專(zhuān)利名稱(chēng)：太陽(yáng)能電池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
具有半導(dǎo)體特性的太陽(yáng)能電池將光能轉(zhuǎn)換成電能。太陽(yáng)能電池形成在PN結(jié)結(jié)構(gòu)中，其中正(P)型半導(dǎo)體與負(fù)(N)型半導(dǎo)體形成接合。當(dāng)太陽(yáng)光線(xiàn)入射到具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池上時(shí)，由于太陽(yáng)光線(xiàn)的能量導(dǎo)致在半導(dǎo)體中產(chǎn)生空穴(+)和電子(_)。在PN結(jié)中產(chǎn)生的電場(chǎng)的作用下，空穴(+)向著P型半導(dǎo)體漂移，電子㈠向著N型半導(dǎo)體漂移，從而隨著電勢(shì)的出現(xiàn)而產(chǎn)生了電功率。太陽(yáng)能電池可被分成晶片型太陽(yáng)能電池和薄膜型太陽(yáng)能電池。晶片型太陽(yáng)能電池使用由諸如硅的半導(dǎo)體材料制成的晶片。而薄膜型太陽(yáng)能電池是通過(guò)在玻璃基板上形成薄膜型半導(dǎo)體來(lái)制造的。就效率而言，晶片型太陽(yáng)能電池比薄膜型太陽(yáng)能電池好。薄膜型太陽(yáng)能電池的優(yōu)勢(shì)在于其制造成本比晶片型太陽(yáng)能電池相對(duì)低。已經(jīng)提出了通過(guò)將晶片型太陽(yáng)能電池與薄膜型太陽(yáng)能電池相結(jié)合而獲得的相關(guān)技術(shù)的太陽(yáng)能電池。下面將參考附圖描述相關(guān)技術(shù)的太陽(yáng)能電池。圖1是圖示相關(guān)技術(shù)太陽(yáng)能電池的剖面圖。如圖1所示，相關(guān)技術(shù)的太陽(yáng)能電池包括半導(dǎo)體晶片10、第一半導(dǎo)體層20、第一電極30、第二半導(dǎo)體層40、和第二電極50。第一半導(dǎo)體層20以薄膜的形式形成在半導(dǎo)體晶片10的上表面上；第二半導(dǎo)體層 40以薄膜的形式形成在半導(dǎo)體晶片10的下表面上。從而可以通過(guò)組合半導(dǎo)體晶片10、第一半導(dǎo)體層20和第二半導(dǎo)體層40而獲得PN結(jié)結(jié)構(gòu)。第一電極30形成在第一半導(dǎo)體層20上，第二電極50形成在第二半導(dǎo)體層40上， 從而第一電極30和第二電極50分別起到太陽(yáng)能電池的⑴和㈠極的作用。當(dāng)太陽(yáng)光線(xiàn)入射到相關(guān)技術(shù)的太陽(yáng)能電池上時(shí)，在半導(dǎo)體晶片10中產(chǎn)生諸如空穴或電子的載流子，產(chǎn)生的載流子經(jīng)由第一半導(dǎo)體層20漂移到第一電極30，并經(jīng)由第二電極層40同時(shí)漂移到第二電極50。然而，在相關(guān)技術(shù)太陽(yáng)能電池的例子中，在半導(dǎo)體晶片10中產(chǎn)生的載流子不會(huì)平穩(wěn)地漂移到第一電極30或第二電極50，從而由于變差的遷移率而降低了電池效率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供基本消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)而產(chǎn)生的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題的太陽(yáng)能電池及其制造方法。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種便于通過(guò)使半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的諸如空穴或電子這樣的載流子平穩(wěn)地漂移到第一和第二電極而提高電池效率的太陽(yáng)能電池及其制造方法。本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征一部分將在下面的描述中闡述，一部分將在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員細(xì)查了下面的內(nèi)容之后變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐獲知。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)以及根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里所具體表達(dá)的和在此描述的，提供一種太陽(yáng)能電池，包括具有預(yù)定極性的半導(dǎo)體晶片；在半導(dǎo)體晶片一個(gè)表面上的第一半導(dǎo)體層；在該第一半導(dǎo)體層上的第一透明導(dǎo)電層；在該第一透明導(dǎo)電層上的第一電極；在半導(dǎo)體晶片的另一個(gè)表面上的第二半導(dǎo)體層，其中該第二半導(dǎo)體層與該第一半導(dǎo)體層的極性不同；在第該二半導(dǎo)體層上的第二透明導(dǎo)電層；在該第二透明導(dǎo)電層上的第二電極；第一和第二輔助層中的至少一個(gè)，其中第一輔助層形成在第一半導(dǎo)體層和第一透明導(dǎo)電層之間以便半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到第一透明導(dǎo)電層，第二輔助層形成在第二半導(dǎo)體層和第二透明導(dǎo)電層之間以便半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到第二透明導(dǎo)電層。在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種制造太陽(yáng)能電池的方法包括在具有預(yù)定極性的半導(dǎo)體晶片的一個(gè)表面上形成第一半導(dǎo)體層；在該第一半導(dǎo)體層上形成第一透明導(dǎo)電層；在該第一透明導(dǎo)電層上形成第一電極；在半導(dǎo)體晶片的另一個(gè)表面上形成第二半導(dǎo)體層，其中第二半導(dǎo)體層與第一半導(dǎo)體層的極性不同；在該第二半導(dǎo)體層上形成第二透明導(dǎo)電層； 在該第二透明導(dǎo)電層上形成第二電極；形成第一和第二輔助層中的至少一個(gè)，其中第一輔助層形成在第一半導(dǎo)體層和第一透明導(dǎo)電層之間以便半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到第一透明導(dǎo)電層，第二輔助層形成在第二半導(dǎo)體層和第二透明導(dǎo)電層之間以便半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到第二透明導(dǎo)電層。應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的前述概括描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性的和解釋性的，用來(lái)提供對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。


附圖，其被包括來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解并被結(jié)合在本申請(qǐng)中且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，圖示本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理，在附圖中圖1是圖示相關(guān)技術(shù)的太陽(yáng)能電池的剖面圖；圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面圖；圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面圖；圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面圖；圖5A到5H是圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造太陽(yáng)能電池的方法的截面圖；圖6A到6D是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的制造太陽(yáng)能電池的方法的截面圖；圖7A到7D是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的制造太陽(yáng)能電池的方法的截面圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中圖示其例子。在整個(gè)附圖中將盡
可能用相同的參考數(shù)字指示相同或相似的部件。 下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池及其制造方法。圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池包括半導(dǎo)體晶片100、第一半導(dǎo)體層200、第一輔助層300、第一透明導(dǎo)電層400、第一電極500、第二半導(dǎo)體層600、第二輔助層700、第二透明導(dǎo)電層800、和第二電極900。半導(dǎo)體晶片100可以由硅晶片形成，尤其是N型硅晶片或P型硅晶片。半導(dǎo)體晶片100在極性上與第一半導(dǎo)體層200和第二半導(dǎo)體層600中的任何一個(gè)相同。第一半導(dǎo)體層200呈薄膜型形成在半導(dǎo)體晶片100的上表面上。第一半導(dǎo)體層 200可以與半導(dǎo)體晶片100 —起形成PN結(jié)。從而，如果半導(dǎo)體晶片100由N型半導(dǎo)體晶片形成，那么第一半導(dǎo)體層200可以由P型半導(dǎo)體層形成。尤其是，第一半導(dǎo)體層200可以由摻雜有諸如硼(B)的第III族元素的P型非晶硅形成。由于空穴的遷移率小于電子的遷移率，所以P型半導(dǎo)體層鄰近光入射表面設(shè)置， 由此使入射太陽(yáng)光線(xiàn)聚集空穴的效率最大化。從而，優(yōu)選鄰近光入射表面的第一半導(dǎo)體層 200由P型半導(dǎo)體層形成。第一輔助層300形成在第一半導(dǎo)體層200和第一透明導(dǎo)電層400之間。第一輔助層300使半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的載流子例如空穴平穩(wěn)地向第一透明導(dǎo)電層400漂移。更詳細(xì)地，如果第一半導(dǎo)體層200由P型半導(dǎo)體層形成，則第一輔助層300優(yōu)選由負(fù)(-)極性材料形成以便吸引在半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的空穴。尤其是，負(fù)(-)極性材料可以由富氧的氧化物形成，例如包括第III族元素的諸如A1203、Gii2O3、或In2O3之類(lèi)的氧化物。第一透明導(dǎo)電層400聚集在半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的載流子，例如聚集空穴；然后使聚集的空穴漂移到第一電極500。第一透明導(dǎo)電層400可以由能夠傳輸大量太陽(yáng)光線(xiàn)的透明導(dǎo)電材料，例如ITO(氧化銦錫)、ZnOH、ZnO: B, ZnO Al、SnO2、或 SnO2 F 形成。第一電極500形成在第一透明導(dǎo)電層400上，該第一透明導(dǎo)電層400構(gòu)成太陽(yáng)能電池的最前表面。從而，優(yōu)選以能夠使太陽(yáng)光線(xiàn)傳輸?shù)教?yáng)能電池內(nèi)部的預(yù)定圖案來(lái)形成第一電極500。第一電極500可以由具有優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬材料形成，例如Ag、Al、Ag+Al、Ag+Mg、 Ag+Mn、Ag+Sb、Ag+Zn、Ag+Mo、Ag+Ni、Ag+Cu、或 Ag+Al+Zn。第二半導(dǎo)體層600以薄膜型形成在半導(dǎo)體晶片100的下表面上。第二半導(dǎo)體層 600與第一半導(dǎo)體層200極性不同。如果第一半導(dǎo)體層200由摻雜了諸如硼(B)的第III 族元素的P型半導(dǎo)體層形成，那么第二半導(dǎo)體層600由摻雜了諸如磷(P)的第V族元素的 N型半導(dǎo)體層形成。尤其是，第二半導(dǎo)體層600可以由N型非晶硅形成。第二輔助層700形成在第二半導(dǎo)體層600和第二透明導(dǎo)電層800之間。第二輔助層700使半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的載流子例如電子平穩(wěn)地向第二透明導(dǎo)電層800漂移。更詳細(xì)地說(shuō)，如果第二半導(dǎo)體層600由N型半導(dǎo)體層形成，那么優(yōu)選第二輔助層 700由正⑴極性材料層形成，以便吸引在半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的電子。尤其是，正⑴極性材料層可以由稀氧的氧化物，例如包括第IV族元素的諸如SiOx、TiOx, &0x、或HfOx 之類(lèi)的氧化物形成。第二透明導(dǎo)電層800聚集在半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的載流子，例如聚集電子，然后使聚集的電子向第二電極900漂移。第二透明導(dǎo)電層800可以由透明導(dǎo)電材料，例如ITO(氧化銦錫)、SiOH、ZnO:B, ZnO:Al,SnO2、或SnAF形成。在本發(fā)明中，第二透明導(dǎo)電層800可以由包含SiO的化合物， 例如 ZnOH、ZnO:B、ZnO:Al，而不是 ITO 形成。ITO通過(guò)諸如濺射方法的物理氣相沉積方法而形成。如果第二透明導(dǎo)電層800是通過(guò)物理氣相沉積方法而形成的，那么第二透明導(dǎo)電層800可能不均勻，而且其中還具有諸如空隙(viod)的缺陷。如果諸如空隙的缺陷產(chǎn)生在第二透明導(dǎo)電層800中，那么第二透明導(dǎo)電層800與第二電極900之間的接觸面積會(huì)減少，使得難以實(shí)現(xiàn)載流子的平穩(wěn)聚集和漂移。尤其是，如果半導(dǎo)體晶片100具有通過(guò)紋理化工藝而產(chǎn)生的不平整表面，那么第二透明導(dǎo)電層800也具有不平整的表面。在ITO層通過(guò)諸如濺射方法的物理氣相沉積方法而形成的情況下，在ITO層中諸如空隙的缺陷可能增多。而不是使用ΙΤ0，第二透明導(dǎo)電層 800由適用諸如MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)的化學(xué)氣相沉積方法的材料形成，由此使載流子的平穩(wěn)聚集和漂移最大化。通過(guò)諸如MOCVD的化學(xué)氣相沉積方法所形成的層變得比通過(guò)諸如濺射方法的物理氣相沉積方法所形成的層更均勻。類(lèi)似地，第一透明導(dǎo)電層400 可以由包含SiO的化合物，例如SiOH、ZnO:B、ZnO:Al，而不是ITO形成。第二電極900形成在第二透明導(dǎo)電層800上。由于第二電極900形成在太陽(yáng)能電池最后部的表面(rearmost surface)中，所以第二電極900可以形成在第二透明導(dǎo)電層 800的整個(gè)表面上。為了使反射的太陽(yáng)光線(xiàn)通過(guò)太陽(yáng)能電池的背面入射，第二電極900可被圖案化，如圖2的箭頭所示。類(lèi)似于第一電極500，第二電極900可以由金屬材料，例如Ag、Al、Ag+Al、Ag+Mg、 Ag+Mn、Ag+Sb、Ag+Zn、Ag+Mo、Ag+Ni、Ag+Cu、或 Ag+Al+Zn 形成。如上面所闡述的，半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的載流子被聚集在第一透明導(dǎo)電層400 中，然后漂移到第一電極500 ；并且半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的載流子同時(shí)被聚集在第二透明導(dǎo)電層800中然后漂移到第二電極900，因此載流子的遷移率與相關(guān)技術(shù)相比顯著增加。如果第一透明導(dǎo)電層400直接形成在第一半導(dǎo)體層200上，而在其間不形成第一輔助層300，那么由于第一半導(dǎo)體層200與第一透明導(dǎo)電層400之間的能帶隙，諸如空穴的載流子可能難以從第一半導(dǎo)體層200漂移到第一透明導(dǎo)電層400。根據(jù)本發(fā)明，由于由負(fù) (-)極性材料層形成以便吸引空穴的第一輔助層300設(shè)置在第一半導(dǎo)體層200與第一透明導(dǎo)電層400之間，因此空穴容易從第一半導(dǎo)體層200漂移到第一透明導(dǎo)電層400。類(lèi)似地，如果第二透明導(dǎo)電層800直接形成在第二半導(dǎo)體層600上而在其間不形成第二輔助層700，那么由于第二半導(dǎo)體層600與第二透明導(dǎo)電層800之間的能帶隙，諸如電子的載流子可能難以從第二半導(dǎo)體層600漂移到第二透明導(dǎo)電層800。根據(jù)本發(fā)明，由于由正(+)極性材料層形成以便吸引電子的第二輔助層700設(shè)置在第二半導(dǎo)體層600與第二透明導(dǎo)電層800之間，所以電子容易從第二半導(dǎo)體層600漂移到第二透明導(dǎo)電層800。優(yōu)選地，第一輔助層300和第二輔助層700中每一個(gè)的厚度不大于3nm。如果第一輔助層300和第二輔助層700中每一個(gè)的厚度大于3nm，那么空穴或電子的遷移率可能顯
著變差。圖2圖示了第一輔助層300和第二輔助層700兩者都形成。然而，也可以形成第一輔助層300和第二輔助層700中的任意一個(gè)。圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面圖。除了在半導(dǎo)體晶片 100與第一半導(dǎo)體層200之間還形成第一本征半導(dǎo)體層150，以及在半導(dǎo)體晶片100與第二半導(dǎo)體層600之間還形成第二本征半導(dǎo)體層550之外，圖3中示出的第二實(shí)施例的太陽(yáng)能電池與圖2中示出的第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)相同。因此，在整個(gè)附圖中將使用相同的參考數(shù)字指示相同或相似的部件，對(duì)相同部件的詳細(xì)解釋將被省略。如果第一半導(dǎo)體層200或第二半導(dǎo)體層600是通過(guò)使用高濃度的摻雜氣體而形成在半導(dǎo)體晶片100的表面上，那么高濃度的摻雜氣體會(huì)在半導(dǎo)體晶片100的表面中引起缺陷。在圖3中示出的本發(fā)明第二實(shí)施例的情況中，第一本征半導(dǎo)體層150形成在半導(dǎo)體晶片100的上表面上，然后第一半導(dǎo)體層200形成在第一本征半導(dǎo)體層150上，由此防止在半導(dǎo)體晶片100的上表面中出現(xiàn)缺陷。而且，第二本征半導(dǎo)體層550形成在半導(dǎo)體晶片 100的下表面上，然后第二半導(dǎo)體層600形成在第二本征半導(dǎo)體層550上，由此防止在半導(dǎo)體晶片100的下表面中出現(xiàn)缺陷。圖3圖示第一本征半導(dǎo)體層150和第二本征半導(dǎo)體層550兩者都形成。然而，可以形成第一本征半導(dǎo)體層150和第二本征半導(dǎo)體層陽(yáng)0中的任意一個(gè)。圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖面圖。除了第一半導(dǎo)體層 200和第二半導(dǎo)體層600結(jié)構(gòu)上改變以外，圖4中示出的第三實(shí)施例的太陽(yáng)能電池與圖2中示出的第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)相同。從而在整個(gè)附圖中將使用相同的參考數(shù)字指示相同或相似的部件，對(duì)相同部件的詳細(xì)解釋將被省略。如圖4所示，在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的情況中，第一半導(dǎo)體層200 包括在第一半導(dǎo)體晶片100上表面上的第一輕摻雜半導(dǎo)體層210和在該第一輕摻雜半導(dǎo)體層210上的第一重?fù)诫s半導(dǎo)體層220。而且，第二半導(dǎo)體層600包括在半導(dǎo)體晶片100下表面上的第二輕摻雜半導(dǎo)體層 610和在第二輕摻雜半導(dǎo)體層610上的第二重?fù)诫s半導(dǎo)體層620。在這種情況下，輕摻雜和重?fù)诫s是相對(duì)的概念。也就是意味著第一輕摻雜半導(dǎo)體層210的摻雜濃度比第一重?fù)诫s半導(dǎo)體層220的摻雜濃度相對(duì)低。第一輕摻雜半導(dǎo)體層210和第二輕摻雜半導(dǎo)體層610分別具有與圖3中示出的第二實(shí)施例的太陽(yáng)能電池中第一本征半導(dǎo)體層150和第二本征半導(dǎo)體層550相同的功能。也就是，第一輕摻雜半導(dǎo)體層210首先形成在半導(dǎo)體晶片100的上表面上，然后第一重?fù)诫s半導(dǎo)體層220形成在其上，由此防止在半導(dǎo)體晶片100的上表面中出現(xiàn)缺陷。而且，第二輕摻雜半導(dǎo)體層610首先形成在半導(dǎo)體晶片100的下表面上，然后第二重?fù)诫s半導(dǎo)體層620形成在其上，由此防止在半導(dǎo)體晶片100的下表面中出現(xiàn)缺陷。從而，優(yōu)選將第一輕摻雜半導(dǎo)體層210和第二輕摻雜半導(dǎo)體層610的摻雜濃度調(diào)整到能夠防止在半導(dǎo)體晶片100的表面中出現(xiàn)缺陷的適當(dāng)水平上。圖4中示出的根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)率比圖3中示出的根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)率高。也就是說(shuō)，由于用來(lái)形成第一本征半導(dǎo)體層 150和第二本征半導(dǎo)體層550的沉積裝置的額外設(shè)置以及復(fù)雜的工藝，因此圖3中示出的根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)率會(huì)降低。然而，在圖4中示出的第三實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的情況中，由于第一輕摻雜半導(dǎo)體層210和第一重?fù)诫s半導(dǎo)體層220是在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)部順序形成的，并且第二輕摻雜半導(dǎo)體層610和第二重?fù)诫s半導(dǎo)體層620是在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)部順序形成的，所以不需要額外設(shè)置沉積裝置。圖4圖示第一半導(dǎo)體層200包括第一輕摻雜半導(dǎo)體層210和第一重?fù)诫s半導(dǎo)體層 220，第二半導(dǎo)體層600包括第二輕摻雜半導(dǎo)體層610和第二重?fù)诫s半導(dǎo)體層620。然而，第一半導(dǎo)體層200和第二半導(dǎo)體層600中的任意一個(gè)可以包括輕摻雜半導(dǎo)體層和重?fù)诫s半導(dǎo)體層。圖5A到5H是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于制造太陽(yáng)能電池的方法的截面圖，其說(shuō)明用于制造根據(jù)圖2中示出的根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的方法。首先，如圖5A所示，在半導(dǎo)體晶片100的上表面上形成第一半導(dǎo)體層200。半導(dǎo)體晶片100可由N型硅晶片形成。形成第一半導(dǎo)體層200的工藝可包括通過(guò)PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積) 在半導(dǎo)體晶片100上形成諸如P型非晶硅層的P型半導(dǎo)體層。然后，如圖5B所示，在第一半導(dǎo)體層200上形成第一輔助層300。形成第一輔助層300的工藝可包括通過(guò)MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)在第一半導(dǎo)體層200上形成負(fù)㈠極性材料層，例如包括第III族元素的諸如A1203、G 03、或In2O3 之類(lèi)的富氧氧化物層。如圖5C所示，在第一輔助層300上形成第一透明導(dǎo)電層400。形成第一透明導(dǎo)電層400的工藝可包括通過(guò)濺射或MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)形成ITO(氧化銦錫)、aiOH、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2、或SnO2:F的透明導(dǎo)電層。如圖5D所示，在第一透明導(dǎo)電層400上形成第一電極500?？梢詫⒌谝浑姌O500形成為能夠使太陽(yáng)光線(xiàn)傳輸?shù)教?yáng)能電池內(nèi)部的預(yù)定圖案。第一電極500 可通過(guò)印刷工藝，由諸如 Ag、Al、Ag+Al、Ag+Mg、Ag+Mn、Ag+Sb、Ag+Zn、 Ag+Mo、Ag+Ni、Ag+Cu、或Ag+Al+Si的金屬材料形成。在這種情況中，印刷工藝可以是絲網(wǎng)印刷方法、噴墨印刷方法、凹版印刷方法、凹版膠印方法、反轉(zhuǎn)印刷方法、柔版印刷方法、或微接觸印刷方法。在絲網(wǎng)印刷方法的情況中，將墨涂覆在絲網(wǎng)上，然后將刮墨刀(squeegee) 移到涂覆有墨的絲網(wǎng)上同時(shí)壓下，由此通過(guò)絲網(wǎng)的網(wǎng)孔印刷墨。噴墨印刷方法是小墨滴與基板碰撞的印刷方法。凹版印刷方法是通過(guò)使用刮墨刀從具有平坦表面的墨未涂覆部分去除墨，以及將墨從具有中空形狀的已蝕刻的墨涂覆部分轉(zhuǎn)移到基板上來(lái)實(shí)現(xiàn)的。凹版膠印方法是通過(guò)將墨從印刷板轉(zhuǎn)移到氈上，再將墨從氈(blanket)上轉(zhuǎn)移到基板上來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 反轉(zhuǎn)印刷方法是用墨水作為溶劑的印刷方法。柔版印刷方法是使用涂覆到凸版部分上的墨的印刷方法。微接觸印刷方法是使用具有所需材料的印模的印刷方法。如果采用印刷工藝，那么可以通過(guò)一個(gè)工序按照固定的間隔將多個(gè)第一電極500 圖案化，由此簡(jiǎn)化制造工藝。如圖5E所示，在半導(dǎo)體晶片100的下表面上形成第二半導(dǎo)體層600。用于形成第二半導(dǎo)體層600的工藝可包括通過(guò)PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)在半導(dǎo)體晶片100上形成諸如N型非晶硅層的N型半導(dǎo)體層。如圖5F所示，在第二半導(dǎo)體層600上形成第二輔助層700。用于形成第二輔助層700的工藝可包括通過(guò)MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)， 在第二半導(dǎo)體層600上形成正(+)極性材料層，例如包括第IV族元素的諸如SiOx、TiOx, &0x、或HfOx的稀氧氧化物層。如圖5G所示，在第二輔助層700上形成第二透明導(dǎo)電層800。用于形成第二透明導(dǎo)電層800的工藝可包括通過(guò)濺射或MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)，來(lái)形成諸如ITO(氧化銦錫)、ZnOHJnOB、SiOAl、SnO2、或SnO2:F的透明導(dǎo)電材料層。如上所述，如果第二透明導(dǎo)電層800由包含SiO的化合物，例如SiOH、&ιΟ:Β、或 ZnO:Al形成，那么第二透明導(dǎo)電層800的均勻性提高，高于由ITO形成的第二透明導(dǎo)電層 800的均勻性。這同樣可應(yīng)用于第一透明導(dǎo)電層400。如圖5Η所示，在第二透明導(dǎo)電層800上形成第二電極900，從而完成了太陽(yáng)能電池。第二電極900 可通過(guò)濺射由諸如 Ag、Al、Ag+Al、Ag+Mg、Ag+Mn、Ag+Sb、Ag+Zn, Ag+Mo、Ag+Ni、Ag+Cu、或Ag+Al+Si的金屬材料形成，或者可以通過(guò)上述印刷方法由上述金屬材料的漿料(paste)形成。如圖2所示，第二電極900可以形成在第二透明導(dǎo)電層800的整個(gè)表面上，或者可以被圖案化以傳輸太陽(yáng)光線(xiàn)?？梢詮膱D5A到5H的上述工藝中省略用于形成第一輔助層300的工藝和用于形成第二輔助層700的工藝中的任意一個(gè)。圖6A到6D是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的用于制造太陽(yáng)能電池的方法的截面圖，其說(shuō)明用于制造根據(jù)圖3中示出的本發(fā)明第二實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的方法。將省略對(duì)與前述實(shí)施例的部件相同的部件的詳細(xì)闡述。首先，如圖6A所示，在半導(dǎo)體晶片100的上表面上形成第一本征半導(dǎo)體層150。用于形成第一本征半導(dǎo)體層150的工藝可包括通過(guò)PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)，在半導(dǎo)體晶片100上形成I (本征)型非晶硅層。如圖6B所示，在第一本征半導(dǎo)體層150上形成第一半導(dǎo)體層200 ；在該第一半導(dǎo)體層200上形成第一輔助層300 ；在該第一輔助層300上形成第一透明導(dǎo)電層400 ；在該第一透明導(dǎo)電層400上形成第一電極500。如圖6C所示，在半導(dǎo)體晶片100的下表面上形成第二本征半導(dǎo)體層550。用于形成第二本征半導(dǎo)體層550的工藝可包括通過(guò)PECVD (等離子體強(qiáng)化化學(xué)氣相沉積)，在半導(dǎo)體晶片100上形成I (本征)型非晶硅層。如圖6D所示，在第二本征半導(dǎo)體層550上形成第二半導(dǎo)體層600 ；在該第二半導(dǎo)體層600上形成第二輔助層700 ；在該第二輔助層700上形成第二透明導(dǎo)電層800 ；以及在該第二透明導(dǎo)電層800上形成第二電極900，由此完成太陽(yáng)能電池?？梢詮膱D6A到6D的上述工藝中省略用于形成第一輔助層300的工藝和形成第二輔助層700的工藝中的任意一個(gè)。而且也可以省略用于形成第一本征半導(dǎo)體層150的工藝和用于形成第二本征半導(dǎo)體層陽(yáng)0的工藝中的任意一個(gè)。
圖7A到7D是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的用于制造太陽(yáng)能電池方法的截面圖，其說(shuō)明用于制造根據(jù)圖4中示出的本發(fā)明第三實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的方法。將省略對(duì)與前述實(shí)施例的部件相同的部件的詳細(xì)闡述。首先，如圖7A所示，在半導(dǎo)體晶片100的上表面上形成第一半導(dǎo)體層200。用于形成第一半導(dǎo)體層100的工藝可包括在半導(dǎo)體晶片100上形成第一輕摻雜半導(dǎo)體層210，以及在該第一輕摻雜半導(dǎo)體層210上形成第一重?fù)诫s半導(dǎo)體層220。用于形成第一輕摻雜半導(dǎo)體層210和第一重?fù)诫s半導(dǎo)體層220的工藝可以在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)部順序進(jìn)行。也就是，可以通過(guò)調(diào)整諸如硼(B)的第III族元素的摻雜氣體向一個(gè)PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)反應(yīng)室內(nèi)部的輸入量來(lái)順序形成輕摻雜P型第一半導(dǎo)體層210和重?fù)诫sP型第一半導(dǎo)體層220。更詳細(xì)地，對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)方法下用于制造最初的太陽(yáng)能電池的方法，將預(yù)定量的IH6氣體提供到反應(yīng)室的內(nèi)部，由此將反應(yīng)室的內(nèi)部準(zhǔn)備為P型摻雜氣氛。然后，將SiH4 和H2氣提供到反應(yīng)室的內(nèi)部，由此形成輕摻雜P型第一半導(dǎo)體層210，尤其是輕摻雜P型非晶硅層。然后，將SiH4和H2氣體與用作摻雜氣體的IH6氣體一起提供到反應(yīng)室的內(nèi)部，由此形成重?fù)诫sP型第一半導(dǎo)體層220，尤其是重?fù)诫sP型非晶硅層。在完成用于形成重?fù)诫sP型第一半導(dǎo)體層220的工藝之后，B2H6氣體存留在反應(yīng)室內(nèi)部。從而，當(dāng)在最初的太陽(yáng)能電池之后嘗試制造第二個(gè)太陽(yáng)能電池時(shí)，反應(yīng)室的內(nèi)部保持為P型摻雜氣氛。也就是，輕摻雜P型第一半導(dǎo)體層210可以通過(guò)向反應(yīng)室內(nèi)部?jī)H提供SiH4和吐氣而不另外提供IH6氣體來(lái)形成。此后，將SiH4和吐氣與IH6氣體一起提供到反應(yīng)室的內(nèi)部，由此形成重?fù)诫sP型第一半導(dǎo)體層220。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)調(diào)整待提供到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)部的反應(yīng)氣體的輸入量，來(lái)在一個(gè)反應(yīng)室的內(nèi)部順序形成輕摻雜P型第一半導(dǎo)體層210和重?fù)诫sP型第一半導(dǎo)體層220，這能夠提高生產(chǎn)率而不需要額外的裝置和復(fù)雜的工藝。然后，如圖7B所示，在第一半導(dǎo)體層200上形成第一輔助層300 ；在該第一輔助層 300上形成第一透明導(dǎo)電層400 ；在該第一透明導(dǎo)電層400上形成第一電極500。如圖7C所示，在半導(dǎo)體晶片100的下表面上形成第二半導(dǎo)體層600。用于形成第二半導(dǎo)體層600的工藝可包括在半導(dǎo)體晶片100上形成第二輕摻雜半導(dǎo)體層610 ；以及在該第二輕摻雜半導(dǎo)體層610上形成第二重?fù)诫s半導(dǎo)體層620。類(lèi)似于第一輕摻雜半導(dǎo)體層210和第一重?fù)诫s半導(dǎo)體層220，可以在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)部順序形成第二輕摻雜半導(dǎo)體層610和第二重?fù)诫s半導(dǎo)體層620。也就是，可以通過(guò)調(diào)整諸如磷(P)的第V族元素的摻雜氣體向一個(gè)PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)反應(yīng)室內(nèi)部的輸入量來(lái)順序形成輕摻雜N型第二半導(dǎo)體層610和重?fù)诫sN型第二半導(dǎo)體層620。更詳細(xì)地，向反應(yīng)室的內(nèi)部提供預(yù)定量的PH3氣體，由此將反應(yīng)室的內(nèi)部準(zhǔn)備為N 型摻雜氣氛。然后，將SiH4和吐氣體提供到反應(yīng)室的內(nèi)部，由此形成輕摻雜N型第二半導(dǎo)體層610。此后，將SiH4和H2氣體與用作摻雜氣體的PH3氣體一起提供到反應(yīng)室的內(nèi)部，由此形成高摻雜N型第二半導(dǎo)體層620。在完成用于形成重?fù)诫sN型第二半導(dǎo)體層620的工藝之后，PH3氣體存留在反應(yīng)室內(nèi)部。從而，當(dāng)在最初的太陽(yáng)能電池之后嘗試制造第二個(gè)太陽(yáng)能電池時(shí)，反應(yīng)室的內(nèi)部保持為N型摻雜氣氛。也就是，輕摻雜N型第二半導(dǎo)體層610可以通過(guò)向反應(yīng)室內(nèi)部?jī)H提供SiH4和吐氣體而不另外提供PH3氣體來(lái)形成。此后，將SiH4和吐氣體與PH3氣體一起提供到反應(yīng)室的內(nèi)部，由此形成高摻雜N型第二半導(dǎo)體層620。如圖7D所示，在第二半導(dǎo)體層600上形成第二輔助層700 ；在該第二輔助層700上形成第二透明導(dǎo)電層800 ；以及在該第二透明導(dǎo)電層800上形成第二電極900，由此完成太陽(yáng)能電池?？梢詮膱D7A到7D的上述工藝中省略用于形成第一輔助層300的工藝和用于形成第二輔助層700的工藝中的任意一個(gè)。而且也可以省略用于形成第一半導(dǎo)體層200的工藝和用于形成第二半導(dǎo)體層600的工藝中的任意一個(gè)中的形成輕摻雜半導(dǎo)體層的步驟。對(duì)于制造工藝的上述解釋?zhuān)诎雽?dǎo)體晶片100的上表面上順序形成第一半導(dǎo)體層 200、第一輔助層300、第一透明導(dǎo)電層400、第一電極500 ；然后在半導(dǎo)體晶片100的下表面上順序形成第二半導(dǎo)體層600、第二輔助層700、第二透明導(dǎo)電層800、第二電極900。然而， 根據(jù)本發(fā)明的用于制造太陽(yáng)能電池的方法在工藝中可以做各種變化。例如，可以在半導(dǎo)體晶片100的上表面上形成第一半導(dǎo)體層200，然后可以在半導(dǎo)體晶片100的下表面上形成第二半導(dǎo)體層600。此后，在第一半導(dǎo)體層200上形成第一輔助層300，以及可在第二半導(dǎo)體層600上形成第二輔助層700。然后，可在第一輔助層300上形成第一透明導(dǎo)電層400，以及可在第二輔助層700上形成第二透明導(dǎo)電層800。此后，可在第一透明導(dǎo)電層400上形成第一電極500，以及可在第二透明導(dǎo)電層800上形成第二電極 900。對(duì)于本發(fā)明的上述解釋?zhuān)雽?dǎo)體晶片100由N型半導(dǎo)體晶片形成；第一半導(dǎo)體層 200由P型半導(dǎo)體層形成；以及第二半導(dǎo)體層600由N型半導(dǎo)體層形成，但是不限于這種結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的制造方法可以在滿(mǎn)足PN結(jié)結(jié)構(gòu)的條件，以及提供半導(dǎo)體晶片和薄膜半導(dǎo)體層的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改。例如，如果半導(dǎo)體晶片100可由P型半導(dǎo)體晶片形成，那么第一半導(dǎo)體層200可由N型半導(dǎo)體層形成，以及第二半導(dǎo)體層600可以由P型半導(dǎo)體層形成。根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池，在半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的載流子聚集在第一透明導(dǎo)電層400中，所聚集的載流子漂移到第一電極500。載流子也聚集在第二透明導(dǎo)電層800 中，所聚集的載流子漂移到第二電極900。因此，載流子的遷移率與相關(guān)技術(shù)相比相對(duì)提高了。尤其是，在第一半導(dǎo)體層200與第一透明導(dǎo)電層400之間形成負(fù)(_)極性材料的第一輔助層300以吸引空穴，并且在第二半導(dǎo)體層600與第二透明導(dǎo)電層800之間形成正 (+)極性材料的第二輔助層700以吸引電子。從而在半導(dǎo)體晶片100中產(chǎn)生的載流子容易漂移到第一透明導(dǎo)電層400或第二透明導(dǎo)電層800，由此提高了電池效率。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍下可以在本發(fā)明中做各種修改和變化。從而，只要修改和變化在附加的權(quán)利要求及其等效物的范圍內(nèi)， 本發(fā)明就旨在覆蓋這些修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種太陽(yáng)能電池，包括 具有預(yù)定極性的半導(dǎo)體晶片；在所述半導(dǎo)體晶片的一個(gè)表面上的第一半導(dǎo)體層； 在所述第一半導(dǎo)體層上的第一透明導(dǎo)電層； 在所述第一透明導(dǎo)電層上的第一電極；在所述半導(dǎo)體晶片的另一個(gè)表面上的第二半導(dǎo)體層，其中所述第二半導(dǎo)體層與所述第一半導(dǎo)體層的極性不同；在所述第二半導(dǎo)體層上的第二透明導(dǎo)電層； 在所述第二透明導(dǎo)電層上的第二電極；以及第一和第二輔助層中的至少一個(gè)，其中所述第一輔助層形成在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一透明導(dǎo)電層之間以便在所述半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到所述第一透明導(dǎo)電層，所述第二輔助層形成在第二半導(dǎo)體層和第二透明導(dǎo)電層之間以便在所述半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到第二透明導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述第一輔助層由負(fù)(_)極性材料層形成以吸引在所述半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的空穴，并且所述第二輔助層由正(+)極性材料層形成以吸引在所述半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的電子。
3.如權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其中所述第一輔助層包括富氧氧化物，并且所述第二輔助層包括稀氧氧化物。
4.如權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其中所述第一輔助層包括含第III族元素的氧化物，并且所述第二輔助層包括含第IV族元素的氧化物。
5.如權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能電池，其中所述第一輔助層包括Al203、Gii203、或In2O3，所述第二輔助層包括SiOx、TiOx, &0x、或HfOx。
6.如權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其中所述第一半導(dǎo)體層由P型半導(dǎo)體層形成，并且所述第二半導(dǎo)體層由N型半導(dǎo)體層形成。
7.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述第一和第二半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)半導(dǎo)體層包括在所述半導(dǎo)體晶片上的輕摻雜半導(dǎo)體層和在所述輕摻雜半導(dǎo)體層上的重?fù)诫s半導(dǎo)體層。
8.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中在所述半導(dǎo)體晶片與所述第一半導(dǎo)體層之間和所述半導(dǎo)體晶片與所述第二半導(dǎo)體層之間的部分中的至少一個(gè)中還形成本征半導(dǎo)體層。
9.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述第一和第二透明導(dǎo)電層中的至少一個(gè)由包含SiO的化合物形成。
10.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述第一電極形成為預(yù)定的圖案以接收入射的太陽(yáng)光線(xiàn)。
11.如權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中所述第一或第二輔助層的厚度不大于3nm。
12.一種用于制造太陽(yáng)能電池的方法，包括在具有預(yù)定極性的半導(dǎo)體晶片的一個(gè)表面上形成第一半導(dǎo)體層； 在所述第一半導(dǎo)體層上形成第一透明導(dǎo)電層； 在所述第一透明導(dǎo)電層上形成第一電極；在半導(dǎo)體晶片的另一個(gè)表面上形成第二半導(dǎo)體層，其中所述第二半導(dǎo)體層與所述第一半導(dǎo)體層的極性不同；在所述第二半導(dǎo)體層上形成第二透明導(dǎo)電層； 在所述第二透明導(dǎo)電層上形成第二電極；以及形成第一和第二輔助層中的至少一個(gè)，其中所述第一輔助層形成在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一透明導(dǎo)電層之間以便半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到第一透明導(dǎo)電層，并且第二輔助層形成在第二半導(dǎo)體層和第二透明導(dǎo)電層之間以便半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到第二透明導(dǎo)電層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成第一輔助層的工藝包括形成負(fù)(_)極性的富氧氧化物層以吸引在半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的空穴，以及其中形成第二輔助層的工藝包括形成正(+)極性的稀氧氧化物層以吸引在半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的電子。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中形成第一半導(dǎo)體層的工藝?yán)ㄐ纬蒔型半導(dǎo)體層，以及其中形成第二半導(dǎo)體層的工藝包括形成N型半導(dǎo)體層。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述半導(dǎo)體晶片與所述第一半導(dǎo)體層之間和在所述半導(dǎo)體晶片與所述第二半導(dǎo)體層之間的部分中的至少一個(gè)中的另外的本征半導(dǎo)體層。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成第一和第二半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)的工藝包括在所述半導(dǎo)體晶片上形成輕摻雜半導(dǎo)體層，和在所述輕摻雜半導(dǎo)體層上形成重?fù)诫s半導(dǎo)體層。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成輕摻雜半導(dǎo)體層的工藝和形成重?fù)诫s半導(dǎo)體層的工藝在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)部順序進(jìn)行。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中形成輕摻雜半導(dǎo)體層的工藝在準(zhǔn)備成預(yù)定摻雜劑氣氛的反應(yīng)室中進(jìn)行，而不向反應(yīng)室內(nèi)部提供其他的摻雜劑，并且其中形成重?fù)诫s半導(dǎo)體層的工藝在向反應(yīng)室內(nèi)部提供預(yù)定的摻雜劑的情況下進(jìn)行。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成第一透明導(dǎo)電層的工藝和形成第二透明導(dǎo)電層的工藝中的至少一個(gè)包括通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積來(lái)形成包含SiO的化合物。
全文摘要
公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池及其制造方法，便于通過(guò)使半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子諸如空穴或電子平穩(wěn)地漂移到第一和第二電極來(lái)提高電池效率，該太陽(yáng)能電池包括具有預(yù)定極性的半導(dǎo)體晶片；在半導(dǎo)體晶片的一個(gè)表面上的第一半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo)體層上的第一透明導(dǎo)電層；在第一透明導(dǎo)電層上的第一電極；在半導(dǎo)體晶片的另一個(gè)表面上的第二半導(dǎo)體層，其中第二半導(dǎo)體層與第一半導(dǎo)體層的極性不同；在第二半導(dǎo)體層上的第二透明導(dǎo)電層；在第二透明導(dǎo)電層上的第二電極；第一和第二輔助層中的至少一個(gè)，其中第一輔助層形成在第一半導(dǎo)體層和第一透明導(dǎo)電層之間以便半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到第一透明導(dǎo)電層，第二輔助層形成在第二半導(dǎo)體層和第二透明導(dǎo)電層之間以便半導(dǎo)體晶片中產(chǎn)生的載流子平穩(wěn)地漂移到第二透明導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)H01L31/0352GK102263141SQ201110144670
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月27日
發(fā)明者李正賢 申請(qǐng)人:周星工程股份有限公司