專利名稱：熱敏電阻元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如用于與汽車相關(guān)等的溫度計(jì)量的熱敏電阻元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般，作為計(jì)量汽車發(fā)動(dòng)機(jī)周圍的催化劑溫度或排氣系統(tǒng)溫度等的溫度傳感器采用熱敏電阻溫度傳感器。用于該熱敏電阻溫度傳感器的熱敏電阻元件例如用作上述汽車關(guān)聯(lián)技術(shù)、信息設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療用設(shè)備、住宅設(shè)備機(jī)器等的溫度傳感器，使用具有大的負(fù)溫度系數(shù)的氧化物半導(dǎo)體的燒結(jié)體元件。通常，為了利用熱敏電阻元件測定溫度，串聯(lián)連接熱敏電阻元件和通常IkQ左右的上拉電阻而外加數(shù)V的電壓，測定施加于其電阻兩端的電壓并換算為溫度。因此，作為熱敏電阻元件的阻抗值，在測定溫度范圍，在低溫側(cè)要求數(shù)十kQ以下的阻抗值，在高溫側(cè)要求數(shù)十Ω以上的阻抗值。并且，在近幾年，要求通過以汽車行業(yè)為首的稱為OBD(On Board Diagnosis)的自診斷系統(tǒng)的義務(wù)化從低溫至高溫以寬量程測定溫度。隨著測定溫度區(qū)域擴(kuò)大，要求相對(duì)于溫度的阻抗值變化更穩(wěn)定的寬量程特性，即要求B常數(shù)小，根據(jù)用途還要求B常數(shù)為2000K左右。另一方面，若B常數(shù)變小，則阻抗率也處于變小的傾向，所以一般以通常的傳感器元件的大小使用，阻抗值變得過低而很難用熱敏電阻材料單體實(shí)現(xiàn)。因此，在以往，例如在專利文獻(xiàn)1中提出有以下方法為了提高阻抗值，在熱敏電阻材料上增加絕緣體而設(shè)為混合燒結(jié)體。專利文獻(xiàn)1 日本專利公開2009-88494號(hào)公報(bào)在上述以往技術(shù)中留有以下課題。S卩，設(shè)為以往增加絕緣體的混合燒結(jié)體而提高阻抗值的方法中，隨著B常數(shù)變小， 為了體現(xiàn)所希望的特性需要增加相當(dāng)比率的絕緣體。因此，在該方法中，絕緣體量的一點(diǎn)點(diǎn)偏差就會(huì)聯(lián)系到阻抗值的偏差，存在難以穩(wěn)定制作的問題點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于提供一種能夠抑制絕緣體量的同時(shí)比以往結(jié)構(gòu)更大幅度地提高阻抗值的熱敏電阻元件及其制造方法。本發(fā)明為了解決所述課題采用了以下結(jié)構(gòu)。即，本發(fā)明的熱敏電阻元件的特征在于，具備有板狀的金屬氧化物燒結(jié)體；絕緣層，形成在分別除了作為電極接合部這一部分以外的該金屬氧化物燒結(jié)體的上下面；以及一對(duì)電極層，在所述金屬氧化物燒結(jié)體的上下面至少形成于所述電極接合部。在該熱敏電阻元件中，因?yàn)榫邆溆薪^緣層和一對(duì)電極層，所述絕緣層形成在分別除了作為電極接合部這一部分以外的金屬氧化物燒結(jié)體的上下面，所述電極層在金屬氧化物燒結(jié)體的上下面至少形成于電極接合部，所以電極層與金屬氧化物燒結(jié)體的接合僅為電極接合部且有效電極面積降低，因此不用增加金屬氧化物燒結(jié)體中的絕緣體就能夠提高阻抗值。而且，與增加金屬氧化物燒結(jié)體中的絕緣體的情況相比，以降低該有效電極面積的本發(fā)明的熱敏電阻元件能夠減小阻抗值的偏差。而且，本發(fā)明的熱敏電阻元件的特征在于，在所述金屬氧化物燒結(jié)體的原料中混合有通過燒結(jié)使一部分在表面以絕緣薄膜的形式析出的絕緣材料，所述絕緣層為在所述金屬氧化物燒結(jié)體燒結(jié)時(shí)析出于表面的絕緣薄膜。而且，本發(fā)明的熱敏電阻元件的制造方法的特征在于，包括在分別除了作為電極接合部這一部分以外的板狀的金屬氧化物燒結(jié)體的上下面形成絕緣層的工序；以及在所述金屬氧化物燒結(jié)體的上下面的至少所述電極接合部形成一對(duì)電極層的工序，所述金屬氧化物燒結(jié)體的原料中混合通過燒結(jié)使一部分在表面以絕緣薄膜的形式析出的絕緣材料，在形成所述絕緣層的工序中，通過燒結(jié)使所述絕緣薄膜析出于所述金屬氧化物燒結(jié)體的表面而形成所述絕緣層。S卩，在這些熱敏電阻元件及其制造方法中，因?yàn)榻^緣層為在金屬氧化物燒結(jié)體燒結(jié)時(shí)析出于表面的絕緣薄膜，所以能夠與燒結(jié)同時(shí)自動(dòng)地形成絕緣層，比設(shè)置在燒結(jié)后的金屬氧化物燒結(jié)體的表面另外形成絕緣層的工序的情況更能縮減工序數(shù)。而且，根據(jù)混合于金屬氧化物燒結(jié)體的原料的絕緣材料能夠提高金屬氧化物燒結(jié)體自身的阻抗值。而且，本發(fā)明的熱敏電阻元件的特征在于，所述金屬氧化物燒結(jié)體為由通式 (1-z) ΑΒ03+ζΥ203 (其中，ABO3為鈣鈦礦型氧化物，0 < ζ ^ 0. 8)表示的復(fù)合氧化物燒結(jié)體， 所述絕緣層為Y2O3層。而且，本發(fā)明的熱敏電阻元件的制造方法的特征在于，所述金屬氧化物燒結(jié)體為由通式(1-ζ) ΑΒ03+ζΥ203 (其中，ABO3為鈣鈦礦型氧化物，0 < ζ ^ 0. 8)表示的復(fù)合氧化物燒結(jié)體，所述絕緣層為Y2O3層。S卩，在這些熱敏電阻元件及其制造方法中，因?yàn)榻饘傺趸餆Y(jié)體為由通式 (1-ζ) ΑΒ03+ζΥ203 (其中，ABO3為鈣鈦礦型氧化物，0 < ζ ^ 0. 8)表示的復(fù)合氧化物燒結(jié)體， 并且絕緣層為Y2O3層，所以根據(jù)以絕緣性高的良好的絕緣薄膜的形式析出的Y2O3層，能夠得到偏差小的阻抗值特性。尤其，優(yōu)選金屬氧化物燒結(jié)體為由通式(1-z) (YpyLay) (CivxMnx) 03+ζΥ203(其中， 0. 0彡X彡1. 0,0. 0彡y彡1. 0、0 < Z彡0. 8)表示的物質(zhì)。而且，本發(fā)明的熱敏電阻元件的特征在于，具備有一對(duì)導(dǎo)線，連接于所述一對(duì)電極層；以及模具部，用玻璃或耐熱樹脂密封所述金屬氧化物燒結(jié)體和所述導(dǎo)線的連接部分。S卩，在該熱敏電阻元件中，因?yàn)橛貌ＡЩ蚰蜔針渲哪＞卟棵芊饨饘傺趸餆Y(jié)體和導(dǎo)線的連接部分，所以可根據(jù)模具部從大氣遮斷金屬氧化物燒結(jié)體來提高耐環(huán)境性。而且，本發(fā)明的熱敏電阻元件的制造方法的特征在于，具有在所述金屬氧化物燒結(jié)體的兩面整體上形成所述絕緣層的工序；以及將激光照射到所述絕緣層的一部分來局部去除所述絕緣層形成所述電極接合部的工序。S卩，在該熱敏電阻元件的制造方法中，因?yàn)閷⒓す庹丈涞浇^緣層的一部分而局部去除絕緣層而形成電極接合部，所以只能使照射激光的部分露出金屬氧化物燒結(jié)體，并能夠高精度地形成窄幅的電極接合部。而且，本發(fā)明的熱敏電阻元件的制造方法的特征在于，具有在所述金屬氧化物燒結(jié)體的兩面整體上形成所述絕緣層的工序；以及對(duì)所述絕緣層的一部分通過噴砂法去除所述絕緣層而形成所述電極接合部的工序。S卩，在該熱敏電阻元件的制造方法中，因?yàn)閷?duì)絕緣層的一部分通過噴砂法去除絕緣層而形成電極接合部，所以在激光照射中不會(huì)對(duì)金屬氧化物燒結(jié)體帶來熱影響等。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明得到以下效果。S卩，根據(jù)本發(fā)明所涉及的熱敏電阻元件及其制造方法，因?yàn)榫邆溆薪^緣層和一對(duì)電極層，所述絕緣層形成在分別除了作為電極接合部這一部分以外的金屬氧化物燒結(jié)體的上下面，所述電極層在金屬氧化物燒結(jié)體的上下面至少形成于電極接合部，所以能夠降低有效電極面積來提高阻抗值的同時(shí)，與增加金屬氧化物燒結(jié)體中的絕緣體的情況相比，更能減小阻抗值的偏差。從而，本發(fā)明的熱敏電阻元件為高阻抗率的同時(shí)阻抗值偏差小，能夠在低溫區(qū)域至高溫區(qū)域的廣泛范圍內(nèi)進(jìn)行高精度的測定，尤其適合用作檢測汽車發(fā)動(dòng)機(jī)周圍的催化劑溫度或排氣系統(tǒng)溫度的廣泛范圍測定用溫度傳感器。


圖1是本發(fā)明所涉及的熱敏電阻元件及其制造方法的一實(shí)施方式中表示熱敏電阻元件的剖面圖。圖2是本實(shí)施方式中示意地表示金屬氧化物燒結(jié)體的主要部分剖面的圖。圖3是本實(shí)施方式中按工序順序表示熱敏電阻元件的制造方法中至電極形成工序的俯視圖。圖4是本實(shí)施方式中表示熱敏電阻元件的制造方法的切割工序的俯視圖。圖5是本實(shí)施方式中表示切割后的熱敏電阻元件的俯視圖及剖面圖。符號(hào)說明1-熱敏電阻元件，2-金屬氧化物燒結(jié)體，2a_電極接合部，3_絕緣層，4_電極層， 5-導(dǎo)線，6-模具部，W-金屬氧化物燒結(jié)體的晶片。
具體實(shí)施例方式以下，參照?qǐng)D1至圖5說明本發(fā)明所涉及的熱敏電阻元件及其制造方法的一實(shí)施方式。另外，在用于以下說明的各附圖中，為了將各部件設(shè)為可識(shí)別或容易識(shí)別的大小，根據(jù)必要適當(dāng)?shù)刈兏壤?。如圖1所示，本實(shí)施方式的熱敏電阻元件1具備有板狀的金屬氧化物燒結(jié)體2 ； 絕緣層3，形成在分別除了作為電極接合部2a這一部分以外的該金屬氧化物燒結(jié)體2的上下面；一對(duì)電極層4，在金屬氧化物燒結(jié)體2的上下面至少形成于電極接合部2a ；—對(duì)導(dǎo)線 5，連接于一對(duì)電極層4 ；模具部6，用玻璃或耐熱樹脂密封金屬氧化物燒結(jié)體2和導(dǎo)線5的連接部分。上述金屬氧化物燒結(jié)體2的原料中混合有通過燒結(jié)使一部分在表面以絕緣薄膜的形式析出的絕緣材料，如圖2所示，所述絕緣層3為在金屬氧化物燒結(jié)體2燒結(jié)時(shí)析出于表面的絕緣薄膜。
金屬氧化物燒結(jié)體2為由通式(1-z) ΑΒ03+ζΥ203 (其中，ABO3為鈣鈦礦型氧化物，0 < ζ ^ 0. 8)表示的復(fù)合氧化物燒結(jié)體，絕緣層3為Y2O3層。尤其，金屬氧化物燒結(jié)體2為由通式(1-z) (YpyLay) (CivxMnx) 03+ζΥ203 (其中，0. 0 彡 χ 彡 1. 0,0. 0 彡 y 彡 1. 0、0 < ζ 彡 0. 8) 表示的物質(zhì)。另外，在圖2中，白圖示意地表示了 Y2O3晶粒Α，黑圖示意地表示了鈣鈦礦型氧化物的晶粒B。而且，作為上述Y2O3層的絕緣層3的層厚度形成為3 μ m以上。尤其優(yōu)選絕緣層3 的層厚為IOym以下。上述電極層4例如為以濺射形成于金屬氧化物燒結(jié)體2的上下面整個(gè)面的Pt膜寸。上述電極接合部2a分別相對(duì)于上下面而以直線狀形成一對(duì)。上述導(dǎo)線5例如為白金線。這些導(dǎo)線5利用Ag的焊接電極7固定于一對(duì)電極層4。接著，參照?qǐng)D3至圖5對(duì)該熱敏電阻元件1的制造方法進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的熱敏電阻元件1的制造方法具有在分別除了作為電極接合部2a這一部分以外的板狀的金屬氧化物燒結(jié)體2的上下面形成絕緣層3的工序；以及在金屬氧化物燒結(jié)體2的上下面的至少電極接合部2a形成一對(duì)電極層4的工序。在該制造方法中，在金屬氧化物燒結(jié)體2的原料中混合通過燒結(jié)使一部分在表面以絕緣薄膜的形式析出的絕緣材料，在形成絕緣層3的工序中，通過燒結(jié)使絕緣薄膜析出于金屬氧化物燒結(jié)體2的表面而形成絕緣層3。而且，在形成絕緣層3的工序中，優(yōu)選在金屬氧化物燒結(jié)體2的兩面整體上形成絕緣層3，將激光照射到絕緣層3的一部分來局部去除絕緣層3而形成電極接合部2a。另外，除了通過上述激光照射形成電極接合部2a之外，還可以采用對(duì)絕緣層3的一部分通過噴砂法去除絕緣層3而形成電極接合部2a的工序。以下，對(duì)上述熱敏電阻元件1的制造方法的一例進(jìn)行說明。首先，稱量La203、Cr203及MnO2的各粉末后放入球磨機(jī)中，適量放入&球和純水進(jìn)行約24小時(shí)的混合。取出上述混合之物并使之干燥之后在1100°C下燒成5小時(shí)，例如得到在上述通式中設(shè)為X = 0. 5，y = 1. 0的La(Cra5Mna5)O3的煅燒粉。通過稱量為該煅燒粉與 Y2O3成為40 60 (mol % )且加入Y2O3粉末，再加入溶劑及粘合劑作為泥漿而進(jìn)行鑄造來制作IOOym厚度的生坯片。之后，重疊3層該生坯片并用沖壓機(jī)進(jìn)行熱壓接合來制作厚度約0. 3mm的層疊片。 接著，如圖3的(a)所示，將層疊片切割成50mmX50mm的尺寸，在1550°C下燒成5小時(shí)來制作金屬氧化物燒結(jié)體2的晶片W。此時(shí)，燒成后在晶片W的上下面析出厚度為數(shù)PmWY2O3 的絕緣層3。并且，如圖3的(b)所示，用激光加工機(jī)以幅度30μπι在晶片W的表面直線狀地多次照射激光，只有觸到激光的區(qū)域去除絕緣層3，從而形成使熱敏電阻元件1的導(dǎo)電體層露出的多個(gè)直線狀的電極接合部2a。接著，如圖3的(c)所示，在絕緣層3及電極接合部2a 的表面整體濺射Pt形成電極層4。而且，不僅對(duì)晶片W的上面，對(duì)下面也同樣進(jìn)行這些工序。
7
接著，如圖4及圖5所示，通過切割機(jī)將晶片W切割成格子狀而切出0. 4mm角的薄片狀。另外，圖4中的雙點(diǎn)劃線為通過切割機(jī)的切出線的例子。之后，利用Ag的焊接電極 7將一對(duì)導(dǎo)線5固定于一對(duì)電極層4，另外，通過在金屬氧化物燒結(jié)體2與導(dǎo)線5的連接部分施加玻璃模具形成模具部6，從而制作熱敏電阻元件1。如此，在本實(shí)施方式的熱敏電阻元件1中，因?yàn)榫邆溆薪^緣層3和一對(duì)電極層4， 所述絕緣層形成在分別除了作為電極接合部2a這一部分以外的金屬氧化物燒結(jié)體2的上下面，所述電極層在金屬氧化物燒結(jié)體2的上下面至少形成于電極接合部2a，所以電極層4 與金屬氧化物燒結(jié)體2的接合僅為電極接合部2a且降低有效電極面積，因此不增加金屬氧化物燒結(jié)體2中的絕緣體(Y2O3)就能夠提高阻抗值。而且，在降低該有效電極面積的本實(shí)施方式的熱敏電阻元件1中，與增加金屬氧化物燒結(jié)體2中的絕緣體(Y2O3)的情況相比，更能減小阻抗值的偏差。另外，因?yàn)榻^緣層3為在金屬氧化物燒結(jié)體2燒結(jié)時(shí)析出于表面的絕緣薄膜，所以能夠與燒結(jié)同時(shí)自動(dòng)地形成絕緣層3，比設(shè)置在燒結(jié)后的金屬氧化物燒結(jié)體2的表面上另外形成絕緣層3的工序的情況更能縮減工序數(shù)。而且，根據(jù)混合于金屬氧化物燒結(jié)體2的原料中的絕緣材料(Y2O3),能夠提高金屬氧化物燒結(jié)體2自身的阻抗值。而且，金屬氧化物燒結(jié)體2為由通式(1-Ζ)ΑΒ03+ΖΥ203 (其中，ABO3為鈣鈦礦型氧化物，0 < ζ ^ 0. 8)表示的復(fù)合氧化物燒結(jié)體，絕緣層3為Y2O3層，所以根據(jù)以絕緣性高的良好的絕緣薄膜的形式析出的Y2O3層，能夠得到偏差小的阻抗值特性。而且，因?yàn)橛貌ＡЩ蚰蜔針渲哪＞卟?密封金屬氧化物燒結(jié)體2和導(dǎo)線5的連接部分，所以可根據(jù)模具部6從大氣遮斷金屬氧化物燒結(jié)體2來提高耐環(huán)境性。并且，因?yàn)閷⒓す庹丈涞浇^緣層3的一部分而局部去除絕緣層3形成電極接合部 2a，所以只能使照射激光的部分露出金屬氧化物燒結(jié)體2，并能夠高精度地形成窄幅的電極接合部2a。而且，若采用對(duì)絕緣層3的一部分通過噴砂法去除絕緣層3而形成電極接合部的方法，則在激光照射中不會(huì)對(duì)金屬氧化物燒結(jié)體2帶來熱影響等。[實(shí)施例1]接著，在上述實(shí)施方式的熱敏電阻元件的制造方法中，將金屬氧化物燒結(jié)體的基本組成設(shè)為La (Cr, Mn)03+0. 6Y203(p = 80 Ω · cm、B = 2000K)，使激光的照射幅度(電極接合部的幅度)變化而實(shí)際制作多個(gè)實(shí)施例，并對(duì)阻抗值的偏差(標(biāo)準(zhǔn)偏差)進(jìn)行評(píng)價(jià)，將其結(jié)果示于以下表1。另外，金屬氧化物燒結(jié)體的薄片尺寸設(shè)為幅度W :0. 4mmX長度L :0. 4mmX厚度T 0. 2mm。與各激光照射幅度對(duì)應(yīng)的在25°C下的阻抗值(R25)、加入用于得到與這些相同的阻抗率的Y2O3時(shí)的量及此時(shí)的阻抗值偏差(標(biāo)準(zhǔn)偏差)也一并示于表1中。[表 1]
照射幅度(μ m)阻抗值6 (標(biāo)準(zhǔn)偏差)必要Y2O3量6 (標(biāo)準(zhǔn)偏差)0> 10"6Ω
權(quán)利要求
1.一種熱敏電阻元件，其特征在于，具備有 板狀的金屬氧化物燒結(jié)體；絕緣層，形成在分別除了作為電極接合部這一部分以外的該金屬氧化物燒結(jié)體的上下面；以及一對(duì)電極層，在所述金屬氧化物燒結(jié)體的上下面至少形成于所述電極接合部。
2.如權(quán)利要求1所述的熱敏電阻元件，其特征在于，在所述金屬氧化物燒結(jié)體的原料中混合有通過燒結(jié)使一部分在表面以絕緣薄膜的形式析出的絕緣材料，所述絕緣層為在所述金屬氧化物燒結(jié)體燒結(jié)時(shí)析出于表面的絕緣薄膜。
3.如權(quán)利要求2所述的熱敏電阻元件，其特征在于，所述金屬氧化物燒結(jié)體為由通式(1-z)ΑΒ03+ζΥ203表示的復(fù)合氧化物燒結(jié)體，其中， ABO3為鈣鈦礦型氧化物，0 < ζ彡0. 8， 所述絕緣層為Y2O3層。
4.如權(quán)利要求3所述的熱敏電阻元件，其特征在于，所述金屬氧化物燒結(jié)體為由通式(1-z) (YpyLay) (Cr1^xMnx) 03+ζΥ203表示的物質(zhì)，其中，0. 0 < X < 1. 0，0· 0 < y < 1. 0，0 < Z < 0. 8。
5.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的熱敏電阻元件，其特征在于，具備 一對(duì)導(dǎo)線，連接于所述一對(duì)電極層；以及模具部，用玻璃或耐熱樹脂密封所述金屬氧化物燒結(jié)體和所述導(dǎo)線的連接部分。
6.一種熱敏電阻元件的制造方法，其特征在于，具有在分別除了作為電極接合部這一部分以外的板狀的金屬氧化物燒結(jié)體的上下面形成絕緣層的工序；以及在所述金屬氧化物燒結(jié)體的上下面的至少所述電極接合部形成一對(duì)電極層的工序， 在所述金屬氧化物燒結(jié)體的原料中混合通過燒結(jié)使一部分在表面以絕緣薄膜的形式析出的絕緣材料，在形成所述絕緣層的工序中，通過燒結(jié)使所述絕緣薄膜析出于所述金屬氧化物燒結(jié)體的表面而形成所述絕緣層。
7.如權(quán)利要求6所述的熱敏電阻元件的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物燒結(jié)體為由通式(1-z)ΑΒ03+ζΥ203表示的金屬氧化物燒結(jié)體，其中， ABO3為鈣鈦礦型氧化物，0 < ζ彡0. 8， 所述絕緣層為Y2O3層。
8.如權(quán)利要求7所述的熱敏電阻元件的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物燒結(jié)體為由通式(1-z) (YpyLay) (Cr1^xMnx) 03+ζΥ203表示的物質(zhì)，其中，0. 0 < X < 1. 0，0· 0 < y < 1. 0，0 < Z < 0. 8。
9.如權(quán)利要求6至8中的任一項(xiàng)所述的熱敏電阻元件的制造方法，其特征在于，具有 在所述金屬氧化物燒結(jié)體的兩面整體上形成所述絕緣層的工序；以及將激光照射到所述絕緣層的一部分來局部去除所述絕緣層而形成所述電極接合部的工序。
10.如權(quán)利要求6至8中的任一項(xiàng)所述的熱敏電阻元件的制造方法，其特征在于，具有在所述金屬氧化物燒結(jié)體的兩面整體上形成所述絕緣層的工序；以及對(duì)所述絕緣層的一部分通過噴砂法去除所述絕緣層而形成所述電極接合部的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種熱敏電阻元件及其制造方法，該熱敏電阻元件能夠抑制絕緣體的量的同時(shí)，比以往結(jié)構(gòu)大幅度地提高阻抗值。其具備有板狀的金屬氧化物燒結(jié)體(2)；絕緣層(3)，形成在分別除了作為電極接合部(2a)這一部分以外的該金屬氧化物燒結(jié)體(2)的上下面；以及一對(duì)電極層(4)，在金屬氧化物燒結(jié)體(2)的上下面至少形成于電極接合部(2a)。并且，在金屬氧化物燒結(jié)體(2)的原料中混合有通過燒結(jié)使一部分在表面以絕緣薄膜的形式析出的絕緣材料，絕緣層(3)為在金屬氧化物燒結(jié)體(2)的燒結(jié)時(shí)析出于表面的絕緣薄膜。
文檔編號(hào)H01C7/04GK102194559SQ20111003765
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月17日
發(fā)明者清水翔, 藤原和崇, 藤田利晃 申請(qǐng)人:三菱綜合材料株式會(huì)社