專利名稱：用于維持組件的安全操作溫度的組件封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高溫、無(wú)線測(cè)量設(shè)備，且更具體地涉及當(dāng)該設(shè)備暴露于高溫超過(guò)延長(zhǎng) 的時(shí)間段時(shí)保持該設(shè)備的組件安全的方法。
背景技術(shù)：
集成電路、顯示器或磁盤存儲(chǔ)器的制造通常采用很多處理步驟。必須仔細(xì)監(jiān)測(cè)每一處理步驟，從而提供可工作的設(shè)備。在整個(gè)成像處理、沉積與生長(zhǎng)處理、蝕刻與掩模處理等中，關(guān)鍵的是，例如，在每一個(gè)步驟過(guò)程中仔細(xì)控制溫度、氣流、真空壓力、化學(xué)氣體或等離子體組分、及曝露距離。仔細(xì)注意每一個(gè)步驟中所涉及的各種處理?xiàng)l件是最優(yōu)的半導(dǎo)體或薄膜工藝的要求。與最優(yōu)處理?xiàng)l件的任何偏差可導(dǎo)致使隨后的集成電路或設(shè)備以低于標(biāo)準(zhǔn)的等級(jí)工作，或更差地，完全失效。在處理腔室中，處理?xiàng)l件不同。諸如溫度、氣體流速、和/或氣體組分之類的處理?xiàng)l件中的變化極大地影響集成電路的形成以及因此造成的性能。使用具有與集成電路或其它設(shè)備相同或類似材料的類似襯底的設(shè)備來(lái)測(cè)量處理?xiàng)l件提供了對(duì)條件的最準(zhǔn)確的測(cè)量，因?yàn)樵撘r底的熱導(dǎo)率與將要處理的實(shí)際電路是一樣的。對(duì)于實(shí)際上所有處理?xiàng)l件而言，在整個(gè)腔室中存在梯度及變化。因此，這些梯度也存在于整個(gè)襯底表面上。為了準(zhǔn)確地控制在襯底處的處理?xiàng)l件，重要的是在襯底上進(jìn)行測(cè)量且這些讀數(shù)可用于自動(dòng)控制系統(tǒng)或操作者，從而可易于獲得腔室處理?xiàng)l件的優(yōu)化。處理?xiàng)l件包含用于控制半導(dǎo)體或其它設(shè)備制造的任何參數(shù)或制造者期望監(jiān)測(cè)的任意條件。授予Freed等的美國(guó)專利No. 6, 691, 068教示了能夠?yàn)楸挥糜谔幚砉ぜ奶幚砉ぞ叨鴾y(cè)量數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)、儲(chǔ)存數(shù)據(jù)、以及發(fā)射數(shù)據(jù)的傳感器裝置。該傳感器裝置包括信息處理器、用于控制該裝置的嵌入可執(zhí)行命令、以及至少一個(gè)傳感器。該傳感器裝置能夠被裝載到處理工具中。該傳感器裝置具有用于近乎實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)收集及通信的能力。傳統(tǒng)地，將低輪廓無(wú)線測(cè)量設(shè)備安裝于襯底上用于測(cè)量處理?xiàng)l件。對(duì)于用于在高溫環(huán)境(例如，高于約150°C的溫度)下工作的低輪廓無(wú)線量測(cè)設(shè)備而言，當(dāng)該設(shè)備暴露于高溫環(huán)境時(shí)該設(shè)備的特定關(guān)鍵組件(諸如，薄電池及微處理器)必須能夠運(yùn)行。傳統(tǒng)地，背部AR涂布(BARC)處理在250°C下操作；CVD處理可在約500°C的溫度下操作；且PVD處理可在約300°C下操作。不幸的是，很多類型的電池(舉例而言，薄膜Li電池)在180°C下熔化。電池封裝材料會(huì)在180°C下放氣,這也造成電池?fù)p壞。
為建立無(wú)線溫度測(cè)量設(shè)備的高溫(150°C或更高)版本，一些可購(gòu)得的特定組件在高溫下操作的能力有限。進(jìn)一步，近期不可能購(gòu)得具有充分的高溫能力的組件。除對(duì)熱傳導(dǎo)絕緣以外，進(jìn)一步的挑戰(zhàn)在于無(wú)線測(cè)量設(shè)備中的電池應(yīng)保持2_或更少的輪廓，從而可裝配到各種處理腔室中。在這樣的背景下，本發(fā)明的實(shí)施例出現(xiàn)了。


一旦閱讀了以下詳細(xì)說(shuō)明并參考附圖，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)就將變得顯而易見，在附圖中圖IA是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄絕緣組件封裝的分解的三維圖。圖IB是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄絕緣組件封裝的截面圖。
圖IC是根據(jù)本發(fā)明的替代實(shí)施例的薄絕緣薄組件封裝的截面圖。圖2A是具有安裝在襯底頂部的薄絕緣組件封裝的測(cè)量襯底的俯視示意圖。圖2B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的、在不含支架的情況下，具有安裝在襯底頂部的薄絕緣組件封裝的圖2A的測(cè)量襯底的側(cè)視圖。圖2C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的、在含支架的情況下，具有安裝在襯底頂部的薄絕緣組件封裝的圖2A的測(cè)量襯底的側(cè)視圖。圖2D是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的，具有安裝在襯底腔內(nèi)的薄絕緣組件封裝的圖2A的測(cè)量襯底的側(cè)面剖視圖。特定實(shí)施例的描述盡管下述詳細(xì)描述出于說(shuō)明的目的包含諸多特定細(xì)節(jié)，然而任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解對(duì)于下述細(xì)節(jié)的許多變化和改變是落入本發(fā)明的范圍內(nèi)的。因此，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不喪失任何一般性地，不強(qiáng)加限制地，闡述了要求保護(hù)的發(fā)明。Renken等人的美國(guó)專利No. 6，889，568和美國(guó)公開案No. 20060174720 (兩者的全部揭示內(nèi)容通過(guò)引用并入本文)教示了被用于在制造過(guò)程中測(cè)量襯底的處理?xiàng)l件的測(cè)量設(shè)備，該測(cè)量設(shè)備結(jié)合了襯底，該襯底具有附著至該襯底的多個(gè)傳感器。該襯底可由自動(dòng)頭插入到處理室中，且該測(cè)量設(shè)備可實(shí)時(shí)傳輸條件或儲(chǔ)存條件以供后續(xù)分析。該設(shè)備的敏感電子組件可與最有害的處理?xiàng)l件間隔或隔離，從而增加該設(shè)備的準(zhǔn)確性、操作范圍、及設(shè)備可靠性。然而，通常，如果期望低輪廓，在引腳部抬高電子組件可能是不實(shí)際或不期望的。另夕卜，在襯底上抬高組件可能本身不足以保護(hù)曝露于高溫超過(guò)延長(zhǎng)的時(shí)間段的組件。本發(fā)明的實(shí)施例利用新穎的薄絕緣組件封裝，當(dāng)該設(shè)備暴露于高溫超過(guò)延長(zhǎng)的時(shí)間段(諸如，勘測(cè)時(shí)間)時(shí)所述薄絕緣組件封裝將溫度敏感組件保持在安全操作溫度范圍內(nèi)。圖IA是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄絕緣組件封裝100A的分解的三維圖，且圖IB是其示意截面圖。封裝100A可包括熱絕緣外殼126，其可由熱絕緣材料(諸如陶瓷玻璃)制成。期望的是由高比熱材料制成外殼126以在不增加過(guò)多高度的情況下增加封裝100A的熱質(zhì)量。如此處所使用的，術(shù)語(yǔ)“熱絕緣”是指作為低熱導(dǎo)率和/或高熱容的結(jié)果而對(duì)抗跨材料或介質(zhì)的熱傳導(dǎo)的性。如此處所使用的，術(shù)語(yǔ)“熱吸收”是指作為高熱容的結(jié)果、但未必是作為低熱導(dǎo)率的結(jié)果，而對(duì)抗熱傳導(dǎo)的性質(zhì)。從上文可看出，“熱吸收”是“熱絕緣”的子集。熱絕緣外殼126可由薄的、平的、且高模數(shù)材料制成，如，蘭寶石、云母、因科鎳合金(Inconel alloy)、Kovar (柯伐合金)、陶瓷、或Kovar與陶瓷的組合。因科鎳(Inconel)是Special Metals Corporation的注冊(cè)商標(biāo),是指奧氏體鎳鉻基超耐熱合金。因科鎳合金的非限制性示例為Inconel600,是72%鎳、14%至17%鉻、6%至10%鐵、1%錳、O. 5%銅、O. 5%娃、O. 15% 碳、及 O. 015% 硫。Kovar 是 Carpenter Technology Corporation 的商標(biāo)且是指鎳鈷鐵合金，其被設(shè)計(jì)為與硼硅酸鹽玻璃的熱膨脹特性兼容。Kovar的組分為約29%鎳、17%鈷、少于O. 1%的碳、O. 2%硅、O. 3%錳，其與部分為鐵。絕緣插入件128的大小和形狀為可裝配到外殼126中的腔體或凹部?jī)?nèi)。插入件128可以基本由高溫可加工的熱絕緣耐火陶瓷材料制成。這樣的材料的示例包括但不限于，可購(gòu)得的用硅石(SiO2)制成的剛性陶瓷材料或氧化釔穩(wěn)定的陶瓷纖維(例如，氧化鋯(ZrO2)纖維)，其不經(jīng)受與陶瓷純形式相關(guān)聯(lián)的普通相變。其它適合的材料包括云母陶瓷。以示例的方式而不是以限制的方式，適合的陶瓷材料可具有重量占約90%的氧化鋯(ZrO2)及氧化鉿(HfO2)(例如，約I至2wt%的氧化鉿，其自然地與氧化鋯一起出現(xiàn))和重量占約10%的 氧化釔(Y2O3)的標(biāo)稱組份?？赡艽嬖谄渌趸镒鳛殡s質(zhì)，如O. 1%或更少。絕緣插入件128可封圍住薄電子組件102，例如，薄膜電池。以示例的方式而不是以限制的方式，該組件102的厚度可以為約6密耳(mil)。以示例的方式，插入件128可包括內(nèi)部腔體或凹部130，其大小及形狀為可容納組件102。以示例的方式而不是以限制的方式，電子組件102可以是例如薄膜電池或集成電路，諸如處理器。內(nèi)部腔體130 —般比殼126中的腔體薄。以示例的方式而不是以限制的方式，內(nèi)部腔體130可以是組件封裝IOOA的全部厚度的2/3。以示例的方式，殼126和插入件128的總尺寸可被選擇為使得組件封裝IOOA為約36平方毫米乘以5至6mm厚或更少。可在外殼126或插入件128中為運(yùn)動(dòng)錨133形成一個(gè)或多個(gè)饋通孔或至電子組件102的電連接。運(yùn)動(dòng)錨133可促進(jìn)將組件封裝IOOA安裝到襯底，諸如半導(dǎo)體晶體。以示例的方式而不是以限制的方式，運(yùn)動(dòng)錨可以是可裝配到外殼126的側(cè)中的孔或凹部中的銷。該銷可將該外殼安裝至運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)，該運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)將組件封裝IOOA安裝至襯底。該運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)可被定制為該封裝大小。每一個(gè)銷可包括接近于一端的肩部，從而阻止該銷太過(guò)于滑動(dòng)到該殼的側(cè)的孔中。該銷可由具有良好結(jié)構(gòu)性質(zhì)和相對(duì)良好熱絕緣性質(zhì)的適合的材料，諸如不銹鋼，制成?？稍诘诙颂幱靡r底上的對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)(例如，槽或凹槽)來(lái)容納每一個(gè)銷。在外殼的側(cè)的孔中使用足夠小的直徑的直銷，可在減少與襯底的熱接觸的同時(shí)提供將組件封裝100A安裝至襯底時(shí)的穩(wěn)定性。例如,可使用適合的粘合劑(例如,Fire Temp膠)或其它接合技術(shù)來(lái)將電子組件102接合至插入件128的內(nèi)部腔體130中。任選的絕緣覆蓋件134的大小及形狀可被制成覆蓋電子組件102并封住內(nèi)部腔體130。覆蓋件134可由與插入件128 —樣的絕緣陶瓷材料制成?？衫缬酶邷卣澈蟿⒔雍现敛迦爰?28的壁的頂部或接合至外殼126的壁的頂部的蓋136來(lái)密封封裝100A。以示例的方式，蓋136可由具有與外殼126的熱膨脹特性類似的熱膨脹特性的材料制成。以示例的方式而不是以限制的方式，如果外殼126是由諸如硼硅酸鹽剝離或Al2O3陶瓷之類的陶瓷玻璃制成，蓋136可由Kovar制成。可選地，蓋136可被接合至插入件128的壁的頂部或接合至封裝100A將要安裝至其的襯底。在這樣的情況下，蓋136可由具有與插入件或襯底的熱膨脹特性類似的熱膨脹特性的材料制成。例如，如果蓋被結(jié)合至由娃制成的襯底，蓋136也可由娃制成。電子組件102和插入件128可在真空中被密封于外殼126中，從而真空進(jìn)一步隔絕了電子組件102。以示例的方式而不是以限制的方式，外殼126的壁的厚度可以為約10到15密耳(mil)。外殼腔體的內(nèi)部體積可以是約I立方厘米(I毫升)。殼126可在內(nèi)部及外部涂覆有低發(fā)射率膜(例如，金膜)、或具有類似于金的發(fā)射率或低于金的發(fā)射率的發(fā)射率的膜，從而最小化從該殼到內(nèi)部零件的輻射傳熱。殼126可具有貫通孔138，來(lái)抽空該殼內(nèi)的空間，從而當(dāng)殼126處于處理工具中的真空腔室中時(shí)最小化由傳導(dǎo)和對(duì)流進(jìn)行的熱傳導(dǎo)。此外，外殼126的材料可以是高比熱材料，其被選擇為在不增加過(guò)多高度的情況下增加該封裝的熱質(zhì)量。適合的材料的示例包括但不限于，例如，蘭寶石、不銹鋼、Kovar、因科鎳合金、或陶瓷材料、或這些材料或具有與這些材料的比熱類似的比熱或更高比熱的材料中的兩個(gè)或更多個(gè)的組合。進(jìn)一步，外殼126優(yōu)選地由在真空下可保持其形狀的堅(jiān)固材料制成。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，組件封裝100A中的插入件128和覆蓋件134的構(gòu)造可被改變?yōu)闇p緩電子組件102的溫度增加。如圖IC中所示，可類似于圖1A-1B的組件封裝100A而設(shè)置薄絕緣組件封裝100B。特定地，封裝100B可包括熱絕緣外殼126、形狀和尺寸被制為可裝配在外殼126內(nèi)的腔體中的插入件128。插入件包括尺寸和形狀制成為容納薄電子組件102的內(nèi)部腔體。在這個(gè)實(shí)施例中，插入件可由吸熱材料142和低熱導(dǎo)率材料或介質(zhì)144交替的間隔層制成。該插入件的覆蓋片134可被類似地構(gòu)建。通過(guò)舉例的方式，吸熱材料142可包括因科鎳、或Kovar,且低熱導(dǎo)材料或介質(zhì)144可包括陶瓷材料,如，高溫可加工的熱絕緣難熔陶瓷材料(諸如上述的材料)，或?yàn)檎婵铡２迦爰?28中的交替的熱吸收材料及低熱導(dǎo)率材料或介質(zhì)可降低電子組件102的溫度改變速率。在有支架(從而進(jìn)一步將該封裝與襯底隔絕)或沒(méi)有支架的情況下，如圖IA到IC中所示的一個(gè)或多個(gè)熱絕緣電子組件封裝可被安裝在襯底上(諸如半導(dǎo)體晶片)。例如，如圖2A中示意地示出的,處理?xiàng)l件測(cè)量設(shè)備200可具有安裝在襯底201的頂部表面上的如圖IA中所示的類型的一個(gè)或多個(gè)薄絕緣組件封裝100A。襯底可具有與通過(guò)半導(dǎo)體晶片處理系統(tǒng)所處理的標(biāo)準(zhǔn)襯底一樣的尺寸和形狀。標(biāo)準(zhǔn)尺寸的襯底的示例包括但不限于150mm、200mm、和300mm的半導(dǎo)體晶片。以示例的方式而不是以限制的方式,諸如電池202之類的電子組件可被安裝在封裝100A中的一個(gè)中。電池202可電連接至總線204。替代地，可僅安裝有一個(gè)電池封裝或多于兩個(gè)的電池，取決于應(yīng)用和所產(chǎn)生的功率需求。設(shè)備200可包括由電池供電和/或通過(guò)總線204交換電信號(hào)的測(cè)量電子元件205。以示例的方式而不是以限制的方式，測(cè)量電子元件205可包括處理器模塊207、存儲(chǔ)器209、收發(fā)器211、以及一個(gè)或多個(gè)處理?xiàng)l件傳感器，如，電磁傳感器213、熱傳感器215、以及光或電傳感器217。在一些實(shí)施例中，測(cè)量電子元件205的特定元件(如，處理器模塊207、存儲(chǔ)器209、收發(fā)器211、熱傳感器215、或光傳感器217)可被封裝在此處所描述的組件封裝類型中。處理器模塊207可被設(shè)置為執(zhí)行存儲(chǔ)于主存儲(chǔ)器209中的指令，從而當(dāng)設(shè)備200被置于襯底處理工具中時(shí)使得該設(shè)備適當(dāng)?shù)販y(cè)量處理參數(shù)。主存儲(chǔ)器209可為集成電路形式，例如RAM、DRAM、ROM等。收發(fā)器211可被設(shè)置為將數(shù)據(jù)和/或電力傳遞至設(shè)備200或傳遞來(lái)自設(shè)備200的數(shù)據(jù)和/或電力。
如圖2B中所示，兩個(gè)或更多個(gè)組件封裝100A可被直接安裝在襯底201的頂部表面上?？蛇x地，如圖2C中所示，可使用經(jīng)由運(yùn)動(dòng)安裝件133安裝外殼的運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)206將兩個(gè)或更多個(gè)組件封裝100A安裝在襯底201的頂部表面上。這允許組件封裝100A與襯底201之間有一間隙，從而進(jìn)一步使電池與襯底隔絕。運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)206可包含槽或凹槽來(lái)容納運(yùn)動(dòng)安裝件133，如，如上文所述的銷。進(jìn)一步，如圖2D中所示，兩個(gè)或更多個(gè)組件封裝100A可被安裝在形成于襯底201的頂部表面中的襯底腔從而提供低輪廓。組件封裝100A可經(jīng)由運(yùn)動(dòng)安裝件133被安裝至外部腔體中的運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)206。如上所述，在外殼的側(cè)的孔中使用足夠小的直徑的銷，可在減少與襯底的熱接觸的同時(shí)提供將組件封裝100A安裝至襯底201的穩(wěn)定性。仍如上所述，可將蓋136安裝至襯底201，并且覆蓋襯底201以及將外殼126安裝至其內(nèi)的腔體?？蛇x地，每一個(gè)腔體可具有獨(dú)立的蓋。進(jìn)一步，可選地，每一個(gè)組件封裝100A可在沒(méi)有蓋的情況下被安裝于腔體中。通過(guò)對(duì)組件102、外殼126、插入件128、和覆蓋件134的厚度的適當(dāng)選擇，測(cè)量設(shè)備200的輪廓可被制成在襯底201的表面以上小于2mm。這樣的設(shè)備可被用于在不機(jī)械地干擾處理工具操作的情況下在半導(dǎo)體處理工具中進(jìn)行原位的處理?xiàng)l件的測(cè)量。 對(duì)上述實(shí)施例的眾多變化落在本發(fā)明的實(shí)施例的范圍內(nèi)。例如，插入件128的下壁或側(cè)壁的厚度可取決于熱源是位于組件封裝之上面、下面還是側(cè)面而變化。類似地，覆蓋件134的厚度可改變、或?qū)⒃摳采w件完全省略，這取決于熱源是位于組件封裝上面還是下面。雖然已參考本發(fā)明的某些優(yōu)選版本相當(dāng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明，但其它的版本也是可能的。例如，雖然圖1B-1C中示出了抽氣孔，但本發(fā)明的實(shí)施例包括其中省略了抽氣孔的構(gòu)造。因此，所附權(quán)利要求的精神和范圍不應(yīng)限于本文中所包含的優(yōu)選版本的描述。而是，本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)參考隨附的權(quán)利要求、以及其等效物的全部范圍來(lái)確定。除非另有直接說(shuō)明，否則本說(shuō)明書(包含任何所附權(quán)利要求、摘要和附圖)中所揭示的所有特征皆可由用于達(dá)到相同、等效或類似目的的可替代特征來(lái)替換。因此，除非另有直接說(shuō)明，否則所公開的每一個(gè)特征僅是一組等效或類似特征的一個(gè)示例。雖然上文是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的完整說(shuō)明，但可使用各種替代、修改及等效物。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)參考上述描述來(lái)確定，而是應(yīng)參考隨附權(quán)利要求連同其等效物的全部范圍來(lái)確定。任何特征，無(wú)論其是否優(yōu)選，均可與無(wú)論是否優(yōu)選的任何其它特征組合。在隨附的權(quán)利要求中，除非另有直接說(shuō)明，否則不定冠詞“一(A)”或“一(An)”是指跟隨該冠詞的項(xiàng)的一個(gè)或多個(gè)的量。隨附權(quán)利要求不被解釋為包括手段加功能(means-plus-function)的限制，除非在使用短語(yǔ)“用于…的方法”的給定權(quán)利要求中明顯使用了這樣的限制。未明確表示“用于…的手段”執(zhí)行特定功能的權(quán)利要求中的任意組件皆不應(yīng)被理解為如35USC§112，16中所規(guī)定的“裝置”或“步驟”條款。特定地，在此處的權(quán)利要求中使用“···.的步驟”并不意在涉及35USC§112，16的規(guī)定。請(qǐng)讀者注意與本說(shuō)明書同時(shí)提交的且對(duì)公眾查閱本說(shuō)明書開放的所有文件及文獻(xiàn)，且所有這樣的文件及文獻(xiàn)的內(nèi)容以參考方式并入本文。
權(quán)利要求
1.一種熱絕緣電子組件封裝，包括薄電子組件；熱絕緣外殼；以及由熱絕緣材料制成的且尺寸和形狀被制成可裝配在該外殼中的插入件，其中所述插入件包括尺寸和大小被制成可容納所述薄電子組件的內(nèi)部腔體。
2.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述薄電子組件包括電池。
3.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述熱絕緣外殼由ー種或多種高熱容材料制成。
4.如權(quán)利要求3所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述高熱容材料包括不銹鋼、奧氏體鎳鉻基超耐熱合金、鎳鈷鐵合金、或陶瓷材料。
5.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述外殼由低熱導(dǎo)率材料制成。
6.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述外殼由低發(fā)射率及高熱容材料制成。
7.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述外殼由不銹鋼、奧氏體鎳鉻基超耐熱合金、鎳鈷鐵合金、或陶瓷材料制成。
8.如權(quán)利要求7所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述殼的壁的厚度為約10到15密耳。
9.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述外殼的內(nèi)和外表面被涂覆有包含地發(fā)射率材料的薄膜。
10.如權(quán)利要求9所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述低發(fā)射率材料是金。
11.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，還包括被設(shè)置為將所述外殼安裝至襯底的ー個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，一個(gè)或多個(gè)所述結(jié)構(gòu)包括被設(shè)置成可裝配至所述外殼的側(cè)中的一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)孔中的一個(gè)或多個(gè)銷。
13.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述外殼的總厚度為約5到6mm或更少。
14.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述殼被抽空且被密封的。
15.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，還包括大小和形狀被制成覆蓋所述電子組件并封閉所述內(nèi)部腔體的覆蓋件。
16.如權(quán)利要求15所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述覆蓋件由與所述插入件一祥的材料制成。
17.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，還包括蓋，所述蓋接合至所述外殼的壁的頂部，或接合至所述熱絕緣電子組件封裝被安裝至其的襯底。
18.如權(quán)利要求17所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述蓋由具有與所述殼的熱膨脹特性類似的熱膨脹特性的材料制成。
19.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述插入件由熱絕緣陶瓷材料制成。
20.如權(quán)利要求19所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述陶瓷材料是可加工的陶瓷材料。
21.如權(quán)利要求I所述的熱絕緣電子組件封裝，其特征在于，所述插入件由低導(dǎo)熱材料和吸熱材料的交替間隔層制成。
22.ー種適合于高溫環(huán)境中的處理?xiàng)l件的電子儀器，包括 襯底；以及 一個(gè)或多個(gè)熱絕緣電子組件封裝，所述封裝具有被設(shè)置為安裝至襯底的熱絕緣外売、由熱絕緣材料制成且其大小和形狀被制成為可裝配在所述外殼內(nèi)的插入件，其中所述插入件包括大小和形狀被制成為可容納薄電子組件的內(nèi)部腔體，以及設(shè)置在所述內(nèi)部腔體中的薄電子組件。
23.如權(quán)利要求22所述的儀器，其特征在于，所述外殼被安裝在所述襯底的頂部表面上。
24.如權(quán)利要求22所述的儀器，其特征在于，還包括被設(shè)置成用于提供所述外殼與所述襯底之間的支撐的多個(gè)支架，其中在所述殼的底部表面與所述襯底之間存在有間隙。
25.如權(quán)利要求22所述的儀器，其特征在于，所述襯底包括襯底腔，且所述外殼被安裝在所述襯底腔中。
26.如權(quán)利要求25所述的儀器，其特征在于，還包括被設(shè)置為覆蓋所述襯底和所述電子組件的蓋。
27.如權(quán)利要求26所述的儀器，其特征在于，所述蓋件由與所述襯底一祥的材料制成。
28.如權(quán)利要求22所述的儀器，其特征在于，還包括蓋，所述蓋被接合至所述插入件的頂部、或被結(jié)合至所述外殼的壁的頂部、或被結(jié)合至所述襯底。
29.如權(quán)利要求30所述的儀器，其特征在于，所述蓋由具有與所述外殼或所述襯底的熱膨脹特性類似的熱膨脹特性的材料制成。
30.如權(quán)利要求23所述的儀器，其特征在干，還包括被設(shè)置為將所述外殼安裝至襯底的ー個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)。
31.如權(quán)利要求30所述的儀器，其特征在干，所述結(jié)構(gòu)中的ー個(gè)或多個(gè)包括一個(gè)或多個(gè)銷，每ー銷具有被設(shè)置為可裝配至所述外殼的側(cè)中的一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)孔中或所述襯底上的一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)中的第一端，其中所述ー個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)中的每ー個(gè)被設(shè)置為容納所述銷中的所對(duì)應(yīng)的ー個(gè)的第二端。
全文摘要
公開了熱絕緣的電子組件封裝以及合適于高溫環(huán)境中的處理?xiàng)l件的儀器。該組件封裝包括薄電子組件、熱絕緣的外殼、以及由熱絕緣材料制成的且尺寸和形狀被制成可裝配在該外殼內(nèi)的插入件。插入件包括尺寸和形狀制成為可容納薄電子組件的內(nèi)部腔體。在該儀器中，外殼可被設(shè)置為安裝至襯底。
文檔編號(hào)H01M2/34GK102834950SQ201080057121
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2010年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月18日
發(fā)明者M·孫, P·尚帕涅 申請(qǐng)人:克拉-坦科股份有限公司