專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有半導(dǎo)體層積體的半導(dǎo)體發(fā)光元件，該半導(dǎo)體層積體按順序具有第一導(dǎo)電型層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型層。
背景技術(shù)：
已知傳統(tǒng)的該類型的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其設(shè)置有半導(dǎo)體層積體，該半導(dǎo)體層積體按順序具有第一導(dǎo)電型層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型層(例如參見JP-T 2003-5 。在該發(fā)光元件中，在第一導(dǎo)電型層上形成由ITO (indium tin oxide，氧化銦錫)制成的透明電極， 并在該透明電極上進(jìn)一步形成用于擴(kuò)散電流的輔助電極。然而，JP-T 2003-524295中描述的半導(dǎo)體發(fā)光元件具有如下問(wèn)題盡管從發(fā)光層入射在透明電極上的光在輔助電極處被反射，該光還是在透明電極中被大量吸收。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其允許改進(jìn)元件的光取出效率，而不損失半導(dǎo)體層積體中的電流擴(kuò)散性。(1)根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括半導(dǎo)體層積體，該半導(dǎo)體層積體按順序包括第一導(dǎo)電型層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型層；透明電極，該透明電極形成在第一導(dǎo)電型層上且包括氧化物；以及輔助電極，該輔助電極形成在第一導(dǎo)電型層與透明電極之間，該輔助電極與該透明電極相比具有更高的針對(duì)從發(fā)光層發(fā)射的光的反射率、更大的與第一導(dǎo)電型層之間的接觸電阻、以及更小的薄層電阻。在本發(fā)明的以上實(shí)施例(1)中，可進(jìn)行以下變型和變化。(i)輔助電極包括線狀延伸部分。(ii)半導(dǎo)體發(fā)光元件還包括表面電極，該表面電極形成在輔助電極或透明電極上，以在頂視圖中與至少部分的輔助電極相重疊。(iii)半導(dǎo)體發(fā)光元件還包括第二導(dǎo)電型層電極，該第二導(dǎo)電型層電極形成在第二導(dǎo)電型層上，且包括與表面電極相同的材料。(iv)半導(dǎo)體發(fā)光元件包括面朝上型半導(dǎo)體發(fā)光元件，以及與透明電極和輔助電極相比，表面電極具有更高的與接合線之間的接合強(qiáng)度。(ν)半導(dǎo)體發(fā)光元件包括倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光元件，以及
與透明電極和輔助電極相比，表面電極具有更高的與凸出部之間的接合強(qiáng)度。(vi)在頂視圖中，透明電極從輔助電極的外周向外延伸，同時(shí)覆蓋部分的輔助電極。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以提供一種允許改進(jìn)元件的光取出效率而不損失半導(dǎo)體層積體中的電流擴(kuò)散性的半導(dǎo)體發(fā)光元件。


接著結(jié)合附圖更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，在附圖中圖1是示出本發(fā)明第一實(shí)施例中的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性橫截面視圖；圖2是示出半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性頂視圖；圖3是示出半導(dǎo)體發(fā)光元件的電流流動(dòng)和光路徑的示意性說(shuō)明性部分視圖；圖4是示出變型的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性橫截面視圖；圖5是示出本發(fā)明第二實(shí)施例中的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性橫截面視圖；圖6A和6B是示出半導(dǎo)體發(fā)光元件的電流流動(dòng)和光路徑的示意性說(shuō)明性部分視圖，其中圖6A示出了第二實(shí)施例，圖6B示出了變型；以及圖6C和6D是示出半導(dǎo)體發(fā)光元件的電流流動(dòng)和光路徑的示意性說(shuō)明性部分視圖，這二者均示出了變型。
具體實(shí)施例方式圖1-3示出了本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖1是半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性橫截面視圖。如圖1所示，發(fā)光裝置1是面朝上型，其中作為ρ電極的透明電極30以及η電極 40被形成在上部表面?zhèn)取０l(fā)光裝置1具有半導(dǎo)體層積結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體層積結(jié)構(gòu)包括由藍(lán)寶石形成的基板10、設(shè)置在基板10上的緩沖層20、設(shè)置在緩沖層20上的η型接觸層22、設(shè)置在η型接觸層22上的η型ESD (靜電釋放)層23、形成在η型ESD層23上的η型包覆層 24、設(shè)置在η型包覆層M上的發(fā)光層25、設(shè)置在發(fā)光層25上的ρ型包覆層26、以及設(shè)置在 P型包覆層26上的ρ型接觸層27。另外，通過(guò)蝕刻而移除從ρ型接觸層27至η型接觸層 22的部分，從而部分地暴露η型接觸層22。在此，緩沖層20、η型接觸層22、η型ESD層23、η型包覆層對(duì)、發(fā)光層25、ρ型包覆層26和ρ型接觸層27均由III族氮化物化合物半導(dǎo)體形成。對(duì)于III族氮化物化合物半導(dǎo)體，可以使用例如AlxG￡iyIni_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，且0彡x+y彡1)表示的四元系III族氮化物化合物半導(dǎo)體。在本實(shí)施例中，緩沖層20由AlN形成。同時(shí)，η型接觸層22、η型ESD層23和η 型包覆層M均由摻雜有相應(yīng)的預(yù)定量的η型摻雜劑(例如Si)的n-GaN形成。進(jìn)而，發(fā)光層25具有多重量子阱結(jié)構(gòu)，該多重量子阱結(jié)構(gòu)包括多個(gè)阱層和多個(gè)障壁層。該阱層由例如 GaN形成，該障壁層由例如hGaN或AlGaN等形成。另外，ρ型包覆層沈和ρ型接觸層27 均由摻雜有預(yù)定量的P型摻雜劑(例如Mg)的p-GaN形成。設(shè)置在藍(lán)寶石基板10上的從緩沖層20到ρ型接觸層27的各個(gè)層可通過(guò)例如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法、分子束外延(MBE)法或鹵化物氣相外延(HVPE)法等形成。在此作為例子示出了由AlN形成的緩沖層20，然而緩沖層20可由GaN形成?；蛘撸鳛閷?duì)多重量子阱結(jié)構(gòu)的替代，發(fā)光層25的量子阱結(jié)構(gòu)可以是單量子阱結(jié)構(gòu)或應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)。另外，發(fā)光元件1包括設(shè)置在ρ型接觸層27上的透明電極30 ；設(shè)置在η型接觸層22上的η電極40 ；以及形成在透明電極30、η電極40和半導(dǎo)體層積結(jié)構(gòu)上的絕緣層50。 另外，發(fā)光元件1包括形成在透明電極30與ρ型接觸層27之間的輔助電極60。透明電極30由導(dǎo)電性氧化物形成，在本實(shí)施例中該導(dǎo)電性氧化物是ITO(氧化銦錫)。或者，透明電極30可由例如氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化銦鈰(ICO)等形成?？赏ㄟ^(guò)使用例如真空沉積法等形成透明電極30?；蛘?，可通過(guò)濺射法、CVD法或溶膠-凝膠法等形成透明電極30。在輔助電極60中，與ρ型接觸層27相接觸的層由具有相對(duì)高的針對(duì)從發(fā)光層25 發(fā)射的光的反射率的金屬形成。另外，選擇如下的材料用于與P型接觸層27相接觸的輔助電極60中的層該材料與ρ型接觸層27之間的接觸電阻大于透明電極30與ρ型接觸層27 之間的接觸電阻。在本實(shí)施例中，盡管與P型接觸層27相接觸的輔助電極60中的層由Al 形成，但是可以使用除了 Al之外的材料，并且可以由例如Ag或1 等形成，或者可以由主要包括Al或Ag的合金形成。在本實(shí)施例中，通過(guò)層積與ρ型接觸層27相接觸的層以及形成在該層上的正面?zhèn)葘觼?lái)形成輔助電極60。正面?zhèn)葘觾?yōu)選地由易于接合到線70且可防止下部層側(cè)受腐蝕的材料形成。這種材料包括例如Au。另外，正面?zhèn)葘觾?yōu)選地由與下部層側(cè)相比具有更小的薄層電阻的材料形成。而且，輔助電極60可以與完全反射從發(fā)光層25發(fā)射的光的、由具有不同的折射率的兩種材料的多個(gè)層形成的分布布拉格反射器(DBR)相組合。輔助電極60通過(guò)例如真空沉積法或?yàn)R射法等形成。η電極40由與η型接觸層22歐姆接觸的金屬(例如Ni、Cr、Al、Rh、Ti、V和Pt) 形成。η電極40可以由例如由Ni形成的第一層和由Au形成的第二層構(gòu)成。η電極40通過(guò)例如真空沉積法或?yàn)R射法等形成。在本實(shí)施例中，SiO2用作絕緣層50?；蛘?，其他材料可用作絕緣層50，且絕緣層 50可由例如除了 SiO2以外的金屬氧化物(例如Ti02、Al2O3或Tii2O5)或具有電氣絕緣特性的樹脂材料(例如聚酰亞胺)形成。絕緣層50通過(guò)例如真空沉積法形成，或者可通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)法形成。通過(guò)使用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)移除在輔助電極60的中央上方和在η電極40的中央上方的絕緣層50，以形成開口 52和Μ。在本實(shí)施例中，透明電極30具有在絕緣層50的開口 52的正下方形成的開口 32。接合線70和72通過(guò)開口 32、52和M 連接到輔助電極60和η電極40。圖2是示出了該半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性頂視圖。如圖2所示，發(fā)光元件1在該頂視圖中以基本上為四角形的形狀形成，且在本實(shí)施例中為矩形形狀。η電極40在長(zhǎng)度方向上的一側(cè)在寬度方向上的中央處形成，且透明電極 30被形成為具有在除了該η電極之外的區(qū)域中的相對(duì)大的區(qū)域，以與η電極40相隔離。絕緣層50的開口 52和M在寬度方向上的中央處形成，以在長(zhǎng)度方向上相互隔離。在頂視圖中，透明電極30從輔助電極60的外周向外延伸，同時(shí)覆蓋部分的輔助電極60。輔助電極60形成在開口 52的正下方，且具有基本上為圓形的線連接部分62和從線連接部分62延伸的線狀延伸部分64。在本實(shí)施例中，延伸部分64具有半包圍η電極40的半包圍部分64a、以及用于將半包圍部分6 耦合到線連接部分62的耦合部分64b，其中半包圍部分64a比線連接部分62更靠近η電極40。在如上述地配置的發(fā)光元件1中，當(dāng)正向電壓被施加到輔助電極60和η電極40 時(shí)，從發(fā)光層25發(fā)射具有藍(lán)色區(qū)域中的波長(zhǎng)的光。當(dāng)正向電壓約為3V且正向電流為20mA 時(shí)，發(fā)光元件1發(fā)射例如峰值波長(zhǎng)為約455nm的光。此時(shí)，由于透明電極30與ρ型接觸層27之間的接觸電阻低于輔助電極60與ρ型接觸層27之間的接觸電阻，因此，如圖3中的箭頭A所示地，電流從輔助電極60經(jīng)由透明電極30流動(dòng)到ρ型接觸層27。另外，由于輔助電極60具有比透明電極30的薄層電阻更小的薄層電阻，因此，電流優(yōu)先地流動(dòng)到輔助電極60，然后在在輔助電極60中擴(kuò)散之后流動(dòng)到透明電極30。因此，有可能充分地?cái)U(kuò)散電流，并增大頂視圖中的發(fā)光層25的實(shí)質(zhì)的發(fā)光區(qū)域。另外，如圖3中的箭頭B所示，從發(fā)光層25發(fā)射的光中的入射在輔助電極60上的光被反射而不進(jìn)入透明電極30。因此，有可能抑制透明電極30對(duì)光的吸收并改進(jìn)光取出效率。因此，在不損失半導(dǎo)體層積體中的電流擴(kuò)散性的情況下，實(shí)現(xiàn)了該元件的光取出效率的改進(jìn)。而且，當(dāng)連續(xù)地形成由導(dǎo)電性氧化物形成的透明電極以及具有相對(duì)高反射率的金屬時(shí)，由于在該透明電極與該金屬之間的界面處的反應(yīng)，該反射率可能下降。目前認(rèn)識(shí)到 ITO和Al的組合以及ITO和1 的組合導(dǎo)致了在該透明電極與該金屬之間的界面處的反射率下降的現(xiàn)象(盡管這取決于制造條件)。由于在本實(shí)施例中在透明電極30和ρ型接觸層27之間形成輔助電極60，因此，即使在輔助電極60與透明電極30之間的界面處的反射率下降，從發(fā)光層25發(fā)射的光也在輔助電極60處被反射，因此該光不進(jìn)入該界面且不被吸收。因此，可以在不考慮制造條件或材料組合的情況下獲得具有高的光取出效率的發(fā)光元件1。另外，由于絕緣層50和透明電極30這兩個(gè)層覆蓋輔助電極60，因此有可能充分地防止輔助電極60被腐蝕等，從而導(dǎo)致輔助電極60的耐久性等的顯著改進(jìn)。在上述實(shí)施例中，示出了直接接合到輔助電極60的接合線70?；蛘?，例如如圖4 所示，可在輔助電極60和/或透明電極30上形成ρ衰減電極80，該ρ衰減電極80與接合線70之間的接合強(qiáng)度高于透明電極30和輔助電極60與接合線70之間的接合強(qiáng)度。由于作為表面電極的P衰減電極80被形成為在頂視圖中在輔助電極60內(nèi)重疊，并且光在輔助電極60處被反射，因此對(duì)于選擇材料而言不需要考慮反射率?；蛘撸?dāng)輔助電極60全部被透明電極30覆蓋而不形成開口 32時(shí)，在透明電極30上形成ρ衰減電極80，在該情況下，同樣地，P衰減電極80優(yōu)選地在頂視圖中與輔助電極60相重疊。注意，ρ衰減電極80只需要在頂視圖中與至少部分的輔助電極60相重疊。另外，在這種情況下，ρ衰減電極80的材料優(yōu)選地是與η電極40相同的材料。這允許同時(shí)形成P衰減電極80和η電極40。當(dāng)η電極40是例如Ni/Au時(shí)，ρ衰減電極80也是 Ni/Au。圖5是示出本發(fā)明第二實(shí)施例中的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性橫截面視圖。如圖5所示，發(fā)光裝置201是倒裝芯片型，其中在下部表面?zhèn)壬闲纬勺鳛棣央姌O的透明電極30和η電極40。發(fā)光裝置201具有半導(dǎo)體層積結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體層積結(jié)構(gòu)包括基板10、緩沖層20、n型接觸層22、n型ESD層23、n型包覆層對(duì)、發(fā)光層25、p型包覆層沈和ρ 型接觸層27，并且通過(guò)蝕刻而移除從ρ型接觸層27至η型接觸層22的部分，從而部分地曝光η型接觸層22。另外，發(fā)光裝置201包括設(shè)置在ρ型接觸層27上的透明電極30 ；設(shè)置在η型接觸層22上的η電極40 ；以及形成在透明電極30、η電極40和半導(dǎo)體層積結(jié)構(gòu)上的絕緣層 50。在本實(shí)施例中，絕緣層50被形成為包括反射從發(fā)光層25發(fā)射的光的反射層90。 反射層90由反射從發(fā)光層25發(fā)射的光的金屬材料(例如Al)形成。反射層90可由Ag或主要包括Al或Ag的合金形成?；蛘撸瓷鋵?0可以是由具有不同折射率的兩種材料的多個(gè)層形成的分布布拉格反射器。另外，發(fā)光裝置201包括介于透明電極30和ρ型接觸層27之間的輔助電極沈0。 輔助電極沈0由具有相對(duì)高的針對(duì)從發(fā)光層25發(fā)射的光的反射率的金屬形成。另外，選擇如下的材料用于輔助電極260 該材料與ρ型接觸層27之間的接觸電阻大于透明電極30與 P型接觸層27之間的接觸電阻。而且，通過(guò)光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)而移除在輔助電極沈0的中央下方和在η電極40 的中央下方的絕緣層50，以形成開口 252和254。在本實(shí)施例中，輔助電極260全部被透明電極30覆蓋。在頂視圖中，透明電極30從輔助電極沈0的外周向外延伸。凸出電極270 和272通過(guò)開口 232、252和2Μ連接到輔助電極260和η電極40。在如上述地配置的發(fā)光元件201中，由于透明電極30與ρ型接觸層27之間的接觸電阻低于輔助電極260與ρ型接觸層27之間的接觸電阻，因此，如圖6Α中的箭頭A所示地，電流從輔助電極260經(jīng)由透明電極30流動(dòng)到ρ型接觸層27。另外，由于輔助電極260 具有比透明電極30的薄層電阻更小的薄層電阻，因此，電流優(yōu)先地流動(dòng)到輔助電極沈0，然后在在輔助電極沈0中擴(kuò)散之后流動(dòng)到透明電極30。因此，有可能充分地?cái)U(kuò)散電流并增大頂視圖中的發(fā)光層25的實(shí)質(zhì)的發(fā)光區(qū)域。另外，如圖6Α中的箭頭B所示地，從發(fā)光層25發(fā)射的光中的入射在輔助電極260 上的光被反射而不進(jìn)入透明電極30。因此有可能抑制透明電極30對(duì)光的吸收并改進(jìn)光取
出效率。另外，由于在透明電極30和ρ型接觸層27之間形成輔助電極沈0，因此，即使在輔助電極沈0與透明電極30之間的界面處的反射率下降，從發(fā)光層25發(fā)射的光也在輔助電極260處被反射，因此該光不進(jìn)入該界面且不被吸收。因此，可以在不考慮制造條件或材料組合的情況下獲得具有高的光取出效率的發(fā)光元件201。另外，由于絕緣層50和透明電極30這兩個(gè)層覆蓋輔助電極沈0，因此有可能充分地防止輔助電極260受腐蝕等，從而導(dǎo)致了輔助電極沈0的耐久性等的顯著改進(jìn)。應(yīng)當(dāng)注意，盡管在上述實(shí)施例中示出了全部被透明電極30覆蓋的輔助電極沈0， 但是，例如如圖6Β所示地，可以在絕緣層50的開口 252的正上方在透明電極30中形成開 Π 232。另外，盡管在上述實(shí)施例中透明電極30的開口 232與凸出部(焊接凸出部)270相接觸，但是例如如圖6C所示地，開口 232可被絕緣層50覆蓋以使透明電極30不與凸出部 270直接接觸。而且，如圖6D所示，可在透明電極30上形成作為表面電極的中間電極觀0。中間電極觀0由金屬形成，該金屬與凸出部270之間的接合強(qiáng)度高于透明電極30和/或輔助電極沈0與凸出部270之間的接合強(qiáng)度。另外，盡管在上述實(shí)施例中示出了用作半導(dǎo)體層積體的GaN基半導(dǎo)體，但是有可能使用AWaAs基半導(dǎo)體材料、GaAsP基半導(dǎo)體材料、GaP基半導(dǎo)體材料、ZMe基半導(dǎo)體材料或AlfeInP基半導(dǎo)體材料等。另外，盡管示出了包括被形成作為第一導(dǎo)電型層的η型層以及被形成作為第二導(dǎo)電型層的P型層的半導(dǎo)體層積體，但是該半導(dǎo)體層積體可包括作為第一導(dǎo)電型層的P型層和作為第二導(dǎo)電型層的η型層，或者可以使用除了 η型和ρ型之外的導(dǎo)電型的層。另外，盡管在上述實(shí)施例中藍(lán)寶石被用于基板，但是基板可由GaN等形成，并且η 電極和輔助電極等的材料可被任意地改變，當(dāng)然其它具體的詳細(xì)結(jié)構(gòu)等可被適當(dāng)?shù)馗淖?。盡管為了完整和清楚地公開起見而參考具體實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是所附的權(quán)利要求并不由此受到限定，而是被解釋為包括本領(lǐng)域技術(shù)人員可想到的、完全落入在此闡述的基本教導(dǎo)的范圍之內(nèi)的所有變型和替代性構(gòu)造。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括半導(dǎo)體層積體，所述半導(dǎo)體層積體按順序包括第一導(dǎo)電型層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型層；透明電極，所述透明電極形成在所述第一導(dǎo)電型層上，且包括氧化物；以及輔助電極，所述輔助電極形成在所述第一導(dǎo)電型層與所述透明電極之間，所述輔助電極與所述透明電極相比具有更高的針對(duì)從所述發(fā)光層發(fā)射的光的反射率、更大的與所述第一導(dǎo)電型層之間的接觸電阻、以及更小的薄層電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中所述輔助電極包括線狀延伸部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，還包括表面電極，所述表面電極形成在所述輔助電極或所述透明電極上，以在頂視圖中與至少部分的所述輔助電極相重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，還包括第二導(dǎo)電型層電極，所述第二導(dǎo)電型層電極形成在所述第二導(dǎo)電型層上，且包括與所述表面電極相同的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括面朝上型半導(dǎo)體發(fā)光元件，以及與所述透明電極和所述輔助電極相比，所述表面電極具有更高的與接合線之間的接合強(qiáng)度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括面朝上型半導(dǎo)體發(fā)光元件，以及與所述透明電極和所述輔助電極相比，所述表面電極具有更高的與接合線之間的接合強(qiáng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光元件，以及與所述透明電極和所述輔助電極相比，所述表面電極具有更高的與凸出部之間的接合強(qiáng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中所述半導(dǎo)體發(fā)光元件包括倒裝芯片型半導(dǎo)體發(fā)光元件，以及與所述透明電極和所述輔助電極相比，所述表面電極具有更高的與凸出部之間的接合強(qiáng)度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，在頂視圖中，所述透明電極從所述輔助電極的外周向外延伸，同時(shí)覆蓋部分的所述輔助電極。
全文摘要
一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括半導(dǎo)體層積體，該半導(dǎo)體層積體按順序包括第一導(dǎo)電型層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型層；形成在第一導(dǎo)電型層上且包括氧化物的透明電極；以及形成在第一導(dǎo)電型層與透明電極之間的輔助電極，該輔助電極與該透明電極相比具有更高的針對(duì)從發(fā)光層發(fā)射的光的反射率、更大的與第一導(dǎo)電型層之間的接觸電阻、以及更小的薄層電阻。
文檔編號(hào)H01L33/40GK102169942SQ201110046839
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月26日
發(fā)明者神谷真央, 長(zhǎng)谷川恭孝 申請(qǐng)人:豐田合成株式會(huì)社