專利名稱：一種電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達(dá)到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為I. 511m/W、壽命大于100小時。OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。發(fā)光材料是影響發(fā)光效率的最重要的因素，發(fā)光材料可以分為熒光材料和磷光材料，熒光材料由于三線態(tài)躍遷受阻，因此，只能通過單線態(tài)的輻射失活而發(fā)光，三線態(tài)激子與單線態(tài)激子的比例約為3 I ;而由于熒光材料只有25%的激子可以有效的利用，剩下的75%都通過非輻射衰減，能量以熱的形式釋放，使器件溫度升高，從而減少器件的壽命，而磷光材料則由于金屬原子自身較強(qiáng)的自旋耦合作用，因此，使得原來不可能的三線態(tài)躍遷成為可能，因此，發(fā)光效率大大提高，目前綠光磷光材料和紅光磷光材料的發(fā)光效率都比較好，材料穩(wěn)定性較高，而藍(lán)光磷光材料的壽命和穩(wěn)定性都不太好，制約了藍(lán)光的發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
基于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種電致發(fā)光器件。本發(fā)明的技術(shù)方案如下—種電致發(fā)光器件,其結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其中，所述發(fā)光層為復(fù)合層結(jié)構(gòu)，該復(fù)合層結(jié)構(gòu)依次為第一藍(lán)光發(fā)光層/第一量子講/紅光-綠光磷光發(fā)光層/第二量子阱/第二藍(lán)光發(fā)光層；所述第一藍(lán)光發(fā)光層與制備在所述電子阻擋層表面，所述空穴阻擋層制備在所述第二藍(lán)光發(fā)光層表面。在上述電致發(fā)光器件中
基底和導(dǎo)電層可以采用ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底，ITO為導(dǎo)電層；陰極層的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、鎂銀鎂(Mg:Ag)合金或金(Au)中的任ー種；紅光-綠光磷光發(fā)光層的材料為紅光磷光材料與綠光磷光材料混合后摻雜到鈹配合物材料中組成的混合物；其中，紅光磷光材料為ニ(2-甲基-ニ苯基喹喔啉)(こ酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、ニ(I-苯基異喹啉)(こ酰丙酮)合銥(Ir (piq)2(acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3)中的任ー種；綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)或こ酰丙酮酸ニ (2-苯基卩比唳)銥(Ir (ppy)2 (acac))中的任ー種；鈹配合物材料為吩基吡啶鈹(B印p2)、10-羥基苯并喹啉鈹(BeBq2),8-羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2_甲基-8-羥基喹啉鈹(BeMQ2), 8-羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7-丙基-8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任ー種；第一量子阱和第二量子阱的材料分別為2-丁基-9，10-ニ-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' - ニ(3-甲基苯基)-N，N' -ニ苯基-4，4'-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N' _(1_ 萘基)-N，N' -ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)中的至少ー種；第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的材料分別為藍(lán)光材料(如，Perylene (花)、ニ萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺ニ苯こ烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺連萘基こ烯衍生物(BDAVBi)或苯こ烯衍生物(BCzVB或BCzVBi))摻雜空穴傳輸材料(如，2-丁基-9，10-ニ-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' - ニ(3-甲基苯基)-N，N' -ニ苯基-4，4'-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N' _(1_ 萘 基)-N，N' -ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc))組成的混合物中的任ー種。本發(fā)明的電致發(fā)光器件，在紅光-緑光磷光發(fā)光層兩層各制備ー層藍(lán)光發(fā)光層，具有如下優(yōu)點(diǎn)I、在兩個藍(lán)光發(fā)光層與紅光-綠光磷光發(fā)光層之間插入第一和第二量子講，使產(chǎn)生的單線態(tài)激子限制在藍(lán)光發(fā)光層中，同時也將空穴限制在磷光層中，使藍(lán)光發(fā)光材料的三線態(tài)激子可以擴(kuò)散到磷光層中輻射躍遷發(fā)光，實(shí)現(xiàn)三線態(tài)能量轉(zhuǎn)移，使發(fā)光加強(qiáng)，從而大大提高發(fā)光效率；2、第一、ニ量子講將空穴限制在磷光發(fā)光層中，使磷光發(fā)光層對其進(jìn)行充分的捕獲，限制激子的發(fā)光區(qū)域，將光譜窄化，穩(wěn)定發(fā)光光色；3、在紅光-綠光磷光發(fā)光層兩側(cè)分別置于第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層，可以使出射的藍(lán)光充分激發(fā)紅光和綠光的發(fā)光，提高能量利用率，從而使發(fā)光效率得到增強(qiáng)。


圖I為本發(fā)明的電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)施例I的電致發(fā)光器件能級圖；圖3為實(shí)施例I的電致發(fā)光器件與參比電致發(fā)光器件的亮度電壓圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供的一種電致發(fā)光器件，如圖I所示，其結(jié)構(gòu)依次為基底11/導(dǎo)電層12/空穴注入層13/空穴傳輸層14/電子阻擋層15/發(fā)光層16/空穴阻擋層17/電子傳輸層18/電子注入層19/陰極層20 ;其中，所述發(fā)光層為復(fù)合層結(jié)構(gòu)，該復(fù)合層結(jié)構(gòu)依次為第一藍(lán)光發(fā)光層161/第一量子阱162/紅光-綠光磷光發(fā)光層163/第二量子阱164/第二藍(lán)光發(fā)光層165 ;第一藍(lán)光發(fā)光層161與制備在電子阻擋層15表面,空穴阻擋層17制備在第二藍(lán)光發(fā)光層165表面；也就是電致發(fā)光器件整體結(jié)構(gòu)為基底11/導(dǎo)電層12/空穴注入層13/空穴傳輸層14/電子阻擋層15/第一藍(lán)光發(fā)光層161/第一量子講162/紅光-綠光磷光發(fā)光層163/第二量子講164/第二藍(lán)光發(fā)光層165/空穴阻擋層17/電子傳輸層18/電子注入層19/陰極層20。在上述電致發(fā)光器件中，每一功能層均采用蒸鍍技術(shù)進(jìn)行制備基底和導(dǎo)電層可以采用ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底11，ITO為導(dǎo)電層
12；陰極層20的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、鎂銀鎂(Mg:Ag)合金或金(Au)中的任ー種，優(yōu)選Al ;該陰極層的厚度為20-200nm，優(yōu)選厚度為150nm ；紅光-綠光磷光發(fā)光層的材料為紅光磷光材料與綠光磷光材料混合后摻雜到鈹 配合物材料中組成的混合物；其中，紅光磷光材料為ニ(2-甲基-ニ苯基喹喔啉)(こ酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac) )、ニ(I-苯基異喹啉)(こ酰丙酮)合銥(Ir (piq)2 (acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3)中的任ー種；綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)或こ酰丙酮酸ニ (2-苯基卩比唳)銥(Ir (ppy)2 (acac))中的任ー種；鈹配合物材料為吩基吡啶鈹(B印p2)、10-羥基苯并喹啉鈹(BeBq2),8-羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2_甲基-8-羥基喹啉鈹(BeMQ2), 8-羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7-丙基-8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任ー種；該紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料的摻雜比例為0. 5% _5%，紅光材料的摻雜比例為5% -10%，且該紅光-綠光磷光發(fā)光層厚度為5-15nm ；第一量子阱和第二量子阱的材料分別為2-丁基-9，10-ニ-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' - ニ(3-甲基苯基)-N，N' -ニ苯基-4，4'-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N' _(1_ 萘基)-N，N' -ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)中的至少ー種；其中，第一、ニ量子阱的厚度分別為I-IOnm;第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的材料藍(lán)光材料(如，Perylene (花)、ニ萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺ニ苯こ烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺連萘基こ烯衍生物(BDAVBi)或苯こ烯衍生物(BCzVB 或 BCzVBi))與 2-丁基-9，10-ニ-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' -ニ(3-甲基苯基)-N，N' -ニ苯基-4，4'-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N' -(1_萘基)州，が-ニ苯基-4，4’-聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)摻雜組成的混合物中的任ー種；其中，藍(lán)光的摻雜比例為1% -20%，藍(lán)光發(fā)光層厚度為5-15nm ；空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、V0X或五氧化ニ釩(V2O5)中的任ー種，優(yōu)選為MoO3 ;其中，空穴注入層厚度為5-40nm，優(yōu)選厚度為5nm ；空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為N，N’ - ニ(3-甲基苯基)-N，N’ - ニ苯基-4，4’-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (I-萘基)-N，N，-ニ苯基-4，4’-聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅CuPc中的任ー種，空穴傳輸層和電子阻擋層的厚度分別為5-80nm ;其中，空穴傳輸層優(yōu)選NPB，優(yōu)選厚度為40nm，電子阻擋層優(yōu)選為TCTA，優(yōu)選厚度為5nm ；電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基_1，3，4-噁ニ唑(PBD)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-ニ(I-萘基)-1，3，4_ ニ唑(BND)、4，7_ ニ苯基-1,10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。其中，空穴阻擋層厚度為3-10nm，優(yōu)選厚度為5nm，空穴阻擋層的材料優(yōu)選為TPBi ;電子傳輸層厚度為40-80nm,優(yōu)選厚度為60nm,電子傳輸層的材料優(yōu)選為Bphen ；
電子注入層的材料為Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任ー種，電子注入層的厚度0. 5-5nm ;對于該注入層的材料，也可采用Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF與電子傳輸材料(如，2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-I，3，4-噁ニ唑(PBD)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-ニ(ト萘基)-1，3，4-ニ唑(BND)、4，7_ ニ苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N_芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任ー種)摻雜組成的混合物中的任ー種,摻雜比例為20-60%，此時的電子注入層厚度為20-60nm ;就摻雜混合物材料而言，優(yōu)選Bphen: CsN3,優(yōu)選摻雜比例為20%，此時電子注入層厚度優(yōu)選為40nm 其中，上述鈹配合物材料為吩基吡啶鈹(B印p2)、10-羥基苯并喹啉鈹(BeBq2),8-羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2_甲基-8_羥基喹啉鈹(BeMQ2)、8_羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7_丙基-8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任ー種。本發(fā)明的電致發(fā)光器件,用相對穩(wěn)定,性能較好的藍(lán)光發(fā)光材料與紅光、綠光磷光材料制備發(fā)光層得到白光器件，藍(lán)光發(fā)光層制備在紅光-綠光磷光層兩側(cè)，用第一、ニ量子阱與紅光-綠光磷光層相隔，而藍(lán)光發(fā)光層主要利用單線態(tài)躍遷發(fā)光，由于三線態(tài)激子的擴(kuò)散長度為lOOnm，產(chǎn)生的三線態(tài)激子可以通過擴(kuò)散進(jìn)入到磷光層實(shí)現(xiàn)三線態(tài)能量轉(zhuǎn)移，使發(fā)光加強(qiáng)，這種結(jié)構(gòu)可以有效的提高熒光三線態(tài)的作用，而單線態(tài)的擴(kuò)散長度為5nm，因此量子阱可以使單線態(tài)激子限制在熒光層中，同時也可以起到量子阱作用，將空穴限制在磷光層中，使磷光材料對其進(jìn)行充分的捕獲，限制激子的發(fā)光區(qū)域，將光譜窄化，穩(wěn)定發(fā)光光色，由于藍(lán)光是熒光材料，只能通過單線態(tài)發(fā)光，因此，為了提高發(fā)光效率與光色，我們選用兩層藍(lán)光突光層作為藍(lán)光發(fā)光層，而由于藍(lán)光層位于兩側(cè)，而藍(lán)光材料是高能量材料，因此，無論出光方向是在哪ー邊，都可以充分激發(fā)紅光和綠光的發(fā)光，提高能量利用率，從而使發(fā)光效率得到增強(qiáng)。下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)ー步詳細(xì)說明。實(shí)施例I一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/1T0/Mo03/NPB/TCTA/TBADN = BCzVBi/TCTA/B印p2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TCTA/TBADN: BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3Al。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為TBADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm;第一量子阱材料為TCTA，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ)2(acac)，紅光材料摻雜比例為I %，綠光材料為Ir (ppy) 3，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為TCTA，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。圖I為該實(shí)施例電致發(fā)光器件能級圖；其中，該器件結(jié)構(gòu)為玻璃 / IT0/Mo03/NPB/TCTA/TBADN:BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TCTA/TBADN: BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3Al。圖2是該實(shí)施例的電致發(fā)光器件與參比電致發(fā)光器件的亮度電壓圖；其中，
該實(shí)施例的電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)玻璃/1T0/Mo03/NPB/TCTA/TBADN = BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TCTA/TBADN: BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1 ；參比電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)IT0/玻璃 /Mo03/NPB/TCTA/TBADN: BCzVBi/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。由圖2中可以看出，在IOV時，實(shí)施例I的器件電流密度為328mA/cm2，而參比器件電流密度為182mA/cm2，這說明，實(shí)施例I的兩層藍(lán)光層對效率的提高起到了積極的作用，同時激子的復(fù)合幾率提高，因此，器件的電流密度得到了増大。實(shí)施例2 一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/W03/TPD/TCTA/Tro:BCzVB/Tro/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TPD/TPD: BCzVB/TAZ/TPBI/Cs2C03/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVB，主體材料，即空穴傳輸材料為TPD，藍(lán)光材料摻雜比例為5%，厚度為IOnm ;第一量子阱材料為TPD，厚度為2nm;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ) 2 (acac)，紅光材料摻雜比例為0. 5%，綠光材料為Ir (ppy) 3，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為TPD，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(WO3)的厚度為40nm，空穴傳輸層(TPD)的厚度為20nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TAZ)的厚度為IOnm ;電子傳輸層(TPBI)的厚度為80nm ;電子注入層(Cs2CO3)的厚度為20nm ;陰極層采用Al層，其厚度為20nm。實(shí)施例3一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/ITO/VOx/TDAPB/NPB/TCTA:TBPe/NPB/BeMQ2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TDAPB/TCTA: TBPe/BND /TPQ /LiF/Al。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為TBPe，主體材料，即空穴傳輸材料為TCTA，藍(lán)光材料摻雜比例為20%，厚度為IOnm ;第一量子阱材料為NPB，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光材料摻雜比例為5%，綠光材料為Ir (ppy)3，綠光材料摻雜比例為10%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為TDAPB，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(VOx)的厚度為10nm，空穴傳輸層(TDAPB)的厚度為80nm ;電子阻擋層(NPB)的厚度為80nm ;空穴阻擋層(BND)的厚度為3nm ;電子傳輸層(TPQ)的厚度為40nm ；電子注入層(LiF)的厚度為60nm ;陰極層采用Al層，其厚度為200nm。實(shí)施例4一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/CuPc/Tro/CBP:DPAVB/NPB/CBP: Ir (piq) 3 Ir (piq) 3/CuPc/CBP:DPAVB/TPQ/TPBI/CsF/AI。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體材料，即空穴傳輸材料為CBP，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第一量子阱材料為NPB，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (piq) 3，紅光材料摻雜比例為1%，綠光材料為Ir (ppy)3，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm;第二層量子阱材料為CuPc，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(V2O5)的厚度為30nm，空穴傳輸層(CuPc)的厚度為IOnm;電子阻擋層(TPD)的厚度為60nm ;空穴阻擋層(TPQ)的厚度為8nm ;電子傳輸層(TPBI)的厚度為50nm ;電子注入層(CsF)的厚度為50nm ;陰極層采用Al層，其厚度為lOOnm。實(shí)施例5一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/CuPc/Tro/NPB:茈/NPB/BeqQ2: Ir (piq) 3: Ir (ppy) 2 (acac) /CuPc/NPB:花 /TPQ/TPBI/CaF2/Ag 關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為茈，主體材料，即空穴傳輸材料為NPB，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm;第一量子阱材料 為NPB，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (piq) 3，紅光材料摻雜比例為I %，綠光材料為Ir (ppy)2 (acac)，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為CuPc，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(V2O5)的厚度為15nm，空穴傳輸層(CuPc)的厚度為50nm ;電子阻擋層(TPD)的厚度為20nm ;空穴阻擋層(TPQ)的厚度為6nm ;電子傳輸層(TPBI)的厚度為70nm ；電子注入層(CaF2)的厚度為30nm ;陰極層采用Ag層,其厚度為60nm。實(shí)施例6一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/CuPc/Tro/CuPc:DPAVB/NPB/BeqQ2: Ir (piq) 3 Ir (ppy) 2 (acac) /CuPc/CuPc: DPAVB/TPQ/TPB I/CsN3/Mg。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體材料，即空穴傳輸材料為CuPc，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第一量子阱材料為NPB，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (piq) 3，紅光材料摻雜比例為I %，綠光材料為Ir (ppy)2 (acac)，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為CuPc，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(V2O5)的厚度為25nm，空穴傳輸層(CuPc)的厚度為55nm ;電子阻擋層(TPD)的厚度為35nm ;空穴阻擋層(TPQ)的厚度為8nm ;電子傳輸層(TPBI)的厚度為55nm ；電子注入層(CsN3)的厚度為25nm ;陰極層采用Mg層,其厚度為80nm。實(shí)施例7一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/1T0/Mo03/NPB/TPD/TBADN = BCzVBi/TPD/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TPBi/TBADN: BCzVBi/TPBi/Bphen/MgF2/Mg-Ag 合金。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為TBADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm;第一量子阱材料為TPD，厚度為2nm;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光材料摻雜比例為I %，綠光材料為Ir (ppy)3，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為TPBi，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(MgF2)的厚度為40nm ;陰極層采用Mg-Ag合金層，其厚度為160nm。實(shí)施例8一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/TBADN:BCzVB/TCTA/B印p2: Ir (MDQ)2 (acac) : Ir (ppy) 3/TCTA/TBADN:BCzVB/TPBi/Bphen/NaF/Au。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVB，主體材料，即空穴傳輸材料為TBADN，藍(lán)光材料摻雜比例為5%，厚度為IOnm ;第一量子阱材料為TCTA，厚度為5nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光材料摻雜比例為I %，綠光材料為Ir (ppy)3，綠光材料摻雜比例為7 %，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為TCTA，厚度為5nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(NaF)的厚度為40nm ;陰極層采用Au層,其厚度為180nm。實(shí)施例9一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/1T0/Mo03/NPB/TCTA/TBADN = BCzVBi/TCTA/BeBq2: Ir (piq) 2 (acac) : Ir (piq) 2 (acac) /TCTA/TBADN: BCzVBiAPBiZBphen/Bphen :CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為TBADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第一量子阱材料為TCTA，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (piq)2 (acac)，紅光材料摻雜比例為1%，綠光材料為Ir (piq)2 (acac)，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為15nm ;第二層量子阱材料為TCTA，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為90nm。實(shí)施例10一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/1T0/Mo03/NPB/NPB/TBADN = DPAVBi/TCTA/B印p2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TPBi/TBADN: DPAVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3Al。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為TBADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm;第一量子阱材料為TCTA，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ)2(acac)，紅光材料摻雜比例為I %，綠光材料為Ir (ppy) 3，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為TPBi，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功 能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為130nm。實(shí)施例11
一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/CBP:DPAVB/CBP/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TPD/TCTA:BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體材料，即空穴傳輸材料為CBP，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為TCTA，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第一量子阱材料為CBP，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光材料摻雜比例為1%，綠光材料為Ir (ppy) 3，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為TPBi，厚度為2nm。該 電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ；電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層，其厚度為70nm。實(shí)施例12一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/1T0/Mo03/NPB/TCTA/TBADN = BCzVBi/CBP/B印p2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TCTA/TDAPB: BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3Al。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為TBADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為TDAPB，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm;第一量子阱材料為CBP，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光材料摻雜比例為I %，綠光材料為Ir (ppy) 3，綠光材料摻雜比例為7%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm ;第二層量子阱材料為TCTA，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ；電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層，其厚度為40nm。實(shí)施例13一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/CBP = BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TCTA/CBP: BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為CBP，且第一藍(lán)光發(fā)光層中藍(lán)光材料摻雜比例為8%，第二藍(lán)光發(fā)光層中藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第一量子阱材料為TCTA，厚度為2nm ；紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ) 2 (acac)，紅光材料摻雜比例為3 %，綠光材料為Ir (ppy)3，綠光材料摻雜比例為8%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為IOnm;第二層量子阱材料為TCTA，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(BpheniCsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。實(shí)施例14ー種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/TBADN: TBPe/TCTA/BeMQ2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TCTA/TBADN: BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3Al。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為TBPe，主體材料，即空穴傳輸材料為TBADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第二藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為TDAPB，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm;第一量子阱材料為TCTA，厚度為IOnm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光材料摻雜比例為2. 5%，綠光材料為Ir (ppy)3，綠光材料摻雜比例為6%，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為12nm ;第二層量子阱材料為TCTA，厚度為2nm。該 電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ；電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層，其厚度為150nm。實(shí)施例15一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Tro = BCzVBi/TPBi/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac) : Ir (ppy) 3/TCTA/TPD: BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中第一、ニ藍(lán)光發(fā)光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體材料，即空穴傳輸材料為TPD，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為8nm ;第一量子阱材料為TPBi，厚度為2nm ;紅光-綠光磷光發(fā)光層中，紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光材料摻雜比例為2 %，綠光材料為Ir (ppy)3，綠光材料摻雜比例為9 %，該紅光-綠光磷光發(fā)光層的厚度為Ilnm ;第二層量子阱材料為TPBi，厚度為2nm。該電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光器件,其結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其特征在于，所述發(fā)光層為復(fù)合層結(jié)構(gòu)，該復(fù)合層結(jié)構(gòu)依次為第一藍(lán)光發(fā)光層/第一量子講/紅光-綠光磷光發(fā)光層/第二量子阱/第二藍(lán)光發(fā)光層；所述第一藍(lán)光發(fā)光層與制備在所述電子阻擋層表面 所述空穴阻擋層制備在所述第二藍(lán)光發(fā)光層表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光-綠光磷光發(fā)光層的材料為紅光磷光材料與綠光磷光材料混合后摻雜到鈹配合物材料中組成的混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光磷光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥、或者三(I-苯基-異喹啉)合銥中的任一種；所述綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥中的任一中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鈹配合物材料為吩基吡啶鈹、10-羥基苯并喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、2-甲基-8-羥基喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、或7-丙基-8羥基喹啉鈹中的任一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一量子阱和第二量子阱的材料分別為2-丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' -二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺、4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N' -(I-萘基)_N，N' - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺、或者1，3，5-三苯基苯或酞菁銅中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一藍(lán)光發(fā)光層和第二藍(lán)光發(fā)光層的材料分別為茈、二萘嵌苯衍生物、三苯胺二苯乙烯衍生物、三苯胺連萘基乙烯衍生物或苯乙烯衍生物與2-丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' - 二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N' -(I-萘基)_N，N' - 二苯基_4，4’-聯(lián)苯二胺、或者1，3，5_三苯基苯或酞菁銅摻雜組成的混合物中的任一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、VOx或五氧化二釩中的任一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為N，N’- 二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基_4，4’-聯(lián)苯二胺、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(、N，N，-(1-萘基)4，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、I，3，5-三苯基苯或酞菁銅中的任一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-I，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5- 二(I-萘基)-1，3，4- 二唑、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物中的任一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料為Cs2C03、CsN3> LiF、CsF、CaF2、MgF2 或者 NaF 中的任一種。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其中，發(fā)光層為復(fù)合層結(jié)構(gòu)，該復(fù)合層結(jié)構(gòu)依次為第一藍(lán)光發(fā)光層/第一量子阱/紅光-綠光磷光發(fā)光層/第二量子阱/第二藍(lán)光發(fā)光層；所述第一藍(lán)光發(fā)光層與制備在所述電子阻擋層表面，所述空穴阻擋層制備在所述第二藍(lán)光發(fā)光層表面。本發(fā)明的電致發(fā)光器件，在紅光-綠光磷光發(fā)光層兩側(cè)分別置于第一、二藍(lán)光發(fā)光層，可以使出射的藍(lán)光充分激發(fā)紅光和綠光的發(fā)光，提高能量利用率，從而使發(fā)光效率得到增強(qiáng)。
文檔編號H01L51/50GK102651451SQ20111004490
公開日2012年8月29日 申請日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司