專利名稱：白光led裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種白光發(fā)光二極管(LED，light emitting diode)裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有發(fā)光二極管裝置中，如美國(guó)專利第5，998，925號(hào)所揭露的發(fā)光二極管裝置，為了改變發(fā)光二極管裝置所發(fā)射的光的波長(zhǎng)，往往會(huì)設(shè)置具有轉(zhuǎn)換波長(zhǎng)功能的熒光體層，然而，此熒光體層通常會(huì)具有較大的厚度并且直接與發(fā)光二極管裝置接觸，因此引起種種不利的問(wèn)題，例如熒光粉體在熒光體層中的分散不均、以及熒光體層因發(fā)光二極管裝置所產(chǎn)生的熱而加速老化(此會(huì)大幅減少發(fā)光二極管裝置的使用壽命)等等。又，在如美國(guó)專利第5，998，925號(hào)所揭露的發(fā)光二極管裝置中，必須在完成整個(gè)發(fā)光二極管裝置的組裝 (或封裝)之后，才會(huì)檢測(cè)發(fā)光二極管裝置的發(fā)光波長(zhǎng)，若發(fā)現(xiàn)發(fā)光波長(zhǎng)未落入標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范時(shí)，其重工極為不易，或甚至將不良的成品直接報(bào)廢，因而大幅提高生產(chǎn)成本。又，由于現(xiàn)有熒光體層的涂布方式(大多以點(diǎn)膠方式進(jìn)行)，所以現(xiàn)有熒光體層會(huì)具有較厚的厚度，故容易產(chǎn)生黃環(huán)(yellow ring)現(xiàn)象且熒光體層中的熒光粉體會(huì)因?yàn)橹亓Χa(chǎn)生下沉的情形， 因而降低發(fā)光二極管裝置的色彩均勻性。若降低熒光體層的厚度時(shí)，熒光體層的強(qiáng)度亦會(huì)隨之降低，并且會(huì)因?yàn)榘l(fā)光二極管裝置所產(chǎn)生的熱而更加速熒光體層的老化。因此，亟需一種可克服上述問(wèn)題的發(fā)光二極管裝置及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
依照本發(fā)明的一實(shí)施樣態(tài)，提供一種白光發(fā)光二極管的制造方法，其包含下列步驟設(shè)置光學(xué)層；在光學(xué)層上設(shè)置波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，以形成包含光學(xué)層以及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的第一堆疊結(jié)構(gòu)；設(shè)置導(dǎo)電襯底(substrate)；在導(dǎo)電襯底上形成多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu) (epitaxial structure)，以形成包含導(dǎo)電襯底以及多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的第二堆疊結(jié)構(gòu)；將第一堆疊結(jié)構(gòu)切割成與第二堆疊結(jié)構(gòu)相稱的尺寸；以及將第一堆疊結(jié)構(gòu)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層與第二堆疊結(jié)構(gòu)的多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)接合在一起，并于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層與多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)之間設(shè)置透明層。依照本發(fā)明的另一實(shí)施樣態(tài)，提供一種白光發(fā)光二極管裝置，其包含導(dǎo)電襯底； 多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，形成在導(dǎo)電襯底上；接點(diǎn)，設(shè)置在多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)上； 透明層，設(shè)置在多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)上；波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在透明層上；以及光學(xué)層， 設(shè)置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層上。本發(fā)明實(shí)施例的白光LED裝置及其制造方法，具有更佳的色彩均勻性而無(wú)黃環(huán)問(wèn)題；波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層不直接與多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)接觸(因?yàn)槠溟g設(shè)有透明層)，故可延長(zhǎng)其使用壽命并且改善其安定性；以及通過(guò)光學(xué)層來(lái)改善光提取效率及/或改變光圖案等等。此外，依照本發(fā)明的方法，可在完成整個(gè)發(fā)光二極管裝置的組裝(或封裝)之前，檢測(cè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(此時(shí)，其已設(shè)置在作為載體的光學(xué)層上)的波長(zhǎng)是否落入標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范內(nèi)，若發(fā)現(xiàn)不良時(shí)，其易于進(jìn)行重工，因此可大幅降低生產(chǎn)成本。


在本發(fā)明的隨附圖式中，相同的元件使用相同的參考符號(hào)來(lái)表示，于其中圖1顯示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的白光發(fā)光二極管裝置的概略橫剖面圖；圖2a_2g顯示圖1的白光發(fā)光二極管裝置的示范制造步驟；圖3顯示依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的白光發(fā)光二極管裝置的概略橫剖面圖；圖4a4e顯示圖3的白光發(fā)光二極管裝置的示范制造步驟；圖5顯示依照本發(fā)明的又另一實(shí)施例的白光發(fā)光二極管裝置的概略橫剖面圖；及圖6a_6g顯示圖5的白光發(fā)光二極管裝置的示范制造步驟。附圖標(biāo)號(hào)
31模具
41導(dǎo)電襯底
43多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)
45接點(diǎn)
53透明層
55波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層
57光學(xué)層
67光學(xué)層
77光學(xué)層
81模具
100白光發(fā)光二f裝置
200白光發(fā)光二f裝置
300白光發(fā)光二f裝置
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的其他實(shí)施樣態(tài)以及優(yōu)點(diǎn)可從以下與用以例示本發(fā)明原理范例的隨附圖式相結(jié)合的詳細(xì)說(shuō)明而更顯明白。圖1顯示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的白光發(fā)光二極管(LED)裝置100的概略橫剖面圖。如圖1所示。白光發(fā)光二極管裝置100包含導(dǎo)電襯底41;多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu) 43，形成在導(dǎo)電襯底41上；接點(diǎn)(電極)45，設(shè)置在多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43上；透明層 53，設(shè)置在多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43上；波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55，設(shè)置在透明層53上；以及光學(xué)層57，設(shè)置在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55上。導(dǎo)電襯底41可為金屬或金屬合金，例如銅或銅合金，或者可為硅(Si)。多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43可包含一 ρ型半導(dǎo)體層；一活化層，形成在此ρ 型半導(dǎo)體層上；以及一 η型半導(dǎo)體層，形成在此活化層上。在本發(fā)明的一范例中，此P型半導(dǎo)體層鄰接形成在導(dǎo)電襯底41上；在其他范例中，此η型半導(dǎo)體層鄰接形成在導(dǎo)電襯底41 上。透明層53可由聚合物所制成，例如硅酮樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、或其他透明樹(shù)脂等等。透明層 53的折射率大于或等于1. 40，且較佳為1. 50以上，并且被設(shè)置在多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu) 43與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55可由多層波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層所構(gòu)成，例如其可包含兩個(gè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層，即，第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層以及設(shè)置在第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層上的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層(未顯示于圖式中)，其中，第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層以及第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層分別包含熒光體以及有機(jī)樹(shù)脂，并且第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層以及第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層可各自具有相同或不同的熒光體以及有機(jī)樹(shù)脂。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層陽(yáng)的厚度小于約200 μ m，較佳為小于約50μπι。然而，在其他范例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55亦可為單一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層。光學(xué)層57可具有粗糙化表面，以增強(qiáng)白光發(fā)光二極管裝置100的光提取(light extraction)效率。光學(xué)層57可由聚合物所制成，例如硅酮樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、或其他透明樹(shù)脂等等。光學(xué)層57的厚度介于約150 μ m與約400 μ m之間，較佳為約200 μ m。在本發(fā)明的各種實(shí)施例中，此光學(xué)層可具有圓頂(dome)、凸面(convex)、凹面(concave)、平面、或菲涅耳(Fresnel)透鏡等等的形式，而此光學(xué)層的表面可或可不被粗糙化。圖2a_2g顯示圖1的白光發(fā)光二極管裝置100的示范制造步驟。如圖2a_2g所示，首先，在經(jīng)過(guò)表面粗糙化前處理的模具31上，以注入成型(injectionmolding)、模壓成型(compress molding)、或延流(casting)等等的方式來(lái)設(shè)置光學(xué)層57，其中，此模具的表面粗糙化前處理是通過(guò)對(duì)此模具的表面進(jìn)行噴砂(sand blasting)或蝕刻處理而達(dá)成，以使光學(xué)層57的表面具有預(yù)定的粗糙度。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，模具31可不經(jīng)過(guò)表面粗糙化前處理，而是直接對(duì)光學(xué)層57的表面進(jìn)行噴砂或蝕刻處理，以使光學(xué)層57的表面具有預(yù)定的粗糙度。模具31可例如由玻璃、不銹鋼、或橡膠等等的材料所制成。接著，以光學(xué)層57作為載體，通過(guò)噴涂(spraying coating)、旋涂 (spincoating)、噴射列印(jet printing)、或網(wǎng)印(screen printing)等等的方式在光學(xué)層57上設(shè)置波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55。然后，以噴涂、旋涂、噴射列印、或網(wǎng)印等等的方式在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55上設(shè)置透明層53，之后移除模具31，而形成于其上設(shè)置有透明層53的第一堆疊結(jié)構(gòu)， 第一堆疊結(jié)構(gòu)包含波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55以及光學(xué)層57。然而，在本發(fā)明的又另一實(shí)施例中，不需使用到模具31，而是直接使用其表面已經(jīng)過(guò)或未經(jīng)過(guò)粗糙化處理的一透明聚合物膜來(lái)作為光學(xué)層57。接著，另一方面，在導(dǎo)電襯底41上形成多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43，以形成包含導(dǎo)電襯底41以及多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43的第二堆疊結(jié)構(gòu)。在多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43上設(shè)置接點(diǎn)(電極)45。然后，將第一堆疊結(jié)構(gòu)切割成與第二堆疊結(jié)構(gòu)相稱的尺寸。在本實(shí)施例中，在切割第一堆疊結(jié)構(gòu)之前移除模具31。然而，在其他實(shí)施例中，模具31可在設(shè)置光學(xué)層57之后且在設(shè)置波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55之前移除，或者，在設(shè)置波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層 55之后且在設(shè)置透明層53之前移除。最后，將第一堆疊結(jié)構(gòu)與第二堆疊結(jié)構(gòu)接合在一起，具體而言，將第一堆疊結(jié)構(gòu)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55與第二堆疊結(jié)構(gòu)的多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43接合在一起并于其間設(shè)置透明層53，而制造出白光發(fā)光二極管裝置100。然而，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，透明層53亦可被設(shè)置在第二堆疊結(jié)構(gòu)上而非第一堆疊結(jié)構(gòu)上，如圖以及圖6a_6g所示，或者，可分別設(shè)置在第一堆疊結(jié)構(gòu)以及第二堆疊結(jié)構(gòu)上，只要透明層53在接合之后是介于多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55之間即可，即，透明層53系設(shè)置在多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55之間。圖3顯示依照本發(fā)明的另一實(shí)施例的白光發(fā)光二極管裝置200的概略橫剖面圖。圖3的白光發(fā)光二極管裝置200相似于圖1的白光發(fā)光二極管裝置100，其差異在于圖3 的白光發(fā)光二極管裝置200的光學(xué)層67不具有粗糙化表面，其為能夠增強(qiáng)光提取效率的一透明窗。圖4a4e顯示圖3的白光發(fā)光二極管裝置200的示范制造步驟，在其中不使用如圖2所示的模具。圖4a4e是以不使用模具的方式來(lái)作為示例，當(dāng)然，其亦可如圖2所示， 使用模具來(lái)設(shè)置光學(xué)層67。如圖4a4e所示，首先，設(shè)置光學(xué)層67。然后，在光學(xué)層67上設(shè)置波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55， 以形成包含光學(xué)層67以及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55的第一堆疊結(jié)構(gòu)。另一方面，在導(dǎo)電襯底41上依序形成多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43以及透明層53，就能形成于其上設(shè)置有透明層53的第二堆疊結(jié)構(gòu)，第二堆疊結(jié)構(gòu)包含導(dǎo)電襯底41以及多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43。在多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43上設(shè)置接點(diǎn)(電極)45。接著，將第一堆疊結(jié)構(gòu)切割成與第二堆疊結(jié)構(gòu)相稱的尺寸。最后，將第一堆疊結(jié)構(gòu)與第二堆疊結(jié)構(gòu)接合在一起，而制造出白光發(fā)光二極管裝置 200。圖5顯示依照本發(fā)明的又另一實(shí)施例的白光發(fā)光二極管裝置300的概略橫剖面圖。圖5的白光發(fā)光二極管裝置300相似于圖1的白光發(fā)光二極管裝置100，其差異在于 圖5的白光發(fā)光二極管裝置300的光學(xué)層77具有圓頂透鏡的形式，就能改變白光發(fā)光二極管裝置300的光圖案(light pattern)。圖6a_6g顯示圖5的白光發(fā)光二極管裝置300的示范制造步驟。如圖6a-6g所示，在模具81上設(shè)置光學(xué)層77，其中，模具81可或可不先進(jìn)行表面粗糙化前處理，并且可例如由玻璃、不銹鋼、或橡膠等等的材料所制成。然后，在光學(xué)層77上設(shè)置波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55。之后，移除模具81，以形成包含光學(xué)層77以及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55 的第一堆疊結(jié)構(gòu)。另一方面，在導(dǎo)電襯底41上依序形成多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43以及透明層53， 就能形成于其上設(shè)置有透明層53的第二堆疊結(jié)構(gòu)，第二堆疊結(jié)構(gòu)包含導(dǎo)電襯底41以及多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43。在多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43上設(shè)置接點(diǎn)(電極)45。接著，將第一堆疊結(jié)構(gòu)切割成與第二堆疊結(jié)構(gòu)相稱的尺寸。最后，將第一堆疊結(jié)構(gòu)與第二堆疊結(jié)構(gòu)接合在一起，而制造出白光發(fā)光二極管裝置300。具體來(lái)說(shuō)，將第一堆疊結(jié)構(gòu)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55與第二堆疊結(jié)構(gòu)的多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43接合在一起，并于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層55與多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)43之間設(shè)置透明層 53。相較于先前技術(shù)，依照本發(fā)明可獲得下列優(yōu)點(diǎn)具有更佳的色彩均勻性而無(wú)黃環(huán)問(wèn)題；波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層不直接與多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)接觸(因?yàn)槠溟g設(shè)有透明層)，故可延長(zhǎng)其使用壽命并且改善其安定性；以及通過(guò)光學(xué)層來(lái)改善光提取效率及/或改變光圖案等等。此外，依照本發(fā)明的方法，可在完成整個(gè)發(fā)光二極管裝置的組裝(或封裝)之前，檢測(cè)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層(此時(shí)，其已設(shè)置在作為載體的光學(xué)層上)的波長(zhǎng)是否落入標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范內(nèi)，若發(fā)現(xiàn)不良時(shí)，其易于進(jìn)行重工，因此可大幅降低生產(chǎn)成本。雖然本發(fā)明已參考較佳實(shí)施例及圖式詳加說(shuō)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可了解在不離開(kāi)本發(fā)明的精神與范疇的情況下，可進(jìn)行各種修改、變化以及等效替代，然而這些修改、變化以及等效替代仍落入本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包含下列步驟設(shè)置一光學(xué)層；在所述光學(xué)層上設(shè)置一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，以形成包含所述光學(xué)層以及所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的一第一堆疊結(jié)構(gòu)；設(shè)置一導(dǎo)電襯底；在所述導(dǎo)電襯底上形成一多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，以形成包含所述導(dǎo)電襯底以及所述多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的一第二堆疊結(jié)構(gòu)；將所述第一堆疊結(jié)構(gòu)切割成與所述第二堆疊結(jié)構(gòu)相稱的尺寸；及將所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層與所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的所述多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)接合在一起，并于所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層與所述多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)之間設(shè)置一透明層。
2.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述光學(xué)層使用一模具而設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述光學(xué)層是通過(guò)注入成型、模壓成型、或延流方式而設(shè)置在所述模具上。
4.如權(quán)利要求2所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述模具由玻璃、不銹鋼、或橡膠所制成。
5.如權(quán)利要求2至4其中任一項(xiàng)所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述模具經(jīng)過(guò)表面粗糙化前處理。
6.如權(quán)利要求5所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述表面粗糙化前處理包含噴砂或蝕刻處理。
7.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述光學(xué)層的表面經(jīng)過(guò)粗糙化處理。
8.如權(quán)利要求7所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述粗糙化處理包含噴砂或蝕刻處理。
9.如權(quán)利要求1或2所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層通過(guò)下列方式而設(shè)置在所述光學(xué)層上噴涂、旋涂、噴射列印、或網(wǎng)印。
10.如權(quán)利要求1或2所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述透明層通過(guò)下列方式而設(shè)置在所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層與所述多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)之間噴涂、旋涂、噴射列印、或網(wǎng)印。
11.如權(quán)利要求2所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，在切割所述第一堆疊結(jié)構(gòu)之前移除所述模具。
12.如權(quán)利要求1或2所述的白光發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，更包含下列步驟在所述多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)上設(shè)置一接點(diǎn)。
13.一種白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，包含一導(dǎo)電襯底；一多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，形成在所述導(dǎo)電襯底上；一接點(diǎn)，設(shè)置在所述多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)上；一透明層，設(shè)置在所述多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)上；一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述透明層上；及一光學(xué)層，設(shè)置在所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層上。
14.如權(quán)利要求13所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述光學(xué)層具有介于 150 μ m與400 μ m之間的厚度。
15.如權(quán)利要求13所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述光學(xué)層由一聚合物所制成。
16.如權(quán)利要求15所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述聚合物為硅酮樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。
17.如權(quán)利要求13所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電襯底為金屬、金屬合金、或硅。
18.如權(quán)利要求13所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)包含一 P型半導(dǎo)體層，形成在所述導(dǎo)電襯底上；一活化層，形成在所述該P(yáng)型半導(dǎo)體層上；及一 η型半導(dǎo)體層，形成在所述活化層上。
19.如權(quán)利要求13所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)包含一 η型半導(dǎo)體層，形成在所述導(dǎo)電襯底上；一活化層，形成在所述η型半導(dǎo)體層上；及一 P型半導(dǎo)體層，形成在所述活化層上。
20.如權(quán)利要求13所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述透明層的折射率大于或等于1.40。
21.如權(quán)利要求13所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述透明層由一聚合物所制成。
22.如權(quán)利要求21所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述聚合物為硅酮樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂。
23.如權(quán)利要求13所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層由多層波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層所構(gòu)成，而所述多層波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換子層的其中每一子層分別包含熒光體以及有機(jī)樹(shù)脂。
24.如權(quán)利要求13或23所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的厚度小于200 μ m。
25.如權(quán)利要求13所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述光學(xué)層具有圓頂、凸面、凹面、平面、或菲涅耳透鏡的形式。
26.如權(quán)利要求13或25所述的白光發(fā)光二極管裝置，其特征在于，所述光學(xué)層具有粗糙化表面。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種白光發(fā)光二極管裝置，其包含一導(dǎo)電襯底；一多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)，形成在該導(dǎo)電襯底上；一接點(diǎn)，設(shè)置在該多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)上；一透明層，設(shè)置在該多層發(fā)光半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)上；一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在該透明層上；以及一光學(xué)層，設(shè)置在該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層上。本發(fā)明亦提供該白光發(fā)光二極管裝置的制造方法。本發(fā)明實(shí)施例的白光LED裝置及其制造方法，具有更佳的色彩均勻性而無(wú)黃環(huán)問(wèn)題，可延長(zhǎng)其使用壽命并且改善其安定性。依照本發(fā)明的方法，易于進(jìn)行重工，因此可大幅降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102593269SQ20111000498
公開(kāi)日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2011年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月11日
發(fā)明者顏?？?申請(qǐng)人:旭明光電股份有限公司