專利名稱：發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供了一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
III-V族氮化物半導(dǎo)體因其物理和化學(xué)特性而已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于諸如發(fā)光二極管 (LED)或激光二極管(LD)的發(fā)光器件的主要原料。通常，III-V族氮化物半導(dǎo)體包括具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。LED是通過利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成紅外線或光，從而發(fā)射/接收信號(hào)的半導(dǎo)體器件。LED也被用作光源。采用氮化物半導(dǎo)體材料的LED或LD主要用于用以提供光的發(fā)光器件。例如，LED 或LD被作為光源而被用于各種產(chǎn)品，例如，蜂窩電話的鍵區(qū)發(fā)光部分、電子信號(hào)牌和照明器件。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供了一種具有新型電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。實(shí)施例提供了一種具有生長(zhǎng)襯底和垂直型電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。根據(jù)實(shí)施例，一種發(fā)光器件包括襯底；發(fā)光結(jié)構(gòu)層，其包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的有源層和有源層上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，其中，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層形成在襯底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，第二上表面比第一上表面更靠近襯底；第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二電極；以及至少一個(gè)第一電極，所述至少一個(gè)第一電極通過穿過襯底至少?gòu)牡谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二上表面延伸至襯底的下表面。根據(jù)實(shí)施例，一種發(fā)光器件包括襯底，該襯底包括透射材料；發(fā)光結(jié)構(gòu)層，其包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的內(nèi)部上的有源層和有源層上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，其中，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層形成在襯底上并具有從襯底的至少一側(cè)形成臺(tái)階的外部；第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二電極；以及多個(gè)第一電極，所述多個(gè)第一電極通過穿過襯底從襯底的下表面延伸至第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的外部的側(cè)表面。


圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖；圖2是圖1的平面圖；圖3是圖1的仰視圖；圖4A和圖4B是示出了圖1的孔的示例的圖；圖5至圖10是示出了圖1的發(fā)光器件的制造過程的圖；圖11至圖13是示出了根據(jù)實(shí)施例在溝道區(qū)內(nèi)形成第一電極和孔的示例的圖；圖14是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖15是示出了根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖；圖16和圖17是根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖和平面圖；圖18是示出了根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖；圖19是示出了根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖；圖20是示出了根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖；圖21是示出了根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖；圖22是示出了根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖；以及圖23是示出了根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖；圖M是圖示了根據(jù)實(shí)施例的顯示器件的圖；圖25是圖示了根據(jù)實(shí)施例的另一顯示器件的圖；以及圖沈是圖示了根據(jù)實(shí)施例的照明器件的圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例的說明中，將理解的是，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一焊盤或另一圖案“上”或者“下”時(shí)，它能“直接”或“間接”地在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域或者另一焊盤上方，或者也可以存在一個(gè)或者多個(gè)中間層。已參照附圖對(duì)該種層的位置作了說明。出于方便或清楚的目的，可放大、省略或示意性地繪制附圖中所示的各層的厚度和大小。此外，每個(gè)元件的尺寸沒有反映真實(shí)大小。圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件100的側(cè)視剖面圖，而圖2是圖1的平面圖。參照?qǐng)D1，發(fā)光器件100包括襯底101、第一半導(dǎo)體層105、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110、有源層115、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120、第二電極150和152、以及第一電極160。發(fā)光器件100包括LED，LED包括多個(gè)化合物半導(dǎo)體層，例如，多個(gè)III-V族化合物半導(dǎo)體元件。LED可以發(fā)射可見光波段中的藍(lán)、綠或紅光，或者UV波段中的光。襯底101為生長(zhǎng)襯底，其包括使用將要生長(zhǎng)的化合物半導(dǎo)體的絕緣材料或?qū)щ姴牧?。襯底101可以從由A1203、GaN、SiC、ZnO, Si、GaP、InP、Ga2O3和GaAs組成的組中選擇。 下文中，將包括藍(lán)寶石(Al2O3)的絕緣生長(zhǎng)襯底描述成襯底101的示例，且襯底101可包括透射襯底。襯底101上設(shè)置有光提取結(jié)構(gòu)，如凹凸結(jié)構(gòu)或粗糙結(jié)構(gòu)。襯底101的厚度可處于50 μ m至500 μ m范圍內(nèi)。如果襯底101包括透射材料，則能夠改善光的發(fā)射角。襯底101上可設(shè)置有第一半導(dǎo)體層105。第一半導(dǎo)體層105可具有基于II至VI 族元素化合物半導(dǎo)體的圖案或?qū)?。第一半?dǎo)體層105可包括從由&ι0、GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN、AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 和 AlGaInP 組成的組中選擇的其中之一。第一半導(dǎo)體層105可包括緩沖層或未被摻雜的半導(dǎo)體層，且該緩沖層減小了氮化物半導(dǎo)體與襯底101之間的晶格常數(shù)差。未被摻雜的半導(dǎo)體層可包括未被摻雜的氮化物半導(dǎo)體。換言之，未被摻雜的半導(dǎo)體層是沒有被刻意摻雜導(dǎo)電摻雜物的半導(dǎo)體層。未被摻雜的半導(dǎo)體層比第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110具有明顯更弱的導(dǎo)電性。例如，未被摻雜的半導(dǎo)體層可包括未被摻雜的GaN層，并具有第一導(dǎo)電類型的特性。第一半導(dǎo)體層105可包括超晶格結(jié)構(gòu)，并可包括從由GaN、InN、AlNJnGaN、AlGaN、InAlGaN, SiO2, SiOx, SiN2, SiNx和SiOxNy組成的組中選擇的材料和金屬材料。超晶格結(jié)構(gòu)包括至少兩對(duì)，其中，交替重復(fù)具有不同能量帶隙的至少兩個(gè)層。例如，超晶格結(jié)構(gòu)包括 hGaN/GaN堆疊結(jié)構(gòu)。超晶格結(jié)構(gòu)的每層可具有至少幾個(gè)A的厚度。另外，第一半導(dǎo)體層105可包括具有如下結(jié)構(gòu)的反射層，在該結(jié)構(gòu)中，交替堆疊具有不同折射率的至少兩個(gè)層。例如，第一半導(dǎo)體層105可包括具有至少兩個(gè)GaN/AIN層的堆疊結(jié)構(gòu)的DBR (分布布喇格反射器)。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110被形成在第一半導(dǎo)體層105上，而有源層115被形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110上。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120被形成在有源層115上。還可將另一半導(dǎo)體層布置在每個(gè)層的上面或每個(gè)層的下面，但實(shí)施例不限于此。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可包括摻雜有第一導(dǎo)電類型摻雜物的III-V族元素化合物半導(dǎo)體。例如，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可包括從由GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP 和 AlGaInP 組成的組中選擇的材料。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可包括具有Μ/ ρ ^Να)彡χ彡1、0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可包括N型半導(dǎo)體層。例如，N型半導(dǎo)體層包括N型摻雜物，例如，Si、Ge、Sn、k*Te。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可被用作電極接觸層，并可具有單層或多層結(jié)構(gòu)，但實(shí)施例不限于此。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可包括其中堆疊有不同半導(dǎo)體層的超晶格結(jié)構(gòu)。超晶格結(jié)構(gòu)包括GaN/InGaN結(jié)構(gòu)或GaN/AWaN結(jié)構(gòu)。超晶格結(jié)構(gòu)通過堆疊至少兩對(duì)的具有至少幾個(gè)A的厚度的兩個(gè)不同層而獲得。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110包括至少兩個(gè)臺(tái)階的結(jié)構(gòu)。例如，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可包括比第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的下表面的寬度具有更寬寬度的結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110包括第一部分112和第二部分113。第一部分112和第二部分113可具有相同的半導(dǎo)體層或不同的半導(dǎo)體層。第一部分112可以是第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的下部，而第二部分113可以是第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的上部。第一部分112和第二部分113由于臺(tái)階結(jié)構(gòu)而彼此區(qū)分。第一部分112還可包括如下的區(qū)域， 所述區(qū)域具有源自第二部分113的至少一個(gè)側(cè)表面或全部側(cè)表面的臺(tái)階結(jié)構(gòu)。因此，第二部分113可被設(shè)置在第一部分112的預(yù)定區(qū)域內(nèi)。第二部分113的上表面可具有比第一部分112的下表面更窄的寬度，而且該寬度與有源層115的下表面的寬度相等或比其更寬。第一部分112的外上表面111比第二部分 113的上表面更靠近襯底101，并從第二部分113的側(cè)表面或有源層115的側(cè)表面朝外布置。在平面圖中查看時(shí)，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的外上表面111被布置為比第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的側(cè)表面更朝向外面。如圖2所示，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的外上表面111從第二部分113的側(cè)表面開始可具有大約1 μ m到大約50 μ m的寬度Wl。寬度Wl可以是第二部分 113的側(cè)表面與第一部分112的側(cè)表面之間的距離。如圖2所示，有源層115的側(cè)表面以預(yù)定距離Gl與第一電極160間隔開，且距離Gl防止半導(dǎo)體層113、115與120之間的短路。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的外上表面111被用作Ga-面，而且可包括光提取結(jié)構(gòu)，如粗糙結(jié)構(gòu)。
第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第二部分113的上表面可以是頂面，而且可以比第一部分112的外上表面111更靠近有源層115。另外，第一部分112的外上表面111可以比第二部分113的頂面更靠近襯底101。有源層115被形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110上，并可具有從由單量子阱結(jié)構(gòu)、 多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)和量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)組成的組中選擇的至少一個(gè)。有源層115可具有堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)包括由III-V族化合物半導(dǎo)體材料制成的阱層和勢(shì)壘層。例如，有源層115的阱層具有h/lyGiinNa) ^ x^1,0 ^x+y ^ 1)的組成式，而有源層 115的勢(shì)壘層具有LxAlyGEt1TyN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式。有源層 115可具有從由InGaN阱/GaN勢(shì)壘層、InGaN阱/AlGaN勢(shì)壘層、和InGaN阱/InfeiN勢(shì)壘層組成的組中選擇的至少一個(gè)的堆疊結(jié)構(gòu)?？蓪⒌谝粚?dǎo)電包覆層被設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110與有源層115之間。第一導(dǎo)電包覆層可包括GaN基半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電包覆層具有比有源層115的勢(shì)壘層的帶隙更大的帶隙，并且其限制載流子?？蓪⒌诙?dǎo)電包覆層被設(shè)置在有源層115與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120之間。第二導(dǎo)電包覆層可包括GaN基半導(dǎo)體。第二導(dǎo)電包覆層具有比有源層115的勢(shì)壘層的帶隙更大的帶隙，并且其限制載流子。有源層115的寬度可以比襯底101的寬度更窄。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120被設(shè)置在有源層115上。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120 可包括摻雜有第二導(dǎo)電類型摻雜物的III-V族元素化合物半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電層120可以從由 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlfeiN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 組成的組中選擇。優(yōu)選地，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120可包括具有h/lyGiinNa)彡χ彡1， 0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。如果第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120具有多層結(jié)構(gòu)，則第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120可包括超晶格結(jié)構(gòu)，如AKiaN/GaN結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120可包括P型半導(dǎo)體層。例如，P型半導(dǎo)體層包括P型摻雜物，諸如Mg、Be和Si。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120可被用作電極接觸層，但實(shí)施例不限于此?？蓪⒌谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層110、有源層115和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120定義為發(fā)光結(jié)構(gòu)層125。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可包括P型半導(dǎo)體，而第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120可包括N型半導(dǎo)體層。發(fā)光結(jié)構(gòu)層125可包括第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120上的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，且第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層可包括與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層具有相反極性的半導(dǎo)體層。發(fā)光結(jié)構(gòu)層125可包括N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)和P-N-P 結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種。在這種情況下，“N"表示N型半導(dǎo)體層、“P"表示P型半導(dǎo)體， 而"表示半導(dǎo)體層直接或間接彼此堆疊的結(jié)構(gòu)。下文中，將其中的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120被設(shè)置于發(fā)光結(jié)構(gòu)層125的最上層處的結(jié)構(gòu)作為一個(gè)示例來(lái)進(jìn)行說明。第二電極152被設(shè)置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120上，并包括電連接至第二電極 152的焊盤150。第二電極152可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，其包括從由Ti、Al、Al合金、 In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru和Au或者它們的合金組成的組中選擇的至少一種?？尚纬芍辽僖粋€(gè)焊盤150，且第二電極152電連接至焊盤150。例如，第二電極152可以以分支狀、臂狀和手指狀的至少一種連接至焊盤150。第二電極152可具有在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的頂面的外周部處的環(huán)狀。該環(huán)狀靠近第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的邊緣而形成。該環(huán)狀可被形成為連續(xù)或非連續(xù)的。 第二電極152可靠近多個(gè)第一電極160?？蓪㈦娏鲾U(kuò)展層或透射層被設(shè)置在第二電極152與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120 之間。電流擴(kuò)展層包括透射氧化物材料或透射氮化物材料。例如，電流擴(kuò)展層可包括從由 ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZON (ΙΖ0氮化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (銻錫氧化物)和GZO(鎵鋅氧化物)組成的組中選擇的材料。電流擴(kuò)展層被形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120上，并將電流擴(kuò)展到整個(gè)區(qū)域中?？蓪⒌谝浑姌O160布置在不與有源層115重疊，同時(shí)與有源層115垂直的區(qū)域內(nèi)。 優(yōu)選地，可將第一電極160布置在溝道區(qū)域M內(nèi)，S卩，暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的區(qū)域內(nèi)。可將第一電極160布置在不與第二電極152重疊，同時(shí)與第二電極152垂直的至少一個(gè)區(qū)域內(nèi)。可將暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的區(qū)域設(shè)置在有源層115的至少一個(gè)側(cè)表面的外面。第一電極160可與有源層115的至少一個(gè)側(cè)表面間隔開，優(yōu)選地，與有源層115的兩個(gè)側(cè)表面或四個(gè)側(cè)表面間隔開。另外，可將第一電極160布置為更靠近第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的側(cè)表面?？蓪⒌谝浑姌O160設(shè)置為比有源層115的側(cè)表面更靠近第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的邊緣。至少一個(gè)孔165被形成在襯底101、第一半導(dǎo)體層105和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 110的第一部分112內(nèi)?？?65包括導(dǎo)電材料。該導(dǎo)電材料可包括金屬。可通過鍍處理來(lái)形成第一電極160。第一電極160 可包括從由 Cu、Ti、Cr、Ta、Al、In、Pd、Co、Ni、Ge、Ag 和 Au 或者它們
的合金組成的組中選擇的一種。第一電極160可包括含有金屬的導(dǎo)電化合物。例如，第一電極160可包括金屬氧化物，但實(shí)施例不限于此。第一電極160可從第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112延伸至襯底101的下部?？梢栽O(shè)置一個(gè)第一電極160或多個(gè)第一電極160。如果設(shè)置一個(gè)第一電極160，則可能不能夠平順地提供電流。下面將說明采用多個(gè)第一電極160的實(shí)施例。第一電極160的上端可暴露于第一部分112的頂面111，而第一電極160的下端可暴露于襯底101的下表面。每個(gè)第一電極160可具有從第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112穿至襯底 101的導(dǎo)通孔形式。該導(dǎo)通孔可具有垂直于襯底101的下表面的線路形式，或者不垂直于襯底101的下表面的線路形式。第一電極160可以以預(yù)定距離彼此間隔開。例如，可周期性地、隨機(jī)地或者不規(guī)則地布置第一電極160。第一電極160之間的間隔可根據(jù)第二電極150的電流效率和圖案而變化?？蓪⒅辽僖粋€(gè)第一電極160設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112 內(nèi)，或?qū)⑵浔┞对谄骷耐獗谥?。第一電極160被暴露在襯底101的下部之外?？衫梦挥谝r底101的下部的預(yù)定圖案或預(yù)定層，使得第一電極160彼此互連。第一電極160的下端被用作焊盤，或者可以另外形成焊盤。襯底101的下表面與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112之間的厚度Tl 比襯底厚度厚大約2 μ m到大約3 μ m。襯底101的厚度可處于大約100 μ m至大約400 μ m 的范圍內(nèi)。襯底101的下表面可具有平坦結(jié)構(gòu)或粗糙結(jié)構(gòu)，但實(shí)施例不限于此。圖2是圖1的平面圖，而圖3是圖2的仰視圖。參照?qǐng)D2和圖3，在第二電極152中，焊盤150的寬度可大于第二電極152的線寬。 第二電極152的線寬可從焊盤150到預(yù)定部分而逐漸減小，但實(shí)施例不限于此。可將焊盤150布置于轉(zhuǎn)角之間，或者布置在轉(zhuǎn)角的一部分處，但實(shí)施例不限于此。焊盤150和與焊盤150連接的第二電極152比第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的中心更靠近第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的邊緣，并且其可被布置為與使得第一電極160彼此相連的虛線相隔預(yù)定距離D4。第二電極152和焊盤150被布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的頂面的邊緣處， 而非第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的頂面的中心，從而，能防止由焊盤150和于焊盤150結(jié)合的線引起的光損耗。還將透射導(dǎo)電層布置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120與第二電極152之間，以便能將電流擴(kuò)展到整個(gè)區(qū)域內(nèi)。由此，能提高內(nèi)量子效率(internal quantum efficiency) 0多個(gè)第一電極160的上端被設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的上表面111上， 其與例如，有源層115的四個(gè)側(cè)表面中的至少一個(gè)側(cè)表面間隔開，且第二電極152可具有與多個(gè)第一電極160相對(duì)應(yīng)的環(huán)狀。在芯片的頂部進(jìn)行觀察時(shí)，焊盤150可位于芯片的中心?？稍趯?shí)施例的技術(shù)范圍內(nèi)對(duì)焊盤150的布置作出改變。第二電極152可以以分支狀從焊盤150分支。例如，第二電極152可具有連續(xù)環(huán)狀或非連續(xù)環(huán)狀。第二電極152可具有諸如放射圖案、至少一個(gè)分支圖案、弧形圖案、直線圖案、多邊形圖案、圓形圖案或者它們的組合的多種形狀，但實(shí)施例不限于此。第一電極160在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的上表面上以距離Dl 或更大距離彼此間隔開，并對(duì)應(yīng)于第二電極152而布置。如圖2中所示，第一電極160的上端被設(shè)置為與第二電極152間隔預(yù)定距離。可沿著襯底101的下表面IOlA的周圍布置第一電極160的下端，如圖3所示。由于第一電極160對(duì)應(yīng)于第二電極152而布置，因此，電流能夠均勻地流遍發(fā)光結(jié)構(gòu)層125的整個(gè)區(qū)域。第一電極160的上直徑D2(圖2中所示)可以小于第一電極160的下直徑(圖3 中所示)或?qū)挾菵3。上直徑或?qū)挾菵2可處于大約1 μ m至大約50 μ m的范圍內(nèi)。盡管第一電極160具有附圖所示的圓形外形，但第一電極160也可具有各種外形，例如多邊形、橢圓形或者除了圓形之外的有角的形狀與球形的組合。如圖1所示，透射襯底101被布置在具有垂直型電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件中，從而，能由于透射襯底101的厚度而改善行進(jìn)光線的發(fā)射角。由此，能提高光提取效率。圖4A和圖4B是示出了圖1的孔165的圖。如圖4A所示，孔165可具有梯形形狀?？?65的下直徑(或?qū)挾?D3處于大約0. 5 μ m至大約50 μ m的范圍內(nèi)，而孔165的上直徑(或?qū)挾?D2處于大約0. 5 μ m至大約 20 μ m的范圍內(nèi)。在這種情況下，可在D3>D2的條件下形成孔165。上直徑D2和下直徑 D3可根據(jù)器件的大小而變化。相對(duì)于與襯底101的下表面垂直的虛軸，孔165的傾斜角θ 1 可滿足條件0 < θ 1 < 30°。由于孔165的形狀可以與第一電極160的形狀大致相同，因此，第一電極160的形狀以孔165的形狀為基準(zhǔn)。如圖4Β所示，孔165Α具有傾斜結(jié)構(gòu)，該傾斜結(jié)構(gòu)具有圍繞垂直于襯底101的下表面的虛軸的各種角度，且該傾斜結(jié)構(gòu)被設(shè)置于孔165Α的下部。被設(shè)置于孔165Α的下部的傾斜結(jié)構(gòu)可具有下端，該下端具有比上端的寬度更寬的寬度。圖5至圖10是示出了圖1的發(fā)光器件的制造過程的剖面圖。參照?qǐng)D5，將襯底101加載在生長(zhǎng)設(shè)備上，而且可將II至VI族元素化合物半導(dǎo)體層形成在襯底101上。該生長(zhǎng)設(shè)備可包括電子束淀積設(shè)備、PVD (物理氣相淀積)設(shè)備、CVD (化學(xué)氣相淀積)設(shè)備、PLD (等離子激光淀積)設(shè)備、雙型熱蒸發(fā)器、濺射設(shè)備、和MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積)設(shè)備。但是，實(shí)施例不限于此。襯底101可包括導(dǎo)電襯底或絕緣襯底。例如，襯底101可包括從由藍(lán)寶石(Al2O3)、 GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、hP、Ga2O3和GaAs組成的組中選擇的材料。襯底101在其頂面上可設(shè)置有凹凸結(jié)構(gòu)，其包括透鏡狀或條紋狀，且該凹凸結(jié)構(gòu)可包括圖案或糙紋。另外，襯底101 上可設(shè)置有第一半導(dǎo)體層105，而第一半導(dǎo)體層105可包括使用II至VI族元素化合物半導(dǎo)體的層或圖案。例如，可將ZnO層(未示出)、緩沖層(未示出)、和未被摻雜的半導(dǎo)體層 (未示出)中的至少一種形成在襯底101上。緩沖層和未被摻雜的半導(dǎo)體層可包括III-V 族元素的化合物半導(dǎo)體。緩沖層減小了與襯底101的晶格常數(shù)差。未被摻雜的半導(dǎo)體層具有比第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110更低的導(dǎo)電率，并可包括未被摻雜的GaN基半導(dǎo)體。第一半導(dǎo)體層105 可包括從由 feiN、InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN, SiO2, SiOx, SiN2, SiNj^n SiOxNy組成的組中選擇的材料和金屬。第一半導(dǎo)體層105可具有異質(zhì)結(jié)超晶格結(jié)構(gòu)或光提取結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體層105可具有DBR結(jié)構(gòu)，其中，具有不同折射率的至少兩個(gè)層交替生長(zhǎng)?？蓪⒕彌_層、未被摻雜的半導(dǎo)體層、超晶格結(jié)構(gòu)和DBR結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)形成在襯底101上。參照?qǐng)D5和6，發(fā)光結(jié)構(gòu)層125可被形成在第一半導(dǎo)體層105上。發(fā)光結(jié)構(gòu)層125 包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110、有源層115和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120。還可將另一層設(shè)置在每一層的上面或下面，但實(shí)施例不限于此。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110被形成在第一半導(dǎo)體層105上，并可包括從由作為摻雜有第一導(dǎo)電摻雜物的III-V族元素化合物半導(dǎo)體的GaN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP 和 AlGaInP 組成的組中選擇的其中之一。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可包括具有化/明 ！力⑴彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110為N型半導(dǎo)體層，該N型半導(dǎo)體層包括 N型摻雜物，諸如Si、Ge、Sn、％或1^。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可被用作電極接觸層， 并且可具有單層或多層。但是，實(shí)施例不限于此。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110可具有超晶格結(jié)構(gòu)，其中，不同的半導(dǎo)體層被交替堆疊，并且該超晶格結(jié)構(gòu)包括GaN/InGaN結(jié)構(gòu)或者GaN/AWaN結(jié)構(gòu)。
有源層115被形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層110上，并可具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。有源層115可具有堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)包括由III-V族化合物半導(dǎo)體材料制成的阱層和勢(shì)壘層。例如，有源層115可具有從由InGaN阱/GaN勢(shì)壘層、InGaN阱/AlGaN勢(shì)壘層和InGaN阱/InGaN勢(shì)壘層中選擇的至少一個(gè)的堆疊結(jié)構(gòu)。可將第一導(dǎo)電包覆層插入在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110與有源層115之間。第一導(dǎo)電包覆層可包括GaN基半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電包覆層具有比有源層115的勢(shì)壘層的帶隙更大的帶隙，并且其限制載流子?？蓪⒌诙?dǎo)電包覆層插入在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120與有源層115之間。第二導(dǎo)電包覆層可包括GaN基半導(dǎo)體。第二導(dǎo)電包覆層具有比有源層115的勢(shì)壘層的帶隙更大的帶隙，并且其限制載流子。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120被設(shè)置在有源層115上。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120 可包括摻雜有第二導(dǎo)電類型摻雜物的III-V族元素化合物半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電層120可以從由 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlfeiN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 組成的組中選擇。優(yōu)選地，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120可包括具有h/lyGiinNa)≤χ≤1， 0≤y≤1，0≤x+y≤1)的組成式的半導(dǎo)體材料。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。如果第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120具有多層結(jié)構(gòu)，則第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120可包括超晶格結(jié)構(gòu)，如AKiaN/GaN結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120可包括P型半導(dǎo)體層。例如，P型半導(dǎo)體層包括P型摻雜物，諸如Mg、Be和Si。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120可被用作電極接觸層，但實(shí)施例不限于此?？蓪⒌谝话雽?dǎo)體層110、有源層115和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120定義為發(fā)光結(jié)構(gòu)層125。發(fā)光結(jié)構(gòu)層125還可包括第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120上的第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層， 且第三導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層可包括與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層具有相反極性的半導(dǎo)體層。發(fā)光結(jié)構(gòu)層125可包括N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)和P_N_P結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種。 在這種情況下，“N”表示N型半導(dǎo)體層、“P”表示P型半導(dǎo)體，而“_”表示半導(dǎo)體層直接或間接彼此堆疊的結(jié)構(gòu)。下文中，將其中的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120被設(shè)置于發(fā)光結(jié)構(gòu)層 125的最上層處的結(jié)構(gòu)作為一個(gè)示例來(lái)進(jìn)行說明。參照?qǐng)D7，執(zhí)行蝕刻處理。例如，以距離第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的預(yù)定深度進(jìn)行蝕刻處理。相對(duì)于芯片的外周部，即溝道區(qū)執(zhí)行蝕刻處理。蝕刻處理可包括用以分割芯片的隔離蝕刻處理和/或用以暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的一部分的臺(tái)面蝕刻處理。通過蝕刻處理，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的一部分，例如，第一部分112的上表面被暴露。在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110中，第一部分112和第二部分113形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)。 換言之，通過蝕刻處理，芯片之間的邊界，即，溝道區(qū)Ml被暴露。參照?qǐng)D8，多個(gè)孔165被形成在溝道區(qū)Ml內(nèi)。通過使用激光器和/或鉆具，孔165 可從第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層Iio的第一部分112延伸至襯底101的下表面?？扇鐖D2和圖3所示地形成孔165?？?65可具有上端的直徑小于下端的直徑的結(jié)構(gòu)，如圖4所示。沿著單獨(dú)的芯片的外周部分形成孔165?？?65之間的間隔可以恒定、不規(guī)則或隨機(jī)。例如，可以沿著每個(gè)芯片的四個(gè)側(cè)壁中的至少一個(gè)而形成孔165，或者在芯片的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁或全部側(cè)壁上形成孔165。參照?qǐng)D9，第二電極152被形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120內(nèi)，而第一電極160 被形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的孔165內(nèi)。例如，第一電極160可在已經(jīng)形成晶種層之后通過鍍處理形成，或者可通過填料處理形成，但實(shí)施例不限于此。第一電極160 可包括從由 Cu、Ti、Cr、Ta、Al、In、Pd、Co、Ni、Ge、^Vg 和 Au 或者它們的合金組成的組中選擇的一種。第一電極160可包括非金屬導(dǎo)電材料，但實(shí)施例不限于此。第二電極152包括焊盤150。第二電極152可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，其包括從由 Ti、Al、Al 合金、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag 合金、Au、Hf、Pt、Ru 和 Au 或者它們的合金組成的組中選擇的至少一種。盡管第二電極152可包括至少一個(gè)焊盤150，但如果第二電極152具有大的面積，就可設(shè)置兩個(gè)焊盤，但實(shí)施例不限于此。第二電極152連接至焊盤150，而且可具有環(huán)狀、直線形狀、弧形形狀、多邊形狀、 和圓形形狀中的至少一種，但實(shí)施例不限于此?？蓪㈦娏鲾U(kuò)展層形成在第二電極152與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120之間?？蓪㈦娏鲾U(kuò)展層形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120上?？稍趫?zhí)行蝕刻處理之前或之后形成電流擴(kuò)展層，但實(shí)施例不限于此。電流擴(kuò)展層可包括透射氧化物材料或透射氮化物材料。例如，電流擴(kuò)展層可包括從由ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、IGZO、IGT0、ΑΖ0、ΑΤ0和GZO組成的組中選擇的材料。但是，可以不必形成電流擴(kuò)展層，但實(shí)施例不限于此。隨后，通過沿著芯片之間的分界線Cl的切割處理或者折斷處理來(lái)形成圖10所示的單獨(dú)的芯片。參照?qǐng)D10，多個(gè)第一電極160被設(shè)置在襯底101的下表面上，且具有第一極性的電源經(jīng)由第一電極160而被供應(yīng)至第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110。第二電極152的焊盤150連接至諸如布線的連接構(gòu)件，并接收具有第二極性的電力。此外，具有第二極性的電力經(jīng)由焊盤150和第二電極152被供應(yīng)至第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120。因此，能夠?qū)⒕鶆虻碾娏?yīng)至發(fā)光器件100的整個(gè)部分，從而能提高內(nèi)量子效率。圖11至圖13是示出了發(fā)光器件的溝道區(qū)中的孔和第一電極的另一示例的圖。孔不規(guī)則地形成在發(fā)光區(qū)域內(nèi)。參考符號(hào)Al和A2表示芯片區(qū)域，而參考符號(hào)Cl表示在芯片區(qū)域內(nèi)將第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一部分分開的分界線。參照?qǐng)D11，孔165可被布置于兩個(gè)相鄰芯片區(qū)域Al和A2的隔離區(qū)域中的邊界線 Cl的兩側(cè)?？?65可被布置在每個(gè)芯片區(qū)域Al和A2內(nèi)。電極160A被形成在孔165內(nèi)，并在隔離區(qū)域的表面上的導(dǎo)電圖案處延伸，從而可將電極160A布置在每個(gè)芯片區(qū)域Al和A2內(nèi)。在這種情況下，導(dǎo)電圖案可具有從邊界線C 1朝每個(gè)芯片區(qū)域Al和A2限定的寬度。在這種情況下，兩個(gè)相鄰芯片區(qū)域的寬度可處于大約5μπι至大約100 μ m的范圍內(nèi)，并可被用作襯底上的芯片之間的溝道區(qū)。參照?qǐng)D12，在可以將孔165布置于兩個(gè)相鄰芯片區(qū)域Al和A2的隔離區(qū)域中的邊界線Cl的兩側(cè)時(shí)，可將孔165分配給芯片區(qū)域Al和A2中的每一個(gè)。電極160B在孔165 的內(nèi)部中的導(dǎo)電圖案處和孔165的表面上的導(dǎo)電圖案處延伸，從而可將電極160B布置在每個(gè)芯片區(qū)域Al和A2內(nèi)。
參照?qǐng)D13，在可以將孔165形成在兩個(gè)相鄰芯片區(qū)域Al和A2的溝道區(qū)中的邊界線Cl上時(shí)，孔165可共用每個(gè)芯片區(qū)域Al和A2的隔離區(qū)域。第一電極160C在孔165的內(nèi)部中的導(dǎo)電圖案處和孔165的表面上的導(dǎo)電圖案處延伸，從而可將第一電極160C電連接至每個(gè)芯片區(qū)域Al和A2。在這種情況下，導(dǎo)電圖案可從邊界線Cl延伸并可電連接至每個(gè)芯片區(qū)域Al和A2的半導(dǎo)體層(例如，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110)。在這種情況下，第一電極160C的外部可暴露在芯片的外面。圖14是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖。在以下有關(guān)第二實(shí)施例的描述中，為避免冗余，不再說明與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)和部件。參照?qǐng)D14，發(fā)光器件100A包括具有傾斜側(cè)表面Sl的發(fā)光結(jié)構(gòu)層125(110、115和 120)。第一導(dǎo)電層161可被設(shè)置于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的外周部。第一導(dǎo)電層161 可從第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的頂面111延伸至第二部分113的側(cè)表面。 第一導(dǎo)電層161可包括與第一電極的材料相同的材料、另一種導(dǎo)電金屬材料或透射導(dǎo)電材料。第一導(dǎo)電層161使得至少兩個(gè)第一電極160的上端彼此相連，穩(wěn)定地供應(yīng)具有第一極性的電力，并擴(kuò)展電流。第一導(dǎo)電層161具有預(yù)定寬度，并可具有閉環(huán)形狀或開環(huán)形狀?？稍O(shè)置一個(gè)第一導(dǎo)電層161或多個(gè)第一載流部分161，但實(shí)施例不限于此。第一電極160的下端163可單獨(dú)地布置，或者可以以一組為單位彼此相連。第二電極150包括焊盤，并且可將電流擴(kuò)展層155設(shè)置在焊盤與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120之間?？蓪㈦娏鲾U(kuò)展層155形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的幾乎整個(gè)部分上。電流擴(kuò)展層巧5可包括透射導(dǎo)電氧化物或透射導(dǎo)電氮化物。電流擴(kuò)展層巧5可包括從由ΙΤ0、ΙΖΟ、ΙΖΤ0、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO、ATO和GZO組成的組中選擇的材料?？梢圆槐匦纬呻娏鲾U(kuò)展層155，但實(shí)施例不限于此。圖15是示出了根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖。在以下有關(guān)第三實(shí)施例的描述中，為避免冗余，不再說明與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)和部件。參照?qǐng)D15，在發(fā)光器件100B中，第一電極160穿過第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112和襯底101。在發(fā)光器件100B中，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112 的頂面111和第一半導(dǎo)體層105的頂面可暴露。盡管已經(jīng)說明了暴露第一半導(dǎo)體層105的示例，但襯底101的外部的頂面也可暴露。在第二溝道區(qū)M2中，第一半導(dǎo)體層105的頂面由于隔離蝕刻處理可以進(jìn)一步暴露，從而使得芯片彼此分開?？山?jīng)由臺(tái)面蝕刻處理來(lái)形成第一溝道區(qū)M1，從而暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的一部分。第一溝道區(qū)Ml和第二溝道區(qū)M2可具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)。第一電極160具有在其中第一導(dǎo)電層161從第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的頂面 111延伸且第二導(dǎo)電層161A在第一半導(dǎo)體層105的頂面上延伸的結(jié)構(gòu)。由于第一電極160 具有穿過第一導(dǎo)電層161和第二導(dǎo)電層161A的擴(kuò)展圖案，所以第一電極160能與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的側(cè)表面穩(wěn)定接觸，從而能有效供應(yīng)電流。第一導(dǎo)電層161可以以預(yù)定距離D6與有源層115分離。絕緣層190可被設(shè)置于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第二部分113、有源層115和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的外部。絕緣層190能防止電短路，并適用于其它實(shí)施例。圖16是示出了根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖，而圖17是圖16的平面圖。在以下有關(guān)第四實(shí)施例的描述中，為避免冗余，不再說明與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)和部件。參照?qǐng)D16和圖17，在發(fā)光器件100C中，第一導(dǎo)電層161被設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層Iio的第一部分112的頂面111上。第一導(dǎo)電層161使得第一電極160彼此電連接，如圖17所示。第一導(dǎo)電層161可具有環(huán)狀，或者可被分成多個(gè)區(qū)域。電極層170被形成在襯底101的下表面上。電極層170可包括從由Ag、Ag合金、 Ni、Al、Al合金、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf或者它們的合金組成的組中選擇的一種。電極層170可被用作反射電極。電極層170可被用作用于芯片結(jié)合的結(jié)合層?？赏ㄟ^堆疊具有不同折射率的兩種材料來(lái)形成電極層170。例如，可通過堆疊從由 ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO、ΑΤΟ、GZ0、Ag、Ag 合金、Ni、Al、Al 合金、Rh、Pd、Ir、 Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf組成的組中選擇的至少兩種材料來(lái)形成電極層170。此外，根據(jù)實(shí)施例，除電極層170以外，還可設(shè)置加熱板。該加熱板可包括具有優(yōu)良導(dǎo)熱性的金屬材料。加熱板可連接至電極層170，或者可與電極層170分離。圖18是示出了根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖。在以下有關(guān)第五實(shí)施例的描述中，為避免冗余，不再說明與第四實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)和部件。參照?qǐng)D18，在發(fā)光器件100C中，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的一部分和第一半導(dǎo)體層105的頂面的部分可暴露。可經(jīng)由至少兩種蝕刻處理來(lái)形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 110的部分和第一半導(dǎo)體層105的頂面的部分。在這種情況下，上述至少兩種蝕刻處理包括隔離蝕刻處理和臺(tái)面蝕刻處理。第二溝道區(qū)Μ2可通過隔離蝕刻處理暴露，而第一溝道區(qū)Ml可通過臺(tái)面蝕刻處理暴露。第一溝道區(qū)Ml和第二溝道區(qū)Μ2可通過干法蝕刻處理暴露，但實(shí)施例不限于此。可將溝道區(qū)Ml和 Μ2中不參與發(fā)光的一部分用作電極區(qū)。第一電極160包括設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的頂面111 上并實(shí)現(xiàn)電接觸的第一導(dǎo)電層161。可以不必將第二導(dǎo)電層形成在第一半導(dǎo)體層105的頂面上。第一導(dǎo)電層161使得第一電極160彼此電連接，如圖17所示?？梢栽O(shè)置一個(gè)第一導(dǎo)電層161或多個(gè)第一導(dǎo)電層161。如果設(shè)置多個(gè)第一導(dǎo)電層161，則第一導(dǎo)電層161可以彼此間隔開。第一電極160可從第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的側(cè)表面延伸至襯底191的下端，而且可連接至第一導(dǎo)電層161的下表面。電極層170被形成于襯底101的下表面。電極層170可包括從由Ag、Ag合金、Ni、 Al、Al合金、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Si、Pt、Au和Hf或者它們的合金組成的組中選擇的一種，而且可被用作反射電極。另外，電極層170可被用作用于芯片結(jié)合的結(jié)合層?？赏ㄟ^堆疊具有不同折射率的兩種材料來(lái)形成電極層170。例如，可通過堆疊從由 ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO、ΑΤΟ、GZ0、Ag、Ag 合金、Ni、Al、Al 合金、Rh、Pd、Ir、 Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf組成的組中選擇的至少兩種材料來(lái)形成電極層170。圖19是示出了根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖。在以下有關(guān)第六實(shí)施例的描述中，為避免冗余，不再說明與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)和部件。參照?qǐng)D19，在發(fā)光器件100D中，凹凸結(jié)構(gòu)102被形成在襯底101上，并能反射從有源層115射出的光。襯底101的凹凸結(jié)構(gòu)102改變從有源層115行進(jìn)到襯底101的光的臨界角，從而能提高外量子效率。第一半導(dǎo)體層105可具有與襯底101的凹凸結(jié)構(gòu)102相對(duì)應(yīng)的凹凸結(jié)構(gòu)。凹凸結(jié)構(gòu)102可包括以1/2 λ或1/4 λ的間隔布置的圖案。圖20是示出了根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖。在以下有關(guān)第七實(shí)施例的描述中，為避免冗余，不再說明與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)和部件。參照?qǐng)D20，在發(fā)光器件100Ε中，凹凸結(jié)構(gòu)103和電極層170被形成在襯底101的下表面上。電極層170可以與襯底101的凹凸結(jié)構(gòu)103對(duì)應(yīng)形成。電極層170可被用作反射電極。凹凸結(jié)構(gòu)103可具有以1/2 λ或1/4 λ的間隔布置的圖案。形成在襯底101的下表面上的凹凸結(jié)構(gòu)103可以改變從有源層115射到襯底101 的光的臨界角。電極層170可以反射入射光。襯底101的凹凸結(jié)構(gòu)103和電極層170改變從有源層115朝襯底101向下行進(jìn)的光的臨界角，從而能提高外量子效率。根據(jù)實(shí)施例，圖 19的凹凸結(jié)構(gòu)可被形成在襯底101上，但實(shí)施例不限于此。圖21是示出了根據(jù)第八實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖。在以下有關(guān)第八實(shí)施例的描述中，為避免冗余，不再說明與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)和部件。參照?qǐng)D21，在發(fā)光器件100F中，襯底101的頂面和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的頂面111被暴露。第一電極160穿過襯底101，并且經(jīng)由襯底101的頂面和下表面而暴露。第三導(dǎo)電層163Α被設(shè)置在第一電極160的下端的下面，并可使得第一電極160彼此電連接。第三導(dǎo)電層160Β被形成在第一電極160的上端上，而且從襯底101的頂面延伸至第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分112的頂面111。第三導(dǎo)電層160Β的下端與第一電極160的上端接觸，而第三導(dǎo)電層160Β的內(nèi)部與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第一部分 112的側(cè)表面接觸。因此，第一電極160和第三電極層160Β能在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110 的整個(gè)區(qū)域內(nèi)均勻地供應(yīng)電流。根據(jù)實(shí)施例，第三導(dǎo)電層163Α可包括金屬材料，或者可包括導(dǎo)電片和/或電極，但實(shí)施例不限于此。第三導(dǎo)電層160Β以預(yù)定距離D7與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的第二部分113的側(cè)表面間隔開，從而防止層間短路。有源層115的寬度和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的寬度可比襯底101的寬度更窄。圖22是示出了根據(jù)第九實(shí)施例的發(fā)光器件的側(cè)視剖面圖。在以下有關(guān)第九實(shí)施例的描述中，為避免冗余，不再說明與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)和部件。參照?qǐng)D22，發(fā)光器件包括多個(gè)第一導(dǎo)電層161，且一個(gè)或多個(gè)第一電極160被設(shè)置在第一導(dǎo)電層161的下面。焊盤150可被設(shè)置于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層120的中心，但實(shí)施例不限于此。根據(jù)實(shí)施例，發(fā)光器件可以以第一導(dǎo)電層161的寬度而進(jìn)行局部臺(tái)面蝕刻處理。 根據(jù)局部臺(tái)面蝕刻處理，需要形成電極的區(qū)域受到蝕刻，并在蝕刻區(qū)域內(nèi)形成孔，從而形成第一電極160和第一導(dǎo)電層161。在這種情況下，由于有源層未被蝕刻，因此，可將未受到臺(tái)面蝕刻處理的區(qū)域用作發(fā)光區(qū)域。由此，能提高實(shí)施例中公開的發(fā)光面積。
從而，第一電極160能通過第一導(dǎo)電層161連接至第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層110的外部。襯底101的外部可經(jīng)由隔離蝕刻處理暴露。圖23是示出了根據(jù)第十實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的截面圖。參考圖23，發(fā)光器件封裝30包括主體20 ；第一和第二引線電極31和32，該第一和第二引線電極31和32形成在主體20上；根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件100，其被布置在主體 20上并且被電氣地連接到第一和第二引線電極31和32 ；以及成型構(gòu)件40，該成型構(gòu)件40 包圍發(fā)光器件100。主體20可以是硅、合成樹脂、或者金屬材料。腔體22可以被形成在主體20的上部分處，并且發(fā)光器件100被提供在腔體25中。傾斜表面可以被形成在發(fā)光器件100的周圍。腔體25可以垂直于主體20的下表面或者相對(duì)于主體20的下表面傾斜，但是實(shí)施例不限于此。第一和第二引線電極31和32相互電氣地隔離，以將電力提供給發(fā)光器件100。另外，第一和第二引線電極31和32反射從發(fā)光器件100發(fā)射的光以提高光效率，并且將從發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱發(fā)散到外部。發(fā)光器件100能夠被安裝在主體20上，或者第一和第二引線電極31和32上。發(fā)光器件100通過布線而被連接到第一引線電極31，并且芯片結(jié)合到第二引線電極32。成型構(gòu)件40可以包圍發(fā)光器件100以保護(hù)發(fā)光器件100。另外，成型構(gòu)件40包含熒光體，以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長(zhǎng)。根據(jù)實(shí)施例(實(shí)施例)的發(fā)光器件通過絕緣基板或者生長(zhǎng)基板被芯片結(jié)合到第二引線電極32，并且被封裝，從而發(fā)光器件能夠被用作指示器、照明器件、以及顯示器件的光源。實(shí)施例能夠被可選擇性地可應(yīng)用于另一實(shí)施例。根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝能夠被應(yīng)用于照明單元作為光源。照明單元具有其中排列多個(gè)發(fā)光器件封裝的結(jié)構(gòu)，并且包括照明燈、信號(hào)燈、車輛的頭燈、以及電子標(biāo)識(shí)牌。〈照明系統(tǒng)〉根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝能夠被應(yīng)用于照明單元。照明單元包括被排列在照明單元中的多個(gè)發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝。照明單元可以包括照明燈、信號(hào)燈、車輛的頭燈、以及電子標(biāo)識(shí)牌。照明系統(tǒng)可以包括圖M和圖25中所示的顯示器件、圖沈中所示的照明器件、照明燈、信號(hào)燈、汽車頭燈、電子顯示器等等。圖M是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示器件的分解透視圖。參考圖對(duì)，根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置1000可以包括導(dǎo)光板1041 ；發(fā)光模塊1031， 所述發(fā)光模塊1031將光提供給導(dǎo)光板1041 ；反射構(gòu)件1022，所述反射構(gòu)件1022在導(dǎo)光板 1041的下面；光學(xué)片1051，所述光學(xué)片1051在導(dǎo)光板1041上；顯示面板1061，所述顯示面板1061在光學(xué)片1051上；以及底蓋1011，所述底蓋1011容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031、 以及反射構(gòu)件1022 ；然而，其不限于此。底蓋1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041、以及光學(xué)片1051可以被定義為照明單元 1050。
導(dǎo)光板1041用于擴(kuò)散光，以使其聚集為表面光源。利用透明材料形成導(dǎo)光板 1041，并且導(dǎo)光板1041，例如可以包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯基樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、環(huán)烯烴共聚合物(COC)、以及聚萘二甲酸乙二酯 (PEN)樹脂中的一個(gè)。發(fā)光模塊1031將光提供給導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)，并且最終用作顯示器件的光源。包括至少一個(gè)發(fā)光模塊1031，并且發(fā)光模塊1031可以直接或者間接地在導(dǎo)光板1041的一側(cè)處提供光。發(fā)光模塊1031包括根據(jù)上述實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30和基板 1033。發(fā)光器件封裝30可以以預(yù)定的間隔而布置在基板1033上?；?033可以是包括電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。然而，基板1033 不僅可以包括典型的PCB，而且可以包括金屬核PCB(MCPCB)或者柔性PCB(FPCB)，并且它不限于此。在發(fā)光器件封裝30被安裝在底蓋1011的一側(cè)上或者散熱板上的情況下，基板 1033可以被取消。在此，散熱板的一部分可以接觸到底蓋1011的上表面。多個(gè)發(fā)光器件封裝30可以被安裝在基板1033上，使得發(fā)光表面與導(dǎo)光板1041分離預(yù)定的距離，并且對(duì)此不存在限制。發(fā)光器件封裝30可以直接地或者間接地將光提供給光進(jìn)入部分，即，導(dǎo)光板1041的一側(cè)，并且對(duì)此不存在限制。反射構(gòu)件1022可以被設(shè)置在導(dǎo)光板1041的下方。反射構(gòu)件1022在向上方向上反射被入射到導(dǎo)光板1041的下表面的光，從而可以提高照明單元1050的亮度。例如，可以利用例如PET、PC、或者PVC(聚氯乙烯)樹脂來(lái)形成反射構(gòu)件1022;然而，它不限于此。反射構(gòu)件1022可以是底蓋1011的上表面；然而，對(duì)此不存在限制。底蓋1011可以容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031、以及反射構(gòu)件1022。為此，底蓋 1011可以被提供有存儲(chǔ)單元1012，其具有其上表面被開口的盒狀形狀，并且對(duì)此不存在限制。底蓋1011可以與頂蓋組合，并且對(duì)此不存在限制?？梢岳媒饘俨牧匣蛘邩渲牧蟻?lái)形成底蓋1011，并且可以使用按壓或者擠壓成型工藝來(lái)制造底蓋1011。底蓋1011還可以包括具有優(yōu)秀的導(dǎo)熱性的金屬或者非金屬材料， 并且對(duì)此不存在限制。顯示面板1061是例如，IXD面板，并且包括透射的第一和第二基板，以及第一和第二基板之間的液晶層。在顯示面板1061的至少一側(cè)上，可以附接偏振板；然而，附接結(jié)構(gòu)不限于此。顯示面板1061通過穿過光學(xué)片1051的光來(lái)顯示信息。顯示器件1000可以被應(yīng)用于各種蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、膝上計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、以及電視。光學(xué)片1051被設(shè)置在顯示面板1061和導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個(gè)半透明片。光學(xué)片1051可以包括例如擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片、亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射光。水平或/和垂直棱鏡片將入射光集中在顯示區(qū)域。亮度增強(qiáng)片重新使用丟失的光以增強(qiáng)亮度。保護(hù)片可以被布置在顯示面板1061上，并且對(duì)此不存在限制。在此，在發(fā)光模塊1031的光路徑上，導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以被包括作為光學(xué)構(gòu)件；然而，對(duì)此不存在限制。圖25是示出根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置的圖。參考圖25，顯示裝置1100包括底蓋1152、基板1120、光學(xué)構(gòu)件1154、以及顯示面板1155。在此，上述發(fā)光器件封裝30被排列在基板1120上。
基板1120和發(fā)光器件封裝30可以被定義為發(fā)光模塊1060。底蓋1152、至少一個(gè)發(fā)光模塊1060、以及光學(xué)構(gòu)件IlM可以被定義為照明單元。底蓋1152可以被提供有存儲(chǔ)單元1153，并且對(duì)此不存在限制。在此，光學(xué)構(gòu)件IlM可以包括透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片、以及亮度增強(qiáng)片中的至少一個(gè)?？梢岳肞C材料或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)材料來(lái)形成導(dǎo)光板，并且可以去除該導(dǎo)光板。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射光。水平或/和垂直棱鏡片將入射光集中在顯示區(qū)域上。亮度增強(qiáng)片重新使用丟失的光以增強(qiáng)亮度。光學(xué)構(gòu)件IlM被設(shè)置在發(fā)光模塊1060上。光學(xué)構(gòu)件IlM將從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為表面光源，或者對(duì)光執(zhí)行擴(kuò)散或者收集。圖沈是示出根據(jù)實(shí)施例的照明器件的透視圖。參考圖沈，照明器件1500包括殼體1510 ；發(fā)光模塊1530，該發(fā)光模塊1530被安裝到殼體1510 ；以及連接端子1520，該連接端子1520被安裝到殼體1510，并且被提供有來(lái)自于外部電源的電力。優(yōu)選地，利用具有優(yōu)異的散熱特性的材料來(lái)形成殼體1510。例如，可以利用金屬材料或者樹脂材料來(lái)形成殼體1510。發(fā)光模塊1530可以包括基板1532，和被安裝在基板1532上的根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝30。多個(gè)發(fā)光器件封裝30可以以矩陣的形式排列，或者以預(yù)定的間隔相互分離地排列?；?532可以是其中印有電路圖案的絕緣體。例如，基板1532可以包括PCB、金屬核PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、以及FR-4基板?；?532還可以利用有效地反射光的材料形成，或者它的表面可以被涂覆有有效地反射光的顏色，例如，白色或者銀色。至少一個(gè)發(fā)光器件封裝30可以被安裝在基板1532上。每個(gè)發(fā)光器件封裝30可以包括至少一個(gè)發(fā)光二極管(LED)芯片。LED芯片可以包括諸如紅、綠、藍(lán)或者白色的可見光的發(fā)光二極管，或者發(fā)射紫外線(UV)的UV發(fā)光二極管。各種發(fā)光器件封裝30的組合可以被布置在發(fā)光模塊1530中，以獲得顏色色調(diào)和亮度。例如，為了確保高顯色指數(shù)(CRI)，可以組合并且布置白光發(fā)光二極管、紅光發(fā)光二極管、以及綠光發(fā)光二極管。連接端子1520可以被電氣地連接到發(fā)光模塊1530以提供電力。連接端子1520 以插座的方法螺紋連接到外部電源；然而，對(duì)此不存在限制。例如，可以將連接端子1520形成為插腳的形狀以將其插入到外部電源，或者可以通過布線將其連接到外部電源。一種制造根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的方法包括下述步驟在襯底上形成包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的多個(gè)化合物半導(dǎo)體層；通過第一蝕刻工藝暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的一部分；形成從被暴露的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層穿透到襯底的下表面的至少一個(gè)孔；以及在至少一個(gè)孔中形成至少一個(gè)第一電極，使得通過電極形成從襯底的下表面到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的部分的電連接。在本說明書中，任何對(duì)于“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的引用意味著結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說明書中，在各處出現(xiàn)的這類短語(yǔ)不必都表示相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性時(shí)，認(rèn)為結(jié)合實(shí)施例中的其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)。 雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出許多將落入本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍內(nèi)的其它修改和實(shí)施例。更加具體地，在本公開內(nèi)容、附圖、和所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，主題的組合布置的組成部件和/或布置方面的各種變化和修改都是可能的。除了組成部件和/或布置方面的變化和修改之外，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說，替代使用也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括襯底；發(fā)光結(jié)構(gòu)層，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的有源層和所述有源層上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，其中，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層被形成在所述襯底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第二上表面比所述第一上表面更靠近所述襯底；所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二電極；以及至少一個(gè)第一電極，所述至少一個(gè)第一電極通過穿過所述襯底至少?gòu)乃龅谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層的所述第二上表面延伸至所述襯底的下表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與所述襯底之間的至少一個(gè)第一半導(dǎo)體層，其中，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的所述第二上表面由源自于所述有源層的至少一個(gè)側(cè)表面的臺(tái)階表面形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極被形成為多個(gè)，其中，至少所述多個(gè)第一電極的上部彼此被間隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極的下寬度等于或大于所述第一電極的上寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，還包括第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層用于使得至少兩個(gè)第一電極的上部彼此相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極包括相對(duì)于所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的下表面垂直或傾斜的結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極比靠近所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的所述上表面的中心區(qū)域更靠近所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的上表面的邊緣區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，還包括第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層用于使得至少兩個(gè)第一電極的下部彼此相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一上表面與第二上表面之間的傾斜側(cè)表面，以及第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層被形成在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二上表面和所述傾斜側(cè)表面上，并被連接至所述第一電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述襯底的上表面和下表面中的至少一個(gè)包括凹凸結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述第一半導(dǎo)體層的一部分從所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的側(cè)表面向外延伸，而且第三導(dǎo)電層通過穿過所述第一半導(dǎo)體層而連接至所述第一電極的一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二電極的至少一部分之間的電流擴(kuò)展層。
13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述襯底包括透射材料，且所述第一電極被設(shè)置到所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的外部的側(cè)表面.
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的所述第二上表面包括Ga-面。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極包括至少一個(gè)焊盤，并具有從所述焊盤分支的連續(xù)或非連續(xù)的環(huán)形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。所述發(fā)光光器件包括襯底；發(fā)光結(jié)構(gòu)層，其包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的有源層和所述有源層上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，其中，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層被形成在所述襯底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第二上表面比所述第一上表面更靠近所述襯底；所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上的第二電極；以及至少一個(gè)第一電極，其通過穿過所述襯底而至少?gòu)乃龅谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層的所述第二上表面延伸至所述襯底的下表面。
文檔編號(hào)H01L33/36GK102222746SQ201110051740
公開日2011年10月19日 申請(qǐng)日期2011年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者林祐湜, 羅珉圭, 范熙榮, 金省均 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司