專利名稱：扇出高密度封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，尤其涉及一種扇出高密度封裝方法。
背景技術(shù)：
晶圓級封裝(Wafer Level I^ackaging，WLP)技術(shù)是對整片晶圓進(jìn)行封裝測試后再切割得到單個成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片完全一致。晶圓級芯片尺寸封裝技術(shù)徹底顛覆了傳統(tǒng)封裝如陶瓷無引線芯片載具(Ceramic Leadless Chip Carrier)以及有機(jī)無引線芯片載具(Organic Leadless Chip Carrier)等模式，順應(yīng)了市場對微電子產(chǎn)品日益輕、小、短、薄化和低價化要求。經(jīng)晶圓級芯片尺寸封裝技術(shù)封裝后的芯片尺寸達(dá)到了高度微型化，芯片成本隨著芯片尺寸的減小和晶圓尺寸的增大而顯著降低。晶圓級芯片尺寸封裝技術(shù)是可以將IC設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、基板制造整合為一體的技術(shù)，是當(dāng)前封裝領(lǐng)域的熱點和未來發(fā)展的趨勢。扇出晶圓封裝是晶圓級封裝的一種。例如，中國發(fā)明專利申請第200910031885. 0 號公開一種晶圓級扇出芯片封裝方法，包括以下工藝步驟在載體圓片表面依次覆蓋剝離膜和薄膜介質(zhì)層I，在薄膜介質(zhì)層I上形成光刻圖形開口 I ；在圖形開口 I及其表面實現(xiàn)與基板端連接之金屬電極和再布線金屬走線；在與基板端連接之金屬電極表面、再布線金屬走線表面以及薄膜介質(zhì)層I的表面覆蓋薄膜介質(zhì)層II，并在薄膜介質(zhì)層II上形成光刻圖形開口 II ；在光刻圖形開口 II實現(xiàn)與芯片端連接之金屬電極；將芯片倒裝至與芯片端連接之金屬電極后進(jìn)行注塑封料層并固化，形成帶有塑封料層的封裝體；將載體圓片和剝離膜與帶有塑封料層的封裝體分離，形成塑封圓片；植球回流，形成焊球凸點；單片切割，形成最終的扇出芯片結(jié)構(gòu)。按照上述方法所封裝制造的最終產(chǎn)品僅具有單一的芯片功能。如需實現(xiàn)完整的系統(tǒng)功能，需要在最終產(chǎn)品之外加上包含有各種電容、電感或電阻等的外圍電路。此外，上述方法也不適用于具有復(fù)雜線路連接的多層封裝結(jié)構(gòu)的制造。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是如何實現(xiàn)具有多層結(jié)構(gòu)的扇出高密度封裝。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供扇出高密度封裝方法，包括步驟提供載板；在載板上形成剝離膜；在剝離膜上形成第一保護(hù)層，并在第一保護(hù)層上形成設(shè)計的光刻圖形開口 ；在第一保護(hù)層的表面及其光刻圖形開口中形成再布線金屬層；在第一保護(hù)層上形成帶有部分暴露再布線金屬層開口的第二保護(hù)層；在第二保護(hù)層上形成至少一組布線封裝層，形成所述布線封裝層的步驟包括依次形成正貼裝層、封料層和布線層，布線封裝層透過布線層與再布線金屬層導(dǎo)通；在布線封裝層上形成至少一組倒裝封裝層，形成倒裝封裝層的步驟包括依次形成倒貼裝層、底部填充和封料層；其中各組封裝層之間相互電連接；去除載板及剝離膜，裸露出第一保護(hù)層中的再布線金屬；在裸露的再布線金屬上形成金屬焊球。
可選地，在第二保護(hù)層上形成二組布線封裝層的具體步驟包括將包括芯片和無源器件的第一正貼裝層的功能面的相對一面貼于第二保護(hù)層上；將第二保護(hù)層上貼有第一正貼裝層的一面形成第一封料層，使第一正貼裝層中芯片和無源器件的功能焊盤裸露；在第一封料層中形成第一微通孔，并將第一微通孔金屬化填充形成與再布線金屬層導(dǎo)通的第一縱向金屬布線；在第一封料層上形成與第一縱向金屬布線連接的第一橫向金屬布線，第一縱向金屬布線與第一橫向金屬布線構(gòu)成第一布線層；在第一封料層上堆疊第二正貼裝層；在第一封料層上形成覆蓋第二正貼裝層的第二封料層，并暴露第二正貼裝層中芯片和無源器件的焊盤；在第二封料層中形成第二微通孔并將第二微通孔金屬化填充形成與第一布線層連接的第二縱向金屬布線；在第二封料層上形成與第二縱向金屬布線連接的第二橫向金屬布線，第二縱向金屬布線與第二橫向金屬布線構(gòu)成第二布線層?？蛇x地，在第二布線封裝層上形成一組倒裝封裝層的具體步驟包括將帶有焊料凸點的芯片倒裝于第二封料層的第二橫向金屬布線上形成第一倒貼裝層，第一倒貼裝層與第二布線層透過焊料凸點實現(xiàn)電互聯(lián)；用填充料填滿第一倒貼裝層的芯片與第二封料層間的間隙形成底部填充；在第二封料層上形成覆蓋第一倒貼裝層的第三封料層，使第一倒貼裝層被第三封料層的塑封料包覆密封?？蛇x地，所述橫向金屬布線將其所在封料層中芯片和/或無源器件導(dǎo)通互聯(lián)?？蛇x地，各組封裝層之間透過封料層中的布線層和焊料凸點來實現(xiàn)相鄰貼裝層或間隔貼裝層間的電互聯(lián)?？蛇x地，所述載板為硅晶圓或玻璃載板?？蛇x地，所述剝離膜為UV膠。可選地，形成剝離膜的方法為旋涂或印刷。可選地，形成所述保護(hù)層的材料為聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯?？蛇x地，形成再布線金屬層的方法為電鍍、化鍍或濺射?？蛇x地，所述貼裝層中包括芯片或包括芯片和無源器件?？蛇x地，所述正貼裝層的貼裝面為芯片和無源器件的功能面的相對一面?？蛇x地，所述倒貼裝層的貼裝面為芯片和無源器件的功能面?？蛇x地，封料層的材料為環(huán)氧樹脂?？蛇x地，封料層通過印刷、壓縮或轉(zhuǎn)注的方法而形成?？蛇x地，所述底部填充的填充料為高分子環(huán)氧樹脂。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明請求保護(hù)的扇出高密度封裝方法，將芯片和無源器件進(jìn)行整合后再一并封裝，可以形成包含整體系統(tǒng)功能而非單一的芯片功能的最終封裝產(chǎn)品， 相比現(xiàn)有的系統(tǒng)級封裝，高密度的圓片級系統(tǒng)封裝更是降低了系統(tǒng)內(nèi)電阻、電感以及芯片間的干擾因素，也更能順應(yīng)半導(dǎo)體封裝輕薄短小的趨勢要求。此外，本發(fā)明請求保護(hù)的扇出高密度封裝方法可以形成由多層芯片組所組成的立體封裝結(jié)構(gòu)，各層之間的布線層通過形成在各封料層上的微通孔連接，并可以與引線互聯(lián)組合起來靈活使用。因此可以制造比現(xiàn)有技術(shù)中更為復(fù)雜的多層互聯(lián)結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)密度更高的圓片系統(tǒng)級封裝。


圖1和圖2為本發(fā)明一個實施例中扇出高密度封裝方法流程圖；圖3至圖13為圖1和圖2所示流程中封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，所述示意圖只是實例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。如圖1和圖2所示，在本發(fā)明的一個實施例中，提供扇出高密度封裝方法，包括步驟SlOl，提供載板；S102，在載板上形成剝離膜；S103，在剝離膜上形成第一保護(hù)層，并在第一保護(hù)層上形成設(shè)計的光刻圖形開 Π ；S104，在第一保護(hù)層的表面及其光刻圖形開口中形成再布線金屬層；S105，在第一保護(hù)層上形成帶有部分暴露再布線金屬層開口的第二保護(hù)層；S106，將芯片和無源器件的功能面的相對面貼于第二保護(hù)層上，形成第一正貼裝層；S107，將第二保護(hù)層上貼有第一正貼裝層的一面形成第一封料層，使第一正貼裝層中芯片和無源器件的功能焊盤裸露；S108，在第一封料層中形成第一微通孔，并將第一微通孔金屬化填充，在第一封料層中形成第一縱向金屬布線；S109，在第一封料層上形成與第一縱向金屬布線連接的第一橫向金屬布線；Sl 10，在第一封料層107上堆疊第二正貼裝層109 ；S111，在第一封料層上形成覆蓋第二正貼裝層的第二封料層，并暴露第二正貼裝層中芯片和無源器件的焊盤；S112，在第二封料層中形成第二微通孔并將第二微通孔金屬化填充，在第二封料層中形成與第一布線層連接的第二縱向金屬布線；S113，在第二封料層上形成與第二縱向金屬布線連接的第二橫向金屬布線；S114，將帶有焊料凸點的芯片倒裝于第二封料層的第二橫向金屬布線上，形成第一倒貼裝層；S115，在第一倒貼裝層的芯片與第二封料層間用填充料形成底部填充；S116，在第二封料層上形成覆蓋第一倒貼裝層的第三封料層，使第一倒貼裝層被第三封料層的塑封料包覆密封；S117，去除載板及剝離膜，使第一保護(hù)層的光刻圖形開口中的再布線金屬裸露，所述裸露的金屬即為電性輸出端子；S118，在裸露的電性輸出端子上形成金屬焊球。
在本實施例中，首先執(zhí)行步驟S101，提供載板101。在本實施例中，載板101可以是硅質(zhì)晶圓或玻璃材質(zhì)，易剝離、抗腐蝕能力強(qiáng)，可以進(jìn)行重復(fù)利用。再執(zhí)行步驟S102，在載板101上形成剝離膜102，形成如圖3所示的結(jié)構(gòu)。在這一步驟中，載板101是用來承載后續(xù)第一正貼裝層106的基礎(chǔ)，當(dāng)然也是承載后續(xù)各層封裝結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。在載板101上形成的剝離膜102是用于將第一正貼裝層106固定在載板101上。在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施例中，剝離膜102采用UV膠。UV膠在未經(jīng)過紫外線照射時粘性很高，為上述各步驟的順利實施打好基礎(chǔ)；而經(jīng)過紫外光照射后材料內(nèi)的交聯(lián)化學(xué)鍵被打斷導(dǎo)致粘性大幅下降或消失，方便后續(xù)將載板101剝離。在本發(fā)明的具體實施方式
中，在載板101上形成剝離膜102的方法可以是通過旋涂或印刷等方法將剝離膜102涂覆在載板101上。這樣的方法在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。然后執(zhí)行步驟S103，在剝離膜102上形成第一保護(hù)層103，并在第一保護(hù)層103上形成設(shè)計的光刻圖形開口，形成如圖4所示的結(jié)構(gòu)。接著執(zhí)行步驟S104，即在第一保護(hù)層103的表面及其光刻圖形的開口中形成再布線金屬層104。在這一步驟中，第一保護(hù)層103的光刻圖形開口中的再布線金屬即為后續(xù)去除載板101和剝離膜102后裸露的電性輸出端子，第一保護(hù)層103表面的再布線金屬用以連接電性輸出端子和后續(xù)的上層布線。在本發(fā)明的具體實施方式
中，實現(xiàn)再布線金屬層104的方式可以例如是電鍍、化鍍或濺射等方式，這些方法的具體步驟已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。然后執(zhí)行步驟S105，在第一保護(hù)層103上形成帶有部分暴露再布線金屬層104開口的第二保護(hù)層105，形成如圖5所示的結(jié)構(gòu)。形成第一保護(hù)層103和第二保護(hù)層105的材料可以是聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯等； 形成開口的方法為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中已為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知的光刻顯影方法，在此不再贅述。接著執(zhí)行步驟S106，將第一正貼裝層106中的芯片和無源器件的功能面的相對一面貼于第二保護(hù)層105上，形成如圖6所示的結(jié)構(gòu)，第一正貼裝層106中芯片和無源器件的貼裝位置是依據(jù)設(shè)計的整體布線方案進(jìn)行設(shè)定。在本發(fā)明的具體實施方式
中，第一正貼裝層106的功能面，是指第一正貼裝層106 的中的芯片的焊盤和無源器件的焊盤所在表面。在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施例中，貼合于第二保護(hù)層105之上的第一正貼裝層 106及后續(xù)提及的貼裝層都可以包含一個或多個相同或不同芯片，還可以包括一個或多個相同或不同的無源器件。這些芯片和無源器件各自成為一個系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品的一部分，各自完成實現(xiàn)系統(tǒng)級功能中的一個或多個單獨的功能。在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施例中，第一正貼裝層106中的芯片與無源器件的組合是根據(jù)系統(tǒng)功能來設(shè)計的。因此，在一個或一組芯片的周圍，可能有相同或不同的另外的一個或一組芯片，或者相同或不同的電容、電阻或電感等無源器件；類似的，在一個無源器件的周圍，可能有相同或不同的其他的無源器件，或者一個或多個相同或不同芯片。然后執(zhí)行步驟S107，將第二保護(hù)層105上貼有第一正貼裝層106的一面形成第一封料層107，使第一正貼裝層106的芯片的焊盤和無源器件的焊盤裸露，即形成如圖7所示的結(jié)構(gòu)。在后續(xù)工藝過程中，第一封料層105既可保護(hù)第一正貼裝層106，又可作為后續(xù)工藝的承載體。在本發(fā)明的一個實施例中，形成第一封料層107的材料是環(huán)氧樹脂。這種材料的密封性能好，塑型容易，是形成第一封料層107的較佳材料。形成第一封料層107的方法可以例如是印刷、壓縮或轉(zhuǎn)注的方法。這些方法的具體步驟已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。再執(zhí)行步驟S108至步驟109，包括在第一封料層107上形成第一微通孔，第一微通孔是形成層間布線互聯(lián)的通道，與第二保護(hù)層105中暴露的開口相通，將第一微通孔金屬化填充，使第一封料層107中形成第一縱向金屬布線，該第一縱向金屬布線與第二保護(hù)層105中的再布線金屬層104導(dǎo)通互聯(lián)；在第一封料層107上形成第一橫向金屬布線，該第一橫向金屬布線在第一封料層107上形成第一正貼裝層106中芯片間或芯片與無源器件間的導(dǎo)通，具體地，所述第一橫向金屬布線與芯片和無源器件的焊盤表面相連，最后形成如圖 8所示的結(jié)構(gòu)。第一橫向金屬布線與第一縱向金屬布線連接成第一布線層108，第一布線層 108成為再布線金屬層104和后續(xù)上層布線的導(dǎo)通。然后執(zhí)行步驟S110，在第一封料層107上堆疊第二正貼裝層109。這里所說的堆疊，是指將第二正貼裝層109置于第一封料層107上的預(yù)定位置處。再執(zhí)行步驟S111，在第一封料層107上形成覆蓋第二正貼裝層109的第二封料層 110，并暴露第二正貼裝層109中芯片和無源器件的焊盤。形成第二封料層110的材料可以與形成第一封料層107的材料相同，即采用環(huán)氧樹脂來形成第二封料層110。然后執(zhí)行步驟S112，在第二封料層110上形成第二微通孔并將其金屬化填充。第二微通孔穿透第二封料層110。和第一微通孔相似，第二微通孔也是形成層間布線互聯(lián)的通道。再在第二封料層110中形成與第一橫向金屬布線相通的第二縱向金屬布線，該第二縱向金屬布線與第一封料層107的第一布線層108導(dǎo)通互聯(lián)。再執(zhí)行步驟S113，在第二封料層110上形成與第二縱向金屬布線連接的第二橫向金屬布線層，該第二橫向金屬布線在第二封料層110上形成第二正貼裝層109中芯片間或芯片與無源器件間的導(dǎo)通，具體地，所述第二金屬橫向布線與芯片和無源器件的焊盤表面相連，即形成如圖9所示的結(jié)構(gòu)。第二橫向金屬布線與第二縱向金屬布線連接成第二布線層111，第二布線層111成為第一布線層108和后續(xù)上層布線的導(dǎo)通，也即形成了第二正貼裝層109與第一正貼裝層106間的系統(tǒng)互聯(lián)。然后執(zhí)行步驟Sl 14，將帶有焊料凸點113的芯片倒裝于第二封料層110的第二橫向金屬布線上，形成第一倒貼裝層112。此時，倒裝芯片通過其焊料凸點113實現(xiàn)了與第二布線層111間的電互聯(lián)，也即形成了第一倒貼裝層112與第二正貼裝層109、第一正貼裝層 106間的系統(tǒng)互聯(lián)。在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施例中，可根據(jù)設(shè)計需要在倒裝芯片的周圍貼裝無源器件，此時無源器件的貼裝方向可與芯片的貼裝方向一致以簡化工藝流程，具體地可以是將無源器件的功能焊盤貼裝在布線層的預(yù)定位置上來實現(xiàn)電互聯(lián)，貼裝的具體步驟已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。接著執(zhí)行步驟S115，在第一倒貼裝層112的芯片與第二封料層110間用填充料 114形成底部填充，形成如圖10所示的結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的一個實施例中，形成底部填充的填充料114是高分子環(huán)氧樹脂。這種材料的的流動性好，能夠充分填充倒裝芯片與封料層間的間隙，避免后續(xù)封料層中內(nèi)部空洞等可靠性問題。形成填充料114的方法主要是點膠，具體的點膠方式已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。然后執(zhí)行步驟S116，在第二封料層110上形成覆蓋第一倒貼裝層112的第三封料層115，使第一倒貼裝層112被第三封料層115的塑封料包覆密封，形成如圖11所示的結(jié)構(gòu)。形成第三封料層115的材料可以與形成第一封料層107和第二封料層110的材料相同， 即采用環(huán)氧樹脂來形成第三封料層115。再執(zhí)行步驟S117，去除載板101及剝離膜102，使第一保護(hù)層103的光刻圖形開口中的再布線金屬裸露，形成如圖12所示的結(jié)構(gòu)，所述裸露的金屬即為電性輸出端子。接著再執(zhí)行步驟S118，在裸露的電性輸出端子上形成金屬焊球116，形成如圖13 所示的結(jié)構(gòu)。此步驟的具體方法已為本技術(shù)領(lǐng)域人員所熟知，在此不再贅述。需要說明的是，可根據(jù)設(shè)計需要重復(fù)步驟S103和步驟S104以實現(xiàn)多層再布線金屬；上述扇出封裝方法中，僅以三層貼裝層為例，但是本發(fā)明不限制與此，還可以是二層貼裝層、四層貼裝層或五層貼裝層等，且可根據(jù)設(shè)計需要透過封料層中的布線層和焊料凸點來實現(xiàn)相鄰貼裝層或間隔貼裝層間的互聯(lián)；另外，在上述具體實施方式
中，第一正貼裝層中包括芯片和無源器件，但是本發(fā)明并不限于此，第一正貼裝層中也可以僅有芯片，在后續(xù)的各層貼裝層包括倒貼裝層中都可以根據(jù)設(shè)計需要選擇芯片或芯片和無源器件的組合，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)上述實施例進(jìn)行相應(yīng)地變形、修改和替換。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.扇出高密度封裝方法，其特征在于，包括步驟提供載板；在載板上形成剝離膜；在剝離膜上形成第一保護(hù)層，并在第一保護(hù)層上形成設(shè)計的光刻圖形開口 ；在第一保護(hù)層的表面及其光刻圖形開口中形成再布線金屬層；在第一保護(hù)層上形成帶有部分暴露再布線金屬層開口的第二保護(hù)層；在第二保護(hù)層上形成至少一組布線封裝層，形成所述布線封裝層的步驟包括依次形成正貼裝層、封料層和布線層，布線封裝層透過布線層與再布線金屬層導(dǎo)通；在布線封裝層上形成至少一組倒裝封裝層，形成倒裝封裝層的步驟包括依次形成倒貼裝層、底部填充和封料層；其中各組封裝層之間相互電連接；去除載板及剝離膜，裸露出第一保護(hù)層中的再布線金屬；在裸露的再布線金屬上形成金屬焊球。
2.如權(quán)利要求1所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于，在第二保護(hù)層上形成二組布線封裝層的具體步驟包括將包括芯片和無源器件的第一正貼裝層的功能面的相對一面貼于第二保護(hù)層上；將第二保護(hù)層上貼有第一正貼裝層的一面形成第一封料層，使第一正貼裝層中芯片和無源器件的功能焊盤裸露；在第一封料層中形成第一微通孔，并將第一微通孔金屬化填充形成與再布線金屬層導(dǎo)通的第一縱向金屬布線；在第一封料層上形成與第一縱向金屬布線連接的第一橫向金屬布線，第一縱向金屬布線與第一橫向金屬布線構(gòu)成第一布線層；在第一封料層上堆疊第二正貼裝層；在第一封料層上形成覆蓋第二正貼裝層的第二封料層，并暴露第二正貼裝層中芯片和無源器件的焊盤；在第二封料層中形成第二微通孔并將第二微通孔金屬化填充形成與第一布線層連接的第二縱向金屬布線；在第二封料層上形成與第二縱向金屬布線連接的第二橫向金屬布線，第二縱向金屬布線與第二橫向金屬布線構(gòu)成第二布線層。
3.如權(quán)利要求2所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于，在第二布線封裝層上形成一組倒裝封裝層的具體步驟包括將帶有焊料凸點的芯片倒裝于第二封料層的第二橫向金屬布線上形成第一倒貼裝層， 第一倒貼裝層與第二布線層透過焊料凸點實現(xiàn)電互聯(lián)；用填充料填滿第一倒貼裝層的芯片與第二封料層間的間隙形成底部填充；在第二封料層上形成覆蓋第一倒貼裝層的第三封料層，使第一倒貼裝層被第三封料層的塑封料包覆密封。
4.如權(quán)利要求2或3所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于所述橫向金屬布線將其所在封料層中芯片和/或無源器件導(dǎo)通互聯(lián)。
5.如權(quán)利要求1 3任意一權(quán)利要求所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于各組封裝層之間透過封料層中的布線層和焊料凸點來實現(xiàn)相鄰貼裝層或間隔貼裝層間的電互聯(lián)。
6.如權(quán)利要求1所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于所述載板為硅晶圓或玻璃載板。
7.如權(quán)利要求1所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于所述剝離膜為UV膠。
8.如權(quán)利要求1所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于形成剝離膜的方法為旋涂或印刷。
9.如權(quán)利要求1所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于形成所述保護(hù)層的材料為聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯。
10.如權(quán)利要求1所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于形成再布線金屬層的方法為電鍍、化鍍或濺射。
11.如權(quán)利要求1 3任意一權(quán)利要求所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于所述貼裝層中包括芯片或包括芯片和無源器件。
12.如權(quán)利要求1或2所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于所述正貼裝層的貼裝面為芯片和無源器件的功能面的相對一面。
13.如權(quán)利要求1或3所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于所述倒貼裝層的貼裝面為芯片和無源器件的功能面。
14.如權(quán)利要求1 3任意一權(quán)利要求所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于封料層的材料為環(huán)氧樹脂。
15.如權(quán)利要求1 3任意一權(quán)利要求所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于封料層通過印刷、壓縮或轉(zhuǎn)注的方法而形成。
16.如權(quán)利要求1或3所述的扇出高密度封裝方法，其特征在于所述底部填充的填充料為高分子環(huán)氧樹脂。
全文摘要
本發(fā)明涉及扇出高密度封裝方法，包括步驟提供載板，在載板上形成剝離膜，在剝離膜上形成保護(hù)層，在保護(hù)層中形成再布線金屬層，在保護(hù)層上形成與再布線金屬層導(dǎo)通的布線封裝層，在布線封裝層上形成倒裝封裝層，各組封裝層之間通過布線層和焊料凸點實現(xiàn)相互間的電連接，去除載板及剝離膜，裸露出第一保護(hù)層中的再布線金屬，在裸露的再布線金屬上形成金屬焊球。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明請求保護(hù)的扇出高密度封裝方法，可以形成包含整體系統(tǒng)功能而非單一的芯片功能的最終封裝產(chǎn)品，降低了系統(tǒng)內(nèi)電阻、電感以及芯片間的干擾因素。此外，可以形成更為復(fù)雜的多層互聯(lián)結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)集成度更高的圓片系統(tǒng)級封裝。
文檔編號H01L21/50GK102157393SQ20111006983
公開日2011年8月17日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月22日
發(fā)明者石磊, 陶玉娟 申請人:南通富士通微電子股份有限公司