專(zhuān)利名稱(chēng)：汽車(chē)交流發(fā)電機(jī)整流橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種汽車(chē)交流發(fā)電機(jī)整流橋，屬于汽車(chē)電子控制及模具技術(shù)。
背景技術(shù)：
目前，幾乎所有汽車(chē)都是采用無(wú)源二極管將發(fā)電機(jī)定子繞組產(chǎn)生的三相交流電源 轉(zhuǎn)換為直流電源，但二極管存在壓降較大的特點(diǎn)，所以使功率損耗較多，且二極管的體積較 大。隨著汽車(chē)內(nèi)部電器裝置的逐漸增加，電源的需求也在不斷的增加，對(duì)于節(jié)能降耗及化學(xué) 燃料替換技術(shù)的要求非常迫切。目前國(guó)外也有金屬氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET來(lái)替代二極管整流技 術(shù)，但它的體積較大，無(wú)法安裝于發(fā)電機(jī)內(nèi)部，裝于發(fā)電機(jī)外部，通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)與發(fā)電機(jī)連接，占 用汽車(chē)空間較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于解決上述現(xiàn)有所存在的問(wèn)題，體積小，置于發(fā)電機(jī)內(nèi)部的一種汽 車(chē)交流發(fā)電機(jī)整流橋。本發(fā)明的技術(shù)方案是框架的一側(cè)安裝槽中安裝MOSFET驅(qū)動(dòng)板及防護(hù)蓋，框架的 另一側(cè)安裝槽中安裝MOSFET模塊電路板、散熱片；MOSFET模塊電路板與MOSFET驅(qū)動(dòng)板通 過(guò)引線(xiàn)焊接相連。本發(fā)明目的優(yōu)點(diǎn)是，使用高端MOSFET來(lái)替代二極管將交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源， 減少了二極管壓降大帶來(lái)的功率損耗，MOSFET體積遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于整流二極管，大大節(jié)省了發(fā)電 機(jī)的空間，替換后發(fā)電機(jī)的輸出效率提高30%，從而起到節(jié)能省耗的作用。同時(shí)，本發(fā)明安裝于發(fā)電機(jī)內(nèi)部，與外接式整流橋相比，占用汽車(chē)內(nèi)部空間小，而 且在不改變發(fā)電機(jī)任何結(jié)構(gòu)的情況下，可以直接替換原有的整流橋。


圖1是本發(fā)明的主視圖； 圖2是本發(fā)明的左視圖； 圖3是圖2的B-B剖視圖； 圖4是MOSFET模塊電路板； 圖5是安裝在發(fā)電機(jī)上的局部剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明，如圖所示，將金屬導(dǎo)電片10埋入框架3內(nèi)，發(fā)電機(jī)定子發(fā) 出的三相交流電與本發(fā)明的相位連接端7連接，相位連接端7通過(guò)金屬導(dǎo)電片10與整流橋 的MOSFET模塊13相連，達(dá)到將交流電轉(zhuǎn)換為直流電最終由B+端螺栓6供給電壓調(diào)節(jié)器， 由調(diào)節(jié)器來(lái)控制發(fā)電機(jī)何時(shí)發(fā)電，何時(shí)不發(fā)電?？蚣?上與B+端螺栓6相對(duì)那端是接地端 9，其直接與發(fā)電機(jī)金屬外殼相連。
框架3的一側(cè)安裝槽中安裝散熱片1與MOSFET模塊電路板2，MOSFET模塊電路 板2上有六個(gè)MOSFET模塊13，每相交流電對(duì)應(yīng)2個(gè)，分別與各相金屬導(dǎo)電片10焊接相連， 為了防止MOSFET因過(guò)熱燒壞，MOSFET模塊背面涂有一層導(dǎo)熱硅膠11，與散熱片1粘接，最 后在安裝MOSFET模塊電路板2 —側(cè)的框架3邊緣涂一層密封硅膠12，將粘有MOSFET模塊 電路板2的散熱片1對(duì)應(yīng)粘接到框架3上，經(jīng)過(guò)高溫后固化到一起?？蚣?的另一側(cè)安裝槽中安裝MOSFET驅(qū)動(dòng)板4與防護(hù)蓋5，MOSFET驅(qū)動(dòng)板4 采用印刷電路板(PCB)，上面安裝許多電子元器件，MOSFET驅(qū)動(dòng)板4與MOSFET模塊電路板2 通過(guò)引線(xiàn)8焊接相連，用以驅(qū)動(dòng)MOSFET模塊電路板2工作。為了防止外部環(huán)境(灰塵、水、 其他異物等)進(jìn)入內(nèi)部污染MOSFET驅(qū)動(dòng)板4，安裝完驅(qū)動(dòng)板后，框架3邊緣涂密封硅膠12， 將防護(hù)蓋5粘接到框架3上，使框架3內(nèi)部入于密封狀態(tài)。散熱片1材質(zhì)為鋁合金，有若干個(gè)齒，其用途是保護(hù)MOSFET模塊，防止MOSFET過(guò) 熱而燒壞。MOSFET模塊電路板2為陶瓷材質(zhì)，上面印刷銅對(duì)元器件之間聯(lián)接，每相使用2個(gè) MOSFET13 (并聯(lián)時(shí)使用4個(gè))，總計(jì)6個(gè)(并聯(lián)時(shí)使用12個(gè))實(shí)現(xiàn)三相整流。MOSFET模 塊2用于將發(fā)電機(jī)定子繞組產(chǎn)生的三相交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源，MOSFET模塊2背面涂有 一層硅膠11粘接在散熱片1上，用以防止MOSFET因?yàn)檫^(guò)熱而燒壞。組裝發(fā)電機(jī)14時(shí)，將本發(fā)明安裝到發(fā)電機(jī)內(nèi)部，將發(fā)電機(jī)端蓋15固定好。
權(quán)利要求
1.一種汽車(chē)交流發(fā)電機(jī)整流橋，其特征在于，框架的一側(cè)安裝槽中安裝金屬氧化層半 導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)M0SFET)驅(qū)動(dòng)板及防護(hù)蓋，框架的另一側(cè)安裝槽中安裝MOSFET模塊 電路板、散熱片；MOSFET模塊電路板與MOSFET驅(qū)動(dòng)板通過(guò)引線(xiàn)焊接相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所說(shuō)的一種汽車(chē)交流發(fā)電機(jī)整流橋，其特征在于，將金屬導(dǎo)電片埋 入框架內(nèi)，相位連接端通過(guò)金屬導(dǎo)電片與整流橋的MOSFET模塊相連，框架上與B+端螺栓相 對(duì)的是接地端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所說(shuō)的一種汽車(chē)交流發(fā)電機(jī)整流橋，其特征在于，MOSFET模塊電路 板上有六個(gè)MOSFET模塊，每相交流電對(duì)應(yīng)個(gè)，分別與各相金屬導(dǎo)電片焊接相連，MOSFET模 塊背面涂有一層導(dǎo)熱硅膠與散熱片粘接，在安裝MOSFET模塊電路板一側(cè)的框架邊緣涂一 層密封硅膠，將粘有MOSFET模塊電路板的散熱片對(duì)應(yīng)粘接到框架上，經(jīng)過(guò)高溫后固化到一 起。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所說(shuō)的一種汽車(chē)交流發(fā)電機(jī)整流橋，其特征在于，MOSFET模塊電路 板為陶瓷材質(zhì)，上面印刷銅與元器件之間聯(lián)接，每相使用2個(gè)MOSFET模塊，并聯(lián)時(shí)使用4 個(gè)，總計(jì)6個(gè)，并聯(lián)時(shí)使用12個(gè)實(shí)現(xiàn)三相整流。
全文摘要
一種汽車(chē)交流發(fā)電機(jī)整流橋，框架的一側(cè)安裝槽中安裝MOSFET驅(qū)動(dòng)板及防護(hù)蓋，框架的另一側(cè)安裝槽中安裝MOSFET模塊電路板、散熱片；MOSFET模塊電路板與MOSFET驅(qū)動(dòng)板通過(guò)引線(xiàn)焊接相連。優(yōu)點(diǎn)是，使用高端MOSFET來(lái)替代二極管將交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源，減少了二極管壓降大帶來(lái)的功率損耗，MOSFET體積遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于整流二極管，大大節(jié)省了發(fā)電機(jī)的空間，替換后發(fā)電機(jī)的輸出效率提高30%，從而起到節(jié)能省耗的作用。同時(shí)，本發(fā)明安裝于發(fā)電機(jī)內(nèi)部，與外接式整流橋相比，占用汽車(chē)內(nèi)部空間小，而且在不改變發(fā)電機(jī)任何結(jié)構(gòu)的情況下，可以直接替換原有的整流橋。
文檔編號(hào)H01L25/00GK102111078SQ20111004874
公開(kāi)日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2011年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月1日
發(fā)明者程英偉 申請(qǐng)人:錦州海伯倫汽車(chē)電子有限公司