專利名稱：具有用于改進的電流適應性的磁結構的有機發(fā)光二極管的制作方法
技術領域：
本公開涉及燈應用，并且更具體地涉及陰極結構。發(fā)現(xiàn)該陰極結構在大面積有機發(fā)光器件中的特別應用，但意識到可發(fā)現(xiàn)選擇的方面在遇到由于在運行、調光或循環(huán)期間電流波動引起的相同的退化問題的相關應用中使用。
背景技術：
有機發(fā)光器件(OLED )是一類發(fā)光二極管，其響應于施加的電勢而發(fā)射光。典型的OLED包括陽極、一個或多個有機材料層和陰極。陰極一般包括具有低功函使得相對小的電壓引起電子發(fā)射的材料。一些常用的材料包括金屬，例如金、鎵、銦、錳、錫、鉛、鋁、銀、鎂、銀/鎂合金或其組合。這樣的材料盡管具有低功函，但在暴露于氧氣或水時顯示相對低的熔點和/或顯示高度退化。陽極一般包括具有高功函值的透明材料，例如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化錫、鎳或金。可包括氧化鉬(MoO3)的層來減少整個驅動電壓。OLED的層中的一個包括具有傳輸空穴能力的材料并且被稱作空穴傳輸層。另一個層典型地包括具有傳輸電子的能力的材料，稱為電子傳輸層。該層還可起到發(fā)光材料(或發(fā)射層)的作用或額外的獨立層可設置在空穴傳輸層和電子傳輸層之間。當施加電壓時，電子流從陰極到陽極流過器件。陽極將正電荷(空穴)注入空穴傳輸層，而陰極將負電荷(電子)注入電子傳輸層。靜電力使電子和空穴在一起并且它們在發(fā)光層附近重新結合，這引起能級下降以及可見光范圍中的輻射發(fā)射。有機發(fā)光二極管當前用于顯示器應用并且計劃在一般的照明應用中使用。OLED器件包括設置在兩個電極(例如，陰極和在光透射襯底上形成的光透射陽極)之間的一個或多個有機發(fā)光層。該有機發(fā)光層在跨陽極和陰極施加電壓時發(fā)射光。當施加來自電壓源的電壓時，電子直接從陰極注入有機層，并且空穴從陽極直接注入有機層。電子和空穴移動通過有機層直到它們在發(fā)光中心重新結合。該重新結合過程導致發(fā)射光子，即光。大面積OLED器件典型地在單個襯底結合許多個體OLED器件或在襯底組合上結合許多個體OLED器件且其中每個襯底上具有多個個體OLED器件。大面積OLED器件的應用包括照明。對于這些應用的大部分，交流(AC)電力是最容易獲得的。然而，OLED具有整流電流/電壓特性并且因此典型地用與正確的極性接線的直流(DC)電力操作用于光發(fā)射。在這些應用中，AC電力轉換成DC電力來操作大面積0LED。然而，當前用于電流驅動裝置的OLED技術顯示電力控制問題。當導體暴露于變化的磁場時，由于場源和導體的相對運動引起渦流。當導體相對于由源產(chǎn)生的場移動時，在導體內的環(huán)路周圍可以產(chǎn)生電動勢(EMF)。根據(jù)法拉第感應定律，這些作用于材料的電阻率的EMF在環(huán)路周圍產(chǎn)生電流。這些電流耗散能量，并且形成趨于對抗場的變化的磁場。因此，當移動的導體經(jīng)歷由靜止物體產(chǎn)生的磁場的變化時，以及當靜止導體遇到變化的磁場時，形成渦流。這對于有機發(fā)光器件(OLED)是個問題。這可以感生渦流并且造成有機層和有機/陰極界面的退化。通過減少電荷注入效率還可降低器件的效率并且引起光猝熄。此外，大面積OLED可包括單個器件或多個器件，其可連接來形成具有大的電容的大面積0LED。電容是本體保持電荷的能力。它還是對于給定電勢所存儲(或分開)的電荷的量的度量。由于大的電容，通過器件的電流流動可過沖或反映大的電流波動。電流的大波動或過沖可以通過使有機層分離和/或燃燒陰極結構(其典型地是鋁)而引起OLED的損壞。這對于大面積器件甚至可能更不利，因為電容隨著面積而增加。在選擇材料并且在OLED中形成改性層結構或材料來實現(xiàn)提高的性能方面已經(jīng)做出明顯的努力。已經(jīng)公開了許多具有備選層結構的0LED。例如，已經(jīng)形成包含額外的功能層的0LED。這些具有新材料的新的層結構中的一些確實導致器件性能提高。甚至根據(jù)最近發(fā)展，持續(xù)需要通過減少渦流和大的電流波動來改進OLED結構，由此進一步提高OLED的性能和效率用于用作光源。

發(fā)明內容
在一個方面，本公開涉及有機發(fā)光器件，其包括陰極，其中至少一個膜層至少在該陰極或該器件外部的襯底上支撐。該至少一個膜層包括磁性材料、混合磁性材料及其組合中的至少一個。該器件進一步包括陽極以及陰極和陽極中間的至少一個有機層。在另一個方面，有機發(fā)光器件是交流電器件。在另一個方面，有機發(fā)光器件是直流電驅動器件。在另一個方面，本公開涉及制造有機發(fā)光器件的方法。該方法包括形成陰極的步驟，該陰極主要包括鋁。該方法進一步包括將至少一個膜層設置在陰極的表面上的步驟。該至少一個膜層包括磁性材料、混合磁性材料及其組合中的至少一個。該方法進一步包括形成陽極以及陰極和陽極中間的至少一個有機層的步驟，其中器件是交流電驅動器件。在再另一個方面，本公開涉及制造有機發(fā)光器件的方法。該方法包括形成陰極的步驟，該陰極主要包括鋁。該方法進一步包括將至少一個膜層設置在器件外部的襯底的表面上。該至少一個膜層包括磁性材料、混合磁性材料及其組合中的至少一個。該方法進一步包括將氧化物隨機混合在該至少一個膜層內從而形成復合層的步驟。該方法進一步包括形成陽極以及陰極和陽極中間的至少一個有機層的步驟，其中器件是直流電驅動器件。由有機發(fā)光器件實現(xiàn)的主要益處是可靠性和效率增加。由有機發(fā)光器件實現(xiàn)的另一個益處是減少或消除交流電(AC)驅動器件中的渦流的效應的能力。由有機發(fā)光器件實現(xiàn)的再另一個益處是減少直流電(DC)驅動器件中的波動電流的能力。由有機發(fā)光器件實現(xiàn)的再另一個益處是有機層和有機/陰極界面的退化降低。根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光器件的再其他的特征和益處將從閱讀和理解下列詳細說明而變得更明顯。


圖1是根據(jù)一個示范性實施例的有機發(fā)光器件(OLED) 100的橫截面圖；圖2是根據(jù)另一個示范性實施例的OLED 100的橫截面圖3是根據(jù)另一個示范性實施例的OLED 100的橫截面圖；圖4是根據(jù)另一個示范性實施例的OLED 200的橫截面圖；圖5-7是根據(jù)另一個示范性實施例的圖案化的復合層的透視圖；圖8是根據(jù)另一個示范性實施例的OLED 200的橫截面圖；圖9是在OLED領域內已知的電流波動率的圖形表示；
圖10是根據(jù)本公開的OLED 200 (沒有金屬氧化物層)的示例實施例的電流波動率的圖形表示；
圖11是根據(jù)本公開的OLED 200的示例實施例的電流波動率的圖形表示；圖12是根據(jù)OLED 200的示例實施例的如在圖10和11中圖示的電流波動率的簡要圖
形表示。
具體實施例方式示范性實施例的方面涉及有機發(fā)光器件(0LED)、包括OLED的光源并且涉及制造OLED的方法。要意識到示范性OLED可用于任何已知的用途；然而，發(fā)現(xiàn)其在一般照明和光照應用中的特別應用。在一個示范性實施例中，OLED包括陽極和陰極，以及設置在至少陰極或器件外部的襯底上的至少一個膜層。該OLED可包括各種其他層組合，其包括添加或去除層。該至少一個膜層包括磁性材料、混合磁性材料及其組合中的至少一個。然而，要意識到OLED可包括在數(shù)量、類型和有機層的順序上變化的許多配置。圖1代表根據(jù)一個示范性實施例的OLED 100。OLED 100可包括如本領域內已知的各種有機層102，其設置在兩個電極(即陰極104和陽極106)之間。至少一個膜層108設置在陰極104的表面上。OLED 100可在襯底110上支撐。在示范性實施例中，該至少一個膜層可包括磁性材料、混合磁性材料及其組合。在一些實施例中，OLED 100是交流電(AC)器件并且在其他實施例中它可包括直流電(DC)操作器件。在一個實施例中，OLED是AC操作器件并且陰極104主要是鋁，即> 50%的鋁，以及至少>80%的鋁。鋁具有相對高的耐熱性和抗氧化性，由此提高OLED耐受各種要素(即，氧氣和水)的能力。鋁層可具有至少25納米(nm)的厚度；例如至少50nm。鋁層可進一步具有小于大約200nm的厚度，例如近似IOOnm的厚度。陰極104可專門是鋁或專門是另一個金屬材料或陰極104可包括鋁以及一個或多個金屬材料。這樣的其他材料的示例包括金屬材料，例如鋰、鎂、鍶、鋇、銀、銦、錫、鋅、鋯、釤、銪，及其合金和其混合物。在一個實施例中，至少一個膜層108是錳。錳是一類磁性材料，即，當其放置在磁場內時，材料的電子的磁力受到影響并且它們減少了磁場在整個器件中、特別是通過有機/陰極界面感生渦流的效應。為了減少交流電驅動器件的有機層/陰極層界面處的有機層的退化以及渦流的效應，錳層設置在鋁陰極層上。錳膜層108可具有至少100納米(nm)的厚度；例如至少200nm。錳膜層108可進一步具有小于大約500nm的厚度，例如近似250nm的厚度。至少一個膜層108可以專門是錳或鈷或至少一個膜層108可包括從錳、鎳、鈷、鐵、鎳-鈷、鎳-鋁、鐵-鉬、錳(四氰基對醌二甲烷)2、鐵(四氰基對醌二甲烷)2、鈷(四氰基對醌二甲烷)2、鎳(四氰基對醌二甲烷)2及其組合組成的組選擇的磁性材料和混合磁成分中的一個。如在圖2中圖示的，OLED可進一步包括第二膜層112。在一個示范性實施例中，該第二膜層112設置在至少一個膜層108和陰極104之間。在雙層中該第二膜層112與陰極104的關聯(lián)可能夠形成合金。該合金的形成可允許減少金屬從膜層擴散進入有機層102。小的金屬微?？蓴U散到可以吸收光的有機層內部，由此降低OLED的效率。此外，這些小的金屬微?？膳c有機層反應來形成金屬有機絡合物(metal organic complex)，從而改變形成非發(fā)射層的有機層成分并且降低OLED的效率。在AC驅動操作OLED的一個實施例中，該第二膜層112包括鎳。至少一個膜層108是鎳-鈷合金、鎳-鋁合金及其組合中的至少一個。至少一個膜層和第二膜層108、112可具有大于陰極104的厚度的總厚度。通過兩個不相似的材料在界面處的慢擴散而形成雙層。這些雙層可更穩(wěn)定并且可終止磁性材料遷移進入有機材料?？刹捎萌绫绢I域內已知的襯底110來提供對于OLED的支撐。該襯底可包括本領域內已知的任何適合的材料，例如玻璃、硅或塑料。示范性襯底可選地是透明的，從而允許在器件中產(chǎn)生的光穿過其中。在一個實施例中，襯底具有至少大約0. Imm的厚度；例如小于大約1. 5mm ；例如0. 7mm。如在圖3中圖示的，OLED可進一步包括第三膜層114。在一個示范性實施例中，該第三膜層114直接鄰近陰極104設置，從而形成陰極雙層。在雙層中第三膜層114與陰極104的關聯(lián)提高電子注入的效率。提出雙層可以形成額外的界面，其將減慢電流的移動并且由此減少OLED中有機材料的衰退。第三膜層114可具有至少0. Olnm的厚度；例如至少0. lnm。在一個實施例中，該厚度不大于5nm ；例如2nm。第三膜層114可包括磁性金屬鹵化物。該磁性金屬鹵化物可從包含但不限于鎳、銀、鉻、錳、銫、鐵的鹵化物及其組合的組選擇。磁性材料提高電子注入的效率。在一個實施例中，盡管可使用其他鹵化物，金屬是鎳并且鹵化物從氟化物、碘化物或其組合選擇。因此，在該實施例中，第三膜層114是鹵化鎳，至少一個膜層108包括錳，第二膜層112包括鎳-鈷合金，并且陰極104包括鋁。當選擇相似的金屬和對應的金屬鹵化物時界面匹配更可能。在一個實施例中，第三膜層包括至少IOwt. %或至少25wt. %的磁性鹵化物，例如高達IOOwt. %。要理解，與前面關于形成第二膜層112/陰極層104以及第三膜層114/陰極層104之間的雙層的論述一致，即使第二膜層112和第三膜層114存在，這些層的材料在鄰近陰極104沉積時可形成論述的雙層，從而在每個界面處形成雙層。在示范性實施例中，例如燈等光源如描述的那樣包括至少一個AC操作OLED 100。在另一個實施例中，例如包含磁體的燈具(luminaire fixture)等光源如描述的那樣包括至少一個AC操作OLED 100。在另一個實施例中，例如包含磁體的燈具等光源如描述的那樣包括至少一個AC操作OLED 100。該磁體可以用于操縱器件附近的磁場。該操縱可提供額外的性能提高。該磁體還可以提供用于夾持器件的機械支撐和可靠的電接觸手段。關于圖4，示出有機發(fā)光器件200。要意識到OLED 200包括如先前連同OLED 100描述的許多相似的特征，使得“200”系列中類似的標號和部件指示圖1、2和3的“100”系列中的類似的標號和部件。在一個實施例中，OLED 200是DC操作器件并且至少一個膜層108設置在陰極104上。至少一個膜層108可包括磁性材料、混合磁性材料及其組合。在根據(jù)圖4的實施例中，至少一個膜層108是錳并且包括隨機分散在錳內來形成金屬氧化物層108/209的氧化物。該金屬氧化物層108/209可以具有減少OLED中的電流流動波動或過沖的能力。該氧化物可在復合層中以至少5wt.% (例如，至少8wt.%)的量存在。該氧化物可進一步以小于復合層209的15wt. % (例如，IOwt. %)的量在金屬氧化物層108/209中存在。氧化物的微粒大小可以是至少20nm;例如至少40nm。微粒大小不大于lOOnm，例如60nm。氧化物可包括金屬氧化物或聚合氧化物或其組合，并且可從鋁、鐵、釩、鋇、鋯、鉻、銦-鉻、聚乙烯、石墨烯(graphene)、聚乙炔、其氧化物及其組合的組選擇。在一個實施例中，氧化物是氧化鋁。在另一個實施例中，金屬氧化物層108/209可具有如在圖5_7中圖示的有序或無序圖案。增加圖案長度時，電感和電阻可以增加，這在本領域內是已知的。因此，通過具有有序或無序(類似線圈的)的圖案，電感和電阻可以增加，這對于減少電流波動是高效的(已知銅線可制成大的線圈)。OLED可進一步包括第二膜層112以便提供更高效的接觸。金屬氧化物層108/209可具有或可不具有足夠的電導率。因此，如果金屬氧化物層108/209在使用，沉積導電層將提高電導率。在一個實施例中，第二膜層112設置在金屬氧化物層108/209和陰極104之間。在另一個實施例中，第三膜層216設置在金屬氧化物層108/209上。第二和第三膜層112、216每個可具有至少20nm的厚度；例如，至少30nm。在一個實施例中，厚度不大于60nm;例如，50nm。第二和第三膜層112、216可包括金屬。該金屬可從包含金、銀、鎳及其組合的組選擇。在一個實施例中，第二和第三膜層112、216是金。盡管這樣，可意識到這些層可不同?？墒褂冒ㄤX合金的外部連接器218、220建立與OLED 200的連接。該鋁合金可由以下組成(95wt. % IS,Zr02/Ta205)o可意識到可使用例如包括鋁合金的相似的外部連接器(例如218、220)建立與OLED 100的連接。圖8代表DC操作OLED 200的再另一個實施例。在該實施例中，外部襯底222安置在第二膜層112下方。在示范性實施例中，DC操作OLED 200在被施加波動電流時并且其中波動電流至少大于標稱電流的百分之二時具有50至200歐姆+/-20%的電阻。標稱電流是器件借此而額定的器件的最佳電流，其可以基于器件的表面積在5mA至IA之間范圍內。在示范性實施例中，DC操作OLED 200具有50微亨和50毫亨之間的電感。在示范性實施例中，例如燈等光源如描述的那樣包括至少一個DC操作OLED 200。在另一個實施例中，例如包含磁體的燈具等光源如描述的那樣包括至少一個DC操作 OLED 200。在另一個實施例中，例如包含磁體的燈具等光源如描述的那樣包括至少一個DC操作OLED 200。該磁體可以用于操縱器件附近的磁場。該操縱可提供額外的性能提高。該磁體還提供用于夾持器件的機械支撐和可靠的電接觸的手段。上文提到的層102、108、110、112、114、108/209、216、222 或陰極 104 以及陽極 106
的材料通過本領域內任何已知常用的方法適當?shù)爻练e，例如真空沉積、熱蒸發(fā)、汽相沉積和噴墨打印以及其他。沒有意在限制提出的示范性實施例的范圍，下列示例證明金屬氧化物層108/209的益處。示例示例1
根據(jù)圖8中示出的結構形成OLED 200。為了讀者的利益，器件的層在本文中根據(jù)圖1-4編號。鋁陰極104沉積在有機層102上方。OLED 200進一步包括銦-鈦氧化物(ITO)陽極106和支撐襯底110。由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)組成的外部襯底222在去離子水中超聲處理并且在乙醇中清洗。接著這之后在70°C烘干襯底222持續(xù)30分鐘。近似50nm的金膜層112在10_5托真空濺射室中沉積在襯底222上。通過使用相同的室沉積層來形成200nm的錳膜層108。通過使從50wt.%酒精溶液提取膠狀Al2O3沉淀來制備金屬氧化物層108/209。Al2O3設置在錳膜層108上來形成MnAl2O3膜層108/209。使用顯微鏡證實隨機分散在錳膜層108內的金屬氧化物Al2O3小于50%。系統(tǒng)然后在對流爐中在100°C退火20分鐘來驅散水/溶劑并且形成致密膜。近似50nm的金膜層216沉積在Μη/Α1203層108/209上。如在圖8中示出的，外部襯底222與電源串聯(lián)連接。貼片連接器218、222、2M和226由下列的鋁合金組成(95wt. %Al,5wt. %Zr02/Ta205)o電流感測示波器250串聯(lián)安置。用15伏(V)的直流(DC)電源驅動系統(tǒng)以使OLED供應有50毫安(mA)。圖9圖示用本領域內已知的OLED記錄的起動和穩(wěn)定電流狀態(tài)。圖10圖示如在圖8中圖示的那樣形成的具有50nm金層112的OLED 200的電流記錄。金屬氧化物層108/209沒有設置在金層112和外部襯底222中間。在圖10中展示的電流記錄與圖9相似。圖11圖示如在示例1中制備的OLED 200的電流記錄并且示出電流尖峰的降低。圖12圖示對于在圖10和11中示出的記分跟蹤的電流尖峰降低的簡要描述。差別可歸因于金屬氧化物層108/209的電感和電阻。本發(fā)明已經(jīng)參照優(yōu)選實施例描述。明顯地，當閱讀并且理解前面的詳細說明時修改和改動將被其他人想到。規(guī)定本發(fā)明解釋為包括所有這樣的修改和改動。
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權利要求
1.一種有機發(fā)光器件，其包括陰極；所述器件外部的可選襯底；至少一個膜層，其設置在所述陰極或所述襯底中的至少一個上，所述至少一個膜層包括磁性材料、混合磁性材料及其組合中的至少一個；陽極；以及所述陰極和所述陽極中間的至少一個有機層。
2.如權利要求1所述的器件，其中所述至少一個膜層包括從包含錳、鎳、鐵、鎳-鈷、鎳-鋁、鐵-鉬、鐵-鋁、錳(四氰基對醌二甲烷)2、鐵(四氰基對醌二甲烷)2、鈷(四氰基對醌二甲烷)2、鎳(四氰基對醌二甲烷)2及其組合的組選擇的磁性材料和混合磁性材料中的至少一個。
3.如權利要求1所述的器件，其中所述器件是具有設置在所述陰極上的所述至少一個膜層的交流電驅動器件。
4.如權利要求1所述的器件，其中所述至少一個膜層包括錳。
5.如權利要求1所述的器件，其中所述至少一個膜層具有在25nm至500nm之間的厚度。
6.如權利要求3所述的器件，其進一步包括設置在所述至少一個膜層和陰極中間的第二膜層；其中所述第二膜層包括從包含鐵、鎳、鈷及其組合的組選擇的金屬。
7.如權利要求1所述的器件，其中所述陰極主要包括鋁。
8.如權利要求1所述的器件，其中所述陰極具有在50至200nm之間的厚度。
9.如權利要求6所述的器件，其中所述至少一個膜層和所述第二膜層具有大于所述陰極的厚度的總厚度。
10.如權利要求6所述的器件，其進一步包括直接鄰近所述陰極設置的第三膜層；其中所述第三膜層包括從包含鎳、銀、鉻、錳、銫、鐵、其商化物及其組合的組選擇的至少一個金屬鹵化物。
11.一種光源，其包括至少一個有機發(fā)光器件，所述至少一個有機發(fā)光器件包括如權利要求3所述的器件。
12.如權利要求1所述的器件，其中所述器件是直流電驅動器件。
13.如權利要求12所述的器件，其中所述至少一個膜層包括所述至少一個膜層內的氧化物。
14.如權利要求13所述的器件，其中所述至少一個膜層設置在所述器件外部的所述襯底上。
15.如權利要求14所述的器件，其中所述至少一個膜層至少與所述外部襯底鄰接或在所述外部襯底上圖案化。
16.如權利要求13所述的器件，其中所述氧化物包括從包含鋁、鐵、釩、鋇、鋯、鉻、銦-鉻、聚乙烯、石墨烯、聚乙炔、其氧化物及其組合的組選擇的金屬和聚合氧化物中的至少一個。
17.如權利要求13所述的器件，其中所述氧化物是氧化鋁。
18.如權利要求13所述的器件，其中所述氧化物處于所述至少一個膜層的5與15重量百分數(shù)之間。
19.如權利要求13所述的器件，其進一步包括第二膜層；其中所述第二膜層設置在所述至少一個膜層與所述陰極或所述至少一個膜層與所述襯底中間。
20.如權利要求19所述的器件，其進一步包括第三膜層；其中所述第三膜層設置在所述至少一個膜層上。
21.如權利要求20所述的器件，其中所述第二和第三膜層每個包括從金、銀、鎳及其組合的組選擇的金屬。
22.如權利要求20所述的器件，其中所述第二和第三膜層包括金。
23.如權利要求20所述的器件，其中所述第二和第三膜層每個具有在20至IOOnm之間的厚度。
24.如權利要求22所述的器件，其中所述器件在被施加波動電流時具有50至200歐姆+/-20%的電阻；并且所述波動電流至少大于標稱電流的百分之二。
25.如權利要求14所述的器件，其中所述外部襯底是塑料。
26.一種光源，其包括至少一個有機發(fā)光器件，所述至少一個有機發(fā)光器件包括如權利要求12所述的器件。
27.一種制造有機發(fā)光器件的方法，其包括形成陰極，所述陰極主要包括鋁；將至少一個膜層設置在所述陰極的表面上，所述至少一個膜層包括磁性材料、混合磁性材料及其組合中的至少一個；形成陽極；以及在所述陰極和陽極中間形成至少一個有機層；其中所述器件是交流電驅動器件。
28.如權利要求27所述的方法，其中將所述至少一個膜層設置在所述陰極的所述表面上包括熱沉積、化學汽相沉積、噴墨打印技術及其組合中的至少一個。
29.一種制造有機發(fā)光器件的方法，其包括形成陰極，所述陰極主要包括鋁；將至少一個膜層設置在所述器件外部的襯底的表面的至少一個上，所述至少一個膜層包括磁性材料、混合磁性材料及其組合中的至少一個；所述方法進一步包括將氧化物設置在所述至少一個膜層內；形成陽極；以及在所述陰極和陽極中間形成至少一個有機層；其中所述器件是直流電驅動器件。
30.如權利要求四所述的方法，其中將所述至少一個膜層設置在所述陰極的所述表面上包括熱沉積、化學汽相沉積、噴墨打印技術及其組合中的至少一個。
31.一種燈具，其包括至少一個有機發(fā)光器件，所述至少一個有機發(fā)光器件包括如權利要求3所述的器件，其中所述燈具包括磁體。
32. —種燈具，其包括至少一個有機發(fā)光器件，所述至少一個有機發(fā)光器件包括如權利要求12所述的器件，其中所述燈具包括磁體。
全文摘要
一種有機發(fā)光器件包括陰極和該器件外部的可選襯底。該器件進一步包括設置在該陰極或該襯底中的至少一個上的至少一個膜層。該至少一個膜層包括磁性、混合磁性材料及其組合中的至少一個。該器件進一步包括陽極和該陰極與陽極中間的至少一個有機層。
文檔編號H01L51/00GK102598347SQ201080052373
公開日2012年7月18日 申請日期2010年10月12日 優(yōu)先權日2009年11月19日
發(fā)明者D.奧隆澤布, J.M.科斯特卡 申請人:通用電氣公司