專利名稱：一種激光加工中晶圓片定位誤差的量測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)范圍，特別涉及一種激光加工中晶圓片定位誤差的量測(cè)方法。
背景技術(shù)：
激光已廣泛用于半導(dǎo)體材料的加工處理，包括激光退火，激光輔助薄膜沉積，材料的激光再結(jié)晶生長(zhǎng)，等多種多樣的具體應(yīng)用。由于激光束具有很強(qiáng)的相干性，光束往往是聚束的，不容易散開(kāi)成為較大面積的光束；在另一方面，晶圓片尺寸又很大，因此激光光束對(duì)于襯底材料的作用，在目前技術(shù)條件下，不能以覆蓋整個(gè)晶圓片的激光光場(chǎng)的方式來(lái)進(jìn)行，只能是一個(gè)局部一個(gè)局部地進(jìn)行。 通常采用的方式，是激光束相對(duì)于材料表面做掃描，步進(jìn)，或者步進(jìn)加掃描的平移移動(dòng)，來(lái)實(shí)現(xiàn)逐行，或者逐場(chǎng)的加工處理。無(wú)論是逐行也好，逐場(chǎng)也好，總是存在著行之間，場(chǎng)之間的銜接問(wèn)題。對(duì)于不良的銜接來(lái)說(shuō)，存在著兩類問(wèn)題，一是銜接處兩行或者兩場(chǎng)有微小的重疊，則重疊區(qū)域盡管很小，但是考慮到集成電路中電子元器件的尺寸處于更小的量級(jí)，受到影響，被過(guò)量加工的元器件數(shù)量會(huì)有很多，這將直接影響集成電路加工質(zhì)量。另一類問(wèn)題是兩行之間，兩場(chǎng)之間存在微小的空隙，同樣地，受此影響未被激光加工處理的電子元器件數(shù)量會(huì)有很多，加工質(zhì)量同樣不能保證。針對(duì)以上實(shí)踐中的問(wèn)題，一種有效的處理措施，是充分利用芯片之間的劃片道寬度。具體地說(shuō)，令掃描或者步進(jìn)，嚴(yán)格地沿著芯片陣列的橫向排列方向向左或者向右進(jìn)行， 光束束斑的上下邊沿，此處光強(qiáng)不均勻，加工效果無(wú)法保證，邊沿的這一部分，令其落于芯片陣列間的劃片道中，由此，可以回避掃描行之間，步進(jìn)掃描的場(chǎng)之間的銜接不良的問(wèn)題。 當(dāng)掃描或者步進(jìn)至晶圓片邊緣后，激光光束下移一行(或者上移一行)，并掉頭向相反的方向，繼續(xù)其橫向的掃描或者步進(jìn)逐場(chǎng)前進(jìn)。對(duì)于后者，如果采用步進(jìn)方式一場(chǎng)一場(chǎng)地加工處理，則束斑的左右兩個(gè)邊沿，也都是落在芯片劃片道內(nèi)的。當(dāng)要求掃描，或者步進(jìn)掃描沿芯片陣列的方向，并且掃描束斑的邊沿落于劃片道內(nèi)時(shí)，自然地，也就產(chǎn)生了晶圓片對(duì)準(zhǔn)的問(wèn)題。由于劃片道寬度在幾十微米的量級(jí)，此時(shí)晶圓片對(duì)準(zhǔn)的要求并不是很高的，對(duì)準(zhǔn)容差與劃片道寬度同量級(jí)，在幾十微米。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)準(zhǔn)精度可以放寬至10微米或者更寬一些。進(jìn)一步地，很多激光加工都要求進(jìn)行襯底的預(yù)加熱處理，對(duì)于此類要求襯底升溫的晶圓片，其對(duì)準(zhǔn)過(guò)程會(huì)受到一定的高溫影響。溫度較高時(shí)可到400 500度，乃至更高。 在高溫情況下，晶圓片的熱膨脹將難以忽略，此外較高的溫度，以及較高溫度下晶圓片整片的紅外輻射背景，都可能對(duì)晶圓片的對(duì)準(zhǔn)光路，對(duì)準(zhǔn)信號(hào)處理帶來(lái)很大的不良影響。所以一種較好的晶圓片對(duì)準(zhǔn)策略是，采用與工藝腔相分離的，獨(dú)立的對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行晶圓片的對(duì)準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)后的晶圓片再由精密機(jī)械手送入到工藝腔片臺(tái)之上，在那里再進(jìn)行輔助性的加熱升溫。由于分離式的對(duì)準(zhǔn)不涉及工藝高溫，對(duì)準(zhǔn)效果能夠得到保障。
采用分離式的對(duì)準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)片臺(tái)與工藝中用于形成激光光束掃描等動(dòng)作的片臺(tái)是兩套獨(dú)立裝置，所以這兩個(gè)片臺(tái)各自定義的行進(jìn)方向，還有坐標(biāo)原點(diǎn)位置等都不盡相同，會(huì)產(chǎn)生系統(tǒng)性的誤差。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)準(zhǔn)片臺(tái)按照自身的X(左右)方向去調(diào)整晶圓片的旋轉(zhuǎn)量， 使得晶圓片上的芯片陣列的橫向的劃片道嚴(yán)格與對(duì)準(zhǔn)片臺(tái)X方向一致。當(dāng)精密機(jī)械手將晶圓片放置到加工掃描片臺(tái)上的時(shí)候，由于掃描片臺(tái)的x(左右)行進(jìn)方向，在一般情況下會(huì)與對(duì)準(zhǔn)片臺(tái)X方向相差一個(gè)盡管很小，但絕對(duì)存在的角度，因而晶圓片陣列的縱橫方向，并不與加工片臺(tái)所定義的x(左右)、Y(前后)方向完全平行。此外精密機(jī)械手的傳片過(guò)程還會(huì)引入額外的位置差。這些都會(huì)造成晶圓片對(duì)準(zhǔn)的系統(tǒng)性的誤差。該系統(tǒng)誤差，隨整機(jī)組裝、調(diào)試的精度不同而各機(jī)器不盡相同。為了校準(zhǔn)位置差，在校準(zhǔn)實(shí)施之前需要明確對(duì)準(zhǔn)誤差量值的大小，對(duì)此，本發(fā)明提出一種激光加工中晶圓片定位誤差量測(cè)的方法。通過(guò)使用特殊設(shè)計(jì)的微測(cè)試結(jié)構(gòu)和工藝過(guò)程，可以通過(guò)量測(cè)微測(cè)試結(jié)構(gòu)的電學(xué)特性，來(lái)掌握晶圓片對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的定位誤差量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種激光加工中晶圓片定位誤差的量測(cè)方法，其特征在于， 包括如下步驟1)首先確定選用測(cè)試結(jié)構(gòu)的種類，設(shè)計(jì)半導(dǎo)體制造的版圖，先將兩個(gè)微測(cè)試結(jié)構(gòu)組成一對(duì)，然后將一系列的微測(cè)試結(jié)構(gòu)對(duì)組成一組；在同一組內(nèi)，不同的微測(cè)試結(jié)構(gòu)對(duì)，其中兩個(gè)微測(cè)試結(jié)構(gòu)之間的間距，是按一定的方向遞增或者遞減的；按位置坐標(biāo)擺放，構(gòu)成若干系列性的排布；這樣的一定的尺寸決定了定位誤差測(cè)量的分辨力，采用若干組不同分辨力的微測(cè)試結(jié)構(gòu)組，間距的方向既沿橫向也沿縱向，就構(gòu)成了較為完整的測(cè)試版圖，采用IC 制造技術(shù)在激光光束掃描區(qū)域的襯底上制造一系列的微小的測(cè)試結(jié)構(gòu)；2)通過(guò)光刻定位的方法將測(cè)試結(jié)構(gòu)按每?jī)蓚€(gè)組成上、下配對(duì)，并按照兩個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)之間的距離從大到小按照一系列的坐標(biāo)位置排布到晶圓片上的不同位置處；3)對(duì)晶圓片上的測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光光束的掃描加工處理；4)測(cè)試所制作出的微測(cè)試結(jié)構(gòu)的電學(xué)特性，判斷出哪些微測(cè)試結(jié)構(gòu)制作成功，哪些制作是不成功的；如果晶圓片不存在定位誤差，則激光光束的加工是覆蓋整個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)的，因而制作出完好的微測(cè)試結(jié)構(gòu)；但是如果存在定位誤差，則激光光束的加工可能只涉及測(cè)試結(jié)構(gòu)的一個(gè)局部，因而制作出的微測(cè)試結(jié)構(gòu)是不完善、不成功的；5)通過(guò)步驟4)對(duì)按坐標(biāo)位置排布的系列測(cè)試結(jié)構(gòu)電學(xué)特性的測(cè)量，定出激光加工中晶圓片定位誤差的量值大小。所述微測(cè)試結(jié)構(gòu)為電阻或晶體管。所述微測(cè)試結(jié)構(gòu)是金屬壓焊塊區(qū)通過(guò)接觸孔與高濃度摻雜區(qū)相連，高濃度摻雜區(qū)再與低濃度摻雜區(qū)相連，其中高濃度摻雜區(qū)和低濃度摻雜區(qū)是同型的，即都是N型摻雜，或者都是P型摻雜。本發(fā)明的有益效果是，設(shè)計(jì)了特殊的微測(cè)試結(jié)構(gòu)的版圖及相關(guān)制造工藝，通過(guò)制作出按不同位置分布的微測(cè)試結(jié)構(gòu)，以及對(duì)微測(cè)試結(jié)構(gòu)的電學(xué)特性的測(cè)試，可以量測(cè)激光加工中晶圓片定位的誤差，從而為誤差校正提供測(cè)試依據(jù)。該方法簡(jiǎn)便實(shí)用，無(wú)需借助于大型復(fù)雜儀器設(shè)備和額外的精確操作即可進(jìn)行，可以與激光加工設(shè)備相結(jié)合，成為后者設(shè)備性能定期點(diǎn)檢校準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)化的方法。


圖1，圖2為激光加工中量測(cè)晶圓片定位誤差的電阻結(jié)構(gòu)及其分布位置的示意圖。圖1和圖2中，1.是金屬及壓焊塊區(qū)域；2.是高濃度摻雜區(qū)；3.是低濃度摻雜區(qū)；4.是金屬與摻雜區(qū)之間的接觸孔；5.是在不同位置的微結(jié)構(gòu)電阻；6.是激光光束掃描區(qū)域；7.是低摻雜區(qū)域的上沿；8.是低摻雜區(qū)域的下沿。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的目的是提供一種激光加工中晶圓片定位誤差的量測(cè)方法。根據(jù)申請(qǐng)書(shū)前文所描述的技術(shù)思路，具體的實(shí)施方法，舉例說(shuō)明如下。舉例說(shuō)明一種具體的實(shí)施方案如下。首先在確定微測(cè)試結(jié)構(gòu)之后，設(shè)計(jì)半導(dǎo)體制造的版圖，在版圖設(shè)計(jì)完成，并制版之后，進(jìn)入制造流程，制造這些微測(cè)試結(jié)構(gòu)。除低濃度摻雜區(qū)外其他部分的工藝均同常規(guī)工藝，特別地，高濃度摻雜區(qū)采用離子注入加退火的方式形成，退火采用常規(guī)的爐管高溫退火。對(duì)于低濃度摻雜區(qū)，采用離子注入加激光退火的方式制作。圖1所示的電阻微測(cè)試結(jié)構(gòu)，在晶圓片上按圖2所示的方式排布，因而可制作出一系列不同位置的微小電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)來(lái)。按圖2方式排布的各電阻對(duì)，當(dāng)一束激光光束6從左到右掃描，對(duì)低摻雜區(qū)3進(jìn)行退火時(shí)，在晶圓片的定位相對(duì)于激光光束的掃描無(wú)誤差時(shí)，掃描束與各電阻的位置情況，即如圖2所示。如果晶圓片定位有誤差，那么，會(huì)出現(xiàn)一對(duì)電阻中，上方電阻被退火，而下方電阻不能被退火的情況(或者反過(guò)來(lái))，因而通過(guò)電阻值的測(cè)量，將能夠了解定位誤差的情況，具體進(jìn)行如下說(shuō)明。取圖1所示的微測(cè)試結(jié)構(gòu)，按照?qǐng)D2方式，在不同的位置擺放這些測(cè)試結(jié)構(gòu)，從而構(gòu)成整體的測(cè)試版圖。測(cè)試結(jié)構(gòu)可以是電阻器件，也可以是晶體管或者其它器件。在電阻器件的情形下(如圖1所示)，采用圖1所示的電阻作為微測(cè)試結(jié)構(gòu)。圖1中金屬壓焊塊區(qū)1，通過(guò)接觸孔4與高濃度摻雜區(qū)2相連，高濃度摻雜區(qū)2再與低濃度摻雜區(qū)3相連，這里高濃度摻雜區(qū)和低濃度摻雜區(qū)是同型的，例如都是N型摻雜，或者都是P型摻雜。對(duì)于電阻值起決定性作用的，將是低濃度摻雜區(qū)3的摻雜濃度，以及該區(qū)域摻雜雜質(zhì)在激光退火作用下激活的情況。除低濃度摻雜區(qū)3之外，所有其他的區(qū)域，其制作工藝均同一般集成電路制造，特別地，高濃度摻雜區(qū)2，可采用離子注入和常規(guī)的高溫退火的方式形成，離子注入具體實(shí)施的區(qū)域，由光刻確定。在整個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)中，僅有低濃度摻雜區(qū)3，采用先光刻確定離子注入的區(qū)域，然后進(jìn)行離子注入較低濃度的摻雜，再之后，采用激光退火的方法進(jìn)行雜質(zhì)的退火激活。在圖2中，電阻是用一個(gè)個(gè)長(zhǎng)方形框5來(lái)表示的。這些電阻從左到右又分成若干對(duì)，一對(duì)電阻包括了上方的一個(gè)電阻，和下方的一個(gè)電阻。最左端的一對(duì)電阻，其上、下兩電阻之間的距離，例如取為10毫米，從這對(duì)電阻開(kāi)始向右，各對(duì)電阻之間的間距，依次縮小，例如每對(duì)電阻間距均比前一對(duì)縮小0. 5毫米，陸續(xù)制作出多對(duì)的電阻來(lái)。電阻對(duì)中，上下電阻之間的間距，取的是上方電阻低摻雜區(qū)上沿7到下方電阻低摻雜區(qū)下沿8之間的距1 O作為微測(cè)試結(jié)構(gòu)其中主要提供電阻的部分是低濃度摻雜區(qū)3，結(jié)構(gòu)中的其他部分， 是為了使得電阻測(cè)試能夠順利進(jìn)行。以激光束寬為10毫米為例，可以擺放不同的電阻對(duì)，每一電阻對(duì)中，上方電阻和下方電阻的間距，按6，7,8,9,10，11，12，13，14毫米設(shè)計(jì)，共計(jì)9對(duì)電阻。這樣的9對(duì)電阻， 可以構(gòu)成一組，其位置分辨率為500微米。如果想得到更高的分辨率，則可以設(shè)計(jì)中心值為 10毫米，但按1，10，100，500微米向左方遞增、向右方遞減的不同的電阻對(duì)的組。整個(gè)測(cè)試版圖，由若干個(gè)電阻對(duì)的組來(lái)構(gòu)成，組與組之間的差別僅在于電阻對(duì)內(nèi)上、下兩個(gè)電阻的間距按不同的尺寸變化，可提供不同的分辨率。版圖除電阻對(duì)像圖2那樣橫向排開(kāi)之外，還包括縱向排開(kāi)的，以用于測(cè)量縱向的晶圓片定位誤差。當(dāng)激光束加工的范圍確定時(shí)，由于微測(cè)試結(jié)構(gòu)尺寸呈不同系列，或者按不同系列分散擺放，一些測(cè)試結(jié)構(gòu)處于加工區(qū)域之外，或者臨界的位置，因此其電特性測(cè)試值可反映實(shí)際光束加工的情況。電特性的測(cè)試值，與已知的微結(jié)構(gòu)測(cè)試結(jié)構(gòu)的不同尺寸或者不同的位置擺放相對(duì)照，即可得出晶圓片坐標(biāo)系與激光光束加工坐標(biāo)系之間的差距情況，此即定位誤差。這里，晶圓片坐標(biāo)系可由已知的晶圓片上的各微測(cè)試結(jié)構(gòu)圖形的坐標(biāo)共同確定。除晶圓片上某處的橫向、縱向的位置差之外，還可測(cè)量得出甲處的位置差與相隔較遠(yuǎn)的乙處的位置差，兩者可確定晶圓片相對(duì)于光束掃描或者步進(jìn)-掃描方向的旋轉(zhuǎn)量。 進(jìn)一步地，通過(guò)多處不同位置的微測(cè)試結(jié)構(gòu)的電學(xué)測(cè)試量，可以統(tǒng)計(jì)性地得出晶圓片定位誤差的統(tǒng)計(jì)結(jié)論。假定激光退火裝置在構(gòu)建和組裝階段，經(jīng)過(guò)初步定位校準(zhǔn)，能夠保證定位精度在2 毫米范圍以內(nèi)，那么，使用10毫米寬的光束掃描退火一組電阻對(duì)，按上述電阻對(duì)的間距為 6，7,8,9,10，11，12，13，14毫米，共9個(gè)電阻對(duì)時(shí)，如果激光束實(shí)際掃描的位置偏上2毫米， 那么間距為14毫米的那一對(duì)電阻，其上電阻可以很好地退火因而呈現(xiàn)較低的測(cè)試電阻值， 而下電阻不能退火因而呈現(xiàn)較高的測(cè)試電阻值；而另一對(duì)間距為6毫米的那一對(duì)電阻，其上、下電阻都處在光束束寬范圍之內(nèi)，因而上、下電阻剛好能夠完全退火而都呈現(xiàn)出較低的電阻值來(lái)；其他幾對(duì)電阻，上電阻總是可完全退火的，而下電阻無(wú)法退火或者無(wú)法完全退火而呈現(xiàn)不同的較高阻值。由這樣一組測(cè)試值，即可斷定激光束與晶圓片之間的相對(duì)誤差為激光束上偏2毫米。激光束下偏2毫米的情形類似。該組9個(gè)電阻對(duì)的定位誤差測(cè)量精度為500微米。以上描述總結(jié)為兩條，一，通過(guò)機(jī)械安裝與調(diào)校過(guò)程，保證原始定位精度不超過(guò)2 毫米；二，通過(guò)分辨力為500微米的不同位置的電阻對(duì)特性測(cè)試，可測(cè)量范圍壓縮至500微米。如果通過(guò)一定的校正與補(bǔ)償，實(shí)際的定位誤差處于更小的量級(jí)，則可采用分辨力更高的、其他的電阻對(duì)組進(jìn)行進(jìn)一步的量測(cè)。本發(fā)明方法的極限分辨力，僅取決于所采用的電阻對(duì)的間距設(shè)置。在另一方面，也可以采用晶體管或其他基本元器件作為微測(cè)試結(jié)構(gòu)，晶體管或其它器件也是按照上述類似的方式擺放于不同的位置，位置間距按一定的尺寸遞增或者遞減變化，則通過(guò)測(cè)量器件特性，同樣可以獲得高精度的位置誤差識(shí)別能力。綜上所述，本發(fā)明方法簡(jiǎn)便實(shí)用，無(wú)需借助于大型復(fù)雜儀器設(shè)備和額外的精確操作即可進(jìn)行，可以與激光加工設(shè)備相結(jié)合，成為后者設(shè)備性能定期點(diǎn)檢校準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)化的方法。本方法適用于較低精度的定位需求，典型為微米的量級(jí)。微測(cè)試結(jié)構(gòu)的尺寸或者擺放
6位置，取決于光刻工藝，由于光刻工藝的定位精度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于微米量級(jí)，因此可忽略微結(jié)構(gòu)相關(guān)坐標(biāo)數(shù)據(jù)的誤差。
權(quán)利要求
1.一種激光加工中晶圓片定位誤差的量測(cè)方法，其特征在于，包括如下步驟1)首先確定選用測(cè)試結(jié)構(gòu)的種類，設(shè)計(jì)半導(dǎo)體制造的版圖，先將兩個(gè)微測(cè)試結(jié)構(gòu)組成一對(duì)，然后將一系列的微測(cè)試結(jié)構(gòu)對(duì)組成一組；在同一組內(nèi)，不同的微測(cè)試結(jié)構(gòu)對(duì)，其中兩個(gè)微測(cè)試結(jié)構(gòu)之間的間距，是按一定的方向遞增或者遞減的；按位置坐標(biāo)擺放，構(gòu)成若干系列性的排布；這樣的一定的尺寸決定了定位誤差測(cè)量的分辨力，采用若干組不同分辨力的微測(cè)試結(jié)構(gòu)組，間距的方向既沿橫向也沿縱向，就構(gòu)成了較為完整的測(cè)試版圖，采用半導(dǎo)體制造技術(shù)在激光光束掃描區(qū)域的襯底上制造一系列的微小的測(cè)試結(jié)構(gòu)；2)通過(guò)光刻定位的方法將測(cè)試結(jié)構(gòu)按每?jī)蓚€(gè)組成上、下配對(duì)，并按照兩個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)之間的距離從大到小按照一系列的坐標(biāo)位置排布到晶圓片上的不同位置處；3)對(duì)晶圓片上的測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光光束的掃描加工處理；4)測(cè)試所制作出的微測(cè)試結(jié)構(gòu)的電學(xué)特性，判斷出哪些微測(cè)試結(jié)構(gòu)制作成功，哪些制作是不成功的；如果晶圓片不存在定位誤差，則激光光束的加工是覆蓋整個(gè)測(cè)試結(jié)構(gòu)的，因而制作出完好的微測(cè)試結(jié)構(gòu)；但是如果存在定位誤差，則激光光束的加工可能只涉及測(cè)試結(jié)構(gòu)的一個(gè)局部，因而制作出的微測(cè)試結(jié)構(gòu)是不完善、不成功的；5)通過(guò)步驟4)對(duì)按坐標(biāo)位置排布的系列測(cè)試結(jié)構(gòu)電學(xué)特性的測(cè)量，定出激光加工中晶圓片定位誤差的量值大小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光加工中晶圓片定位誤差的量測(cè)方法，其特征在于，所述微測(cè)試結(jié)構(gòu)為電阻或晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述激光加工中晶圓片定位誤差的量測(cè)方法，其特征在于，所述微測(cè)試結(jié)構(gòu)是金屬壓焊塊區(qū)通過(guò)接觸孔與高濃度摻雜區(qū)相連，高濃度摻雜區(qū)再與低濃度摻雜區(qū)相連，其中高濃度摻雜區(qū)和低濃度摻雜區(qū)是同型的，即都是N型摻雜，或者都是P型摻雜。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)范圍的一種激光加工中晶圓片定位誤差的量測(cè)方法。所述的方法，首先是設(shè)計(jì)半導(dǎo)體制造的版圖，在版圖設(shè)計(jì)完成，并制版之后，進(jìn)入制造流程，制造這些微測(cè)試結(jié)構(gòu)。除低濃度摻雜區(qū)外其他部分的工藝均同常規(guī)工藝然后采用相應(yīng)制造工藝，其中含激光處理步驟，來(lái)制作出按不同位置分布的微測(cè)試結(jié)構(gòu)，最后對(duì)微測(cè)試結(jié)構(gòu)的電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)試。根據(jù)各測(cè)試結(jié)構(gòu)不同的測(cè)量結(jié)果和已知的位置分布情況，即可判斷得到激光加工中晶圓片定位的誤差，從而為誤差校正提供測(cè)試依據(jù)。本發(fā)明方法簡(jiǎn)便實(shí)用，無(wú)需借助于大型復(fù)雜儀器設(shè)備和額外的精確操作即可進(jìn)行，可以與激光加工設(shè)備相結(jié)合，成為后者設(shè)備性能定期檢測(cè)校準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)化的方法。
文檔編號(hào)H01L21/68GK102184876SQ201110056309
公開(kāi)日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者嚴(yán)利人, 劉朋, 周衛(wèi), 竇維治 申請(qǐng)人:清華大學(xué)