專利名稱：高阻抗電氣連接通孔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一個或多個具體實施例一般是關(guān)于用于提供以非傳導(dǎo)層分隔的導(dǎo)體間的訊號路徑的通孔，且特別是關(guān)于具有增加的阻抗的通孔。
背景技術(shù)：
包含集成電路裝置(IC)或印刷電路板(PCB)的電路通常由多層訊號線所組成，訊號線藉由絕緣非傳導(dǎo)層而分隔。訊號在具有通孔的不同層的訊號線之間傳送。通孔在非傳導(dǎo)層之間的孔洞，其已經(jīng)藉由電鍍、使用環(huán)形圈或小鉚釘而具有傳導(dǎo)性。電路中的訊號線相對于附近的接地及電源線或平面是典型的寬度與間隔，使得它們具有標(biāo)準(zhǔn)特征阻抗，例如50奧姆。如此作法以降低由阻抗不匹配所造成的訊號擾動及失真。阻抗匹配是重要的，因為不匹配將造成訊號在不匹配點被反射。經(jīng)反射的訊號造成噪聲且扭曲向前傳播的訊號。阻抗不匹配的缺點在高速電路中特別嚴(yán)重，其中頻率周期會要求傳播在電路中的訊號相對于當(dāng)晶體管切換開或關(guān)時產(chǎn)生的漸進(jìn)上升及下降的一短期間維持在一穩(wěn)定值。由阻抗不匹配所產(chǎn)生的噪聲及失真可以被認(rèn)知為一個切換轉(zhuǎn)變。因為用于不同訊號的通孔是典型較低的阻抗，其低于連接至它們的訊號線，所以阻抗不匹配會需要電路操作在遠(yuǎn)低于所要的頻率。一個或多個具體實施例可以處理一個或多個上述議題。

發(fā)明內(nèi)容
一個具體實施例中，提供了電氣連接通孔。通孔可包含導(dǎo)體，其連接電氣訊號穿過非傳導(dǎo)層；以及多組的隙環(huán)共振器，其包含至少第一組以及第二組。每一個第一組以及第二組可包含隙環(huán)共振器，其包含至少第一隙環(huán)共振器以及第二隙環(huán)共振器。第一組共振器可位于第一層，其實質(zhì)平行于非傳導(dǎo)層。第二組共振器可位于第二層，其實質(zhì)平行于非傳導(dǎo)層。該第一組共振器可位于接近該導(dǎo)體的一第一末端且該第二組共振器可位于接近該導(dǎo)體的一第二末端，其中該導(dǎo)體的該第一末端是與該導(dǎo)體的該第二末端相對。在此通孔，該導(dǎo)體可實質(zhì)上在該第一組隙環(huán)共振器及該第二組隙環(huán)共振器中每一組的中心。該第一組隙環(huán)共振器及該第二組隙環(huán)共振器中的每一組可傳導(dǎo)性地與所有其它傳導(dǎo)材料隔離。每一組的第一隙環(huán)共振器的最外圍直徑可小于每一組的第二隙環(huán)共振器的最內(nèi)圍直徑，且該導(dǎo)體的最外圍直徑可小于每一組的第一隙環(huán)共振器的最內(nèi)圍直徑。該第一及第二層可在該非導(dǎo)體層內(nèi)，或者另外地，該第一及第二層可在該非導(dǎo)體層外。一電容可橫跨耦接每一個隙環(huán)共振器的裂隙。一第一訊號線可連接至該導(dǎo)體的該第一末端，且一第二訊號線可連接至該導(dǎo)體的該第二末端。一第一及一第二電氣傳導(dǎo)平面可耦接至各自的參考電壓且分別電磁地耦接至該第一及第二組隙環(huán)共振器。提供一電氣連接通孔的方法可包含置放一第一組隙環(huán)共振器于接近一導(dǎo)體的一第一末端，其中該導(dǎo)體經(jīng)由一非傳導(dǎo)層以連接電氣訊號；并且置放一第二組隙環(huán)共振器于接近該導(dǎo)體的一第二末端，其是與該導(dǎo)體的該第一末端相對。該第一組共振器是位于一第一層，其實質(zhì)平行于該非傳導(dǎo)層；且該第二組共振器是位于一第二層，其實質(zhì)平行于該非傳導(dǎo)層。在此方法，該導(dǎo)體可實質(zhì)上在該第一組隙環(huán)共振器及該第二組隙環(huán)共振器中每一組的中心。該第一組隙環(huán)共振器及該第二組隙環(huán)共振器中的每一組可傳導(dǎo)性地與所有其它傳導(dǎo)材料隔離。每一組的第一隙環(huán)共振器的最外圍直徑可小于每一組的第二隙環(huán)共振器的最內(nèi)圍直徑，且該導(dǎo)體的最外圍直徑可小于每一組的第一隙環(huán)共振器的最內(nèi)圍直徑。該方法可進(jìn)一不包含連接一第一訊號線至該導(dǎo)體的該第一末端，并且連接一第二訊號線至該導(dǎo)體的該第二末端。每一組的該第一隙環(huán)共振器的裂隙可相對于每一組的該第二隙環(huán)共振器的裂隙。在另一具體實施例中，提供了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)可包含電氣傳導(dǎo)通孔；第一訊號線，其位于第一金屬層，該第一金屬層連接至通孔的第一末端；以及第二訊號線，其位于第二金屬層，該第二金屬層連接至通孔的第二末端。第一隙環(huán)共振器組以及第二隙環(huán)共振器組(其包含至少兩個同心隙環(huán)共振器)是位在實質(zhì)平行于第一金屬層以及第二金屬層的各個平面中。第一組及第二組環(huán)狀共振器是設(shè)置以使通孔末端的外緣是實質(zhì)上被各個第一金屬層以及第二金屬層上的第一組以及第二組最內(nèi)圍環(huán)的投影所圍繞。在此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該通孔可實質(zhì)上在該第一金屬層的該第一組隙環(huán)共振器的中心及該第二金屬層的該第二組隙環(huán)共振器的中心。每一隙環(huán)共振器可傳導(dǎo)性地與所有其它傳導(dǎo)材料隔離。每一組的所述隙環(huán)共振器可以是不同的直徑，且具有最小直徑的隙環(huán)共振器的最內(nèi)圍直徑可大于該通孔的直徑。該第一及第二組隙環(huán)共振器可占據(jù)由該第一及第二金屬層所限制的一區(qū)域之外的層，或另外地，該第一及第二組隙環(huán)共振器可占據(jù)由該第一及第二金屬層所限制的一區(qū)域之中的層。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)亦可包含一電容，其橫跨稱接每一個隙環(huán)共振器的裂隙。該第一及第二組隙環(huán)共振器可電磁地耦接至該通孔。在又另一具體實施例中，提供了電路基板。電路基板可包含兩或多層其含有至少一個電氣傳導(dǎo)訊號線，包含一第一層以及一第二層，其中第一層以及第二層可由非傳導(dǎo)材料所分隔。電路基板可亦包含至少一個電氣傳導(dǎo)通孔，其延伸穿過非傳導(dǎo)材料且可耦接第一層以及第二層的訊號線。亦可包含多組的共振器，包含至少第一組以及第二組。每一組可包含多個同心隙環(huán)共振器，，其包含至少第一隙環(huán)共振器以及第二隙環(huán)共振器。第一組共振器可位于第一平面，其實質(zhì)平行于第一層。同樣地，第二組共振器可位于第二平面，其實質(zhì)平行于第二層。通孔、第一組以及第二組是設(shè)置以使得通孔是實質(zhì)上可在第一層以及第二層上的各組共振器的投影中的中心。在此電路基板，該第三及第四層可在由該非傳導(dǎo)材料所占據(jù)的一區(qū)域之內(nèi)。每一隙環(huán)共振器可傳導(dǎo)性地與所有其它傳導(dǎo)材料隔離。其將理解成各種其它的具體實施例是在以下的詳細(xì)敘述以及申請專利范圍中提出。


各種觀念以及優(yōu)勢將藉由審查下方詳細(xì)敘述以及參考圖式而變得顯而易見，其中圖I顯示配置有隙環(huán)共振器的通孔的透視圖；圖2顯示配置有隙環(huán)共振器的通孔的頂視圖，其建構(gòu)成隙環(huán)共振器；圖3-1顯示了每個環(huán)有2個裂隙的隙環(huán)共振器結(jié)構(gòu)；圖3-2顯示了每個環(huán)有4個裂隙的隙環(huán)共振器結(jié)構(gòu)；
圖4顯示了具有4個隙環(huán)共振器的隙環(huán)共振器組；圖5顯示了配置有增加電容的隙環(huán)共振器組；圖6-1顯示了八角形的隙環(huán)共振器組；圖6-2顯示了正方形的隙環(huán)共振器組；圖7-1顯示了配置有2個隙環(huán)共振器組的通孔的側(cè)視7-2顯示了配置有4個隙環(huán)共振器組的通孔的側(cè)視7-3顯示了配置有4個隙環(huán)共振器組的通孔的側(cè)視7-4顯示了配置有4個隙環(huán)共振器組的通孔的側(cè)視圖，其中所有共振器組是放置在訊號線之間；圖8-1顯示了配置有2個隙環(huán)共振器組及兩個具有參考電壓的傳導(dǎo)板的通孔；圖8-2顯示了配置有隙環(huán)共振器組及具有參考電壓的傳導(dǎo)板的通孔的頂視圖；以及圖9說明藉由模擬來決定隙環(huán)共振器設(shè)計參數(shù)的程序流程圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的實施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。一個或多個具體實施例避免了在電路中的阻抗不匹配。較高的阻抗是藉由每一個通孔末端的額外隙環(huán)共振器(SSR)所達(dá)成。隙環(huán)共振器是由傳導(dǎo)環(huán)所組成，該傳導(dǎo)環(huán)是藉由空氣或其它介電材料的非傳導(dǎo)間隙而斷裂在一個(或數(shù)個)位置。當(dāng)環(huán)放置在電磁場時，電磁擾動造金屬環(huán)中的感應(yīng)環(huán)狀電流，其反過來導(dǎo)致電荷跨過間隙累積。由于位在間隙的電荷所建立的電場抵消環(huán)狀電流，其導(dǎo)致能量被(顯著地)儲存在間隙的鄰近處，且磁場能量集中在環(huán)所包圍的區(qū)域中。因此， 隙環(huán)共振器是對垂直磁場反應(yīng)的共振器，且可以由間隙的有效電容以及環(huán)所定義的回路的有效電感所描繪?？梢跃途哂泄舱耦l率W2Hi= 1/LC的共振LC電路方面來了解，其中L是環(huán)的電感且C是隙環(huán)共振器的電容。當(dāng)訊號經(jīng)過連接通孔的訊號線，電流產(chǎn)生通過隙環(huán)共振器的電磁場。訊號邊緣的上升以及下降產(chǎn)生電磁場的改變，其在環(huán)中感應(yīng)電流且造成隙環(huán)共振器的共振。環(huán)的共振修改磁場，且因而修改通孔及訊號線連接的感應(yīng)阻抗。隙環(huán)共振器的共振反應(yīng)以及其在電磁場上的效應(yīng)是取決于隙環(huán)共振器的結(jié)構(gòu)及布置。圖I顯示配置隙環(huán)共振器的通孔的透視圖。通孔106是分別在通孔的頂部和底部耦接至訊號線102、128。在訊號線128上方以及訊號線102下方是兩組分別的隙環(huán)共振器， 其實質(zhì)上圍繞通孔106。隙環(huán)共振器組實質(zhì)上圍繞該通孔，其中兩個環(huán)是環(huán)繞通孔。所顯示的每一組包含兩個隙環(huán)共振器外部隙環(huán)共振器104、120以及內(nèi)部隙環(huán)共振器112、126。 內(nèi)部隙環(huán)共振器以及外部隙環(huán)共振器的間隙是在位置108、110、122以及124。環(huán)組是沿著 z軸而設(shè)置，使得它們與訊號線102傳導(dǎo)性地隔離。為了容易說明，術(shù)語上方、下方、頂部以及底部是使用來描述該描述的組件之間的位置關(guān)系。習(xí)于此技術(shù)者將認(rèn)知這些術(shù)語并非意欲限制，因為翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)頂部至底部將不會改變結(jié)構(gòu)的特征。實際上，訊號線128、102是由非傳導(dǎo)層(未顯示)所分隔。訊號線是位在兩個平行的平面中，其界定該非傳導(dǎo)層。在所顯示的通孔構(gòu)造中，兩個隙環(huán)共振器組是位于兩訊號線平面之間的非傳導(dǎo)層中。隙環(huán)共振器組亦可被認(rèn)為是位于訊號線平面之間。在此，這些詞組是可交換地使用。隙環(huán)共振器組是位于接近通孔的末端，但與訊號線平面分隔一段距離，以足夠讓隙環(huán)共振器組與訊號線傳導(dǎo)性地隔離。通孔106可以是實心或替代性地可以是具有傳導(dǎo)材料壁面的中空圓柱。藉由調(diào)整隙環(huán)共振器的共振頻率，由流過訊號線及通孔的電流所產(chǎn)生的磁場通量電阻是被調(diào)整，且通孔的阻抗會增加。圖2顯示了圖I的經(jīng)配置通孔的頂視圖。通孔208是在隙環(huán)共振器組202、204的中心。該隙環(huán)共振器是定向使得內(nèi)環(huán)以及外環(huán)的裂隙206、210是分別彼此相對。隙環(huán)共振器的共振反應(yīng)是取決于隙環(huán)共振器的電容。隙環(huán)共振器的電容是來自于裂隙與相鄰環(huán)之間的間隔。間隔實質(zhì)上形成平行板電容。在平行板電容中，電容是直接與導(dǎo)體板的表面面積成比例，且與板之間的分隔距離成反比。電容是藉由方程式C= εΑ/S所指定，其中C是間隔的電容，ε是分隔物的介電常數(shù)，A是平行板的面積，且S是分隔距離或間隔尺寸。增加間隔尺寸造成電容的減少，因此增加了隙環(huán)共振器的共振頻率。同樣地，隙環(huán)共振器可以包含各種數(shù)量的環(huán)裂隙。圖3-1顯示了每個環(huán)有兩個裂隙的隙環(huán)共振器結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中，內(nèi)部裂隙以及外部裂隙是藉由90度旋轉(zhuǎn)一個環(huán)而分隔。圖3-2顯示了每個環(huán)有四個裂隙的隙環(huán)共振器結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中，內(nèi)部裂隙以及外部裂隙是藉由45度旋轉(zhuǎn)一個環(huán)而分隔。增加環(huán)裂隙的數(shù)量造成每一個環(huán)中的電容數(shù)量增加。然而，當(dāng)環(huán)串聯(lián)連接時，電容降低。當(dāng)加入額外的裂隙時，每個環(huán)的電容變成1/ (C1+C2+C3. . . . . Cn)，其中每個各別裂隙的電容表示在方程式的分母。因此，在圖3_2的雙倍數(shù)量裂隙的隙環(huán)共振器中，所造成的電容是圖3-1的隙環(huán)共振器的一半。因此，隙環(huán)共振器組的共振頻率增加。相反地，電容可以藉由增加隙環(huán)共振器的環(huán)數(shù)量而增加。額外的環(huán)造成增加環(huán)之間的交互電容，其反過來造成每個隙環(huán)共振器組的共振頻率降低。圖4顯示了具有四個隙環(huán)共振器402、404、406、408的隙環(huán)共振器組。相鄰共振器環(huán)的方向改變共振器環(huán)的交互電容。在顯示于圖4的結(jié)構(gòu)中，相鄰環(huán)是經(jīng)定向，使得內(nèi)部環(huán)以及外部環(huán)的環(huán)裂隙是彼此相對。然而，此類定向是不需要的，且一個或多個其它具體實施例可以包含不同的定向。需了解的是內(nèi)部裂隙以及外部裂隙的方向可以被調(diào)整，以用于各種應(yīng)用。共振器環(huán)可以對稱地定向，使得相鄰環(huán)的裂隙對齊。當(dāng)相鄰環(huán)對齊以使裂隙對稱地定向時，交互電容變得非常小。當(dāng)對稱地定向時，環(huán)數(shù)量的增加在系統(tǒng)的電容上將有微不足道的影響。如果環(huán)是定向以移動間隙彼此遠(yuǎn)離，則交互電容增加。需了解的是使用來實施一個或多個具體實施例的隙環(huán)共振器組可以包含任何數(shù)量的環(huán)。此外，如果需要更多電容，電容可以耦接至一個間隙的每一邊以設(shè)定電容。圖5顯示具有經(jīng)增加電容的一組隙環(huán)共振器。該組包含內(nèi)部裂隙環(huán)504以及外部裂隙環(huán)502。電容506、508是跨接至各個內(nèi)部環(huán)以及外部環(huán)的環(huán)裂隙間隙。亦可以改變環(huán)的寬度以調(diào)整電容。改變環(huán)寬度的效應(yīng)是藉由相鄰環(huán)之間的交互電容控制。增加環(huán)的深度是增加相鄰環(huán)之間的表面面積。因此，增加環(huán)的深度將造成增加的電容。實際上，裂隙環(huán)的尺寸、寬度、直徑以及數(shù)量是僅受限于訊號線及組件的尺寸、長度及間距的封裝設(shè)計規(guī)則。舉例來說，可以限制隙環(huán)共振器的內(nèi)部環(huán)的直徑，使得與通孔所提供的傳導(dǎo)訊號路徑維持一特定距離?？梢允褂迷诒景l(fā)明的各種具體實施例的隙環(huán)共振器并且不受限于圓形環(huán)。隙環(huán)共振器可以制造成各種不同形狀。圖6-1以及6-2各自顯示可以使用的非環(huán)狀的隙環(huán)共振器組。圖6-1顯示了八角形的隙環(huán)共振器組。圖6-2顯示了正方形的隙環(huán)共振器組。顯示在圖6-2中的正方形隙環(huán)共振器是典型地使用在隙環(huán)共振器應(yīng)用中，因為它們?nèi)菀字圃斐尚〕叽纭Ａ?xí)于此技術(shù)者將了解任何各種其它的多邊形可以被建構(gòu)成與設(shè)計限制以及目標(biāo)一致。圖7-1、7-2、7_3以及7_4顯示具有各種結(jié)構(gòu)的隙環(huán)共振器的通孔的側(cè)視圖。這些圖式說明了隙環(huán)共振器組可以放置在每一個訊號線的上方或下方。又，可以使用各種數(shù)量的隙環(huán)共振器組于指定結(jié)構(gòu)中。一個范例結(jié)構(gòu)使用偶數(shù)個隙環(huán)共振器組，使得相同數(shù)量的共振器組是關(guān)聯(lián)于每一個訊號線。關(guān)聯(lián)于第一訊號線的隙環(huán)共振器組的布置是鏡射關(guān)聯(lián)于第二訊號線的共振器組的布置。布置是被鏡射成對于一隙環(huán)共振器組位于距離第一訊號線 D處，則有一隙環(huán)共振器組位于距離第二訊號線D處。圖7-1顯示一配置有兩組隙環(huán)共振器的通孔。通孔704是耦接至訊號線706、708。 隙環(huán)共振器組710、712是分別放置在訊號線706上方以及訊號線708下方。實際上，訊號線706、708是藉由非傳導(dǎo)層705所分隔。訊號線是位在兩個平行的平面中，其界定該非傳導(dǎo)層705。隙環(huán)共振器組710、712是放置在平行于訊號線平面的平面中。隙環(huán)共振器組亦放置成使得通孔704是實質(zhì)上位于穿過訊號線平面的環(huán)共振器組714的投影的中心。隙環(huán)共振器組是位于接近通孔的末端，但與訊號線平面分隔一段距離，以足夠讓隙環(huán)共振器組與訊號線傳導(dǎo)性地隔離。 圖7-2顯示了一配置有四個隙環(huán)共振器組的通孔。如圖7-1，通孔704是耦接至訊號線706、708。隙環(huán)共振器組710、712是分別放置在訊號線706上方以及訊號線708下方。 兩個額外的隙環(huán)共振器組714、716是分別放置在訊號線之間，訊號線706下方以及訊號線 708上方。如圖7-1的結(jié)構(gòu)，通孔704是在隙環(huán)共振器組的投影的中心。隙環(huán)共振器組為一對且放置成鏡射排列，使得組710、712與各自的訊號線706、708是相等的距離。然而，習(xí)于此技術(shù)者將了解對于特定應(yīng)用來說，不平衡的結(jié)構(gòu)會是所要的，舉例來說，提供從高阻抗訊號線至低阻抗訊號線的漸進(jìn)轉(zhuǎn)變。在具有奇數(shù)數(shù)量的隙環(huán)共振器組的具體實施例中，與訊號線的距離以及環(huán)的數(shù)量和尺寸可以調(diào)整成如上方所述，以設(shè)定通孔的每一個末端的阻抗。圖7-3顯示了一配置有六個隙環(huán)共振器組的通孔。如圖7-2，通孔704是耦接至訊號線706、708。隙環(huán)共振器組710、712是分別放置在訊號線706上方以及訊號線708下方。 隙環(huán)共振器組714、716是分別放置在訊號線之間的非傳導(dǎo)層(未顯示)中、訊號線706下方以及訊號線708上方。此外，兩個隙環(huán)共振器組718、720是放置在共振器組714、716之間。較佳的是隙環(huán)共振器組718、720是放置在靠近個別組714、716處，使得各個組之間有交互電容。在訊號線上方的隙環(huán)共振器組的數(shù)量排列不需和下方的數(shù)量相同如圖7-3所示。 在此結(jié)構(gòu)中，四個隙環(huán)共振器組714、716、718、720是放置在含有訊號線的平面之間的非傳導(dǎo)層中，且兩個隙環(huán)共振器組710、712是放置在訊號線平面之間的平面組的外部。在另一個結(jié)構(gòu)中，較多數(shù)量的隙環(huán)共振器組是放置在平面子組的外部，該平面子組是被訊號線平面之間的非傳導(dǎo)層所占據(jù)。此另一個結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生相似于圖7-3中的排列的結(jié)果。圖7-4顯示了配置有四個隙環(huán)共振器組的通孔，其中所有共振器組是放置在訊號線之間。通孔704是耦接至訊號線706、708。隙環(huán)共振器組714、716是分別放置在訊號線之間，訊號線706下方以及訊號線708上方。隙環(huán)共振器組718、720是放置在共振器組714、 716之間。在另一個結(jié)構(gòu)中，隙環(huán)共振器組是放置在訊號線外部，而在訊號線之間不具有隙環(huán)共振器組。此另一個構(gòu)造將產(chǎn)生相似于圖7-4中的排列的結(jié)果。圖8-1顯示了配置有兩個隙環(huán)共振器組以及兩個傳導(dǎo)板的通孔。通孔804是耦接至訊號線806、808。隙環(huán)共振器組810、812是分別放置在訊號線806上方以及訊號線808， 下方。傳導(dǎo)板816、818是分別放置在靠近共振器組、組810的上方以及組812的下方處。每一個板是連接至接地參考電壓814。圖8-2顯示了另一種參考板排列的通孔結(jié)構(gòu)。在圖8-2中，顯示了通孔804以及環(huán)組810的頂視圖。傳導(dǎo)板816是顯示具有切割，其大于隙環(huán)共振器組的直徑。當(dāng)參考板是切割如圖8-2所顯示時，參考板可以放置在任何平面，使得它們與隙環(huán)共振器、通孔以及訊號線傳導(dǎo)性地隔離。一個鄰近隙環(huán)共振器組的阻抗是取決于由板所提供的接地參考及隙環(huán)共振器組之間的距離。圖9說明程序流程圖，其藉由模擬來決定隙環(huán)共振器的設(shè)計參數(shù)。具有所要的環(huán)結(jié)購的通孔設(shè)計是在步驟902被讀取進(jìn)模擬環(huán)境。設(shè)計是在步驟904被模擬。基于模擬結(jié)果，通孔阻抗值是在步驟906被決定。在決定步驟908，如果阻抗是在所要的范圍中，則程序完成且可以如所配置地實施通孔。否則，在步驟910調(diào)整設(shè)計參數(shù)。調(diào)整設(shè)計參數(shù)包含但不受限于組的數(shù)量；組的位置；在每一組中環(huán)的數(shù)量；環(huán)的長度/寬度；間隔寬度以及間隔電容值。在已經(jīng)調(diào)整設(shè)計參數(shù)之后，在步驟904再次模擬設(shè)計，且在步驟906決定阻抗。重復(fù)調(diào)整步驟以及模擬步驟， 直到在決定步驟908中所決定的阻抗是在所要的范圍內(nèi)。習(xí)于此技術(shù)者將理解各種選擇性的計算配置，其包含一個或多個處理器以及配置程序代碼的內(nèi)存排列將適合用于實施模擬處理以決定隙環(huán)共振器設(shè)計參數(shù)。一個或多個具體實施例是被認(rèn)為可實施于各種的通孔結(jié)構(gòu)及使用。其它觀念以及具體實施例對擅長此技術(shù)者將是顯而易見。說明書及說明的具體實施例僅意欲被認(rèn)為是范例，本發(fā)明的實際范疇以及精神是藉由下列申請專利范圍所說明。
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權(quán)利要求
1.一種電氣連接通孔，其包含一導(dǎo)體，其穿過一非傳導(dǎo)層連接電氣訊號；多組隙環(huán)共振器，其包含至少一第一組及一第二組共振器，其中每一組包含多個隙環(huán)共振器，其包含至少一第一及第二隙環(huán)共振器；其中該第一組共振器位于實質(zhì)平行于該非傳導(dǎo)層的一第一層；其中該第二組共振器位于實質(zhì)平行于該非傳導(dǎo)層的一第二層；以及其中該第一組共振器位于接近該導(dǎo)體的一第一末端且該第二組共振器位于接近該導(dǎo)體的一第二末端，其中該導(dǎo)體的該第一末端與該導(dǎo)體的該第二末端相對。
2.根據(jù)申請專利范圍第I項所述的電氣連接通孔，其中該導(dǎo)體實質(zhì)上在該第一組隙環(huán)共振器及該第二組隙環(huán)共振器中每一組的中心。
3.根據(jù)申請專利范圍第I或2項所述的電氣連接通孔，其中該第一組隙環(huán)共振器及該第二組隙環(huán)共振器中的每一組傳導(dǎo)性地與所有其它傳導(dǎo)材料隔離。
4.根據(jù)申請專利范圍第I至3項中任一項所述的電氣連接通孔，其中每一組的第一隙環(huán)共振器的最外圍直徑小于每一組的的第二隙環(huán)共振器的最內(nèi)圍直徑，且該導(dǎo)體的最外圍直徑小于每一組的第一隙環(huán)共振器的最內(nèi)圍直徑。
5.根據(jù)申請專利范圍第I至4項中任一項所述的電氣連接通孔，其中該第一及第二層在該非傳導(dǎo)層之中。
6.根據(jù)申請專利范圍第I至4項中任一項所述的電氣連接通孔，其中該第一及第二層在該非傳導(dǎo)層之外。
7.根據(jù)申請專利范圍第I至6項中任一項所述的電氣連接通孔，其更進(jìn)一步地包含一電容，其橫跨耦接每一個隙環(huán)共振器的裂隙。
8.根據(jù)申請專利范圍第I至7項中任一項所述的電氣連接通孔，其更進(jìn)一步地包含一第一訊號線，其連接至該導(dǎo)體的該第一末端，以及一第二訊號線，其連接至該導(dǎo)體的該第二末端。
9.根據(jù)申請專利范圍第I至8項中任一項的電氣連接通孔，其更進(jìn)一步地包含一第一及一第二電氣傳導(dǎo)平面，其耦接至各自的參考電壓且分別電磁地耦接至該第一及第二組隙環(huán)共振器。
10.一種提供一電氣連接通孔的方法，其包含置放一第一組隙環(huán)共振器于接近一導(dǎo)體的一第一末端，其中該導(dǎo)體經(jīng)由一非傳導(dǎo)層以連接電氣訊號；置放一第二組隙環(huán)共振器于接近該導(dǎo)體的一第二末端，其與該導(dǎo)體的該第一末端相對；其中該第一組共振器位于一第一層，其實質(zhì)平行于該非傳導(dǎo)層；且其中該第二組共振器位于一第二層，其實質(zhì)平行于該非傳導(dǎo)層。
11.根據(jù)申請專利范圍第10項所述的方法，其更進(jìn)一步地包含實質(zhì)上將該導(dǎo)體置于該第一組隙環(huán)共振器及該第二組隙環(huán)共振器中每一組的中心。
12.根據(jù)申請專利范圍第10項所述的方法，其更進(jìn)一步地包含傳導(dǎo)性地隔離該第一組隙環(huán)共振器及該第二組隙環(huán)共振器中的每一組與所有其它傳導(dǎo)材料。
13.根據(jù)申請專利范圍第10至12項中任一項所述的方法，其中每一組的第一隙環(huán)共振器的最外圍直徑小于每一組的第二隙環(huán)共振器的最內(nèi)圍直徑，且該導(dǎo)體的最外圍直徑小于每一組的第一隙環(huán)共振器的最內(nèi)圍直徑。
14.根據(jù)申請專利范圍第10至13項中任一項所述的方法，其更進(jìn)一步地包含連接一第一訊號線至該導(dǎo)體的該第一末端，并且連接一第二訊號線至該導(dǎo)體的該第二末端。
15.根據(jù)申請專利范圍第10至14項中任一項所述的方法，其中每一組的該第一隙環(huán)共振器的裂隙相對于每一組的該第二隙環(huán)共振器的裂隙。
全文摘要
通孔(106)典型是具有低于連接至它們的訊號線(102、128)的阻抗。造成阻抗不匹配的噪聲及反射訊號會需要電路操作在遠(yuǎn)低于所要的頻率。一個具體實施例避免電路中的阻抗不匹配，且藉由加入隙環(huán)共振器(104、112、120、126)至通孔(106)的每一末端以提供具有較高阻抗的通孔(106)以達(dá)成技術(shù)上的進(jìn)步。
文檔編號H01L23/66GK102598261SQ201080048739
公開日2012年7月18日 申請日期2010年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月27日
發(fā)明者克里斯多夫·P·懷蘭德 申請人:吉林克斯公司