專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源,發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，其作為ー種新型的發(fā)光源，已經(jīng)被越來(lái)越多地應(yīng)用到各領(lǐng)域當(dāng)中，如路燈、交通燈、信號(hào)燈、射燈及裝飾燈等。發(fā)光二極管在應(yīng)用到上述各領(lǐng)域中之前，需要將發(fā)光二極管芯片進(jìn)行封裝，以保護(hù)發(fā)光二極管芯片，從而獲得較高的發(fā)光效率及較長(zhǎng)的使用壽命。發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通
常使用基板作為封裝襯底，因此其整體厚度因受限于基板的厚度而無(wú)法更薄，然而發(fā)光二極管元件趨向于輕、薄的外觀，因此其內(nèi)部的各元件都需要薄型化；另外，該基板一般由散熱性能較差的塑料材料包圍其表面，因此不利于高功率發(fā)光二極管燈具的散熱。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，本發(fā)明g在提供ー種厚度更薄且散熱良好的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一基板，該基板表面具有多個(gè)間隔設(shè)置的粗糙區(qū)域，該粗糙區(qū)域上形成有粗糙結(jié)構(gòu)，該基板在多個(gè)粗糙區(qū)域之外的其它區(qū)域形成阻隔層；在該粗糙結(jié)構(gòu)的表面形成金屬層作為電極；在該基板上形成反射層，該反射層環(huán)繞該金屬層形成一凹杯；將發(fā)光二極管芯片置于凹杯內(nèi)并裝設(shè)于該金屬層上，且與該金屬層形成電連接；在該凹杯內(nèi)形成封裝層用以密封該發(fā)光二極管芯片；將該基板與該金屬層和反射層分離。ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一板體；在該板體表面形成若干個(gè)凸起，該若干個(gè)凸起間隔設(shè)置，且該基板表面其它區(qū)域向下凹陷形成凹槽；在凹槽內(nèi)設(shè)置阻隔層，該阻隔層為非導(dǎo)電性材料組成；在該若干個(gè)凸起的表面形成粗糙結(jié)構(gòu)；在該粗糙結(jié)構(gòu)的表面形成金屬層作為電極；在該板體上形成反射層，該反射層環(huán)繞該金屬層且形成一凹杯；將發(fā)光二極管芯片置于凹杯內(nèi)并裝設(shè)于金屬層上，且與兩金屬層形成的電極電連接；在該凹杯內(nèi)形成封裝層用以密封該發(fā)光二極管芯片；將該板體與該金屬層和反射層分離。本發(fā)明通過(guò)提供一基板，并在基板表面形成粗糙結(jié)構(gòu)，從而降低基板與金屬層間的接觸面積以分離基板與金屬層，使完成封裝后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)無(wú)基板存在，從而使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)更為輕??；且由于發(fā)光二極管芯片直接固定于金屬層上，故在工作過(guò)程中發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量可通過(guò)金屬層直接散發(fā)至周圍的空氣中，且金屬層因無(wú)基板阻隔而直接暴露在發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)之外，散熱效果更好，提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。


圖I為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟一所得到的封裝結(jié)構(gòu)的俯視意圖。圖3為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟ニ所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖5為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟三所得到的封裝結(jié)構(gòu)的俯視意圖。圖6為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟四所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖7為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟五所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖8為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟六所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖9為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟七所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖10為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟八所得到的封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖11為本發(fā)明中基板的制造方法步驟一所得到的基板的剖面示意圖。圖12為本發(fā)明中基板的制造方法步驟ニ所得到的基板的剖面示意圖。圖13為本發(fā)明中基板的制造方法步驟三所得到的基板的剖面示意圖。圖14為本發(fā)明中基板的制造方法步驟四所得到的基板的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
權(quán)利要求
1.ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟 提供一基板，該基板表面具有多個(gè)間隔設(shè)置的粗糙區(qū)域，該粗糙區(qū)域上形成粗糙結(jié)構(gòu)，該基板在多個(gè)粗糙區(qū)域之外的其它區(qū)域形成阻隔層； 在該粗糙結(jié)構(gòu)的表面形成金屬層作為電極； 在該基板上形成反射層，該反射層環(huán)繞該金屬層形成一凹杯； 將發(fā)光二極管芯片置于凹杯內(nèi)并裝設(shè)于該金屬層上，且與該金屬層形成電連接； 在該凹杯內(nèi)形成封裝層用以密封該發(fā)光二極管芯片； 將該基板與該金屬層和反射層分離。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在該基板與該金屬層和反射層分離后，還對(duì)所形成的多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割，得到單個(gè)發(fā)光ニ極管封裝結(jié)構(gòu)，每個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包含至少ー發(fā)光二極管芯片。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該粗糙結(jié)構(gòu)包括若干個(gè)間隔設(shè)置的凹坑。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該凹坑內(nèi)包含非導(dǎo)電性的材料。
5.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該粗糙結(jié)構(gòu)利用電鑄、印刷或顯影的方式形成。
6.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該金屬層通過(guò)電鍍的方式形成于該粗糙結(jié)構(gòu)上。
7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該發(fā)光二極管芯片利用覆晶、共金或固晶打線的方式與該金屬層電連接。
8.ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟 提供一板體； 在該板體表面形成若干個(gè)凸起，該若干個(gè)凸起間隔設(shè)置，且該基板表面其它區(qū)域向下凹陷形成凹槽； 在凹槽內(nèi)設(shè)置阻隔層，該阻隔層為非導(dǎo)電性材料組成； 在該若干個(gè)凸起的表面形成粗糙結(jié)構(gòu)； 在該粗糙結(jié)構(gòu)的表面形成金屬層作為電極； 在該板體上形成反射層，該反射層環(huán)繞該金屬層且形成一凹杯； 將發(fā)光二極管芯片置于凹杯內(nèi)并裝設(shè)于金屬層上，且與兩金屬層形成的電極電連接； 在該凹杯內(nèi)形成封裝層用以密封該發(fā)光二極管芯片； 將該板體與該金屬層和反射層分離。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在該板體與該金屬層和反射層分離后，還對(duì)所形成的多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割，得到單個(gè)發(fā)光ニ極管封裝結(jié)構(gòu)，每個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包含至少ー發(fā)光二極管芯片。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該若干個(gè)凸起和凹槽是利用微影或壓合的技術(shù)形成的。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟提供一基板，該基板表面具有多個(gè)間隔設(shè)置的粗糙區(qū)域，該粗糙區(qū)域上形成粗糙結(jié)構(gòu)，該基板在多個(gè)粗糙區(qū)域之外的其它區(qū)域形成阻隔層；在該粗糙結(jié)構(gòu)的表面形成金屬層作為電極；在該基板上形成反射層，該反射層環(huán)繞該金屬層形成一凹杯；將發(fā)光二極管芯片置于凹杯內(nèi)并裝設(shè)于該金屬層上，且與該金屬層形成電連接；在該凹杯內(nèi)形成封裝層用以密封該發(fā)光二極管芯片；將該基板與該金屬層和反射層分離。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102820384SQ20111015229
公開(kāi)日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2011年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月8日
發(fā)明者陳濱全 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司