專利名稱：一種提高發(fā)光效率的led封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于發(fā)光器件的制造領(lǐng)域，涉及一種提高發(fā)光效率的LED封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器依靠背光源將光線穿過其液晶面板并通過控制透過液晶像素點(diǎn)背光的光線的數(shù)量來實(shí)現(xiàn)圖像的顯示。因此，背光源的技術(shù)與品質(zhì)直接影響液晶顯示器的顯示效果。傳統(tǒng)的液晶顯示器的背光源采用冷陰極熒光燈(Cold Cathode Fluorescent Lamps, CCFL)，隨著發(fā)光二極管(Light Emitting Diodes, LED)技術(shù)的進(jìn)一步成熟和成本的持續(xù)下降，LED逐漸取代CCFL成為液晶顯示器的新型背光源。與CCFL相比，LED背光源在節(jié)能、壽命、色域、環(huán)保等方面均有明顯的優(yōu)勢(shì)。首先， LED更節(jié)能，如實(shí)現(xiàn)同等亮度的背光模組，LED比CCFL省電30-50% ；其次，LED更長(zhǎng)壽命， CCFL目前壽命一般為30，000小時(shí)，而LED的平均壽命約為50，000小時(shí)；再者，LED的色域更寬，采用CCFL背光只能實(shí)現(xiàn)NTSC色域的60-75%，而LED背光可以實(shí)現(xiàn)100%的NTSC的色域表現(xiàn)，使液晶顯示器的色彩更加豐富自然；進(jìn)一步，LED更環(huán)保，CCFL仍然含有少量的汞，而LED完全不含汞和其它有害物質(zhì)，完全符合歐盟的ROHS指令；最后，LED的運(yùn)動(dòng)圖像顯示更流暢，傳統(tǒng)CCFL燈管的閃爍發(fā)光頻率較低，表現(xiàn)動(dòng)態(tài)場(chǎng)景可能產(chǎn)生畫面跳動(dòng)，而LED 背光可以靈活調(diào)整發(fā)光頻率，且頻率大大高于CCFL，因此能完美地呈現(xiàn)運(yùn)動(dòng)畫面。目前作為液晶顯示器背光源的LED的白色光主要采用如下方式合成。方式1 采用UV-LED芯片(紫外光LED芯片)激發(fā)紅、綠、藍(lán)熒光粉的混合物來實(shí)現(xiàn)白光LED的合成。 方式2 采用紅、綠、藍(lán)LED芯片混光來實(shí)現(xiàn)。方式3 采用藍(lán)光LED芯片激發(fā)紅色、綠色熒光粉來合成白光LED。請(qǐng)參閱圖1A，其是上述方式1的現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖。該 LED封裝結(jié)構(gòu)包括一底座10、一反光杯支架11、一正裝結(jié)構(gòu)的UV-LED芯片(紫外光LED芯片)12以及一熒光粉層13。該反光杯支架11設(shè)置在底座10上。該正裝結(jié)構(gòu)的UV-LED芯片(紫外光LED芯片)12設(shè)置在該反光杯支架11的內(nèi)凹空間內(nèi)，且該正裝結(jié)構(gòu)的UV-LED 芯片(紫外光LED芯片)12的P極和N極通過金線121分別與底座10上的電極相連接。 該熒光粉層13設(shè)置在UV-LED芯片12出光位置上方，用以將UV-LED芯片12的紫光轉(zhuǎn)換為白光。具體的，請(qǐng)參閱圖1B，該熒光粉層13是分別由紅色熒光粉(成分為(Lai_xEux)2AS 和(YhEux)2O2S).綠色熒光粉(成分為 MnyCexTbyBO3, M = Sc，Y，La，Gd，Lu)和藍(lán)色熒光粉(成分為M2, Eu) 10 (PO4)6C12, M2 = Mg，Ca，Sr，Ba和a (M3, Eu) Ob)的混合物摻入硅膠中形成。由于上述三種熒光粉的顆粒為不規(guī)則的多面體結(jié)構(gòu)，棱角較多，UV-LED芯片(紫外光 LED芯片)12發(fā)出的光線會(huì)在棱角部分產(chǎn)生較多的全反射，從而影響LED的發(fā)光效率；再者，由于熒光粉層13紅、綠、藍(lán)三色熒光粉的混合，其中紅色熒光粉會(huì)吸收部分UV-LED芯片 (紫外光LED芯片)激發(fā)綠色熒光粉和藍(lán)色熒光粉的所產(chǎn)生的綠光和藍(lán)光，及綠色熒光粉會(huì)吸收部分UV-LED芯片激發(fā)藍(lán)色熒光粉所產(chǎn)生的藍(lán)光，從而影響LED的發(fā)光效率。例如， UV-LED芯片單獨(dú)激發(fā)綠色熒光粉時(shí)綠色熒光粉外量子效率為0. 6 ( η ext = 0. 6)，UV-LED芯片單獨(dú)激發(fā)紅色熒光粉時(shí)紅色熒光粉外量子效率為0. 8 ( next = 0. 8)，此外，當(dāng)兩種熒光粉混合在一起時(shí)，UV-LED芯片激發(fā)綠色熒光粉產(chǎn)生的綠光會(huì)對(duì)紅色熒光粉進(jìn)行二次激發(fā)， 同時(shí)UV-LED芯片也對(duì)紅色熒光粉進(jìn)行激發(fā)，此時(shí)紅色熒光粉的外量子效率為0. 48 (next =0.8X0. 6 = 0. 48)，從而影響LED的發(fā)光效率。同時(shí)由于該UV-LED芯片(紫外光LED芯片)12的P極和N極通過金線121分別與底座10上的電極相連接，在熒光粉涂覆的過程中， 硅膠流動(dòng)過程中易在金線周圍及金線下方產(chǎn)生氣泡，氣泡的存在不僅會(huì)影響光線的出光， 同時(shí)易在較大溫差和受熱膨脹過程中拉斷金線造成LED光源的失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)與不足，提供一種提高用于背光源領(lǐng)域的LED外量子效率的LED封裝結(jié)構(gòu)。同時(shí)，本發(fā)明還提供了所述LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種提高發(fā)光效率的LED封裝結(jié)構(gòu)，包括一底座、一設(shè)置在底座上且具有一內(nèi)凹空間的反光杯支架、至少一 LED芯片、一第一熒光粉層和一第二熒光粉層。該LED芯片倒裝設(shè)置在一硅基板上，該硅基板設(shè)置在該反光杯支架的內(nèi)凹空間內(nèi)。該第一熒光粉層設(shè)置在該LED芯片的發(fā)光區(qū)上方，該第二熒光粉層設(shè)置在該第一熒光粉層的上表面，該第一熒光粉層的色段波長(zhǎng)大于該第二熒光粉層的色段波長(zhǎng)。進(jìn)一步，還包括一第三熒光粉層，其設(shè)置在該第二熒光粉層的上表面，該第三熒光粉層的色段波長(zhǎng)小于該第二熒光粉層的色段波長(zhǎng)。具體地，該LED芯片為紫外光LED芯片，該第一熒光粉層為紅色熒光粉層，該第二熒光粉層為綠色熒光粉層，該第三熒光粉層為藍(lán)色熒光粉層?；蛘咴揕ED芯片為藍(lán)光LED 芯片，該第一熒光粉層為紅色熒光粉層，該第二熒光粉層為綠色熒光粉層。進(jìn)一步，該第一熒光粉層包括化學(xué)式為CaSiAlN3 = Eu2+的紅色熒光粉和透明硅膠。 該第二熒光粉層的材料為β -SiAlON的綠色熒光粉層，該熒光粉顆粒形狀為棒狀或桿狀。一種提高發(fā)光效率的LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括如下步驟步驟Sl 將反光杯支架設(shè)置在底座上；步驟S2 將LED芯片倒裝設(shè)置在一硅基板，然后通過固晶膠或共晶的方式，將倒裝有LED芯片的硅基板固定在反光杯支架的內(nèi)凹空間的底部中間；步驟S3 在硅基板上的正、負(fù)電極和反光杯支架上的正、負(fù)電極之間設(shè)置金線；步驟S4 在該LED芯片的發(fā)光區(qū)上表面形成第一熒光粉層；步驟S5 在第一熒光粉層的上表面形成第二熒光粉層；該第一熒光粉層的色段波長(zhǎng)大于該第二熒光粉層的色段波長(zhǎng)。進(jìn)一步，還包括步驟S6 在第二熒光粉層上表面形成一第三熒光粉層，該第三熒光粉層的色段波長(zhǎng)小于該第二熒光粉層的色段波長(zhǎng)。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明將各色熒光粉層進(jìn)行分層涂覆，并使沿LED芯片出光方向的各熒光粉層的色段波長(zhǎng)依序減小，由于靠近LED芯片的第一熒光粉層的色段波長(zhǎng)較大，LED芯片激發(fā)第一熒光粉層后，第一熒光粉層產(chǎn)生的光線不會(huì)對(duì)第二熒光粉層造成二次激發(fā)而降低第二熒光粉層的外量子效率。同理，經(jīng)該第二熒光粉層后，第二熒光層的光線不會(huì)對(duì)第三熒光粉層造成二次激發(fā)而降低第三熒光粉層的外量子效率。該結(jié)構(gòu)有利于提高LED芯片的外量子效率，進(jìn)而提高LED封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。為了能更清晰的理解本發(fā)明，以下將結(jié)合


闡述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。

圖IA是現(xiàn)有技術(shù)的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖IB是圖IA所示的熒光粉層13的局部放大示意圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施例2的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1 請(qǐng)參閱圖2，其是本發(fā)明實(shí)施例1的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖。該LED封裝結(jié)構(gòu)包括一底座20、一反光杯支架21、一 UV-LED芯片22 (紫外光LED芯片)以及一第一熒光粉層23、 一第二熒光粉層M和一第三熒光粉層25。該反光杯支架21設(shè)置在底座20上，該反光杯支架21上設(shè)置有正、負(fù)電極212。該UV-LED芯片22倒裝設(shè)置在一硅基板沈上。該硅基板 26設(shè)置在該反光杯支架21的內(nèi)凹空間內(nèi)，硅基板沈上的正、負(fù)電極262通過金線27與反光杯支架21上的正、負(fù)電極212連接。該第一熒光粉層23、一第二熒光粉層M和一第三熒光粉層25從下至上依序設(shè)置在UV-LED芯片22出光位置上方，用以將UV-LED芯片22的紫光轉(zhuǎn)換為白光。其中，該第一熒光粉層23、一第二熒光粉層M和一第三熒光粉層25的色段波長(zhǎng)依序減小。具體地，該第一熒光粉層23包括紅色熒光粉與透明硅膠。該紅色熒光粉可以被波長(zhǎng)為250nm-480nm的光線激發(fā)，其顆粒大小為5-30 μ m，其化學(xué)式為CaSiAlN3:Eu2+。該透明硅膠的折射率為1.4-1.7。該第二熒光粉層M為綠色熒光粉層，具體為β -SiAlON,該綠色熒光粉顆粒的形狀為棒狀或桿狀，顆粒大小為5-50 μ m。該第三熒光粉層25為藍(lán)色熒光粉層，具體為BaMgAlltlO17:Eu2+。其中，該紅色熒光粉顆粒大小為10-20 μ m、該綠色熒光粉層顆粒大小為10_20 μ m 以及該藍(lán)色熒光粉顆粒大小為10-20 μ m的組合時(shí)，可使該LED封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率達(dá)到最佳。以下詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例1的LED封裝結(jié)構(gòu)的具體制造方法步驟Sl 將反光杯支架21設(shè)置在底座20上。步驟S2 將UV-LED芯片22倒裝設(shè)置在一硅基板沈，然后通過固晶膠或共晶的方式，將倒裝有UV-LED芯片22的硅基板沈固定在反光杯支架21的內(nèi)凹空間底部中間。如果采用固晶膠方式，還需對(duì)其烘烤固化。步驟S3 在硅基板沈上的正、負(fù)電極262和反光杯支架21上的正、負(fù)電極212之間設(shè)置金線27。采用超聲波焊接的方式將金線27分別焊接在硅基板沈上的正、負(fù)電極262 以及焊接在反光杯支架21上的正、負(fù)電極212，使得倒裝結(jié)構(gòu)UV-LED芯片22的P、N電極與反光杯支架21上的正、負(fù)電極212實(shí)現(xiàn)電連接。步驟S4 形成第一熒光粉層23。將紅色熒光粉和透明硅膠均勻混合后，通過點(diǎn)膠的方式涂覆于UV-LED芯片22的發(fā)光區(qū)的上表面，然后進(jìn)行150攝氏度高溫烘烤固化，進(jìn)而形成第一熒光粉層23。步驟S5 形成第二熒光粉層M。將綠色熒光粉均勻分散于無(wú)水酒精中，然后通過點(diǎn)膠的方式將綠色熒光粉和酒精混合溶液涂覆于第一熒光粉層23的上表面，然后在100攝氏度溫度下進(jìn)行烘烤，使無(wú)水酒精揮發(fā)，在第一熒光粉層23的上表面形成一層厚度為1 3mm的第二熒光粉層24。步驟S6 形成第三熒光粉層25。將藍(lán)色熒光粉和透明硅膠均勻混合后，通過點(diǎn)膠的方式涂覆于第二熒光粉層M的上表面，然后進(jìn)行150攝氏度高溫烘烤固化，進(jìn)而形成第三熒光粉層25。實(shí)施例2 請(qǐng)參閱圖3，其是本發(fā)明實(shí)施例2的LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖。該LED封裝結(jié)構(gòu)包括一底座30、一反光杯支架31、一藍(lán)光LED芯片32以及一第一熒光粉層33和一第二熒光粉層；34。該反光杯支架31設(shè)置在底座30上，該反光杯支架31上設(shè)置有正、負(fù)電極312。該藍(lán)光LED芯片32倒裝設(shè)置在一硅基板36上。該硅基板36設(shè)置在該反光杯支架31的內(nèi)凹空間內(nèi)，硅基板36上的正、負(fù)電極362通過金線37與反光杯支架31上的正、負(fù)電極312連接。該第一熒光粉層33和第二熒光粉層34從下至上依序設(shè)置在藍(lán)光LED芯片32出光位置上方，用以將藍(lán)光LED芯片32的藍(lán)光轉(zhuǎn)換為白光。其中，該第一熒光粉層33和第二熒光粉層34的色段波長(zhǎng)依序減小。具體地，該第一熒光粉層33包括紅色熒光粉與透明硅膠。該紅色熒光粉可以被波長(zhǎng)為250nm-480nm的光線激發(fā)，其顆粒大小為5-30 μ m，其化學(xué)式為CaSiAlN3:Eu2+。該透明硅膠的折射率為1.4-1.7。該第二熒光粉層34為綠色熒光粉層，具體為β -SiAlON,該綠色熒光粉顆粒的形狀為棒狀或桿狀，顆粒大小為5-50 μ m。其中，該紅色熒光粉顆粒大小為10-20 μ m、該綠色熒光粉層顆粒大小為10_20 μ m 以及該藍(lán)色熒光粉顆粒大小為10-20 μ m的組合時(shí)，可使該LED封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率達(dá)到最佳。以下詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例2的LED封裝結(jié)構(gòu)的具體制造方法步驟Sl 將反光杯支架31設(shè)置在底座30上。步驟S2 將藍(lán)光LED芯片32倒裝設(shè)置在一硅基板36，然后通過固晶膠或共晶的方式，將倒裝有藍(lán)光LED芯片32的硅基板36固定在反光杯支架31的內(nèi)凹空間底部中間。如果采用固晶膠方式，還需對(duì)其烘烤固化。步驟S3 在硅基板36上的正、負(fù)電極362和反光杯支架31上的正、負(fù)電極312之間設(shè)置金線37。采用超聲波焊接的方式將金線37分別焊接在硅基板36上的正、負(fù)電極362 以及焊接在反光杯支架31上的正、負(fù)電極312，使得倒裝結(jié)構(gòu)藍(lán)光LED芯片32的P、N電極與反光杯支架31上的正、負(fù)電極312實(shí)現(xiàn)電連接。步驟S4 形成第一熒光粉層33。將紅色熒光粉和透明硅膠均勻混合后，通過點(diǎn)膠的方式涂覆于倒裝結(jié)構(gòu)的藍(lán)光LED芯片32的發(fā)光區(qū)的上表面，然后進(jìn)行150攝氏度高溫烘烤固化，進(jìn)而形成第一熒光粉層33。步驟S5 形成第二熒光粉層34。將綠色熒光粉均勻分散于無(wú)水酒精中，然后通過點(diǎn)膠的方式將綠色熒光粉和酒精混合溶液涂覆于第一熒光粉層33的上表面，然后在100攝氏度溫度下進(jìn)行烘烤，使無(wú)水酒精揮發(fā)，在第一熒光粉層33的上表面形成一層厚度為1 3mm的第二熒光粉層34。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明將各色熒光粉層分層，并使沿LED芯片出光方向的各熒光粉層的色段波長(zhǎng)依序減小，由于靠近LED芯片的第一熒光粉層的色段波長(zhǎng)較大，LED芯片激發(fā)第一熒光粉層后產(chǎn)生的光線不會(huì)對(duì)第二熒光粉層造成二次激發(fā)而降低第二熒光粉層的外量子效率。同理，經(jīng)該第二熒光粉層后的光線不會(huì)對(duì)第三熒光粉層造成二次激發(fā)而降低第三熒光粉層的外量子效率。該結(jié)構(gòu)有利于提高LED芯片的外量子效率，進(jìn)而提高LED封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。此外，本發(fā)明采用倒裝的LED芯片結(jié)構(gòu)，在LED芯片的發(fā)光區(qū)表面的P、 N極沒有金線引出，可以減少熒光粉和硅膠混合物在涂覆填充過程中，避免在金線的周圍和下面引入氣泡，防止LED在使用過程中因溫度變化和LED點(diǎn)亮?xí)r自身熱量造成氣泡膨脹使金線斷裂而使LED失效。進(jìn)一步，本發(fā)明第二熒光粉層的綠色熒光粉層β-SiAlON的顆粒形狀為棒狀或桿狀，顆粒規(guī)則，減少因傳統(tǒng)熒光粉顆粒形貌為不規(guī)則的多面體，棱角眾多及雜亂無(wú)章的堆積在芯片發(fā)光區(qū)表面和金線上而增加的LED發(fā)出的光線全反射損失的幾率。本發(fā)明還可具有多種實(shí)施例，如可以由多個(gè)LED芯片組成的LED芯片組替換上述實(shí)施例中的單個(gè)LED芯片。本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，如果對(duì)本發(fā)明的各種改動(dòng)或變形不脫離本發(fā)明的精神和范圍，倘若這些改動(dòng)和變形屬于本發(fā)明的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變形。
權(quán)利要求
1.一種提高發(fā)光效率的LED封裝結(jié)構(gòu)，包括一底座；一反光杯支架，其設(shè)置在底座上且具有一內(nèi)凹空間；至少一 LED芯片，該LED芯片倒裝設(shè)置在一硅基板上，該硅基板設(shè)置在該反光杯支架的內(nèi)凹空間內(nèi)；其特征在于還包括一第一熒光粉層和一第二熒光粉層，該第一熒光粉層設(shè)置在該 LED芯片的發(fā)光區(qū)上方，該第二熒光粉層設(shè)置在該第一熒光粉層的上表面，該第一熒光粉層的色段波長(zhǎng)大于該第二熒光粉層的色段波長(zhǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一第三熒光粉層，其設(shè)置在該第二熒光粉層的上表面，該第三熒光粉層的色段波長(zhǎng)小于該第二熒光粉層的色段波長(zhǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該LED芯片為藍(lán)光LED芯片，該第一熒光粉層為紅色熒光粉層，該第二熒光粉層為綠色熒光粉層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該LED芯片為紫外光LED芯片， 該第一熒光粉層為紅色熒光粉層，該第二熒光粉層為綠色熒光粉層，該第三熒光粉層為藍(lán)色熒光粉層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一熒光粉層包括化學(xué)式為 CaSiAlN3IEu2+的紅色熒光粉和透明硅膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二熒光粉層的材料為β -SiAlON的綠色熒光粉層，該熒光粉顆粒形狀為棒狀或桿狀。
7.一種提高發(fā)光效率的LED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括如下步驟步驟Sl 將反光杯支架設(shè)置在底座上；步驟S2 將LED芯片倒裝設(shè)置在一硅基板，然后通過固晶膠或共晶的方式，將倒裝有 LED芯片的硅基板固定在反光杯支架的內(nèi)凹空間的底部中間；步驟S3 在硅基板上的正、負(fù)電極和反光杯支架上的正、負(fù)電極之間設(shè)置金線；步驟S4 在該LED芯片的發(fā)光區(qū)上表面形成第一熒光粉層；步驟S5 在第一熒光粉層的上表面形成第二熒光粉層；該第一熒光粉層的色段波長(zhǎng)大于該第二熒光粉層的色段波長(zhǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于還包括步驟S6在第二熒光粉層上表面形成一第三熒光粉層，該第三熒光粉層的色段波長(zhǎng)小于該第二熒光粉層的色段波長(zhǎng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于該步驟4的具體步驟為將紅色熒光粉和透明硅膠均勻混合后，通過點(diǎn)膠的方式涂覆于倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片的發(fā)光區(qū)的上表面，然后進(jìn)行150攝氏度高溫烘烤固化，進(jìn)而形成第一熒光粉層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于該步驟5的具體步驟為將綠色熒光粉均勻分散于無(wú)水酒精中，然后通過點(diǎn)膠的方式將綠色熒光粉和無(wú)水酒精混合溶液涂覆于第一熒光粉層的上表面，然后在100攝氏度溫度下進(jìn)行烘烤，使無(wú)水酒精揮發(fā)，進(jìn)而在第一熒光粉層的上表面形成一第二熒光粉層。
全文摘要
一種提高發(fā)光效率的LED封裝結(jié)構(gòu)，包括一底座、一設(shè)置在底座上且具有一內(nèi)凹空間的反光杯支架、至少一LED芯片、一第一熒光粉層和一第二熒光粉層。該LED芯片倒裝設(shè)置在一硅基板上，該硅基板設(shè)置在該反光杯支架的內(nèi)凹空間內(nèi)。該第一熒光粉層設(shè)置在該LED芯片的發(fā)光區(qū)上方，該第二熒光粉層設(shè)置在該第一熒光粉層的上表面，該第一熒光粉層的色段波長(zhǎng)大于該第二熒光粉層的色段波長(zhǎng)。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的LED封裝結(jié)構(gòu)有利于提高LED芯片的外量子效率，進(jìn)而提高該LED封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102169951SQ20111003198
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月28日
發(fā)明者劉如熹, 肖國(guó)偉, 鄭永生, 陳海英 申請(qǐng)人:晶科電子(廣州)有限公司