專利名稱：帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多芯片模塊的封裝領(lǐng)域，具體地說，本發(fā)明涉及一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板及其方法。
背景技術(shù)：
多芯片模塊(MCM，Multi Chip Module)是在一個封裝內(nèi)包含了多個半導(dǎo)體管芯，并且半導(dǎo)體管芯之間的互連是通過金屬鍵合線及基板上的金屬互連線完成。通常， 多芯片模塊封裝所采用的基板是一塊多層互連基板，可以由低溫共燒陶瓷(LTCC，Low Temperature Co-fired Ceramic)技術(shù)或多層層壓基板制造。LGA(Land Grid Array)封裝是多芯片模塊常用的一種半導(dǎo)體封裝形式，其采用多層層壓基板，在金屬材料層上可以制作互連走線；相鄰的不同金屬材料層由絕緣材料層隔離；位于不同金屬材料層上的走線可以通過貫穿絕緣材料層的過孔相互連接。LGA基板的金屬互連可以用于制作射頻電感元件、 表面貼裝元件(SMD，Surface Mounted Device)焊接焊盤。用于無線通信領(lǐng)域的射頻電路由于需要用電感、電容等無源器件制作匹配網(wǎng)絡(luò)和濾波網(wǎng)絡(luò)，通常不能做到單芯片集成。采用LGA封裝形式則可以通過貼裝電感、電容等方式以達到封裝集成的目的。目前，射頻功率放大器模塊以及集成有射頻天線開關(guān)的射頻前端模塊產(chǎn)品絕大多數(shù)是采用LGA封裝，金屬層數(shù)通常為2到4層，同時內(nèi)部貼裝有電感、電容甚至濾波器等器件。如圖Ia所示，為一個采用2層金屬層LGA封裝的多芯片模塊的示意圖。如圖所示， 多芯片模塊100中包含兩個貼裝在其上表面金屬層的管芯Ul和U2。通過鍵合線108，可以將Ul和U2上相應(yīng)管芯鍵合焊盤相互連接起來，或者將Ul和U2上的管芯鍵合焊盤連接到 LGA基板上的相應(yīng)管腳107，也可以將Ul和U2上的管芯鍵合焊盤連接到LGA基板上表面的相應(yīng)基板鍵合焊盤上。將LGA基板上表面金屬層上的走線制作為平面螺旋結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)電感元件，如圖Ia中所示的平面螺旋電感101及102。由于通常LGA封裝中金屬層的厚度可以達到幾十甚至上百微米，使得其制作的平面螺旋電感的寄生電阻很小，從而使電感元件有較高的品質(zhì)因子⑴值)，這對于提高射頻電路的性能是非常有意義的。如圖Ia所示， 管芯U2上的管芯鍵合焊盤通過鍵合線108連接到了平面螺旋電感102的一端；平面螺旋電感102的另外一端通過過孔103連接到了 LGA基板下表面金屬層的走線104的一端；走線 104的另外一端連接到了 LGA模塊的管腳107，這就實現(xiàn)了管芯U2上管芯鍵合焊盤與LGA 模塊管腳107的相互電氣連接。并且，在LGA基板上表面上，還可以貼裝SMD元件，如圖Ia 中所示的109。SMD元件109通?？梢允请娮?、電容、電感、二極管等無源器件，通過鍵合線 108及LGA基板金屬層走線，SMD元件109可以非常方便地連接到模塊內(nèi)的管芯及模塊的管腳?？梢钥吹剑琇GA封裝形式為多芯片模塊內(nèi)的信號互連提供了很大的靈活性，尤其是在射頻應(yīng)用中，它可以集成高質(zhì)量的無源器件(如高Q值的平面螺旋電感、SMD元件等)，使得射頻多芯片模塊具有較高的性能。然而，LGA封裝形式也有一些缺點。首先，LGA基板的制造工藝非常復(fù)雜，需要經(jīng)過一系列材料層壓、鉆孔、填充導(dǎo)電導(dǎo)熱材料、光刻腐蝕金屬層、電鍍金屬等步驟，使得LGA封裝的價格昂貴。其次，由于LGA基板材料通常是用導(dǎo)熱性能不佳的樹脂材料制作，在大功率應(yīng)用下芯片散熱也受到很大限制。并且，通常LGA背面金屬層都需要走線，就破壞了其背面接地金屬焊盤的完整性，或使其背面接地金屬焊盤的面積減小，不利于LGA封裝的半導(dǎo)體器件在PCB上的貼裝。無引線方形扁平封裝(QFN，Quad Flat Non-leaded package)是一種基于金屬框架的無引腳封裝，其封裝中央位置有大面積裸露的管芯貼裝焊盤(DAP，Die Attach Paddle)，具有導(dǎo)熱作用。采用集成無源器件(IPD，Integrated Passive Device)工藝，將射頻電路中所需的電感、電容等無源器件制作在一個半導(dǎo)體管芯上，進而可以在QFN上實現(xiàn)功能較為簡單的射頻功率放大器模塊、前端模塊。如圖Ib所示為一個采用QFN封裝的多芯片模塊。QFN封裝在金屬框架上直接貼裝半導(dǎo)體管芯(如圖Ib中所示的管芯Ul、U2和 U3)，使得制造工藝比LGA封裝簡單得多。然而，相對于LGA封裝形式，QFN金屬框架上不能提供互連走線，使得多芯片之間僅能通過芯片間金屬鍵合線互連，不能滿足多數(shù)多芯片模塊設(shè)計要求。美國專利US7154169中所提出的技術(shù)方案，通過在QFN管腳之間安置金屬線形成非相鄰管腳間互連，也未能很好解決芯片間互連問題。并且，為了放置這種互連金屬線，會導(dǎo)致金屬框架DAP背面接地金屬焊盤形狀不規(guī)則且接地面積減小，而規(guī)則的背面接地金屬焊盤是保證工業(yè)生產(chǎn)焊接良率的重要條件。另外，該專利也提出了在管腳間貼裝電容元件， 但是實際上很多電容需要貼裝在芯片之間或者與電感元件串聯(lián)使用，其方案也不能滿足此要求。對于射頻功率放大器模塊及射頻前端模塊而言，其背面金屬需要直接接地，并且要求有盡可能大的背面接地金屬焊盤來降低寄生接地電感以提供良好的射頻接地，保證芯片的電氣性能不會惡化。當(dāng)前無線通信產(chǎn)品設(shè)計要求射頻功率放大器模塊及射頻前端模塊尺寸盡可能小，而其功率指標并未降低，因此盡可能大的背面接地金屬焊盤也有利于模塊的散熱。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所生產(chǎn)的多芯片模塊基板走線不靈活，射頻電感值低等問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板， 其特征在于，所述封裝基板具有至少一個阱，所述阱中填充有絕緣材料形成阱結(jié)構(gòu)，且所述阱結(jié)構(gòu)的上表面上具有金屬圖形。進一步地，其中，所述金屬圖形為與所述封裝基板的管腳直接相連的金屬走線、貼裝表面貼裝器件的焊接焊盤、基板鍵合焊盤或倒扣安裝半導(dǎo)體芯片的焊球焊盤。進一步地，其中，所述金屬走線為單層或多層的金屬走線。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供了一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板制造方法，其特征在于，包括在金屬框架上制作至少一個阱；在所述阱中填充絕緣材料形成阱結(jié)構(gòu)，在填充完絕緣材料后的所述阱結(jié)構(gòu)的上表面制作金屬圖形。進一步地，其中，在金屬框架上下表面進行掩膜處理，然后再通過腐蝕或刻蝕在所述金屬框架上制作至少一個阱。進一步地，其中，在填充完絕緣材料后的所述阱結(jié)構(gòu)的上表面通過電鍍金屬或淀積金屬方式制作金屬圖形。進一步地，其中，所述金屬圖形進一步為與所述封裝基板的管腳直接相連的金屬走線、貼裝表面貼裝器件的焊接焊盤、基板鍵合焊盤或倒扣安裝半導(dǎo)體芯片的焊球焊盤。進一步地，其中，所述金屬圖形被絕緣材料覆蓋。進一步地，其中，所述金屬走線進一步為單層或多層的金屬走線。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板及其制造方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)所生產(chǎn)的多芯片模塊基板走線不靈活，射頻電感值低等問題；且制造工藝簡單、價格便宜、有完整的大面積接地焊盤、同時具有良好的散熱性能，并提供了高質(zhì)量的內(nèi)部互連方法。


圖Ia為現(xiàn)有的采用2層金屬層LGA封裝的多芯片模塊的示意圖；圖Ib為現(xiàn)有的采用QFN封裝的多芯片模塊的示意圖；圖加至圖2i為本發(fā)明實施例一所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板的制造方法示意圖；圖3a為本發(fā)明實施例二所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板的正面示意圖；圖北為本發(fā)明實施例二所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板的背面示意圖；圖3c及圖3d為本發(fā)明實施例二所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板的沿圖3a和北所示切線A-A的剖面圖；圖如為本發(fā)明實施例三所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板的正面示意圖；圖4b為本發(fā)明實施例三所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板的背面示意圖；圖如為本發(fā)明實施例三所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板沿圖如和4b 所示切線B-B的剖面圖； 圖4d為本發(fā)明實施例三所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板沿圖如和4b 所示切線B-B塑封之后的剖面圖；圖fe至圖5d為本發(fā)明實施例四所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板的第二種制造方法示意圖；圖6a至圖6c為本發(fā)明實施例五所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板的第三種制造方法示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明的主要思想是解決現(xiàn)有的多芯片模塊的封裝基板走線不靈活，射頻電感值低等問題。本發(fā)明提供了制造工藝簡單、價格便宜、有完整的大面積接地焊盤、同時具有良好的散熱性能的多芯片模塊封裝基板及方法。以下對具體實施方式
進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。為實現(xiàn)多芯片模塊的封裝基板，如圖加至21所示，本發(fā)明實施例一提供一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)金屬框架(WES，Well Embedded Substrate)的封裝基板的制造方法， 具體制作流程為(a)如圖加所示，取一塊厚度合適的金屬板201，其材料可以為銅、鋁、鐵、銅合金或鎳鐵合金等，并且金屬板201上下表面平整。這里可以根據(jù)實際應(yīng)用選取材料，本發(fā)明不做具體限定。(b)在金屬板201上下表面涂覆或貼裝用于定義圖形的掩膜，如圖2b所示，上表面掩膜202及下表面掩膜203。(c)如圖2c所示，對所述帶掩膜的金屬板201進行腐蝕(或刻蝕等等同技術(shù))，從金屬板201上表面向下腐蝕出阱204、205、206。這里在本發(fā)明中，“阱”指的是在金屬板上腐蝕出來，并且其腐蝕掉的部分的厚度小于金屬板的厚度，可以參照圖2c理解“阱”的定義。由上可知，阱的位置由步驟2b中上表面掩膜202所定義。(d)在所述帶有阱204、205、206的金屬板201上下表面涂覆或貼裝用于定義圖形的掩膜，如圖2d所示的上表面掩膜202及下表面掩膜203。(e)對所述帶有阱204、205、206且?guī)а谀さ慕饘侔?01進行腐蝕(或刻蝕等等同技術(shù))，從金屬板201下表面向上腐蝕。如圖2e可知，由于在本步驟的腐蝕中，原先的阱 205,206底部的金屬板部分被腐蝕掉，從而出現(xiàn)如圖2e所示的孔207及208，他們完全貫穿了金屬板201的厚度，而阱204仍然保持不變。在這里需要說明的是，在本發(fā)明中，需要區(qū)分 “孔”及“阱”的區(qū)別，通過參照圖2e，可以更加容易理解其區(qū)別。如圖加所示，在此步驟完成之后，金屬板201上形成了 TOS封裝基板管腳216部分及管芯貼裝區(qū)域(DAP) 217部分。(f)采用樹脂或塑料等絕緣材料填充上述步驟形成的阱204及孔207、208，如圖2f 所示，得到了上下表面都平整的WES封裝基板。這一步驟完成之后，在WES封裝基板上形成了阱結(jié)構(gòu)209及孔結(jié)構(gòu)210、211。這里需要說明的是，本發(fā)明中“阱結(jié)構(gòu)”是由絕緣材料填充“阱”而形成的，阱結(jié)構(gòu)由底部金屬以及其上的絕緣材料組成。通常阱結(jié)構(gòu)中絕緣材料周圍有金屬支撐，所述周圍金屬可以是完全包圍阱結(jié)構(gòu)的側(cè)圍，也可以是部分包圍。例如在如圖2f中，虛線框所示的阱結(jié)構(gòu)209，其側(cè)圍被周圍金屬所完全包圍，而在本發(fā)明的另外一個實施例中，阱結(jié)構(gòu)側(cè)圍可以被周圍金屬所部分包圍。(g)如圖2g所示，在上述TOS封裝基板的阱結(jié)構(gòu)209的上表面上，采用電鍍金屬 (或淀積金屬等等同技術(shù))的方法，形成金屬走線212。這里需要注意的是，本步驟形成的金屬走線212，還包括可以用于金屬線鍵合的鍵合焊盤(稱為基板鍵合焊盤)、可以用于貼裝SMD(SurfaCe Mounted Devices，表面貼裝器件)元件的焊接焊盤、可以用于倒扣安裝半導(dǎo)體芯片的焊球焊盤等；并且，通過增加淀積絕緣介質(zhì)層、光刻掩膜等步驟，阱結(jié)構(gòu)209上制作的金屬走線212可以是多層結(jié)構(gòu)。(h)上述幾個步驟已經(jīng)完成了 WES封裝基板制造的基本步驟，在基于WES封裝基板的半導(dǎo)體封裝制造中，本步驟將半導(dǎo)體管芯芯片213貼裝在TOS封裝基板中金屬板201的管芯貼裝區(qū)域(DAP) 217上表面、將SMD元件貼裝在制作于阱結(jié)構(gòu)209上的焊接焊盤上。然后進行金屬線鍵合作業(yè)，采用鍵合線214完成管芯鍵合焊盤、基板鍵合焊盤及TOS管腳之間的相應(yīng)互連，如圖所示。(i)為了完成基于WES封裝基板的半導(dǎo)體器件的封裝，通常在上述完成管芯和SMD 元件貼裝及鍵合作業(yè)的WES基板上采用密封樹脂215等材料進行密封作業(yè)，使得WES封裝基板上表面、管芯和SMD元件以及鍵合線等都完全包覆在密封材料中，即發(fā)明內(nèi)容中所述的金屬圖形被絕緣材料覆蓋。這就完成了基于WES基板的半導(dǎo)體器件的封裝，如圖2i所示。如圖3a至3d所示，為采用本發(fā)明所提出的WES基板封裝的一個多芯片模塊，作為本發(fā)明的實際操作的第一個實施例。一個多芯片模塊300，其采用了如上述制作流程所制作的WES封裝基板，TOS封裝基板的上表面金屬DAP部分302貼裝了兩個半導(dǎo)體管芯Ul及 U2。兩個半導(dǎo)體管芯Ul及U2上的管芯鍵合焊盤，通過鍵合線303相互連接；鍵合線303還可以將兩個半導(dǎo)體管芯Ul及U2上的管芯鍵合焊盤連接到相應(yīng)的WES封裝基板管腳304上或者DAP部分302上。如圖3a所示，DAP部分302及其周圍的管腳304為金屬材料，陰影部分標示的308、 305則為絕緣材料，其中虛線框所標示的305部分為阱結(jié)構(gòu)，在阱結(jié)構(gòu)305的上表面，采用前述工藝步驟制作了金屬走線，如圖3a所示，包括了平面螺旋電感306、貼裝SMD元件307的焊接焊盤309及其相應(yīng)走線以及基板的鍵合焊盤310等。通過鍵合線303，可以將平面螺旋電感306、貼裝SMD元件307連接到半導(dǎo)體管芯的鍵合焊盤310、WES基板管腳304等進行互連，從而可以將制作或貼裝在阱結(jié)構(gòu)305上表面的元件連接到電路之中。這里需要說明的是，通過電鍍或淀積方式在阱結(jié)構(gòu)305上表面制作的金屬走線，其厚度通?？梢愿哌_數(shù)十微米甚至更高，使得其寄生電阻很小，電感Q值很高，這有助于提高射頻應(yīng)用多芯片模塊的性能。如圖北所示為多芯片模塊300的背面示意圖，可以看到盡管阱結(jié)構(gòu)上制作了金屬走線，302部分的背面仍然是大面積完整且形狀規(guī)則的，其完整性由于采用了阱結(jié)構(gòu)而得到了保全，這也是本發(fā)明所提出的WES基板的一個發(fā)明目的。這里需要說明的是，WES封裝基板這種面積最大化的接地焊盤，為半導(dǎo)體管芯提供了良好的電氣接地及導(dǎo)熱通路，非常有助于提高射頻應(yīng)用多芯片模塊的性能。從如圖3c所示的剖面圖(沿A-A切線方向)上，也可以看到阱結(jié)構(gòu)的阱結(jié)構(gòu)305部分與金屬板302、WES封裝基板管腳304、孔結(jié)構(gòu)308在厚度方向上的關(guān)系。如圖3d所示為完成樹脂密封之后的多芯片模塊的剖面圖(沿A-A切線方向)，312為密封材料。如上所述，可以看到基于TOS封裝基板的多芯片模塊封裝制作工藝簡單，僅在普通QFN封裝制作工藝上增加了阱結(jié)構(gòu)定義及制作、阱結(jié)構(gòu)上金屬連線制作等步驟，復(fù)雜度遠遠低于LGA封裝工藝。同時，由于在阱結(jié)構(gòu)上表面可以制作高Q值的金屬走線、平面螺旋電感、多層互連線結(jié)構(gòu)以及貼裝SMD元件等，相對于QFN封裝有更大的互連靈活性。并且， WES封裝基板能夠提供面積最大化的背面接地金屬焊盤，為半導(dǎo)體管芯提供了良好的電氣接地及導(dǎo)熱通路。因此，本發(fā)明所提出的WES封裝基板結(jié)構(gòu)，制造工藝簡單、價格便宜、有完整的大面積接地焊盤、同時具有良好的散熱性能，并提供了高質(zhì)量的內(nèi)部互連方法。需要說明的是，在上述實施例中，WES封裝基板上具有一個獨立的阱結(jié)構(gòu)305。事實上，根據(jù)本發(fā)明所提出的技術(shù)方案，在具體實施中可以根據(jù)需要在WES封裝基板上制作多個阱結(jié)構(gòu)。如圖如至4d所示的實際操作的第二個實施例，WES封裝基板上具有兩個獨立的阱結(jié)構(gòu)的虛線框404及410 (如圖如中虛線框所示)。其中阱結(jié)構(gòu)的虛線框404的特點是， 其側(cè)圍被金屬框架完全包圍，并且可以在其平整的上表面上制作金屬走線及SMD焊接焊盤等其他圖形，如圖中所示的平面螺旋電感405、貼裝SMD元件406的焊接焊盤411以及基板鍵合焊盤412。而阱結(jié)構(gòu)的虛線框410的特點是，其側(cè)圍被金屬框架部分包圍，并且可以在其平整的上表面上制作金屬走線及SMD焊接焊盤等其他圖形，如圖如中所示的平面螺旋電感408、連接到TOS封裝基板管腳401的金屬走線407、貼裝SMD元件409的焊接焊盤以及基板鍵合焊盤。如圖4b所示為多芯片模塊400的背面示意圖，可以看到盡管阱結(jié)構(gòu)的虛線框404及410上制作了金屬走線，DAP部分402的背面仍然是大面積完整且形狀規(guī)則的。從如圖如所示的剖面圖(沿B-B切線方向)上，也可以看到阱結(jié)構(gòu)的虛線框410部分與管芯貼裝區(qū)域402、孔結(jié)構(gòu)403、管腳401在厚度方向上的關(guān)系。如圖4d所示為完成樹脂密封之后的多芯片模塊的剖面圖(沿B-B切線方向)，414為密封材料。此外，本發(fā)明實施例還提供另外一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)金屬框架制作 (WES,ffell Embedded Substrate)的封裝基板的制造方法，如圖fe至5d所示，該方法具體步驟包括(a)將一塊厚度合適的金屬板801，上下表面涂覆或貼裝掩膜802、803，然后進行腐蝕(刻蝕)。(b)將另外一塊厚度合適的金屬板807，上下表面涂覆或貼裝掩膜808、809，然后進行腐蝕(刻蝕)。(c)將上述步驟(a)及步驟(b)得到的腐蝕后的兩塊金屬板拼接在一起，如圖5c 所示，可以看到本步驟形成了孔813、814及阱815。(d)采用樹脂或塑料等絕緣材料填充上述步驟形成的阱815及孔813、814，得到阱結(jié)構(gòu)818及孔結(jié)構(gòu)816、817。如圖5d所示可以看到，這里形成的阱結(jié)構(gòu)818及孔結(jié)構(gòu)816、 817與如圖池中所示的阱結(jié)構(gòu)209及孔結(jié)構(gòu)210、211是等價的。如圖6a至6c所示，對于上述實施例來說，TOS封裝基板的制造方法的另外一種制作流程(a)將一塊厚度合適的金屬板901，上下表面涂覆或貼裝掩膜902、903，然后進行腐蝕(刻蝕)。(b)在腐蝕過的金屬板上填充絕緣材料907、908、909，形成如圖6b所示的結(jié)構(gòu)。(c)在上述金屬板905、904及906部分上淀積(或稱填充)金屬材料，形成金屬 911、912、913及914部分，如圖6c所示?？梢钥吹?，這里形成的阱結(jié)構(gòu)910及孔結(jié)構(gòu)907、 908與如圖池中所示的阱結(jié)構(gòu)209及孔結(jié)構(gòu)210、211是等價的。需要說明的是，上述TOS封裝基板的制造方法及流程，僅作為形成TOS封裝基板的示例，而非對WES封裝基板制造方法的限定。任何與上述制造流程具有等同技術(shù)效果的方法，都可以用于制造WES封裝基板，在TOS封裝基板上形成絕緣材料填充的阱結(jié)構(gòu)，并在所述阱結(jié)構(gòu)上表面制作金屬走線。由于所述阱結(jié)構(gòu)嵌入金屬框架，使得WES封裝基板背面裸露的接地金屬焊盤部分不受阱結(jié)構(gòu)的制造影響，仍然可以保持大面積的裸露金屬焊盤。
如上所述，可以看到基于TOS封裝基板的多芯片模塊封裝制造工藝簡單，僅在普通QFN封裝制造工藝上增加了阱結(jié)構(gòu)定義及制造、阱結(jié)構(gòu)上金屬連線制造等步驟，復(fù)雜度遠遠低于LGA封裝工藝。同時，由于在阱結(jié)構(gòu)上表面可以制作高Q值的金屬走線、平面螺旋電感、多層互連線結(jié)構(gòu)以及貼裝SMD元件等，相對于QFN封裝有更大的互連靈活性。并且， WES封裝基板能夠提供面積最大化的背面接地金屬焊盤，為半導(dǎo)體管芯提供了良好的電氣接地及導(dǎo)熱通路。因此，本發(fā)明所提出的WES封裝基板結(jié)構(gòu)，制造工藝簡單、價格便宜、有完整的大面積接地焊盤、同時具有良好的散熱性能，并提供了高質(zhì)量的內(nèi)部互連方法。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板，其特征在于，所述封裝基板具有至少一個阱，所述阱中填充有絕緣材料形成阱結(jié)構(gòu)，且所述阱結(jié)構(gòu)的上表面上具有金屬圖形。
2.如權(quán)利要求1所述一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板，其特征在于，所述金屬圖形為與所述封裝基板的管腳直接相連的金屬走線、貼裝表面貼裝器件的焊接焊盤、基板鍵合焊盤或倒扣安裝半導(dǎo)體芯片的焊球焊盤。
3.如權(quán)利要求2所述一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板，其特征在于，所述金屬走線為單層或多層的金屬走線。
4.一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板制造方法，其特征在于，包括在金屬框架上制作至少一個阱；在所述阱中填充絕緣材料形成阱結(jié)構(gòu)，在填充完絕緣材料后的所述阱結(jié)構(gòu)的上表面制作金屬圖形。
5.如權(quán)利要求4所述一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板制造方法，其特征在于，在金屬框架上下表面進行掩膜處理，然后再通過腐蝕或刻蝕在所述金屬框架上制作至少一個阱。
6.如權(quán)利要求5所述一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板制造方法，其特征在于，在填充完絕緣材料后的所述阱結(jié)構(gòu)的上表面通過電鍍金屬或淀積金屬方式制作金屬圖形。
7.如權(quán)利要求6所述一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板制造方法，其特征在于，所述金屬圖形進一步為與所述封裝基板的管腳直接相連的金屬走線、貼裝表面貼裝器件的焊接焊盤、基板鍵合焊盤或倒扣安裝半導(dǎo)體芯片的焊球焊盤。
8.如權(quán)利要求6或7中任一所述一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板制造方法， 其特征在于，所述金屬圖形被絕緣材料覆蓋。
9.如權(quán)利要求7所述一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板制造方法，其特征在于，所述金屬走線進一步為單層或多層的金屬走線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板及其制造方法，其特征在于，所述封裝基板具有至少一個阱，所述阱中填充有絕緣材料形成阱結(jié)構(gòu)，且所述阱結(jié)構(gòu)的上表面上具有金屬圖形。所述方法包括在金屬框架上制作至少一個阱；在所述阱中填充絕緣材料形成阱結(jié)構(gòu)，在填充完絕緣材料后的所述阱結(jié)構(gòu)的上表面制作金屬圖形。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的帶有絕緣體填充的阱結(jié)構(gòu)的封裝基板及其制造方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)所生產(chǎn)的多芯片模塊基板走線不靈活，射頻電感值低等問題；且制造工藝簡單、價格便宜、有完整的大面積接地焊盤、同時具有良好的散熱性能，并提供了高質(zhì)量的內(nèi)部互連方法。
文檔編號H01L23/64GK102184906SQ20111007991
公開日2011年9月14日 申請日期2011年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月31日
發(fā)明者陳俊, 陳高鵬 申請人:銳迪科創(chuàng)微電子(北京)有限公司