專利名稱：電子部件和元件用封裝體、以及它們的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有高氣密性的電子部件及元件用封裝體、以及它們的制造方法。
背景技術(shù)：
一直以來(lái)，伴隨著電子設(shè)備的小型化 薄型化，電氣雙層電容器或電池、壓電器件等的電子部件要求更進(jìn)一步的小型化 薄型化。作為這種電子部件，多使用適合于向電路基板等的貼裝的表面貼裝型的電子部件。表面貼裝型的電子部件有時(shí)采用在由陶瓷等絕緣材料形成的基體上利用連接構(gòu)件來(lái)接合金屬制的蓋體而構(gòu)成的封裝體內(nèi)收納有元件的結(jié)構(gòu)。在專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了圖7所示那樣的電池的結(jié)構(gòu)。圖7所記載的電池180由元件、收納該元件的元件用封裝體、電解液構(gòu)成。
以下，說(shuō)明元件用封裝體的結(jié)構(gòu)。由氧化鋁構(gòu)成的陶瓷基體110在上表面的中央部具有凹部，且在該凹部的內(nèi)側(cè)面與底面之間形成有高低差110a。在所述凹部的底面形成有內(nèi)部電極122a，在高低差I(lǐng)lOa的上表面形成有內(nèi)部電極122b。此外，在陶瓷基體110的外部底面設(shè)有外部電極124a、124b。從內(nèi)部電極122a到外部電極124a形成有連接電極123a，從內(nèi)部電極122b到外部電極124b形成有連接電極123b。這些電極由鎢構(gòu)成。另外，在陶瓷基體110的上表面以包圍所述凹部的方式接合有由鎢構(gòu)成的金屬基底層128a。金屬基底層128a由鍍鎳128b覆蓋，而形成基底層128。并且，以包圍陶瓷基體110的所述凹部的方式在鐵-鎳-鈷合金的表面形成有鋁層的框狀構(gòu)件126利用鋁焊料127而釬焊于基底層128。鋁焊料127以覆蓋基底層128的表面的方式形成。通過(guò)該基底層128，與陶瓷基體110上表面的鋁焊料127的浸潤(rùn)性變得良好，陶瓷基體110與框狀構(gòu)件126的接合強(qiáng)度變得更牢固。并且，在框狀構(gòu)件126上利用鋁焊料125而釬焊有由鋁構(gòu)成的蓋體150。在該元件用封裝體內(nèi)收納有元件140。元件140通過(guò)將含有LiCoO2及乙炔黑的板狀的正極141和含有焦炭的板狀的負(fù)極142經(jīng)由聚烯烴纖維制的無(wú)紡布構(gòu)成的隔板143進(jìn)行層疊而形成。正極141與內(nèi)部電極122a連接，負(fù)極142與內(nèi)部電極122b連接，由此將元件140固定在陶瓷基體110的凹部?jī)?nèi)。另外，在該元件用封裝體內(nèi)注入有將四氟化硼酸鋰溶解在作為有機(jī)溶劑的二甲氧基乙烷中得到的電解液170。如此，構(gòu)成氣密地密封的電池180。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2005-63942號(hào)公報(bào)發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題然而，上述的現(xiàn)有技術(shù)在電池180的使用時(shí)或制造過(guò)程中，當(dāng)由鋁焊料127構(gòu)成的鋁層產(chǎn)生微小的裂紋時(shí)，存在電解液170與基底層128接觸的問(wèn)題。當(dāng)電解液170與基底層128接觸時(shí)，基底層128會(huì)發(fā)生腐蝕，電池180的氣密性下降。這種接觸在未利用鋁焊料127充分地覆蓋基底層128的表面的情況下、或鋁焊料127與基底層128的金屬在在釬焊時(shí)發(fā)生合金化而基底層128的金屬向表面露出的情況下發(fā)生。另外，當(dāng)引起這種合金化時(shí)，存在接合部的強(qiáng)度顯著下降的危險(xiǎn)性。此外，為了進(jìn)行陶瓷基體110與蓋體150的接合，需要鋁焊料125、127、框狀構(gòu)件126、基底層128，制造エ序變得煩雜，需要大量的時(shí)間和人力，因此存在生產(chǎn)性低的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，在本發(fā)明中，其目的在于提供ー種具有高氣密性的電子部件及元件用封裝體，且在它們的制造方法中，簡(jiǎn)化工序，提高生產(chǎn)性。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電子部件具有元件和收納該元件的封裝體，其中，該封裝體具備陶瓷基體、蓋體、將該陶瓷基體和該蓋體連接的連接構(gòu)件，所述蓋體的與所述連 接構(gòu)件的接合部由金屬構(gòu)成，所述連接構(gòu)件由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成，且與所述陶瓷基體直接接合，所述元件固定在所述陶瓷基體或所述蓋體上。另外，本發(fā)明的電子部件中，優(yōu)選的是，所述連接構(gòu)件優(yōu)選由含有86wt%以上的鋁的金屬構(gòu)成。另外，本發(fā)明的電子部件中，優(yōu)選的是，所述蓋體的與所述連接構(gòu)件的接合部由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成。另外，本發(fā)明的電子部件中，優(yōu)選的是，所述蓋體具有能夠收納所述元件的凹部。另外，本發(fā)明的電子部件中，優(yōu)選的是，向所述封裝體內(nèi)注入電解液。另外，本發(fā)明的元件用封裝體用于收納元件，其中，該封裝體具備陶瓷基體、蓋體、將該陶瓷基體和該蓋體連接的連接構(gòu)件，所述蓋體的與所述連接構(gòu)件的接合部由金屬構(gòu)成，所述連接構(gòu)件由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成，且與所述陶瓷基體直接接合。另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種電子部件的制造方法，該電子部件具有元件和用于收納該元件的由陶瓷基體及蓋體構(gòu)成的封裝體，所述電子部件的制造方法的特征在于，具有準(zhǔn)備元件、陶瓷基體、具有由金屬構(gòu)成的接合部的蓋體的エ序；在所述陶瓷基體的表面形成由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成的連接構(gòu)件的エ序；在所述陶瓷基體或所述蓋體上固定所述元件的エ序；通過(guò)在所述連接構(gòu)件上接合所述蓋體的接合部而形成封裝體的エ序。另外，本發(fā)明的電子部件的制造方法中，優(yōu)選的是，形成所述連接構(gòu)件的エ序具有準(zhǔn)備由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成的熔融金屬的エ序；使所述熔融金屬附著于所述陶瓷基體后，通過(guò)使該熔融金屬凝固，而在所述陶瓷基體的表面形成金屬層的エ序；通過(guò)對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案形成來(lái)形成連接構(gòu)件的エ序。另外，本發(fā)明的電子部件的制造方法中，優(yōu)選的是，在形成所述金屬層的エ序之后，還具備通過(guò)對(duì)該金屬層進(jìn)行圖案形成來(lái)形成用于固定所述元件的內(nèi)部電極的エ序。另外，本發(fā)明的電子部件的制造方法中，優(yōu)選的是，所述連接構(gòu)件由含有86wt%以上的鋁的金屬構(gòu)成。另外，本發(fā)明的電子部件的制造方法中，優(yōu)選的是，所述蓋體的接合部由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成。 另外，本發(fā)明的電子部件的制造方法中，優(yōu)選的是，所述蓋體具有能夠收納所述元件的凹部。另外，本發(fā)明的電子部件的制造方法中，優(yōu)選的是，在所述連接構(gòu)件上接合所述蓋體的エ序利用激光焊接來(lái)進(jìn)行。另外，本發(fā)明的電子部件的制造方法中，優(yōu)選的是，還具備向所述封裝體內(nèi)注入電解液的エ序。另外，根據(jù)本發(fā)明，提供一種元件用封裝體的制造方法，該封裝體用于收納元件，所述元件用封裝體的制造方法的特征在于，具有準(zhǔn)備陶瓷基體和具有由金屬構(gòu)成的接合部的蓋體的エ序；在所述陶瓷基體的表面上形成由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成的連接構(gòu)件的エ序；在所述連接構(gòu)件上接合所述蓋體的接合部的エ序。發(fā)明效果
如以上所述，本發(fā)明的電子部件及元件用封裝體中，由于將陶瓷基體與蓋體連接的連接構(gòu)件由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成，因此具有高強(qiáng)度，對(duì)于電解質(zhì)的耐腐蝕性高。因此，具有高氣密性。另外，作為連接構(gòu)件而不需要基底層等，因此能簡(jiǎn)化工序，提高生產(chǎn)性。


圖I是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的在陶瓷基體的表面形成金屬層的エ序的示意圖。圖2是用于表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖3是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的在陶瓷基體上固定元件的エ序的示意圖。圖4是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的電子部件的制造方法及結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明的變形例的電子部件的制造方法的示意圖。圖6是用于說(shuō)明本發(fā)明的另ー變形例的電子部件的制造方法的示意圖。圖7是用于說(shuō)明以往的電子部件的結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖I是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的在陶瓷基體的表面形成金屬層的エ序的圖。首先，作為基體，準(zhǔn)備圖I(A)所示的具有通孔IlaUlb的由氧化鋁構(gòu)成的陶瓷基體10。另外，將所希望的組成的以鋁為主成分的金屬安放在坩堝(っぼ)中，然后，在氮?dú)鈿夥諝庵欣眉訜崞鲗?duì)所述坩堝進(jìn)行加熱，使所述金屬熔化，由此準(zhǔn)備熔融金屬。在本實(shí)施方式中，作為以所述鋁為主成分的金屬，使用含有99wt%的鋁的金屬。接下來(lái)，將陶瓷基體10浸潰在所述熔融金屬中。由此，使所述熔融金屬附著在陶瓷基體10的表面。此時(shí)，所述熔融金屬也流入、填充到通孔IlaUlb內(nèi)。然后，陶瓷基體10被從所述熔融金屬中取出到氮?dú)鈿夥罩校街诒砻嫔系娜廴诮饘僦饾u冷卻、凝固，而接合在陶瓷基體10的表面。由此，如圖I(B)及(C)所示，得到了在陶瓷基體10的表面及通孔IlaUlb內(nèi)形成有鋁的金屬層20的復(fù)合構(gòu)件30。在使用了這種熔融金屬的陶瓷與金屬的接合中，由于經(jīng)過(guò)使金屬?gòu)娜廴诮饘贍顟B(tài)逐漸冷卻的エ藝，因此能得到金屬與陶瓷的高的晶格(格子)匹配性，接合強(qiáng)度變得牢固。然后，利用研磨機(jī)對(duì)復(fù)合構(gòu)件30的表面進(jìn)行研磨，實(shí)現(xiàn)金屬層20的表面的均質(zhì)化。接下來(lái)，說(shuō)明通過(guò)對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案形成，而形成連接構(gòu)件和內(nèi)部電極等的ェ序。首先，在金屬層20的表面形成感光抗蝕膜，接觸到遮光圖案掩膜而進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影處理，將遮光的部分的抗蝕膜除去。接著，將金屬層20的抗蝕膜覆蓋的掩蔽部分保留，利用氯化鐵-鹽酸混合蝕刻溶液使其他的部分溶解而進(jìn)行了圖案形成。由此，如圖2所示，得到基板31，所述基板31在陶瓷基體10的表面形成有內(nèi)部電極22a、22b、外部電極24a、24b、連接構(gòu)件21。
連接構(gòu)件21以包圍內(nèi)部電極22a、22b的方式形成為框狀。另外，內(nèi)部電極22a和外部電極24a通過(guò)形成在通孔Ila內(nèi)的由金屬層20構(gòu)成的連接電極23a進(jìn)行電連接。另外，內(nèi)部電極22b和外部電極24b通過(guò)形成在通孔Ilb內(nèi)的由金屬層20構(gòu)成的連接電極23b進(jìn)行電連接。另外，為了提高與焊料的浸潤(rùn)性而對(duì)外部電極24a、24b的表面實(shí)施鍍敷。在本實(shí)施方式中，在外部電極24a、24b的表面通過(guò)鍍鎳及鍍金而依次覆蓋金屬層。如此，內(nèi)部電極、外部電極、連接電極通過(guò)由熔融金屬形成的金屬層的圖案形成而與連接構(gòu)件同時(shí)形成，因此與通過(guò)不同的エ序分別形成的情況相比，能簡(jiǎn)化工序，提高生產(chǎn)性。接下來(lái)，參照?qǐng)D3，說(shuō)明在陶瓷基體上固定元件的エ序。元件40將正極41和負(fù)極42通過(guò)在之間夾設(shè)絕緣性的隔板43并卷繞而形成。作為正極41或負(fù)極42，使用了在由鋁構(gòu)成的片狀集電體的表面載持有包含活性炭的極化性電極層的結(jié)構(gòu)。正極41的一方的端部通過(guò)超聲波焊接，而與形成在陶瓷基體10的表面上的內(nèi)部電極22a連接、固定。負(fù)極42的一方的端部通過(guò)超聲波焊接而與形成在陶瓷基體10的表面上的內(nèi)部電極22b連接、固定。另外，上述的連接并不局限于超聲波焊接，也可以使用激光焊接或TIG焊接等。
接下來(lái)，說(shuō)明通過(guò)在連接構(gòu)件上接合蓋體的接合部來(lái)形成元件用封裝體的エ序。首先，準(zhǔn)備圖4 (A)所示那樣的、具有能夠收納元件40的凹部5Ia及貫通孔52a的、由含有99wt%的鋁的金屬構(gòu)成的蓋體50a。在位于蓋體50a的緣部的端部50a’向凹部51a的相反側(cè)即外側(cè)折彎。在陶瓷基體10的表面上形成的連接構(gòu)件21處，通過(guò)激光焊接接合蓋體50a的端部50a’，而得到用于收納元件40的元件用封裝體。焊接可以使用電阻焊接或超聲波焊接等接合方法，但優(yōu)選激光焊接。激光焊接通過(guò)向端部50a’的與連接構(gòu)件21接觸的接觸面的相反側(cè)的表面53’上照射激光束60來(lái)進(jìn)行。通過(guò)使用激光焊接，與其他的接合方法相比，能夠進(jìn)行微小的區(qū)域的局部焊接，因此沒(méi)有焊接不均，減少密封不良，而且陶瓷基體10的接合部周邊等因熱量而損傷的危險(xiǎn)性低。而且，由于無(wú)需像電阻焊接那樣強(qiáng)烈地按壓焊接部分，因此能抑制陶瓷基體或蓋體、連接構(gòu)件的損傷或變形。而且，由于接合寬度的設(shè)定容易，因此能夠適用于電子部件的各種尺寸，從而也能夠應(yīng)對(duì)電子部件的小型化。也容易進(jìn)行改變接合寬度的接合強(qiáng)度的設(shè)計(jì)。而且，與超聲波焊接等相比，能夠減少焊接時(shí)的濺射的飛散，因此能夠抑制由此引起的短路的發(fā)生。另外，在進(jìn)行激光焊接時(shí)，連接構(gòu)件21的厚度T2優(yōu)選比端部50a’的厚度Tl厚。由此，能夠以更小的激光的能量 來(lái)進(jìn)行牢固的焊接接合。連接構(gòu)件21優(yōu)選含有86wt%以上的鋁，更優(yōu)選含有99wt%以上。若鋁以外的金屬的含有量多，則在焊接時(shí)等，存在合金化進(jìn)展而連接構(gòu)件的強(qiáng)度顯著下降的危險(xiǎn)性。而且，還存在因金屬間的熔點(diǎn)的不同而產(chǎn)生焊接不均等的連接不均，從而發(fā)生密封不良的危險(xiǎn)性。接下來(lái)，說(shuō)明向元件用封裝體內(nèi)注入電解液而對(duì)該封裝體進(jìn)行密封的エ序。如圖4(B)所示，經(jīng)由孔52a將電解液70注入到所述元件用封裝體內(nèi)。電解液70使用TEMA-BF4(四氟硼酸三こ基甲基銨)作為電解質(zhì)，使用PC(丙烯碳酸酯)作為有機(jī)溶齊 。然后，鋁制的金屬球54以堵塞孔52a的方式設(shè)置，通過(guò)激光焊接而焊接于蓋體50a,由此將所述元件用封裝體氣密地密封。如以上那樣，能得到電氣雙層電容器80。如此，根據(jù)本實(shí)施方式，作為連接構(gòu)件，無(wú)需利用對(duì)電解液的耐腐蝕性低的金屬來(lái)形成基底層，而使用以耐腐蝕性高的鋁為主成分的金屬，因此連接構(gòu)件不會(huì)因與電解液的接觸而發(fā)生腐蝕，能確保元件用封裝體的高氣密性。而且，也不存在與基底層使用的金屬等發(fā)生合金化而導(dǎo)致強(qiáng)度劣化的情況。另外，通常使用鎢和鎳等作為所述基底層，但在本實(shí)施方式中由于不需要基底層，因此原料成本下降，而且エ序簡(jiǎn)化，生產(chǎn)性提高。另外，由于內(nèi)部電極也與所述連接構(gòu)件以相同材料形成，因此能得到對(duì)電解液的高耐腐蝕性。另外，由于蓋體或該蓋體的與連接構(gòu)件的接合部也使用以鋁為主成分的金屬，因此能得到對(duì)電解液的高耐腐蝕性。另外，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了使用電氣雙層電容器作為電子部件的情況，但并未限定于此，也可以適用于在電池或壓電器件等的元件用封裝體內(nèi)具有元件的電子部件。另外，在本實(shí)施方式中，使用了氧化鋁作為陶瓷基體10，但并未限定于此，也可以使用例如氮化鋁等。與氧化鋁相比，氮化鋁雖然作為材料的成本高，但導(dǎo)熱率高，散熱性優(yōu)
巳升。另外，在本實(shí)施方式中，在蓋體50a的外側(cè)的表面53，為了外觀良好性的提高、強(qiáng)度強(qiáng)化、熱膨脹抑制等，也可以包覆由SUS、科瓦鐵鎳鈷合金、42% Ni-Fe合金等與蓋體50a不同的材料構(gòu)成的金屬，由此來(lái)形成包層。這種情況下，在形成于陶瓷基體10的表面上的連接構(gòu)件21處激光焊接蓋體50a的端部50a’時(shí)，為了防止因焊接產(chǎn)生的熱量而使得連接構(gòu)件21與所述包層發(fā)生合金化，端部50a’的以鋁為主成分的層的厚度Tl優(yōu)選為10 μ m以上。另外，在本實(shí)施方式中，作為連接構(gòu)件21，可以使用含有4. 5 14wt%的范圍的硅的鋁-硅系的合金。該合金的熱膨脹系數(shù)與陶瓷基體接近。因此，在使用該合金作為連接構(gòu)件時(shí)，因陶瓷基體與連接構(gòu)件的熱膨脹率之差引起的熱應(yīng)カ減小，能抑制褶皺等的發(fā)生，元件用封裝體的氣密性提高。作為這種合金，例如使用由Jis規(guī)格所規(guī)定的A4043(硅含有量 4. 5 6. Owt % )或 A4032(硅含有量 11. O 13. 5wt% )。另外，在本實(shí)施方式中，使用了由含有99wt %的鋁的金屬構(gòu)成的蓋體50a，但該蓋體只要是與所述連接構(gòu)件的接合部由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成即可。該接合部更優(yōu)選含有86wt%以上的鋁。另外，具有凹部的蓋體也可以是僅接合部由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成，而其他的部分由陶瓷形成。而且，陶瓷基體也可以具有凹部。然而，利用陶瓷基體和蓋體形成的元件用封裝體的側(cè)壁優(yōu)選由金屬構(gòu)成。這種情況下，側(cè)壁容易吸收、緩和因陶瓷基體與蓋體的熱膨脹率之差引起的熱應(yīng)力。因此，在側(cè)壁產(chǎn)生褶皺等而使得元件用封裝體的氣密性發(fā)生劣化的危險(xiǎn)性少。另外，在本實(shí)施方式中，通過(guò)向蓋體的表面照射激光束來(lái)進(jìn)行蓋體的焊接，但也可以如圖5所示的變形例那樣，通過(guò)向蓋體50b與連接構(gòu)件21的界面照射激光束61來(lái)進(jìn)行 焊接。蓋體50b具有能夠收納元件40的凹部51b，位于緣部的端部50b’未折彎。這種情況下，為了防止錯(cuò)誤地將激光束61向陶瓷基體10照射，而優(yōu)選増加連接構(gòu)件21的厚度。而且，根據(jù)本變形例，端部50b’可以向凹部51b的相反側(cè)即外側(cè)折彎，但未折彎的情況能夠増大元件用封裝體的內(nèi)容積。另外，在本實(shí)施方式中，為了堵塞蓋體的孔而使用了金屬球，但也可以如圖6所示的其他的變形例那樣使用具有從孔52c的周圍向外部突出的突出部50c’的蓋體50c。這種情況下，如圖6(A)所示，在經(jīng)由孔52c將電解液70注入到元件用封裝體內(nèi)之后，向突出部50c’照射激光束62。由此使突出部50c’熔融，然后通過(guò)冷卻，而如圖6(B)所示，形成堵塞孔52c的栓50c”，從而將元件用封裝體氣密地密封。如此，能得到電氣雙層電容器81。另外,在圖5及圖6中，對(duì)于與圖I至4相同的要素,標(biāo)注同一符號(hào)。標(biāo)號(hào)說(shuō)明10、110陶瓷基體I la、I Ib 通孔20金屬層21連接構(gòu)件22a、22b、122a、122b 內(nèi)部電極23a、23b、123a、123b 連接電極24a、24b、124a、124b 外部電極30復(fù)合構(gòu)件31 基板40、140 元件41、141 正極42、142 負(fù)極43、143 隔板50a、50b、50c、150 蓋體50a，、50b，端部
50c’ 突出部50c，，栓51a、51b 凹部52a、52c 孔53、53，表面54金屬球60、61、62 激光束70、170 電解液 80,81電氣雙層電容器IlOa 高低差125、127鋁焊料126框狀構(gòu)件128基底層128a金屬基底層128b 鍍敷180 電池T1、T2 厚度
權(quán)利要求
1.一種電子部件，具有元件和收納該元件的封裝體，其特征在于， 該封裝體具備陶瓷基體、蓋體、將該陶瓷基體和該蓋體連接的連接構(gòu)件， 所述蓋體的與所述連接構(gòu)件的接合部由金屬構(gòu)成， 所述連接構(gòu)件由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成，且與所述陶瓷基體直接接合， 所述元件固定在所述陶瓷基體或所述蓋體上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子部件，其特征在于， 所述連接構(gòu)件由含有86wt%以上的鋁的金屬構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電子部件，其特征在于， 所述蓋體的與所述連接構(gòu)件的接合部由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于， 所述蓋體具有能夠收納所述元件的凹部。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于， 向所述封裝體內(nèi)注入電解液。
6.一種元件用封裝體，用于收納元件，其特征在于， 該封裝體具備陶瓷基體、蓋體、將該陶瓷基體和該蓋體連接的連接構(gòu)件， 所述蓋體的與所述連接構(gòu)件的接合部由金屬構(gòu)成， 所述連接構(gòu)件由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成，且與所述陶瓷基體直接接合。
7.一種電子部件的制造方法，該電子部件具有元件和用于收納該元件的由陶瓷基體及蓋體構(gòu)成的封裝體，所述電子部件的制造方法的特征在于，具有 準(zhǔn)備元件、陶瓷基體、以及具有由金屬構(gòu)成的接合部的蓋體的工序； 在所述陶瓷基體的表面形成由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成的連接構(gòu)件的工序； 在所述陶瓷基體或所述蓋體上固定所述元件的工序； 通過(guò)在所述連接構(gòu)件上接合所述蓋體的接合部而形成封裝體的工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 形成所述連接構(gòu)件的工序具有 準(zhǔn)備由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成的熔融金屬的工序； 使所述熔融金屬附著于所述陶瓷基體后，通過(guò)使該熔融金屬凝固，而在所述陶瓷基體的表面形成金屬層的工序；以及 通過(guò)對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案化來(lái)形成連接構(gòu)件的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 在形成所述金屬層的工序之后， 還具備通過(guò)對(duì)該金屬層進(jìn)行圖案化來(lái)形成用于固定所述元件的內(nèi)部電極的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 所述連接構(gòu)件由含有86wt%以上的鋁的金屬構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 所述蓋體的接合部由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 所述蓋體具有能夠收納所述元件的凹部。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至12中任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于，在所述連接構(gòu)件上接合所述蓋體的工序利用激光焊接來(lái)進(jìn)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求7至13中任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 還具備向所述封裝體內(nèi)注入電解液的工序。
15.一種元件用封裝體的制造方法，該封裝體用于收納元件，所述元件用封裝體的制造方法的特征在于，具有 準(zhǔn)備陶瓷基體和具有由金屬構(gòu)成的接合部的蓋體的工序； 在所述陶瓷基體的表面上形成由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成的連接構(gòu)件的工序；以及 在所述連接構(gòu)件上接合所述蓋體的接合部的工序。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種具有高氣密性的電子部件及元件用封裝體，且在它們的制造方法中，簡(jiǎn)化工序，提高生產(chǎn)性。本發(fā)明的電子部件具有元件和收納該元件的封裝體，其中，該封裝體具備陶瓷基體、蓋體、將該陶瓷基體和該蓋體連接的連接構(gòu)件，所述蓋體的與所述連接構(gòu)件的接合部由金屬構(gòu)成，所述連接構(gòu)件由以鋁為主成分的金屬構(gòu)成，且與所述陶瓷基體直接接合，所述元件固定在所述陶瓷基體或所述蓋體上。
文檔編號(hào)H01M2/02GK102687218SQ20108005093
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2010年10月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月11日
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