專利名稱：在晶片上接合芯片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1的方法。
背景技術(shù)：
由于在半導(dǎo)體工業(yè)中占優(yōu)勢的微型化壓力，需要可以用來制造所謂的“3D集成芯片”(3D IC)的方法。3D IC由芯片堆疊構(gòu)成，在所述芯片堆疊中，多個(gè)芯片互相垂直地堆疊，并且存在著穿過硅通向垂直相鄰芯片的連接。這些連接被稱為“Through Silicon Via (穿過硅的通孔)” (TSV)0人們期望這種芯片在較低成本的情況下具有更高的封裝密度以及更高的效率。除此之外，可以由此制造新的類型和形式的芯片。對于3D IC的制造原則上考慮不同的方法， 也就是將單個(gè)芯片很費(fèi)時(shí)地堆疊到單個(gè)芯片上，也稱為“芯片到芯片”(C2C)方法，或?qū)⒕询B到晶片上，也稱為“晶片到晶片”(W2W)方法。最后還討論了所謂的芯片到晶片方法， "Chip to Wafer (芯片到晶片)”(C2W)。由于顯著的技術(shù)問題，合理的技術(shù)轉(zhuǎn)化迄今沒有成功。本發(fā)明涉及一種用于制造3D IC的技術(shù)上可實(shí)施的C2W方法。C2C方法由于低的生產(chǎn)量引起了較高的生產(chǎn)成本，并且因此在大規(guī)模生產(chǎn)中可能得不到應(yīng)用。W2W方法要求兩個(gè)晶片具有同樣的大小并且在兩個(gè)晶片上的芯片具有同樣的大小。在此的問題是，尤其是在較高芯片堆疊中的硅利用率低于平均水平(所謂的“產(chǎn)率”)。 工作芯片處的可達(dá)到的芯片產(chǎn)率也比在C2C方法或C2W方法情況下的低。在轉(zhuǎn)化制造芯片堆疊或3D IC的C2W方法時(shí)的技術(shù)問題是對尤其是其上堆疊有芯片的晶片的操作，以及對于堆疊過程和對于在印制電路板上或原則上在上級封裝單元上用于安裝的芯片連接器(接口)的不同要求，尤其是溫度?；A(chǔ)晶片的操作因此具有重要的意義，因?yàn)樵诜蛛x晶片上的多個(gè)芯片堆疊之前不久的基礎(chǔ)晶片的斷裂可能導(dǎo)致上千個(gè)昂貴芯片的報(bào)廢。基礎(chǔ)晶片越薄和/或面積越大，對其上固定/接合有多個(gè)芯片堆疊的基礎(chǔ)晶片的操作則越困難。將在其上以C2W方法堆疊芯片的晶片稱為基礎(chǔ)晶片。US2007/001281 Al涉及一種用于制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的方法，其中為了簡化生產(chǎn)物流，在制造存儲(chǔ)器芯片時(shí)將芯片堆疊在基礎(chǔ)晶片上并然后以樹脂澆鑄。在澆鑄之后，將存儲(chǔ)器芯片與其相鄰的存儲(chǔ)器芯片分離。在制造時(shí)，尤其是在澆入存儲(chǔ)器芯片時(shí)以及在從載體脫開時(shí)和在可能的隨后的過程步驟中，成問題的尤其是各種構(gòu)件的存在于芯片堆疊中的不同材料的不同熱膨脹。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是，說明一種以盡可能高的生產(chǎn)量來制造盡可能準(zhǔn)確定位的芯片堆疊(3D IC)的盡可能沒有廢品的方法。該任務(wù)用權(quán)利要求1的特征來解決。在從屬權(quán)利要求中說明了本發(fā)明的有利的改進(jìn)方案。由至少兩個(gè)在說明書中、在權(quán)利要求和/或附圖中所說明的特征構(gòu)成的所有組合也落入本發(fā)明的范圍。在所說明的數(shù)值范圍的情況下，位于所述極限內(nèi)的值顯然也應(yīng)視作為極限值，并且可以以任意的組合要求保護(hù)。本發(fā)明所基于的思想在于，至少在基礎(chǔ)晶片上堆疊芯片期間和在芯片的熱處理期間，對基礎(chǔ)晶片進(jìn)行固定以在載體上接合晶片或?qū)⒒A(chǔ)晶片與載體連接，并且最晚在熱處理之前至少部分地分隔基礎(chǔ)晶片，尤其是分隔成優(yōu)選互相分離的芯片堆疊片段。通過在載體上固定基礎(chǔ)晶片，可以用C2W方法的令人驚奇的生產(chǎn)量優(yōu)點(diǎn)將芯片堆放或?qū)⑿酒胖迷诨A(chǔ)晶片上的定義位置中的方法步驟與將芯片熱處理或接合在基礎(chǔ)晶片上的(一個(gè)或多個(gè))方法步驟分離。當(dāng)熱處理或接合步驟一根據(jù)所使用的材料一可能持續(xù)很長時(shí)間時(shí)，芯片在基礎(chǔ)晶片上的定位或堆疊和放置是可以很順暢運(yùn)行的方法步驟，例如以每小時(shí)若千個(gè)芯片運(yùn)行。此外，如果基礎(chǔ)晶片在熱處理時(shí)還以分隔成較小部分的方式存在，則不同構(gòu)件/材料的熱膨脹顯然較少影響芯片堆疊的質(zhì)量。芯片堆疊由于分隔的原因較少地由于不同的膨脹而受到應(yīng)力。由此可以提高生產(chǎn)量，其方式是設(shè)置多個(gè)熱處理室/接合站，和/或在一個(gè)熱處理室/接合站中加工具有堆疊的芯片的多個(gè)基礎(chǔ)晶片。作為熱處理室考慮熱板、直通式加熱爐或類似物?？梢杂迷试S在熱處理過程期間施加壓力到芯片上的修改過的晶片接合室來實(shí)現(xiàn)特別有利的過程。與另外的方法相比較，特別有利的是在本方法中可以堆疊不同大小的芯片的可能性。此外，通過使用不僅僅松散地與基礎(chǔ)晶片相連接的載體可以補(bǔ)償基礎(chǔ)晶片的應(yīng)力或翹曲，或抵制這些應(yīng)力或翹曲。所述操作還被進(jìn)一步簡化，其方式是，載體至少部分地由硅和/或玻璃構(gòu)成，并且基本上對應(yīng)于基礎(chǔ)晶片的大小，尤其是在半徑上偏離該基礎(chǔ)晶片不多于10 mm、尤其是5 讓、優(yōu)選2 mm、更優(yōu)選1 mm。特別有利的固定裝置是負(fù)壓或真空、靜電裝置、機(jī)械夾具和/或粘合劑，其中優(yōu)選使用耐熱的粘合劑，以便在熱處理時(shí)的高溫情況下也確保將基礎(chǔ)晶片可靠地固定在載體上。不同的固定裝置或效應(yīng)的組合在此一根據(jù)要建立連接的方式或芯片堆疊的高度或由于其它的因素一可以導(dǎo)致進(jìn)一步改善的操作。在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施形式中，對施加到垂直相鄰芯片上的導(dǎo)電薄片的對準(zhǔn)和接觸直接在定義位置中放置芯片時(shí)分別用相對應(yīng)的位于其下的芯片層的導(dǎo)電連接來進(jìn)行。芯片產(chǎn)率可以在本方法中有利地通過如下方式來改進(jìn)，即在放置芯片時(shí)注意將芯片僅放置到位于其下層的工作的芯片上。更優(yōu)選的是，檢查所有與要放置的芯片在工作時(shí)相連接的芯片的功能，并且只有在所有在工作時(shí)與該芯片要連接的芯片起作用時(shí)才放置芯片。在熱處理時(shí)或在接合步驟中，在晶片和放置在其上的芯片之間或在所放置的芯片之間產(chǎn)生導(dǎo)電連接。在此情況下有利的是，在優(yōu)選沒有氧氣的合適氣氛中進(jìn)行加熱，以便避免金屬接觸面的氧化。這尤其是可通過采用氮?dú)鈿夥栈蛄硪环N例如氬的惰性氣氛來達(dá)到， 其中對于有些應(yīng)用特別有利的是不僅惰性的而且也還原的氣氛。這種特性例如可以通過氮?dú)浠旌蠚饣蛳佀嵴魵鈦磉_(dá)到。氮?dú)浠旌蠚庠诖丝梢酝ㄟ^H2與N2的混合一尤其是在洲H2 對98% N2和15% H2對85% N2之間的混合一形成。在該混合物中，也可以由另外的惰性氣體來代替N2。為了在放置芯片之后更好地操作芯片并且芯片不滑動(dòng)，有利的是將芯片在放置之后預(yù)固定，尤其是優(yōu)選用在隨后的接合步驟期間蒸發(fā)的有機(jī)粘合劑來粘合芯片。替代地可以通過有利地自發(fā)地在室溫下例如在Si面、Si02面或SiN面之間形成的分子連接來固定芯片。一種另外的替代方案是超聲焊接。有利地在溫度< 280°C、尤其是< 250°C、優(yōu)選< 220 的情況下尤其是連續(xù)地 (durchg^ingig)進(jìn)行熱處理。根據(jù)本發(fā)明所采用的粘合劑必須適用于上述的溫度，其中這樣的粘合劑在不久前才完全可供使用。這種粘合劑的示例是美國Brewer-Science公司的 HAT系列。在本發(fā)明的一種特別的擴(kuò)展方案中，基礎(chǔ)晶片尤其是通過背面研磨(RUckdUrmen) 具有少于200 μ m、尤其是少于100 μ m、優(yōu)選少50 μ m、更優(yōu)選少于20 μ m的厚度。特別是許多芯片容納在具有至少200 mm、尤其是至少300 mm、優(yōu)選至少450 mm的
直徑的基礎(chǔ)晶片上。在本發(fā)明的一種特別的實(shí)施形式中，由于本發(fā)明才可以在步驟b或c之后施加焊珠(所謂的“solder bump (焊料塊)”或“C4_bump (C4塊)”)以將每個(gè)芯片堆疊與電路板或原則上與上一級的封裝單元相連接。焊珠由具有低熔點(diǎn)的金屬合金構(gòu)成，并且一般用來將芯片/芯片堆疊與另外的電氣/電子構(gòu)件相連接。尤其是在使用具有貫穿基礎(chǔ)晶片的導(dǎo)電連接(TSV)的基礎(chǔ)晶片時(shí)有利的是，將在步驟b或c之后的芯片或芯片堆疊澆入到尤其是通過高的熱穩(wěn)定性和/或機(jī)械穩(wěn)定性和/ 或排水特性表征的物質(zhì)中，所述物質(zhì)尤其是由有機(jī)材料和/或由陶瓷材料構(gòu)成。特別優(yōu)選一種實(shí)施形式，在該實(shí)施形式中，在所述物質(zhì)中至少部分地包含環(huán)氧樹脂，或者所述物質(zhì)完全由環(huán)氧樹脂構(gòu)成。在本發(fā)明的一種特別的實(shí)施形式中，包含環(huán)氧樹脂的物質(zhì)可以用纖維強(qiáng)化。有利地，在室溫下或在更高的溫度下來澆入液態(tài)形式的物質(zhì)。在本發(fā)明的一種有利的實(shí)施形式中，在澆入之后對所述物質(zhì)施加壓力，這尤其是通過在大氣壓力下、優(yōu)選在真空中執(zhí)行澆入之后卸壓到大氣壓力來進(jìn)行。此外，由此達(dá)到了用所述物質(zhì)來充填可能的縫隙和/或空腔，這有益于芯片堆疊的長時(shí)間可靠性。通過優(yōu)選熱固性物質(zhì)的作用，可以有利地在澆入之后從載體上取下基礎(chǔ)晶片。在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施形式中如此加工所述物質(zhì)，即在澆入之后或在澆入期間將所述物質(zhì)放入與基礎(chǔ)晶片相對應(yīng)的基本模型中和/或?qū)⑽镔|(zhì)剝離、尤其是磨削至芯片的最上層。由此進(jìn)一步簡化了對由基礎(chǔ)晶片、所澆入的芯片和所述物質(zhì)構(gòu)成的物體的繼續(xù)操作，并且尤其是可以動(dòng)用對于操作已知的設(shè)計(jì)。通過剝離所述物質(zhì)，可以有利地將冷卻體施加到最上層上，其方式是提供精確平整的表面。本發(fā)明的一種特別優(yōu)選的實(shí)施形式在于，基礎(chǔ)晶片和/或載體由硅構(gòu)成，也就是載體同樣是晶片。該載體可用已知的設(shè)計(jì)來操作并且具有以下的附加優(yōu)點(diǎn)，即只要基礎(chǔ)晶片和載體由硅構(gòu)成，則載體的熱膨脹系數(shù)是同樣的。


由優(yōu)選實(shí)施例的以下描述以及借助附圖得出了本發(fā)明的其它的優(yōu)點(diǎn)、特征和細(xì)節(jié)。所述附圖在如下圖中示出
圖1 用于實(shí)施本發(fā)明方法的設(shè)備的構(gòu)造， 圖2a 本發(fā)明基礎(chǔ)晶片的示意圖， 圖2b 本發(fā)明的臨時(shí)接合步驟的示意圖， 圖2c 本發(fā)明背面研磨步驟的示意圖，
圖2d 用于構(gòu)成基礎(chǔ)晶片中的導(dǎo)電連接的本發(fā)明步驟的示意圖， 圖2e 背側(cè)金屬化、尤其是將導(dǎo)電薄片施加到基礎(chǔ)晶片的表面上的本發(fā)明步驟的示意
圖，
圖2f 本發(fā)明的定位步驟和熱處理步驟的示意圖， 圖2g 本發(fā)明澆入步驟的示意圖，
圖2h 用于將載體與基礎(chǔ)晶片脫開的本發(fā)明脫開步驟的示意圖， 圖2i 本發(fā)明清潔步驟的示意圖， 圖2k 用于施加焊珠的本發(fā)明步驟的示意圖， 圖21 本發(fā)明的施加到薄膜框架上的示意圖， 圖2m 本發(fā)明分離步驟的示意圖， 圖2η 本發(fā)明芯片堆疊的示意圖。
具體實(shí)施例方式在這些圖中用相同的附圖標(biāo)記標(biāo)明相同的構(gòu)件和具有相同功能的構(gòu)件。在圖1中示出了用于實(shí)施本發(fā)明方法的設(shè)備的示意性構(gòu)造，其中在將基礎(chǔ)晶片1 在站B. 1上安裝或以其它方式例如預(yù)安裝到載體5上并且在薄膜揭除站B. 2上揭下了從以前的背面研磨過程中存在的背面研磨薄膜(back grinding tape (背面研磨帶))之后，在區(qū)域A中進(jìn)行根據(jù)圖2f的將芯片層放置在基礎(chǔ)晶片1上。經(jīng)由具有機(jī)器人臂R的機(jī)器人B. 3進(jìn)行對具有基礎(chǔ)晶片1的載體5的操作。在操作模塊B上設(shè)置了盒式站B. 4，從該盒式站B. 4中提取或再次輸出對于制造芯片堆疊16的方法所需要的材料和/或構(gòu)件。在芯片放置系統(tǒng)A中放置了芯片之后，將具有基礎(chǔ)晶片1和在基礎(chǔ)晶片1上堆疊的必要時(shí)經(jīng)由粘合劑固定的芯片9的載體5引導(dǎo)到接合站C以用于熱處理或用于將芯片接合到基礎(chǔ)晶片1上。在熱處理期間或在接合期間，已經(jīng)可以用芯片9裝配下一個(gè)基礎(chǔ)晶片 1。接合站C也可以由多個(gè)接合單元構(gòu)成，因?yàn)榻雍弦话凑找蟾艣r一尤其是與芯片的放置相比可能需要大量的時(shí)間。對于接合在基礎(chǔ)晶片1上的芯片堆疊16的其它處理步驟一諸如在切割(Dicing) 模塊中分離芯片堆疊16—在附圖1中沒有示出，但是這些其它處理步驟可以連接到接合站 C上，或優(yōu)選設(shè)置在操作模塊B的區(qū)域中，也就是在圖1中設(shè)置在操作模塊B之上，以便可以通過機(jī)器人臂R來操作芯片堆疊16。在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施形式中，載體5也還可以在切割模塊中采用，由此在與基礎(chǔ)晶片1接合之后也可以繼續(xù)可靠地操作芯片堆疊16。在圖2a中示出了由硅構(gòu)成的基礎(chǔ)晶片1，該基礎(chǔ)晶片1的前側(cè)2通過以前的處理步驟裝配有導(dǎo)電薄片3’，這些導(dǎo)電薄片3’探出了前側(cè)2的表面?；A(chǔ)晶片1由放入到前側(cè)2中的分隔槽17劃分成芯片堆疊片段lc。分隔槽17以有利的方式僅在基礎(chǔ)晶片1的一部分厚度上延伸，也就是延伸到基礎(chǔ)晶片在稍后的步驟中從其背側(cè)進(jìn)行背面研磨的那樣深?；A(chǔ)晶片1根據(jù)圖2b經(jīng)由連接劑4與載體5—在這里同樣是由硅構(gòu)成的晶片一相連接，以便可以從基礎(chǔ)晶片1的背側(cè)6來背面研磨(參閱圖2c)。在此，基礎(chǔ)晶片1以及因此芯片堆疊片段Ic在背面研磨時(shí)被準(zhǔn)自動(dòng)地分隔，由此稍后的、尤其是不同的熱膨脹對于芯片堆疊的質(zhì)量具有顯著較小的影響。根據(jù)圖2d，在基礎(chǔ)晶片1背側(cè)6的每個(gè)薄片3’的區(qū)域中，建立了從基礎(chǔ)晶片1的背側(cè)6達(dá)到相應(yīng)薄片3’的電連接7。在基礎(chǔ)晶片1的背側(cè)6上，為了電接觸設(shè)置在芯片9處的導(dǎo)電薄片3，將導(dǎo)電薄片 8施加到導(dǎo)電連接7上(參閱圖2c)。在本發(fā)明的特定實(shí)施形式中，芯片9也可以直接與導(dǎo)電連接7接觸，或建立另外的導(dǎo)電連接點(diǎn)。根據(jù)圖2f，芯片9以其設(shè)置在下側(cè)10處的薄片3被施加到導(dǎo)電薄片8上。該過程順序可以在各個(gè)放置步驟之間有或沒有熱處理步驟或接合步驟的情況下來進(jìn)行。將芯片9 放置在基礎(chǔ)晶片1上在芯片放置站A上進(jìn)行。在根據(jù)圖2g的方法步驟中，芯片9被澆入到在本實(shí)施例中為環(huán)氧樹脂的物質(zhì)11 中。由于在澆鑄步驟之前的本發(fā)明之前的分隔，可能的熱膨脹尤其是在材料的熱膨脹系數(shù)不同的情況下產(chǎn)生顯著較少的影響。有利地通過合適的材料選擇或材料配對，可以借助毛細(xì)管作用，必要時(shí)通過施加壓力輔助地來充填如在圖2η中可明顯看到的空腔18。在接合芯片9和使物質(zhì)11固化之后可以除去載體5，因?yàn)橥ㄟ^物質(zhì)11實(shí)現(xiàn)了薄的基礎(chǔ)晶片1的足夠的穩(wěn)定化。載體5的脫開可以自動(dòng)地通過在根據(jù)圖2g的澆入步驟中溶解連接劑4來(與熱有關(guān)地)進(jìn)行。此外可能有利的是，在后面的過程步驟中單獨(dú)地執(zhí)行脫開步驟，其中可以要么以熱學(xué)、化學(xué)方式要么通過外部能量源(例如UV光、紅外光、激光或微波)的作用來觸發(fā)脫開步驟。在圖2h中脫開了載體5，并且在圖2i中，尤其是通過在清潔步驟中的清潔除去了連接劑4。在根據(jù)圖2k的方法步驟中，旋轉(zhuǎn)基礎(chǔ)晶片1以將焊珠12施加到薄片3’上(參閱圖2i)，使得前側(cè)2從現(xiàn)在起指向上方。焊珠12用來將芯片堆疊16 (3D IC)在稍后連接到電路板或高一級的封裝單元/芯片層上。作為在薄片3，3’，8和/或芯片9之間連接的材料有一系列的變型可以考慮。原則上可以在金屬化合物、有機(jī)化合物、無機(jī)化合物和混合化合物之間進(jìn)行區(qū)分。在金屬化合物的范圍中可以考慮金屬擴(kuò)散化合物、在接合期間形成的共晶化合物、以及在接合之前已經(jīng)存在的和在接合期間實(shí)現(xiàn)了合金熔化的共晶體。后面的這些也是以球的形式施加到薄片 3,3'上并且能夠在實(shí)際上不施加壓力的情況下建立連接的焊珠12。還可以考慮傳導(dǎo)的聚合物。在根據(jù)圖21的方法步驟中，具有芯片堆疊16和焊珠12的基礎(chǔ)晶片1被放在固定在分割框架13 (Dicing Frame (分割框架))處的薄膜14上，以便隨后根據(jù)圖2m將芯片堆疊16互相分離(分割)。在分隔槽17的區(qū)域中，尤其是與基礎(chǔ)晶片1正交地進(jìn)行分離。作為結(jié)果獲得了在圖2η中示出的分隔開的芯片堆疊16 (3D IC)，該芯片堆疊16 (3D IC)由基礎(chǔ)晶片1的芯片堆疊片段Ic構(gòu)成，該芯片堆疊片段Ic具有貫穿基礎(chǔ)晶片1的導(dǎo)電連接 7 (通孔)、經(jīng)由導(dǎo)電薄片3，8連接到通孔7的芯片9、以及安放到薄片3’處的焊珠12和物質(zhì)11。 附圖標(biāo)記列表
A 芯片放置站 B 操作模塊 B. 1 轉(zhuǎn)送站 B. 2 薄膜揭除站 B. 3 具有機(jī)器人臂的機(jī)器人 B. 4 盒式站 C 接合站 R 機(jī)器人臂
1基礎(chǔ)晶片
Ic 芯片堆疊片段
2前側(cè) 3,3'導(dǎo)電薄片
4連接劑
5載體
6背側(cè)
7導(dǎo)電連接
8導(dǎo)電薄片
9芯片
10下側(cè)
11物質(zhì)
12焊珠
13分離框架
14薄膜
16芯片堆疊
17分隔槽
18空腔
權(quán)利要求
1.用于將多個(gè)芯片(9)接合到基礎(chǔ)晶片(1)上的方法，其中將芯片(9)以至少一層堆疊在基礎(chǔ)晶片(1)上，并且建立用于連接其它垂直相鄰芯片的導(dǎo)電連接(7)，所述方法具有以下的步驟a)將基礎(chǔ)晶片(1)固定在載體(5)上；b)將至少一層芯片(9)放置在基礎(chǔ)晶片(1)上的定義位置中，和c)在與載體(5)固定的基礎(chǔ)晶片(1)上對芯片(9)進(jìn)行熱處理，其特征在于，在步驟c)之前，將基礎(chǔ)晶片(1)至少部分地分隔成基礎(chǔ)晶片(1)的分離的芯片堆疊片段(lc)。
2.按照權(quán)利要求1的方法，其中在不同的設(shè)備中實(shí)施步驟b)和c)。
3.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中為了固定使用固定裝置，尤其是真空、靜電裝置、機(jī)械夾具和/或粘合劑，優(yōu)選耐熱的粘合劑。
4.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中在將芯片(9)放置在定義位置中時(shí)，將施加在芯片(9)上的導(dǎo)電薄片(3)分別與相對應(yīng)的導(dǎo)電薄片(8)對準(zhǔn)和接觸以連接位于其下的芯片層。
5.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中在放置之后，優(yōu)選用有機(jī)粘合劑來粘接芯片 (9)，或通過分子連接來固定芯片(9)。
6.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中在溫度<^0°C、尤其是< 250°C、優(yōu)選< 220 的情況下，尤其是連續(xù)地進(jìn)行熱處理。
7.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中在步驟b)或c)之后，將芯片(9)或芯片堆疊 (16)澆入到尤其是通過高的熱穩(wěn)定性和/或機(jī)械穩(wěn)定性和/或化學(xué)穩(wěn)定性和/或排水特性來表征的物質(zhì)(11)中，所述物質(zhì)(11)尤其是由有機(jī)材料、優(yōu)選環(huán)氧樹脂構(gòu)成或由陶瓷材料構(gòu)成。
8.按照權(quán)利要求7的方法，其中在澆入之后從載體(5)取下基礎(chǔ)晶片(1)。
9.按照權(quán)利要求7或8的方法，其中在澆入之后或在澆入期間，將具有物質(zhì)(11)和澆入在物質(zhì)(11)中的芯片(9)的基礎(chǔ)晶片(1)放入到與基礎(chǔ)晶片(1)相對應(yīng)的基本模型中， 和/或?qū)⑽镔|(zhì)(U)剝離、尤其是磨削至芯片(9)的最上層。
10.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中在步驟b)或C)之后，尤其是在澆入之后，施加焊珠(12)以將每個(gè)芯片堆疊(16)與電路板或另一芯片相連接。
11.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中基礎(chǔ)晶片(1)和/或載體(5)至少絕大部分由硅構(gòu)成。
12.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中將至少兩層芯片(9)施加到基礎(chǔ)晶片(1)上。
13.按照權(quán)利要求1至6之一的方法，其中在步驟b)或c)之后，用物質(zhì)(11)、尤其是熱塑性材料來熱壓印芯片(9)或芯片堆疊。
14.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中在將芯片堆疊(16)與相鄰的芯片堆疊(16)分離之前，將具有堆疊在其上的芯片(9)的基礎(chǔ)晶片(1)固定在分離框架(13)上。
15.按照以上權(quán)利要求之一的方法，其中在背面研磨時(shí)對基礎(chǔ)晶片(1)進(jìn)行分隔。
全文摘要
用于將多個(gè)芯片(3)接合到在前側(cè)包含芯片(3’)的基礎(chǔ)晶片(1)上的方法，其中在基礎(chǔ)晶片(1)的背側(cè)以至少一個(gè)層堆疊芯片(3)，并且在垂直相鄰的芯片(3，3’)之間建立導(dǎo)電連接(7)，所述方法具有以下的步驟a)將基礎(chǔ)晶片(1)的前側(cè)(2)固定在載體(5)上，b)將至少一層芯片(3)放置在基礎(chǔ)晶片(1)的背側(cè)(6)上的定義位置中，和c)在與載體(5)固定的基礎(chǔ)晶片(1)上熱處理芯片(3，3’)，其特征在于，在步驟c)之前，將基礎(chǔ)晶片(1)的芯片(3’)至少部分地分隔成基礎(chǔ)晶片(1)的分離的芯片堆疊片段(1c)。
文檔編號H01L21/98GK102484100SQ201080041417
公開日2012年5月30日 申請日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月18日
發(fā)明者溫普林格 M. 申請人:Ev 集團(tuán) E·索爾納有限責(zé)任公司