專利名稱：互連結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及互連結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體エ業(yè)中，互連結(jié)構(gòu)用于提供在IC芯片上的器件和整個封裝之間的布線。通常，首先在半導(dǎo)體襯底上形成半導(dǎo)體器件，然后利用后段エ藝(BEOL, back-end-of-line)在半導(dǎo)體襯底上形成互連結(jié)構(gòu)，所述互連結(jié)構(gòu)用于將半導(dǎo)體器件與外部電連接。所述互連結(jié)構(gòu)通常包括至少ー層介質(zhì)層，該介質(zhì)層中形成有金屬互連線和接觸插塞。
具體地，現(xiàn)有的互連結(jié)構(gòu)的制作方法請參考圖I 圖8。首先，請參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底100上形成層間介質(zhì)層101，所述層間介質(zhì)層101內(nèi)形成有多個通孔，所述通孔露出下方的半導(dǎo)體襯底100。然后，請參考圖2，進行旋涂エ藝或噴涂エ藝，在所述半導(dǎo)體襯底100上形成液態(tài)的有機保護層102，所述有機保護層102填充滿所述通孔。所述有機保護層102的材質(zhì)為有機材質(zhì)。然后，請參考圖3，對所述液態(tài)的有機保護層102進行烘烤，以使得所述有機保護層102由液態(tài)轉(zhuǎn)換為固態(tài)。所述烘烤的溫度為180攝氏度，所述烘烤至少持續(xù)3分鐘。接著，請參考圖4，進行刻蝕エ藝，去除位于所述層間介質(zhì)層101上方多余的有機保護層102和位于所述通孔內(nèi)的部分有機保護層102，在所述通孔內(nèi)剰余的有機保護層102在后續(xù)刻蝕所述層間介質(zhì)層102時的保護層，所述有機保護層102用于保護所述半導(dǎo)體襯底100，使得所述半導(dǎo)體襯底100免于受到刻蝕エ藝的損傷。然后，請參考圖5，在所述層間介質(zhì)層101上形成圖案化的光刻膠層103，所述光刻膠層103內(nèi)形成有光刻膠開ロ，所述光刻膠開ロ的位置與所述通孔的位置對應(yīng)。然后，請參考圖6，以所述光刻膠層103為掩膜，刻蝕所述層間介質(zhì)層101，在所述層間介質(zhì)層101內(nèi)形成溝槽，所述溝槽與所述通孔相連通。接著，請參考圖7，去除所述光刻膠層103和有機保護層102。然后，請參考圖8，在所述溝槽和通孔內(nèi)形成互連結(jié)構(gòu)，所述互連結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為金
腐O在公開號為CN101752279A的中國專利申請中可以發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于現(xiàn)有的互連結(jié)構(gòu)的信息?，F(xiàn)有的互連結(jié)構(gòu)制作過程中損傷了半導(dǎo)體襯底,影響了エ藝的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例解決的問題是提供了一種互連結(jié)構(gòu)的制作方法，所述方法エ藝簡單，避免了對半導(dǎo)體襯底的損傷，提高了エ藝的穩(wěn)定性。為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種互連結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成有通孔，所述通孔露出所述半導(dǎo)體襯底；在所述通孔內(nèi)形成固態(tài)的有機保護層，所述固態(tài)的有機保護層的厚度小于所述通孔的深度；刻蝕所述層間介質(zhì)層，在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成溝槽，所述溝槽與所述通孔相連通；在所述溝槽形成后，去除所述有機保護層，露出所述半導(dǎo)體襯底；在所述溝槽和通孔內(nèi)形成互連結(jié)構(gòu)。可選地，所述有機保護層的形成方法包括在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成液態(tài)的有機保護層，所述液態(tài)的有機保護層至少填充滿所述通孔； 在第一溫度下，烘烤所述液態(tài)的有機保護層，使得所述液態(tài)的有機保護層轉(zhuǎn)變?yōu)闇使虘B(tài)的有機保護層；在第二溫度下，烘烤所述準固態(tài)的有機保護層，使得所述準固態(tài)的有機保護層轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)的有機保護層，所述第二溫度大于第一溫度?？蛇x地，在利用第二溫度對所述準固態(tài)的有機保護層進行烘烤前，還包括沿所述通孔進行刻蝕エ藝，去除部分通孔內(nèi)的準固態(tài)的有機保護層?？蛇x地，所述第一溫度為大于等于30攝氏度且小于100攝氏度，在所述第一溫度下烘烤所述液態(tài)的有機保護層的時間不超過3分鐘?？蛇x地，所述第一溫度大于等于70攝氏度且小于等于99攝氏度，在所述第一溫度下烘烤所述液態(tài)的有機保護層的時間為5 120秒?？蛇x地，所述第二溫度為大于100攝氏度且小于等于300攝氏度，在所述第二溫度下烘烤所述剩余的準固態(tài)的有機保護層的時間不超過3分鐘?？蛇x地，所述第二溫度大于等于170攝氏度且小于等于190攝氏度，在所述第二溫度下烘烤所述準固態(tài)的有機保護層的時間為5 120秒。可選地，所述液態(tài)的有機保護層利用旋涂或噴涂エ藝制作?？蛇x地，所述互連結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為銅。可選地，所述互連結(jié)構(gòu)利用電鍍エ藝制作。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例具有以下優(yōu)點本發(fā)明實施例通過在通孔內(nèi)形成固態(tài)的有機保護層，所述有機保護層的厚度小于所述通孔的深度，利用所述有機保護層對所述通孔下方的半導(dǎo)體襯底進行保護，避免刻蝕所述層間介質(zhì)層形成溝槽時對所述半導(dǎo)體襯底造成損傷，提高了エ藝的穩(wěn)定性。


圖I 圖8是現(xiàn)有的互連結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本發(fā)明實施例的互連結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖；圖10 圖16是本發(fā)明一個實施例的互連結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式現(xiàn)有方法制作的在制作互連結(jié)構(gòu)時會損傷半導(dǎo)體襯底,影響了エ藝的穩(wěn)定性。具體地，請結(jié)合圖3 6，旋涂エ藝或噴涂エ藝制作的有機保護層102通常為液態(tài)形式，為了能夠保證后續(xù)エ藝中所述有機保護層102不隨著半導(dǎo)體襯底100的移動而流動，需要對液態(tài)的有機保護層102進行高溫烘烤，使得所述有機保護層102轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)。由于通常液態(tài)形式的有機保護層102由基本有機物質(zhì)和液態(tài)物質(zhì)構(gòu)成。在高溫烘烤后，所述有機保護層102中的液態(tài)物質(zhì)揮發(fā)，而基本有機物質(zhì)保留，有機保護層轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)?，F(xiàn)有的高溫烘烤的溫度通常大于或等于180度，以便于能夠?qū)⑺鲇袡C保護層中的液態(tài)物質(zhì)有效揮發(fā)，獲得固態(tài)的有機保護層。但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在所述烘烤過程中有機保護層102的體積會隨著液態(tài)物質(zhì)的揮發(fā)而大量收縮，從而有機保護層102的體積明顯縮小。烘烤前，部分有機保護層102覆蓋于層間介質(zhì)層11的表面，以保證有機保護層102將通孔填充滿。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于層間介質(zhì)層101表面的各個區(qū)域上的有機保護層102的厚度相同，但是半導(dǎo)體襯底100內(nèi)通常的通孔為多個，層間介質(zhì)層101內(nèi)的各個區(qū)域的通孔的分布不均勻，這使得在通孔分布較為密集的區(qū)域，有機保護層102的收縮總量較大，需要大量的位于層間介質(zhì)層101表面上的有機保護層對所述通孔內(nèi)的有機保護層進行補充，而對于通孔分布較為稀疏的區(qū)域，有機保護 層102的收縮總量不大，需要較少或幾乎不需要對各個通孔補充有機保護層，從而在高溫烘烤后，層間介質(zhì)層101內(nèi)的各個區(qū)域的通孔內(nèi)的有機保護層的厚度不均勻，如圖3所示，部分通孔內(nèi)的部分有機保護層的厚度較小，部分通孔的有機保護層的厚度較大。然后進行如圖4所述的刻蝕エ藝去除通孔內(nèi)的部分有機保護層時，部分通孔內(nèi)的有機保護層的厚度較小可能會被完全去除，從而暴露出于半導(dǎo)體襯底100，而部分通孔內(nèi)的有機保護層的厚度較大；請參考圖6，被暴露出的半導(dǎo)體襯底100在后續(xù)刻蝕所述層間介質(zhì)層形成溝槽時，容易損傷所述半導(dǎo)體襯底100，引起工藝的不穩(wěn)定。并且，即便不對所述有機保護層進行刻蝕エ藝，而直接刻蝕所述層間介質(zhì)層形成所述溝槽，有機保護層也會在刻蝕所述層間介質(zhì)層的過程被消耗，尤其是厚度較薄的有機保護層，可能會被刻蝕エ藝消耗從而將通孔下方的半導(dǎo)體襯底露出，進而造成半導(dǎo)體襯底的損傷。為了解決上述問題，發(fā)明人提出一種互連結(jié)構(gòu)的制作方法，請結(jié)合圖9所示的本發(fā)明實施例的互連結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖，所述方法包括步驟SI，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成有通孔，所述通孔露出所述半導(dǎo)體襯底；步驟S2，在所述通孔內(nèi)形成固態(tài)的有機保護層，所述固態(tài)的有機保護層的厚度小于所述通孔的深度；步驟S3，刻蝕所述層間介質(zhì)層，在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成溝槽，所述溝槽與所述通孔相連通；步驟S4，在所述溝槽形成后，去除所述有機保護層，露出所述半導(dǎo)體襯底；步驟S5，在所述溝槽和通孔內(nèi)形成互連結(jié)構(gòu)。下面結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進行詳細的說明。為了更好地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，請結(jié)合圖10 圖16是本發(fā)明ー個實施例的互連結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。首先，執(zhí)行步驟SI，請參考圖10，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)，例如所述半導(dǎo)體襯底200的材質(zhì)可以為硅、鍺硅或絕緣體上硅。
在實際中，所述半導(dǎo)體襯底200上還具有有器件層(未圖示)。所述器件層內(nèi)形成有例如晶體管、ニ極管等半導(dǎo)體器件。所述器件層上方還可以形成有互連層(未圖示)。所述互連層內(nèi)還形成有互連線，所述互連線與所述器件層內(nèi)的器件電連接。然后，請繼續(xù)參考圖10，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成層間介質(zhì)層201，所述層間介質(zhì)層201覆蓋所述互連層(若所述半導(dǎo)體襯底200上形成有器件層和互連層)或器件層(若所述半導(dǎo)體襯底200上僅形成有器件層)。所述層間介質(zhì)層201的材質(zhì)為電學絕緣材質(zhì)，例如所述層間介質(zhì)層201可以為氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅。然后，繼續(xù)參考圖10，刻蝕所述層間介質(zhì)層201，在所述層間介質(zhì)層201內(nèi)形成通多個孔，所述多個通孔露出下方的半導(dǎo)體襯底200。
所述通孔的位置、數(shù)目和形狀可以根據(jù)エ藝需要進行具體的設(shè)置。刻蝕層間介質(zhì)層201的方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，在此不做詳細的說明。接著，執(zhí)行步驟S2，在所述通孔內(nèi)形成固態(tài)的有機保護層。請參考圖11，進行旋涂或噴涂エ藝，在所述通孔內(nèi)填充液態(tài)的有機保護層202，所述液態(tài)的有機保護層202覆蓋所述層間介質(zhì)層201。所述有機保護層202為基本有機物質(zhì)和液態(tài)物質(zhì)的混合物質(zhì)。所述液態(tài)的有機保護層202可以利用旋涂或噴涂エ藝形成。然后，請參考圖12，在第一溫度下，烘烤所述液態(tài)的有機保護層202，使得所述有機保護層202由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闇使虘B(tài)。所述第一溫度為大于等于30攝氏度且小于100攝氏度，在所述第一溫度下烘烤所述液態(tài)的有機保護層的時間不超過3分鐘。所述第一溫度為大于等于30攝氏度且小于100攝氏度，在所述第一溫度下烘烤所述有機保護層的時間不超過3分鐘。在上述的第一溫度和時間范圍內(nèi)對所述有機保護層202進行烘烤，可以將所述有機保護層202中的部分液態(tài)物質(zhì)揮發(fā)，從而使得所述有機保護層202轉(zhuǎn)變?yōu)闇使虘B(tài)，不會隨著半導(dǎo)體襯底200的移動而流動，避免所述有機保護層202發(fā)生變形，因此所述有機保護層202的狀態(tài)為準固態(tài)，所述有機保護層202內(nèi)部還有部分液態(tài)物質(zhì)存在，因此，處于準固態(tài)的有機保護層202還不能直接用于后續(xù)刻蝕エ藝中保護所述半導(dǎo)體襯底200的保護層。在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一溫度大于等于70攝氏度且小于等于99攝氏度，在所述第一溫度下烘烤所述液態(tài)的有機保護層的時間為5 120秒。由于所述有機保護層202中底部部分液態(tài)物質(zhì)揮發(fā)，因此，烘烤后位于層間介質(zhì)層202表面的準固態(tài)的有機保護層202的體積較烘烤前略有減小，但是不會導(dǎo)致通孔中的保護層202的體積減小，因此所述通孔中仍然充滿了有機保護層202。接著，請參考圖13，作為ー個實施例，沿所述通孔刻蝕所述準固態(tài)的有機保護層202，在所述通孔內(nèi)形成剰余的有機保護層202，所述剩余的有機保護層覆蓋所述半導(dǎo)體襯底200。所述刻蝕的目的是為了調(diào)整所述通孔內(nèi)的準固態(tài)的有機保護層202的厚度，使得所述各個通孔內(nèi)的準固態(tài)的有機保護層202的厚度相同。接著，請參考圖14，在第二溫度下，烘烤所述剩余的準固態(tài)的有機保護層202，使得所述剩余的準固態(tài)的有機保護層202轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)，所述第二溫度大于第一溫度。所述第ニ溫度為大于170攝氏度且小于等于300攝氏度，在所述第二溫度下烘烤所述剩余部分有機保護層的時間不超過3分鐘。在本發(fā)明的一個實施例中，所述第二溫度大于等于170攝氏度且小于等于190攝氏度，在所述第二溫度下烘烤所述剩余的準固態(tài)的有機保護層202的時間為5 120秒。在上述第二溫度下烘烤后，所述剩余的準固態(tài)有機保護層202的狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)。所述有機保護層在第二溫度和所述時間范圍內(nèi)經(jīng)過所述烘烤后， 其中的液態(tài)部分完全揮發(fā)，烘烤后的有機保護層202的厚度將會降低，但是對于層間介質(zhì)層201內(nèi)不同區(qū)域的各個通孔而言，各個通孔的有機保護層202的體積變化一致，不會出現(xiàn)個別通孔內(nèi)的有機保護層202的厚度偏低、甚至個別通孔內(nèi)沒有有機保護層的問題。在本實施例中，在利用所述第二溫度對所述準固態(tài)的有機保護層202進行烘烤前，對所述準固態(tài)的有機保護層202進行了刻蝕エ藝，目的是調(diào)整通孔中的有機保護層202的厚度，使得各個通孔中的有機保護層202的厚度更為均勻，在其他的實施例中，還可以不對所述準固態(tài)的有機保護層進行刻蝕，而直接對所述準固態(tài)的有機保護層在第二溫度下進行烘烤。由于對有機保護層202進行了兩次烘烤，第一次烘烤的溫度遠遠低于現(xiàn)有的烘烤的溫度，因此，第一次烘烤完畢后的準固態(tài)的有機保護層202的體積收縮有限，準固態(tài)的有機保護層202仍然將通孔填滿；第二次烘烤的時間較短，且第二次烘烤是針對準固態(tài)的有機保護層202進行，所述準固態(tài)有機保護層202的體積變化遠小于像現(xiàn)有技術(shù)采用的高溫烘烤的有機保護層的體積變化，因此，半導(dǎo)體襯底200仍然覆蓋有部分有機保護層202，且不會造成層間介質(zhì)層202內(nèi)的不同區(qū)域的通孔202內(nèi)的有機保護層202的厚度不均勻，因而保護了半導(dǎo)體襯底200，防止半導(dǎo)體襯底200受到后續(xù)的刻蝕エ藝的損傷，提高了エ藝的穩(wěn)定性。接著，執(zhí)行步驟S3，刻蝕所述層間介質(zhì)層，在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成溝槽，所述溝槽與所述通孔相連通。請繼續(xù)參考圖14，在所述層間介質(zhì)層201上形成掩膜層203，所述掩膜層203內(nèi)形成有開ロ，所述開ロ的位置與所述通孔和固態(tài)的有機保護層202的位置對應(yīng)。接著，請參考圖15，以所述掩膜層203為掩膜，刻蝕所述層間介質(zhì)層201，在所述層間介質(zhì)層201內(nèi)形成溝槽，所述溝槽與所述通孔相連通。所述刻蝕エ藝可以為濕法可以エ藝或干法刻蝕エ藝。由于通孔內(nèi)形成有所述有機保護層202，因此所述有機保護層202保護了通孔下方的半導(dǎo)體襯底200，防止所述半導(dǎo)體襯底200受到刻蝕エ藝損傷。接著，執(zhí)行步驟S4，在所述溝槽形成后，去除所述有機保護層，露出所述半導(dǎo)體襯底。請參考圖16，在所述溝槽形成后，去除所述掩膜層和位于所述通孔內(nèi)的剰余部分有機保護層，露出所述半導(dǎo)體襯底200。所述掩膜層和有機保護層可以利用現(xiàn)有的刻蝕エ藝進行，作為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技木，在此不做詳細的說明。最后，執(zhí)行步驟S5，在所述溝槽和通孔內(nèi)形成互連結(jié)構(gòu)205。本實施例中，所述互連結(jié)構(gòu)205的材質(zhì)為銅，所述互連結(jié)構(gòu)205可以利用電鍍エ藝制作。在其他的實施例中，所述互連結(jié)構(gòu)205的材質(zhì)還可以為鋁，所述互連結(jié)構(gòu)205可以利用物理氣相沉積エ藝制作。綜上，本發(fā)明實施例通過在通孔內(nèi)形成固態(tài)的有機保護層，所述有機保護層的厚度小于所述通孔的深度，利用所述有機保護層對所述通孔下方的半導(dǎo)體襯底進行保護，避免刻蝕所述層間介質(zhì)層形成溝槽時對所述半導(dǎo)體襯底造成損傷，提高了エ藝的穩(wěn)定性。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述掲示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案 的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成有通孔，所述通孔露出所述半導(dǎo)體襯底； 在所述通孔內(nèi)形成固態(tài)的有機保護層，所述固態(tài)的有機保護層的厚度小于所述通孔的深度； 刻蝕所述層間介質(zhì)層，在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成溝槽，所述溝槽與所述通孔相連通； 在所述溝槽形成后，去除所述有機保護層，露出所述半導(dǎo)體襯底； 在所述溝槽和通孔內(nèi)形成互連結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求I所述的互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述有機保護層的形成方法包括 在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成液態(tài)的有機保護層，所述液態(tài)的有機保護層至少填充滿所述通孔； 在第一溫度下，烘烤所述液態(tài)的有機保護層，使得所述液態(tài)的有機保護層轉(zhuǎn)變?yōu)闇使虘B(tài)的有機保護層； 在第二溫度下，烘烤所述準固態(tài)的有機保護層，使得所述準固態(tài)的有機保護層轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)的有機保護層，所述第ニ溫度大于第一溫度。
3.如權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在利用第二溫度對所述準固態(tài)的有機保護層進行烘烤前，還包括 沿所述通孔進行刻蝕エ藝，去除部分通孔內(nèi)的準固態(tài)的有機保護層。
4.如權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一溫度為大于等于30攝氏度且小于100攝氏度，在所述第一溫度下烘烤所述液態(tài)的有機保護層的時間不超過3分鐘。
5.如權(quán)利要求4所述的互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在干，所述第一溫度大于等于70攝氏度且小于等于99攝氏度，在所述第一溫度下烘烤所述液態(tài)的有機保護層的時間為5 120 秒。
6.如權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第二溫度為大于100攝氏度且小于等于300攝氏度，在所述第二溫度下烘烤所述剩余的準固態(tài)的有機保護層的時間不超過3分鐘。
7.如權(quán)利要求6所述的互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第二溫度大于等于170攝氏度且小于等于190攝氏度，在所述第二溫度下烘烤所述準固態(tài)的有機保護層的時間為5 120秒。
8.如權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述液態(tài)的有機保護層利用旋涂或噴涂エ藝制作。
9.如權(quán)利要求I所述的互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述互連結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為銅。
10.如權(quán)利要求I所述的互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述互連結(jié)構(gòu)利用電鍍エ藝制作。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供互連結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成有通孔，所述通孔露出所述半導(dǎo)體襯底；在所述通孔內(nèi)形成固態(tài)的有機保護層，所述固態(tài)的有機保護層的厚度小于所述通孔的深度；刻蝕所述層間介質(zhì)層，在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成溝槽，所述溝槽與所述通孔相連通；在所述溝槽形成后，去除所述有機保護層，露出所述半導(dǎo)體襯底；在所述溝槽和通孔內(nèi)形成互連結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實施例避免刻蝕所述層間介質(zhì)層形成溝槽時對所述半導(dǎo)體襯底造成損傷，提高了工藝的穩(wěn)定性。
文檔編號H01L21/768GK102693934SQ201110068919
公開日2012年9月26日 申請日期2011年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月22日
發(fā)明者張春慶, 汪武平, 童立峰 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司