專利名稱：一種天線及具有該天線的mimo天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于通信領(lǐng)域，具體地，涉及一種天線及具有該天線的MIMO天線。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝的高度發(fā)展，對當(dāng)今的電子系統(tǒng)集成度提出了越來越高的要求，器件的小型化成為了整個產(chǎn)業(yè)非常關(guān)注的技術(shù)問題。然而，不同于IC芯片遵循“摩爾定律”的發(fā)展，作為電子系統(tǒng)的另外重要組成一射頻模塊，卻面臨著器件小型化的高難度技術(shù)挑戰(zhàn)。射頻模塊主要包括了混頻、功放、濾波、射頻信號傳輸、匹配網(wǎng)絡(luò)與天線等主要器件。其中，天線作為最終射頻信號的輻射單元和接收器件，其工作特性將直接影響整個電子系 統(tǒng)的工作性能。然而天線的尺寸、帶寬、增益、輻射效率等重要指標(biāo)卻受到了基本物理原理的限制(固定尺寸下的增益極限、帶寬極限等)。這些指標(biāo)極限的基本原理使得天線的小型化技術(shù)難度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了其它器件，而由于射頻器件的電磁場分析的復(fù)雜性，逼近這些極限值都成為了巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)。同時，隨著現(xiàn)代電子系統(tǒng)的復(fù)雜化，多模服務(wù)的需求在無線通信、無線接入、衛(wèi)星通信、無線數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)等系統(tǒng)中變得越來越重要。而多模服務(wù)的需求進(jìn)一步增大了小型化天線多模設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。除去小型化的技術(shù)挑戰(zhàn)，天線的多模阻抗匹配也成為了天線技術(shù)的瓶頸。另一方面，多輸入多輸出系統(tǒng)(MIMO)在無線通信、無線數(shù)據(jù)服務(wù)領(lǐng)域的高速發(fā)展更進(jìn)一步苛刻地要求了天線尺寸的小型化并同時保證良好的隔離度、輻射性能以及抗干擾能力。然而，傳統(tǒng)的終端通信天線主要基于電單極子或偶極子的輻射原理進(jìn)行設(shè)計(jì)，比如最常用的平面反F天線(PIFA)。傳統(tǒng)天線的輻射工作頻率直接和天線的尺寸正相關(guān)，帶寬和天線的面積正相關(guān)，使得天線的設(shè)計(jì)通常需要半波長的物理長度。在一些更為復(fù)雜的電子系統(tǒng)中，天線需要多模工作，就需要在饋入天線前額外的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)。但阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)額外的增加了電子系統(tǒng)的饋線設(shè)計(jì)、增大了射頻系統(tǒng)的面積同時匹配網(wǎng)絡(luò)還引入了不少的能量損耗，很難滿足低功耗的系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求。因此，小型化、多模式的新型天線技術(shù)成為了當(dāng)代電子集成系統(tǒng)的一個重要技術(shù)瓶頸。同時，天線在不同的產(chǎn)品中工作的環(huán)境及電磁特性存在較大的差異性，將會導(dǎo)致天線性能在設(shè)計(jì)和使用中存在較大的差異，所以要求設(shè)計(jì)出的天線必須具有較強(qiáng)的適應(yīng)性及通用性。綜上所述，原有的技術(shù)在使用中將就會遇到通用性及性能差異性的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的一個技術(shù)問題是，針對天線在不同產(chǎn)品中工作環(huán)境及電磁特性存在較大的差異性，導(dǎo)致天線性能在設(shè)計(jì)和使用中存在較大的差異，提供一種天線，該天線具有較強(qiáng)的適應(yīng)性及通用性。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種天線，所述天線包括介質(zhì)基板、附著在介質(zhì)基板相對兩表面的第一金屬片及第二金屬片，圍繞第一金屬片設(shè)置有第一饋線，圍繞第二金屬片設(shè)置有第二饋線，所述第一饋線通過耦合方式饋入所述第一金屬片，所述第二饋線通過耦合方式饋入所述第二金屬片，所述第一金屬片上鏤空有第一微槽結(jié)構(gòu)以在第一金屬片上形成第一金屬走線，所述第二金屬片上鏤空有第二微槽結(jié)構(gòu)以在第二金屬片上形成第二金屬走線，所述第一饋線與第二饋線電連接，所述天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在第一饋線、第一饋線與第一金屬片之間及第一金屬片這三個位置的至少一個上。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在第二饋線、第二饋線與第二金屬片之間及第二金屬片這三個位置的至少一個上。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在第一金屬片上的第一金屬走線上，或者所述空間設(shè)置在第一微槽結(jié)構(gòu)上。進(jìn)一步地，所述空間設(shè)置在第二金屬片上的第二金屬走線上，或者所述空間設(shè)置 在第二微槽結(jié)構(gòu)上。進(jìn)一步地，所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。進(jìn)一步地，所述空間為形成在所述天線上的焊盤。進(jìn)一步地，所述感性電子元件電感值的范圍在0_5uH之間。進(jìn)一步地，所述容性電子元件電容值的范圍在0_2pF之間。實(shí)施本發(fā)明的天線，相對于現(xiàn)有的天線，具有以下有益效果通過在天線上設(shè)置供電子元件嵌入的空間，可以通過改變嵌入的電子元件的性能對天線的性能進(jìn)行微調(diào)，設(shè)計(jì)出滿足適應(yīng)性及通用性的要求的天線。另外，介質(zhì)基板兩面均設(shè)置有金屬片，充分利用了天線的空間面積，在此環(huán)境下天線能在較低工作頻率下工作，滿足天線小型化、低工作頻率、寬帶多模的要求。本發(fā)明所要解決的另一個問題是提供一種MMO天線。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的方案是一種MIMO天線,所述MIMO天線包括多個上述的天線。根據(jù)本發(fā)明的MMO天線，除了具備天線本身的特點(diǎn)外，還具有很高的隔離度，多個天線之間的抗干擾能力強(qiáng)。


圖I是本發(fā)明的天線的立體圖；圖2為圖I的另一視角圖；圖3是本發(fā)明的天線第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的天線第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明的天線第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明的天線第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明的天線第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8a為互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖8b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖Sc所示為開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖8d所示為雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)的示意圖8e所示為互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)的示意圖；圖9a為圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其幾何形狀衍生示意圖；圖9b為圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)其擴(kuò)展衍生示意圖；圖IOa為三個圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)的復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖IOb為兩個圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖Sb所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)的復(fù)合示意圖；圖11為四個圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖I及圖2所示，本發(fā)明的所述天線包括介質(zhì)基板I、附著在介質(zhì)基板I相對兩表面的第一金屬片4及第二金屬片7，圍繞第一金屬片4設(shè)置有第一饋線2，圍繞第二金屬 片7設(shè)置有第二饋線8，所述第一饋線2及第二饋線3均通過耦合方式分別饋入所述第一金屬片4及第二金屬片7，所述第一金屬片4上鏤空有第一微槽結(jié)構(gòu)41以在第一金屬片上形成第一金屬走線42，所述第二金屬片7上鏤空有第二微槽結(jié)構(gòu)71以在第二金屬片上形成第二金屬走線72,所述第一饋線2與第二饋線8電連接,所述天線100預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間6。此種設(shè)計(jì)等效于增加了天線物理長度(實(shí)際長度尺寸不增加)，這樣就可以在極小的空間內(nèi)設(shè)計(jì)出工作在極低工作頻率下的射頻天線。解決傳統(tǒng)天線在低頻工作時天線受控空間面積的物理局限。如圖I及2所示，所述第一饋線2與第二饋線8通過在介質(zhì)基板I上開的金屬化通孔10電連接。圖I至圖7中，第一金屬片畫剖面線的部分為第一金屬走線，第一金屬片上的空白部分(鏤空的部分)表示第一微槽結(jié)構(gòu)。另外，第一饋線也用剖面線表示。同樣的，圖2中，第二金屬片畫剖面線的部分為第二金屬走線，第二金屬片上的空白部分(鏤空的部分)表示第二微槽結(jié)構(gòu)。另外，第二饋線也用剖面線表示。圖I所示為本發(fā)明的天線的立體圖，圖2為其另一視角圖。綜合兩個圖可以看出，介質(zhì)基板的a表面及b表面上附著的結(jié)構(gòu)相同。即第一饋線、第一金屬片在b表面的投影分別與第二饋線、第二金屬片重合。當(dāng)然，這只是一個優(yōu)選的方案，a表面與b表面的結(jié)構(gòu)根據(jù)需要也可以不同。第一饋線2圍繞第一金屬片4設(shè)置以實(shí)現(xiàn)信號耦合。另外第一金屬片4與第一饋線可以接觸，也可以不接觸。當(dāng)?shù)谝唤饘倨?與第一饋線2接觸時，第一饋線2與第一金屬片4之間感性耦合；當(dāng)?shù)谝唤饘倨?與第一饋線2不接觸時，第一饋線2與金屬片4之間容性耦合。第二饋線8圍繞第二金屬片7設(shè)置以實(shí)現(xiàn)信號耦合。另外第二金屬片7與第二饋線8可以接觸，也可以不接觸。當(dāng)?shù)诙饘倨?與第二饋線8接觸時，第二饋線8與第二金屬片7之間感性耦合；當(dāng)?shù)诙饘倨?與第二饋線8不接觸時，第二饋線8與第二金屬片7之間容性耦合。本發(fā)明中，所述介質(zhì)基板兩相對表面的第一金屬片與第二金屬片可以連接，也可以不連接。在第一金屬片與第二金屬片不連接的情況下，所述第一金屬片與第二金屬片之間通過容性耦合的方式饋電；此種情況下，通過改變介質(zhì)基板的厚度可以實(shí)現(xiàn)第一金屬片與第二金屬片的諧振。在第一金屬片與第二金屬片電連接的情況下(例如通過導(dǎo)線或金屬化通孔的形式連接)，所述第一金屬片與第二金屬片之間通過感性耦合的方式饋電。本發(fā)明中的所述第一微槽結(jié)構(gòu)41及第二微槽結(jié)構(gòu)71可以是圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)、圖8b所示的互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)、圖8c所示的開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、圖8d所示的雙開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)、圖8e所示的互補(bǔ)式彎折線結(jié)構(gòu)中的一種或者是通過前面幾種結(jié)構(gòu)衍生、復(fù)合或組陣得到的微槽結(jié)構(gòu)。衍生分為兩種，一種是幾何形狀衍生，另一種是擴(kuò)展衍生，此處的幾何形狀衍生是指功能類似、形狀不同的結(jié)構(gòu)衍生，例如由方框類結(jié)構(gòu)衍生到曲線類結(jié)構(gòu)、三角形類結(jié)構(gòu)及其它不同的多邊形類結(jié)構(gòu)；此處的擴(kuò)展衍生即在圖8a至圖Se的基礎(chǔ)上開設(shè)新的槽以形成新的微槽結(jié)構(gòu)；以圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)為例，圖9a為其幾何形狀衍生示意圖，圖％為其幾何形狀衍生示意圖。此處的復(fù)合是指，圖8a至圖Se的微槽結(jié)構(gòu)多個疊加形成一個新的微槽結(jié)構(gòu)，如圖IOa所示，為三個圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖IOb所示，為兩個圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)與圖8b所示為互補(bǔ)式螺旋線結(jié)構(gòu)共同復(fù)合后的結(jié)構(gòu)示意圖。此處的組陣是指由多個圖8a至圖Se所示的微槽結(jié)構(gòu)在同一金屬片上陣列形成一個整體的微槽結(jié)構(gòu)，如圖11所 示，為多個如圖8a所示的互補(bǔ)式開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)組陣后的結(jié)構(gòu)示意圖。以下均以圖Sc所示的開口螺旋環(huán)結(jié)構(gòu)為例闡述本發(fā)明。下面分五個實(shí)施例來詳細(xì)介紹本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的下述五個實(shí)施例中，介質(zhì)基板的相對兩面結(jié)構(gòu)相同，因此，下述五個實(shí)施例中，均只描述了介質(zhì)基板一表面的結(jié)構(gòu)。第一實(shí)施例如圖3所示，在本實(shí)施例中，在第一饋線2上預(yù)設(shè)有嵌入感性電子元件和/或電阻的空間51，預(yù)設(shè)的嵌入電子元件空間的位置可以是第一饋線2上的任意位置，并且可以有多個?？稍诳臻g51中嵌入感性電子元件，以改變第一饋線2的電感值。運(yùn)用公式f=l/ (271 VZt)，可知電感值的大小和工作頻率的平方成反比，所以當(dāng)需要的工作頻率為較低工作頻率時，通過適當(dāng)?shù)那度腚姼谢蚋行噪娮釉?shí)現(xiàn)。本實(shí)施例中，加入的感性電子元件的電感值范圍在0-5uH之間，若太大交變信號將會被感性元件消耗從而影響到天線的輻射效率。本實(shí)施例的所述天線具有多個頻段的良好輻射特性，五個主要輻射頻率從900MHz 一直分布到 5. 5GHz，幾乎涵蓋了 GSM、CDMA、藍(lán)牙、ff-Lan (IEEE802. 11 協(xié)議)、GPS、TD-LTE等各個主要的通信頻率，具有非常高的集成度且可通過對第一饋線及第二饋線上的電感值進(jìn)行調(diào)節(jié)達(dá)到改變天線工作頻率的目的。當(dāng)然，也可以在空間51電阻，以改善天線的輻射電阻。當(dāng)然，第一饋線上的空間也可以是多個，其中分別嵌入電阻以及感性電子元件，既實(shí)現(xiàn)了工作頻率的調(diào)節(jié)，又能改善天線的輻射電阻。未加入電子元件的空間可用導(dǎo)線短接。第二饋線上預(yù)設(shè)空間的情況與上藝術(shù)品情況相同。實(shí)施例二如圖4所示，在本實(shí)施例中，在第一饋線2與第一金屬片4之間預(yù)設(shè)有嵌入容性電子元件的空間53，預(yù)設(shè)的嵌入電子元件空間的位置可以是第一饋線2與第一金屬片4之間的任意位置。圖4中空間53為本實(shí)施例中嵌入容性電子元件的空間，第一饋線2與第一金屬片4之間本身具有一定的電容，這里通過嵌入容性電子元件調(diào)節(jié)第一饋線2與第一金屬片4之間的信號耦合，運(yùn)用公式f=l/ (2ttD，可知電容值的大小和工作頻率的平方成反比，所以當(dāng)需要的工作頻率為較低工作頻率時，通過適當(dāng)?shù)那度腚娙莼蚋行噪娮釉?shí)現(xiàn)。本實(shí)施例中,加入的容性電子元件的電容值范圍通常在0-2pF之間，不過隨著天線工作頻率的變化嵌入的電容值也可能超出0-2pF的范圍。當(dāng)然，也可以在第一饋線2與第一金屬片4之間預(yù)設(shè)多個空間。同樣，在未連接有電子元件的空間中，采用導(dǎo)線短接。第二饋線與第二金屬片之間預(yù)設(shè)空間的情況與上述情況相同相同。實(shí)施例三如圖5所示，在本實(shí)施例中，在第一金屬片的第一金屬走線42上預(yù)留有嵌入感性電子元件和/或電阻的空間，嵌入電子元件的空間不僅僅局限于圖中給出的空間55和空間56，其他位置只要滿足條件均可。此處嵌入感性電子元件的目的是增加第一金屬片內(nèi)部諧振結(jié)構(gòu)的電感值，從而對天線的諧振頻率及工作帶寬起到調(diào)節(jié)的作用；與實(shí)施例一相同，此處嵌入電阻的目的是改善天線的輻射電阻。至于是嵌入感性電子元件還是電阻，則根據(jù)需要而定。另外在未嵌入電子元件的空間中，采用導(dǎo)線短接。第二金屬片的第二金屬走線上 預(yù)留空間的情況與上述情況相同。實(shí)施例四如圖6所示，在本實(shí)施例中，在第一微槽結(jié)構(gòu)41上預(yù)留有嵌入容性電子元件的空間，并且所述空間連接第一微槽結(jié)構(gòu)41兩側(cè)的第一金屬走線42。嵌入電子元件的空間不僅僅局限與圖5中給出的空間57，其他位置只要滿足條件均可。嵌入容性電子元件可以改變第一金屬片的諧振性能，最終改善天線的Q值及諧振工作點(diǎn)。作為公知常識，我們知道，通頻帶BW與諧振頻率wO和品質(zhì)因數(shù)Q的關(guān)系為BW = wo/Q，此式表明，Q越大則通頻帶越窄，Q越小則通頻帶越寬。另有Q = wL/R = 1/wRC，其中，Q是品質(zhì)因素；《是電路諧振時的電源頻率山是電感；R是串的電阻；C是電容，由Q = wL/R = 1/wRC公式可知，Q和C呈反t匕，因此，可以通過加入容性電子元件來減小Q值，使通頻帶變寬。第二微槽結(jié)構(gòu)上預(yù)留空間的情況與上述情況相同。實(shí)施例五如圖7所示，在本實(shí)施例中，在第一饋線2、第一饋線2與第一金屬片4之間及第一金屬片4這三個位置上都設(shè)置供電子元件嵌入的空間。其中，第一金屬片4上的空間包括設(shè)置在第一金屬走線42上的空間以及設(shè)置在第一微槽結(jié)構(gòu)41上且連接兩側(cè)的第一金屬走線42的空間。具體地，本實(shí)施例中的空間包括第一饋線2上的空間61，第一饋線2與第一金屬片4之間的空間63，第一金屬走線42上的空間65、66，第一微槽結(jié)構(gòu)41上的空間67，當(dāng)然，本實(shí)施例中給出的位置并不是唯一性的，本實(shí)施例中，在上述的空間中加入電子元件以調(diào)節(jié)天線的性能，其原理與實(shí)施例一至四的原理類似，本實(shí)施例不再描述。在第二饋線、第二饋線與第二金屬片之間及第二金屬片這三個位置上設(shè)置供電子元件嵌入的空間的情況與上述情況相同。本發(fā)明的天線100上空間的預(yù)留位置并不限于上述五種形式，空間只要設(shè)置在天線上即可。例如，空間還可以設(shè)置在介質(zhì)基板上。本發(fā)明的所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。在天線的預(yù)留空間中加入此類電子元件后，可以改善天線的各種性能。并且通過加入不同參數(shù)的電子元件，可以實(shí)現(xiàn)天線性能參數(shù)的可調(diào)。因此，本發(fā)明的天線在不加入任何元件之前可以是一樣的結(jié)構(gòu)，只是通過在不同位置加入不同的電子元件，以及電子元件的參數(shù)(電感值、電阻值、電容值)，來實(shí)現(xiàn)不同天線的性能參數(shù)。即實(shí)現(xiàn)了通用性?？梢源蠓档蜕a(chǎn)成本。本發(fā)明的所述空間可以是焊盤，也可以是一個空缺。焊盤的結(jié)構(gòu)可以參見普通的電路板上的焊盤。當(dāng)然，其尺寸的設(shè)計(jì)根據(jù)不同的需要會有所不同。另外，本發(fā)明中，介質(zhì)基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成。優(yōu)選地，由高分子材料制成，具體地可以是FR-4、F4B等高分子材料。本發(fā)明中，第一金屬片及第二金屬片為銅片或銀片。優(yōu)選為銅片，價格低廉，導(dǎo)電性能好。本發(fā)明中，第一饋線及第二饋線選用與第一金屬片及第二金屬片同樣的材料制成。優(yōu)選為銅。本發(fā)明中，關(guān)于天線的加工制造，只要滿足本發(fā)明的設(shè)計(jì)原理，可以采用各種制造 方式。最普通的方法是使用各類印刷電路板(PCB)的制造方法，當(dāng)然，金屬化的通孔，雙面覆銅的PCB制造也能滿足本發(fā)明的加工要求。除此加工方式，還可以根據(jù)實(shí)際的需要引入其它加工手段，比如RFID (RFID是Radio Frequency Identification的縮寫，即射頻識別技術(shù)，俗稱電子標(biāo)簽)中所使用的導(dǎo)電銀漿油墨加工方式、各類可形變器件的柔性PCB加工、鐵片天線的加工方式以及鐵片與PCB組合的加工方式。其中，鐵片與PCB組合加工方式是指利用PCB的精確加工來完成天線微槽結(jié)構(gòu)的加工，用鐵片來完成其它輔助部分。另外，還可以通過蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法來加工。本發(fā)明還提供了一種MMO天線，所述的MMO天線由多個上述的天線100組成。此處的MMO即是指多輸入多輸出。即MMO天線上的所有單個的天線100同時發(fā)射，同時接收。MIMO天線可以在不需要增加帶寬或總發(fā)送功率損耗的前提下大幅度增加系統(tǒng)的信息吞吐量及傳輸距離。另外本發(fā)明的MMO天線還具有很高的隔離度，多個天線之間的抗干擾能力強(qiáng)。本發(fā)明的MIMO天線,其每個天線100的第一饋線與第二饋線電連接后再與一個接收/發(fā)射機(jī)連接，所有的接收/發(fā)射機(jī)均連接到一個基帶信號處理器上。上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式
，上述的具體實(shí)施方式
僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種天線，其特征在于，所述天線包括介質(zhì)基板、附著在介質(zhì)基板相對兩表面的第一金屬片及第二金屬片，圍繞第一金屬片設(shè)置有第一饋線，圍繞第二金屬片設(shè)置有第二饋線，所述第一饋線通過耦合方式饋入所述第一金屬片，所述第二饋線通過耦合方式饋入所述第二金屬片，所述第一金屬片上鏤空有第一微槽結(jié)構(gòu)以在第一金屬片上形成第一金屬走線，所述第二金屬片上鏤空有第二微槽結(jié)構(gòu)以在第二金屬片上形成第二金屬走線，所述第一饋線與第二饋線電連接，所述天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線，其特征在于，所述空間設(shè)置在第一饋線、第一饋線與第一金屬片之間及第一金屬片這三個位置的至少一個上。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的天線，其特征在于，所述空間設(shè)置在第二饋線、第二饋線與第二金屬片之間及第二金屬片這三個位置的至少一個上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線，其特征在于，所述空間設(shè)置在第一金屬片上的第一金屬走線上，或者所述空間設(shè)置在第一微槽結(jié)構(gòu)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線，其特征在于，所述空間設(shè)置在第二金屬片上的第二金屬走線上，或者所述空間設(shè)置在第二微槽結(jié)構(gòu)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的天線，其特征在于，所述電子元件為感性電子元件、容性電子元件或者電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的天線，其特征在于，所述空間為形成在所述天線上的焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線，其特征在于，所述感性電子元件電感值的范圍在0-5uH之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線，其特征在于，所述容性電子元件電容值的范圍在0-2pF之間。
10.一種MMO天線，其特征在于，所述MMO天線包括多個如權(quán)利要求I所述的天線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種天線，包括介質(zhì)基板、附著在介質(zhì)基板相對兩表面的第一金屬片及第二金屬片，圍繞第一金屬片設(shè)置有第一饋線，圍繞第二金屬片設(shè)置有第二饋線，第一饋線及第二饋線通過耦合方式分別饋入第一金屬片及第二金屬片，第一金屬片上鏤空有第一微槽結(jié)構(gòu)以在第一金屬片上形成第一金屬走線，第二金屬片上鏤空有第二微槽結(jié)構(gòu)以在第二金屬片上形成第二金屬走線，第一饋線與第二饋線電連接，天線預(yù)設(shè)有供電子元件嵌入的空間。根據(jù)本發(fā)明的天線，介質(zhì)基板兩面均設(shè)置有金屬片，充分利用了天線的空間面積，在此環(huán)境下天線能在較低工作頻率下工作，同時滿足天線小型化、低工作頻率、寬帶多模的要求。另外本發(fā)明還涉及一種具有多個上述的天線的MIMO天線。
文檔編號H01Q21/00GK102800942SQ20111014516
公開日2012年11月28日 申請日期2011年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者劉若鵬, 徐冠雄, 楊松濤 申請人:深圳光啟高等理工研究院, 深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司