專利名稱：一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法
一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電磁波技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法。背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，電磁波技術(shù)逐漸深入到人們的生活中，例如通訊、飲食、交通、網(wǎng)絡(luò)等方面。超材料作為一種新興材料，由于具有天然材料所不具備的超常物理性質(zhì)，可以對電場、或者磁場、或者電場和磁場同時進行響應(yīng)，從而在電磁波技術(shù)的應(yīng)用中扮演著重要的角色。超材料對電場的響應(yīng)取決于超材料的介電常數(shù)，而對磁場的響應(yīng)取決于超材料的磁導(dǎo)率。因此通過對超材料空間中每一點的介電常數(shù)與磁導(dǎo)率的控制，可以實現(xiàn)對電磁波的控制。現(xiàn)有技術(shù)中，通過電磁透鏡天線或者反射天線對電磁波束進行調(diào)制。但是在對現(xiàn)有技術(shù)的研究和實踐過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中采用的電磁波束調(diào)制設(shè)備體積大、對形狀也有很高的要求，難以靈活設(shè)計。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法，能夠靈活的對超材料空間中的電磁參數(shù)進行精確的控制，實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一實施例提供了一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法，包括根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線；以電磁參數(shù)均勻分布的材料為基板，根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔，對所述電磁波束進行調(diào)制。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點通過已知的折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，得出電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線，然后根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在電磁參數(shù)均勻分布的基板上布孔，從而可以控制基板上布孔區(qū)域的電磁參數(shù)分布，實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制，設(shè)計靈活，簡單方便。

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖；圖2是本發(fā)明實施例二提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖；圖3是本發(fā)明實施例二提供的布孔后的基板對平行電磁波進行發(fā)散的示意圖4是本發(fā)明實施例三提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖；圖5是本發(fā)明實施例三提供的布孔后的基板對平行電磁波進行會聚的示意圖； 圖6是本發(fā)明實施例提供的布孔后的基板對平行電磁波進行發(fā)散的示意圖7是本發(fā)明實施例提供的布孔后的基板對平行電磁波進行會聚的示意圖。
具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。首先，為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方法，首先對本發(fā)明的技術(shù)方案進行簡要介紹由于電磁波的折射率η與成正比關(guān)系(其中ε為介電常數(shù)，μ為磁導(dǎo)率)，當電磁波束由一種介質(zhì)傳播到另外一種介質(zhì)時，電磁波束會發(fā)生折射，因此，當物質(zhì)內(nèi)部的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率，即電磁參數(shù)分布非均勻時，電磁波束就會發(fā)生偏折。本發(fā)明技術(shù)方案根據(jù)所需電磁波束偏折方向，以及η與成正比的關(guān)系，得到電磁參數(shù)分布曲線，然后根據(jù)該電磁參數(shù)分布曲線在均勻介質(zhì)基板上布孔的方式，通過改變孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比，改變介質(zhì)基板的電磁參數(shù)分布，當有電磁波束通過介質(zhì)基板時，電磁波束就會按照所需的方向偏折，從而實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制。實施例一、參見圖1，為本發(fā)明實施例一提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖，該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟SlOl 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中，電磁參數(shù)包括介電常數(shù)和磁導(dǎo)率。其中，電磁參數(shù)分布曲線為拋物線，或者類似拋物線的曲線。其中，基板可以為陶瓷、云母、高分子材料、或者金屬氧化物。S102 以電磁參數(shù)均勻分布的材料為基板，根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在基板上布孔， 對電磁波束進行調(diào)制。其中，孔的橫截面為任意形狀，各孔內(nèi)所填充的材料種類可以相同或者不同。打孔之后的基板形成新的超材料，其電磁參數(shù)分布會改變，當有電磁波束經(jīng)過該超材料時，電磁波束會沿著預(yù)設(shè)的方向會聚或發(fā)散。本實施例中，通過已知的折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，得出電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線，然后根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在電磁參數(shù)均勻分布的基板上布孔，從而可以控制基板上布孔區(qū)域的電磁參數(shù)分布，實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制，設(shè)計靈活，簡單方便。實施例二、參見圖2，為本發(fā)明實施例二提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖， 該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟
S201 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向發(fā)散所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中，電磁參數(shù)分布曲線為開口向上的拋物線，或者與開口向上的拋物線類似的曲線。S202 根據(jù)S201步驟獲得的電磁參數(shù)分布曲線，在基板上按照從中間位置到兩邊位置孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比不斷減小的條件布孔，對電磁波束進行發(fā)散。具體的，在基板上按照如下條件布孔在基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi)，孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷減?。辉诿總€帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)減小到χ2， 第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從χ3連續(xù)減小到χ4，且滿足χ2 < χ3。其中，在基板上布孔之前，還包括預(yù)設(shè)孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)小于基板材料的介電常數(shù)，孔內(nèi)可以填充相同種類的材料或者不同種類的材料，只要孔內(nèi)填充材料后電磁參數(shù)分布，與電磁波束按預(yù)設(shè)方向發(fā)散所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線相對應(yīng)即可，在具體的實施過程中根據(jù)具體的要求進行選擇。其中孔的直徑一般在λ /10與λ之間，其中λ為電磁波的波長?？梢岳斫獾氖牵诨迳喜伎讜r，當孔的體積大時，孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的減小， 當孔的體積小時，孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的增大。本實施例中，已知的折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，得出電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線，然后根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在電磁參數(shù)均勻分布的基板上布孔，通過改變孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比例，實現(xiàn)對電磁波的發(fā)散，設(shè)計靈活， 簡單方便。實施例三、參見圖3，為本發(fā)明實施例三提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖， 該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟S301 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向會聚所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中，電磁參數(shù)分布曲線為開口向下的拋物線；或者與開口向下的拋物線類似的曲線。S302 根據(jù)S301步驟獲得的電磁參數(shù)分布曲線，在基板上按照從中間位置到兩邊位置孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比不斷增大的條件布孔，對電磁波束進行會聚。具體的，在基板上按照如下條件布孔在基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi)，孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷增大；在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)增大到x2， 第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)增大到x4，且滿足x2 > x3。其中，在基板上布孔之前，還包括預(yù)設(shè)孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)小于基板材料的介電常數(shù)，孔內(nèi)可以填充相同種類的材料或者不同種類的材料，只要孔內(nèi)填充材料后電磁參數(shù)分布，與電磁波束按預(yù)設(shè)方向會聚所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線相對應(yīng)即可，在具體的實施過程中根據(jù)具體的要求進行選擇。其中孔的直徑一般在λ /10與λ之間，其中λ為電磁波的波長。
可以理解的是，在基板上布孔時，當孔的體積大時，孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的減小， 當孔的體積小時，孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的增大。本實施例中，已知的折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，得出電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線，然后根據(jù)電磁參數(shù)分布曲線在電磁參數(shù)均勻分布的基板上布孔，通過改變孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比例，實現(xiàn)對電磁波的會聚，設(shè)計靈活，簡單方便。實施例四、參見圖4，為本發(fā)明實施例四提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖， 該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟S401 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向發(fā)散所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中，電磁參數(shù)分布曲線為開口向上的拋物線；或者與開口向下的拋物線類似的曲線。S402 根據(jù)S401步驟獲得的電磁參數(shù)分布曲線，在基板上按照從中間位置到兩邊位置孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比不斷增大的條件布孔，對電磁波束進行發(fā)散。具體的，在基板上按照如下條件布孔在基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi)，孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷增大；在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)增大到 x2，第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)增大到x4，且滿足x2 > x3。其中，在基板上布孔之前，還包括預(yù)設(shè)孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板材料的介電常數(shù)，孔內(nèi)可以填充相同種類的材料或者不同種類的材料，只要孔內(nèi)填充材料后電磁參數(shù)分布，與電磁波束按預(yù)設(shè)方向發(fā)散所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線相對應(yīng)即可，在具體的實施過程中根據(jù)具體的要求進行選擇。其中孔的直徑一般在λ /10與λ之間，其中λ為電磁波的波長?？梢岳斫獾氖?，在基板上布孔時，當孔的體積大時，孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的減小， 當孔的體積小時，孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的增大。本實施例相對于實施例二，孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板材料的介電常數(shù)。實施例五、參見圖5，為本發(fā)明實施例五提供的一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法流程圖， 該電磁波束調(diào)制方法包括如下步驟S501 根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向會聚所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線。其中，電磁參數(shù)分布曲線為開口向下的拋物線；或者與開口向下的拋物線類似的曲線。S502 根據(jù)S501步驟獲得的電磁參數(shù)分布曲線，在基板上按照從中間位置到兩邊位置孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比不斷減小的條件布孔，對電磁波束進行會聚。具體的，在基板上按照如下條件布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi)，孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷減?。辉诿總€帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)減小至Ijx2，第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)減小到x4，且滿足x2<x3。其中，在基板上布孔之前，還包括預(yù)設(shè)孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板材料的介電常數(shù)，孔內(nèi)可以填充相同種類的材料或者不同種類的材料，只要孔內(nèi)填充材料后電磁參數(shù)分布，與電磁波束按預(yù)設(shè)方向會聚所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線相對應(yīng)即可，在具體的實施過程中根據(jù)具體的要求進行選擇。其中孔的直徑一般在λ /10與λ之間，其中λ為電磁波的波長。可以理解的是，在基板上布孔時，當孔的體積大時，孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的減小， 當孔的體積小時，孔的數(shù)量的密度相應(yīng)的增大。本實施例相對于實施例三，孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板材料的介電常數(shù)。參見圖6，為本發(fā)明實施例提供的布孔后的基板對平行電磁波進行發(fā)散的示意圖。如圖所示基板的帶狀區(qū)域601存在8個折射率連續(xù)變化的子區(qū)域。第一個區(qū)域的折射率從nl連續(xù)減小到π2，第二個區(qū)域的折射率從π3連續(xù)減小到η4，第三個區(qū)域的折射率從η5連續(xù)減小到η6，第四個區(qū)域的折射率從π7連續(xù)減小到η8，其中η2 < η3,η4 < η5, η6 < η7 ；第五個區(qū)域的折射率從η8連續(xù)增大到η15，第六個區(qū)域的折射率從η14連續(xù)增大到η13，第七個區(qū)域的折射率從η12連續(xù)增大到nil，第八個區(qū)域的折射率從nlO連續(xù)增大到n9，其中nl5 >nl4，nl3 >nl2，nll >η10。當平行電磁波入射時，基板上布孔后所得的超材料具有上述折射率分布規(guī)律時，出射電磁波均向第四個區(qū)域與第五個區(qū)域的交界處發(fā)散。本發(fā)明中各個子帶狀區(qū)域內(nèi)的超材料的折射率既可以為線性連續(xù)變化，也可以為非線性連續(xù)變化。參見圖7，為本發(fā)明實施例提供的布孔后的基板對平行電磁波進行會聚的示意圖。如圖所示基板的帶狀區(qū)域701存在8個折射率連續(xù)變化的子區(qū)域。第一個區(qū)域的折射率從nl連續(xù)增大到π2，第二個區(qū)域的折射率從n3連續(xù)增大到η4，第三個區(qū)域的折射率從η5連續(xù)增大到η6，第四個區(qū)域的折射率從η7連續(xù)增大到η8，其中η2 > η3,η4 > η5, η6 > η7 ；第五個區(qū)域的折射率從η8連續(xù)減小到η15，第六個區(qū)域的折射率從η14連續(xù)減小到η13，第七個區(qū)域的折射率從η12連續(xù)減小到nil，第八個區(qū)域的折射率從nlO連續(xù)減小到n9，其中nl5 <nl4，nl3 <nl2，nll <η10。當平行電磁波入射時，基板上布孔后所得的超材料具有上述折射率分布規(guī)律時，出射電磁波均向第四個區(qū)域與第五個區(qū)域的交界處會聚。本發(fā)明中各個子帶狀區(qū)域內(nèi)的超材料的折射率既可以為線性連續(xù)變化，也可以為非線性連續(xù)變化。以上針對基板上的孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)小于基板的介電常數(shù)情況列舉實施例進行了描述，在具體的實施過程中，并不限于的孔內(nèi)填充材料的介電常數(shù)小于基板的介電常數(shù)。當?shù)目變?nèi)填充材料的介電常數(shù)大于基板的介電常數(shù)，可以根據(jù)上述實施例得出相對應(yīng)的實施例，此處不再贅述。以上對本發(fā)明實施例進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想； 同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法，其特征在于，包括根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線；以電磁參數(shù)均勻分布的材料為基板，根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔， 對所述電磁波束進行調(diào)制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔之前，還包括預(yù)設(shè)在所述基板上布的孔內(nèi)所填充材料的介電常數(shù)小于所述基板的介電常數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔，包括當所述電磁參數(shù)分布曲線為開口向上的拋物線或者類似拋物線的曲線時，在所述基板上按照如下條件進行布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi)，孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷減??；在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)減小到x2，第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)減小到x4，且滿足x2 < x3。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，對所述電磁波束進行調(diào)制，包括對所述電磁波進行發(fā)散。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔，包括當所述電磁參數(shù)分布曲線為開口向下的拋物線或者類似拋物線的曲線時，在所述基板上按照如下條件進行布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi)，孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷增大；在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)增大到x2，第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)增大到x4，且滿足x2 > x3。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對所述電磁波束進行調(diào)制，包括對所述電磁波束進行會聚。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔之前，還包括預(yù)設(shè)在所述基板上布的孔內(nèi)所填充材料的介電常數(shù)大于所述基板的介電常數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔，包括當所述電磁參數(shù)分布曲線為開口向上的拋物線或者類似拋物線的曲線時，在所述基板上按照如下條件進行布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi)，孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷增大；在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)增大到x2，第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)增大到x4，且滿足x2 > x3。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，對所述電磁波束進行調(diào)制，包括對所述電磁波進行發(fā)散。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔，包括當所述電磁參數(shù)分布曲線為開口向下的拋物線或者類似拋物線的曲線時，在所述基板上按照如下條件進行布孔在所述基板上的每個帶狀區(qū)域內(nèi)，孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從中間位置到兩邊位置不斷減??；在每個帶狀區(qū)域內(nèi)兩個相鄰的第一區(qū)域與第二區(qū)域滿足第一區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從Xl連續(xù)減小到χ2，第二區(qū)域的孔內(nèi)填充材料與基板材料的體積比從x3連續(xù)減小到χ4，且滿足χ2 < χ3。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，對所述電磁波束進行調(diào)制，包括對所述電磁波束進行會聚。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板上的各孔中所填充的材料種類相同或者不同。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供了一種基于超材料的電磁波束調(diào)制方法，包括根據(jù)折射率與電磁參數(shù)之間的關(guān)系，獲取電磁波束按預(yù)設(shè)方向偏折所對應(yīng)的電磁參數(shù)分布曲線；以電磁參數(shù)均勻分布的材料為基板，根據(jù)所述電磁參數(shù)分布曲線在所述基板上布孔，對所述電磁波束進行調(diào)制。以靈活對超材料空間中的電磁參數(shù)進行精確的控制，進而實現(xiàn)對電磁波束的調(diào)制。
文檔編號H01Q15/00GK102480015SQ201110121008
公開日2012年5月30日 申請日期2011年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月11日
發(fā)明者劉若鵬, 張賢高, 繆錫根, 趙治亞 申請人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司, 深圳光啟高等理工研究院