GeSi或GeC形成。
5.一種薄膜晶體管基板，其包括 基板；所述基板上的柵極； 所述柵極上的柵絕緣膜； 所述柵絕緣膜上的有源層；所述有源層上的界面層，其中所述界面層由含Ge的材料層構(gòu)成；和所述界面層上的源極和漏極，其中所述源極和漏極相互具有預(yù)定的間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中 所述界面層由摻雜有雜質(zhì)離子的Ge、GeSi或GeC形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中 所述界面層的厚度約為100-500A。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中 所述界面層的構(gòu)圖與所述源極和漏極的整體構(gòu)圖相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中所述有源層被形成為使得所述源極和所述漏極之間的區(qū)域所對應(yīng)的厚度和其他區(qū)域的厚度基本相同。
10.一種IXD設(shè)備，其包括 第一基板與第二基板；和所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層， 其中，所述第一基板由薄膜晶體管基板構(gòu)成，該薄膜晶體管基板包括 基板；所述基板上的柵極； 所述柵極上的柵絕緣膜； 所述柵絕緣膜上的有源層； 所述有源層上的歐姆接觸層；所述歐姆接觸層上的隔離層，其中所述隔離層由含Ge的材料層構(gòu)成；和所述隔離層上的源極和漏極，其中所述源極和漏極相互具有預(yù)定的間隔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的IXD設(shè)備，其中 所述隔離層的厚度約為100-500A。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的IXD設(shè)備，其中所述隔離層以和所述歐姆接觸層相同的構(gòu)圖而形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的IXD設(shè)備，其中 所述隔離層由Ge、GeSi或GeC形成。
14.一種IXD設(shè)備，其包括 第一基板與第二基板；和所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層， 其中，所述第一基板由薄膜晶體管基板構(gòu)成，該薄膜晶體管基板包括 基板；所述基板上的柵極； 所述柵極上的柵絕緣膜； 所述柵絕緣膜上的有源層；所述有源層上的界面層，其中所述界面層由含Ge的材料層構(gòu)成；和所述界面層上的源極和漏極，其中所述源極和漏極相互具有預(yù)定的間隔。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的IXD設(shè)備，其中所述界面層由摻雜有雜質(zhì)離子的Ge、GeSi或GeC形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的IXD設(shè)備，其中 所述界面層的厚度約為100-500A。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的IXD設(shè)備，其中 所述界面層的構(gòu)圖與所述源極和漏極的整體構(gòu)圖相同。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的IXD設(shè)備，其中所述有源層被形成為使得所述源極和所述漏極之間的區(qū)域所對應(yīng)的厚度和其他區(qū)域的厚度基本相同。
全文摘要
這里公開一種可以很方便地提高半導(dǎo)體層與源極之間和半導(dǎo)體層與漏極之間的粘合強度的薄膜晶體管基板，以及一種采用該薄膜晶體管基板的LCD設(shè)備。其中該薄膜晶體管基板包括基板、在所述基板上的柵極、在所述柵極上的柵絕緣膜、在所述柵絕緣膜上的有源層、在所述有源層上的歐姆接觸層、在所述歐姆接觸層上的由含一種Ge材料構(gòu)成的隔離層和在所述隔離層上的源極和漏極，其中所述源極和漏極以一定預(yù)先設(shè)定的間距隔開。
文檔編號H01L27/12GK102315254SQ201110154349
公開日2012年1月11日 申請日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月6日
發(fā)明者吳載映, 李載鈞 申請人:樂金顯示有限公司