專利名稱：Y型六角晶系鐵氧體及其制造方法和使用其的天線裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在通信終端中使用的天線。具體而言，本發(fā)明涉及Y型六角晶系鐵氧體、用于制造Y型六角晶系鐵氧體的方法和使用所述Y型六角晶系鐵氧體的天線裝置。
背景技術(shù)：
當(dāng)前的無線通信系統(tǒng)提供各種多媒體服務(wù)，包括基于全球定位系統(tǒng)(GPS)的服務(wù)、基于藍(lán)牙的服務(wù)、基于互聯(lián)網(wǎng)的服務(wù)等等。為了順利地提供這樣的服務(wù)，需要高速率的數(shù)據(jù)傳輸來支持大量的多媒體數(shù)據(jù)。一種符合上述要求的方法是提高在通信終端中使用的天線的性能。根據(jù)對于通信終端的改進(jìn)的移動性或便攜性的市場需求，存在使得這樣的終端更小、更薄、更輕和具有更多功能的日益增長的趨勢?；谏鲜觯瑥囊苿咏K端的機(jī)體伸出的傳統(tǒng)天線可能對便攜性產(chǎn)生不利影響并且很容易受到外部振動或碰撞的影響。因此，近來開發(fā)的大多數(shù)天線被嵌入到終端內(nèi)，即以稱為內(nèi)置的方式來制造。在這種情況下，利用在具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)載體上的電路圖案(pattern)來形成天線。這樣的天線的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它們的縮減的尺寸。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題因而，由于天線基于具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料來制造，所以它的諧振頻帶可能相當(dāng)窄。一個(gè)已知的擴(kuò)展帶寬的方法是簡單地增大天線的電路圖案，在這種情況下，還將使得電介質(zhì)載體的尺寸增加。然而，這導(dǎo)致了在期望天線帶寬更寬和尺寸更小之間的兩難情形。技術(shù)方案本發(fā)明的一個(gè)方面是至少解決上述問題和/或缺點(diǎn)，以及至少提供下面所述的優(yōu)點(diǎn)。相應(yīng)地，本發(fā)明的一個(gè)方面是提供具有較寬的帶寬而不會犧牲天線的尺寸的天線。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于制造Y型六角晶系鐵氧體的方法。所述方法包括混合氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷；在給定煅燒溫度煅燒混合的氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷，以化合成基鐵氧體(base ferrite)中；并且在將硅酸鹽玻璃添加到所述基鐵氧體中后，在給定燒結(jié)溫度燒結(jié)所述基鐵氧體和所述硅酸鹽玻璃，其中，所述燒結(jié)溫度低于所述煅
i^ilm, ο在一個(gè)示范性實(shí)施例中，所述燒結(jié)溫度的范圍可從1000°C到1180°C。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種Y型六角晶系鐵氧體的組合物。所述組合物包括由氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷組成的基鐵氧體；和添加到所述基鐵氧體中的硅酸鹽玻璃。 在一個(gè)示范性實(shí)施例中，硅酸鹽玻璃的重量百分比的范圍從0. 5到5，并且被添加到重量百分比為100的基鐵氧體中。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，所述硅酸鹽玻璃包括重量百分比為60-100的二氧化硅、重量百分比為0-20的二氧化硼、重量百分比為0-10的氧化鋰、重量百分比為0-5的氧化鉀、重量百分比為0-5的氧化鈉和重量百分比為0-5的氧化鋇。根據(jù)本發(fā)明的仍一方面，提供一種使用Y型六角晶系鐵氧體的天線裝置。所述天線裝置包括磁載體，由Y型六角晶系鐵氧體形成，所述Y型六角晶系鐵氧體包括由氧化鐵、 碳酸鋇和氧化鈷組成的基鐵氧體、以及添加到所述基鐵氧體中的硅酸鹽玻璃；以及天線圖案，形成在所述磁載體的表面上，并且在提供電力時(shí)在特定頻帶中諧振。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，所述磁載體包括重量百分比的范圍從0. 5到5、并且被添加到重量百分比為100的基鐵氧體中的硅酸鹽玻璃。在這樣的天線裝置中，所述頻帶的范圍可從OHz到5GHz，并且在所述天線圖案諧振時(shí)，所述磁載體的磁導(dǎo)率和介電常數(shù)中的至少一個(gè)可被維持。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，從下面結(jié)合附圖進(jìn)行的公開了本發(fā)明的示范性實(shí)施例的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的其他方面、優(yōu)點(diǎn)和突出特征將變得明顯。技術(shù)效果本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了利用Y型六角晶系鐵氧體的天線裝置，在所述Y型六角晶系鐵氧體中，硅酸鹽玻璃被添加到基鐵氧體中，以便它可以促進(jìn)可用于天線裝置的頻帶的帶寬的增加。這依賴于可以抑制由于天線裝置在擴(kuò)展帶寬中操作導(dǎo)致的損耗率的Y型六角晶系鐵氧體的高頻特性。也就是說，這是因?yàn)楫?dāng)天線裝置運(yùn)行時(shí)Y型六角晶系鐵氧體的磁導(dǎo)率接近被維持在從至少OHz到5GHz的特定范圍內(nèi)。因此，雖然天線裝置的尺寸沒有增大，但是天線裝置可以采用更大的帶寬。換句話說，可以實(shí)現(xiàn)更寬的帶寬，而不犧牲天線裝置的小尺寸特性。


從下面結(jié)合附圖進(jìn)行的描述，本發(fā)明的特定示例實(shí)施例的以上和其他方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的用于制造Y型六角晶系鐵氧體的方法的流程圖。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的利用Y型六角晶系鐵氧體的天線裝置的透視圖。圖3到10是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的天線裝置的特性的圖。貫穿附圖，應(yīng)當(dāng)注意相似的附圖標(biāo)記用于指代相同或類似的元件、特征和結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式提供下面參照附圖進(jìn)行的說明以幫助對由權(quán)利要求及其等效內(nèi)容限定的本發(fā)明的示范性實(shí)施例的全面理解。它包括用于幫助理解的各種特定細(xì)節(jié)，但是應(yīng)當(dāng)理解這些僅僅是示范性的。相應(yīng)地，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下可以對所述實(shí)施例進(jìn)行各種改變和修改。而且，出于清楚和簡潔目的，省略對公知功能和結(jié)構(gòu)的描述。在下面說明書和權(quán)利要求中使用的術(shù)語和詞匯不限于字面含義，而是僅僅由發(fā)明人用來使得能夠清楚和一致地理解本發(fā)明。因此，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說應(yīng)當(dāng)清楚提供本發(fā)明的示范性實(shí)施例的下面說明僅僅是出于描述目的，而不是出于限制由所附權(quán)利要求及其等效內(nèi)容限定的本發(fā)明的目的。應(yīng)當(dāng)理解，單數(shù)形式“一”和“此”包括復(fù)數(shù)指代，除非上下文清楚地說明除外。因而。例如，“一個(gè)組件表面”的指代包括對于一個(gè)或多個(gè)這樣的表面的指代。根據(jù)本發(fā)明的一示范性實(shí)施例，Y型六角晶系鐵氧體是一種磁材料，并且是由基鐵氧體(Ba2Co2Fe12O22)和硅酸鹽玻璃組成。在該Y型六角晶系鐵氧體中，基鐵氧體是主要成分，而硅酸鹽玻璃添加到其中。當(dāng)基鐵氧體的重量百分比(WT% )是100時(shí)，則硅酸鹽玻璃的重量百分比的范圍可以從0.5到5。而且，Y型六角晶系鐵氧體具有大于4.6X103kg/m3 的密度并且還具有高的堅(jiān)硬度。基鐵氧體由氧化鐵(Fe2O3)、碳酸鈣(Ba2CO2)和氧化鈷(Co3O4或CoO)組成。具體而言，重量百分比為100的基鐵氧體包含具有59-60的重量百分比的氧化鐵、具有20-20. 5 的重量百分比的碳酸鈣以及具有20-20. 5的重量百分比的氧化鈷。硅酸鹽玻璃由二氧化硅(Si02)、氧化硼( )、氧化鋰(Li2O)、氧化鉀(K2O)、氧化鈉(Na2O)和氧化鋇(BaO)中的至少一種組成。具體而言，重量百分比為100的硅酸鹽玻璃包含重量百分比為60-100的二氧化硅、重量百分比為0-20的氧化硼、重量百分比為0-10 的氧化鋰、重量百分比為0-5的氧化鉀、重量百分比為0-5的氧化鈉和重量百分比為0-5的氧化鋇。例如，重量百分比為100的硅酸鹽玻璃可包含重量百分比為65的二氧化硅、重量百分比為20的氧化硼、重量百分比為7的氧化鋰、重量百分比為5的氧化鉀、以及重量百分比為3的氧化鋇。可替換地，重量百分比為100的硅酸鹽玻璃可包含重量百分比為65的二氧化硅、重量百分比為20的氧化硼、重量百分比為7的氧化鋰、重量百分比為5的氧化鈉、 以及重量百分比為3的氧化鋇。在一些情況中，所述硅酸鹽玻璃可以是石英玻璃或者氣相二氧化硅玻璃，包含重量百分比為100的二氧化硅。這里，根據(jù)組合形式或顆粒的特定表面面積，硅酸鹽玻璃可以分類為石英玻璃或者氣相二氧化硅玻璃。通常，石英玻璃由微米級別的顆粒組成，而氣相二氧化硅玻璃由納米級別的顆粒組成。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的用于制造Y型六角晶系鐵氧體的方法的流程圖。參見圖1，在步驟110中，稱量組成Y型六角晶系鐵氧體的各成分。通過稱重過程， 分別準(zhǔn)備重量百分比為60的氧化鐵、重量百分比為20的碳酸鈣以及重量百分比為20的氧化鈷。而且，對于氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷的總的重量百分比，準(zhǔn)備重量百分比為0. 5-5的硅酸鹽玻璃。這里，對于重量百分比為100的硅酸鹽玻璃，分別準(zhǔn)備重量百分比為60-100 的二氧化硅、重量百分比為0-20的氧化硼、重量百分比為0-10的氧化鋰、重量百分比為0-5 的氧化鉀、重量百分比為0-5的氧化鈉、重量百分比為0-5的氧化鋇。在步驟120，利用濕法混合過程，將氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷混合到一起。具體而言，在行星式磨機(jī)中，通過大約每分鐘200轉(zhuǎn)(RPM)的高速旋轉(zhuǎn)，氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷被碾壓成粉末，并且然后利用合適的溶劑來混合。在一個(gè)示范性實(shí)施中，可以執(zhí)行該濕法混合過程大約3個(gè)小時(shí)。在步驟130中，氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷經(jīng)歷烘干過程，在該烘干過程中，它們在烤爐中被烘干。在該步驟中，溶劑被除去。在一個(gè)示范性實(shí)施中，例如，烘干溫度和烘干時(shí)間分別為大約120°C和大約12小時(shí)。在步驟140，氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷經(jīng)歷煅燒過程并且被化合成基鐵氧體。具體而言，該步驟對氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷進(jìn)行物理和化學(xué)改變，從其中去除雜質(zhì)，并且形成基鐵氧體?？梢允褂霉滔喾磻?yīng)來化合氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷。在一個(gè)示范性實(shí)施中，例如， 煅燒溫度和時(shí)間分別為大約1200°C -1300°C和大約2個(gè)小時(shí)。在步驟150中，作為碾磨過程的一部分，硅酸鹽玻璃被添加到基鐵氧體中。具體而言，在行星式磨機(jī)中，通過大約200RPM的高速旋轉(zhuǎn)，基鐵氧體和硅酸鹽玻璃被壓碎成粉末， 并且然后混合到一起。在一個(gè)示范性實(shí)施中，例如，研磨時(shí)間大約為3小時(shí)。在步驟160，通過制粒過程，基鐵氧體和硅酸鹽玻璃彼此粘合。通過使用諸如聚乙烯醇(PVA)之類的粘結(jié)劑，可以形成它們的粘合物。關(guān)于基鐵氧體和硅酸鹽玻璃的總的重量百分比，可以添加重量百分比為7的PVA。在步驟170，通過壓制過程，基鐵氧體和硅酸鹽玻璃被壓縮到一起。這里，基鐵氧體和硅酸鹽玻璃形成具有受控的密度的期望形式。在一個(gè)示范性實(shí)施中，可以對基鐵氧體、硅酸鹽玻璃和粘結(jié)劑施加大約lton/cm2 (噸/平方厘米)的壓力。在步驟180，利用粘合劑燃盡過程，從基鐵氧體和硅酸鹽玻璃中去除粘合劑。在一個(gè)示范性實(shí)施中，例如，處理溫度和時(shí)間分別為大約450°C和大約4個(gè)小時(shí)。在步驟190，基鐵氧體和硅酸鹽玻璃被燒結(jié)以進(jìn)一步將基鐵氧體和硅酸鹽玻璃彼此粘合在一起。通過燒結(jié)，例如，基鐵氧體和硅酸鹽玻璃具有4. 6X 103kg/m3或更大的密度。在常規(guī)的溫度執(zhí)行燒結(jié)過程。該燒結(jié)溫度應(yīng)當(dāng)?shù)陀谏鲜龅撵褵郎囟?，并且因而其范圍?000°C到1180°C。在一個(gè)示范性實(shí)施中，燒結(jié)溫度的范圍可從1090°C到1110°C。例如， 燒結(jié)時(shí)間大約為2個(gè)小時(shí)。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的利用Y型六角晶系鐵氧體的天線裝置的透視圖。此外，圖3到10是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的天線裝置的特性的圖。下面示例基于以印刷電路板(PCB)的形式形成天線裝置的假設(shè)。參照圖2，天線裝置200包括板體210、接地層220、磁載體230和天線圖案M0。板體210提供天線裝置200的可支撐的基座。一般，板體210具有包括至少4個(gè)角的平板結(jié)構(gòu)，并且主要由絕緣材料形成。板體210的上表面分成天線區(qū)域211和接地區(qū)域213。天線區(qū)域211可以被設(shè)置成占據(jù)板體210的至少兩個(gè)角。此外，板體210可以在下表面上具有饋送區(qū)域。提供接地層220以用于天線裝置200的接地。接地層220形成在板體210的接地區(qū)域213中，并且可以被形成為覆蓋接地區(qū)域213。提供磁載體230以用于提高和保持天線裝置200的性能。更具體地，磁載體230 由上述的Y型六角晶系鐵氧體形成。在一個(gè)示范性實(shí)施中，磁載體230具有某一厚度的平板結(jié)構(gòu)。而且，磁載體230可被置于和粘附到板體210的上表面上的天線區(qū)域211中。提供天線圖案240用于天線裝置200的實(shí)際操作。在一示范性實(shí)施中，天線圖案 240可以由包括銀(Ag)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)等中的至少一種的導(dǎo)電材料形成，并且形成在磁載體230的表面上。這里，天線圖案240可以通過諸如打印、電鍍、 沉積、噴鍍等的傳統(tǒng)圖案化工藝來形成。而且，天線圖案240具有接近接地層220的饋送點(diǎn)對1，并且從該饋送點(diǎn)241開始延伸以便具有特定形狀。饋送點(diǎn)241可以穿透板體210并且到達(dá)板體210的下表面。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例，天線圖案240可以由至少一個(gè)平行部件電路和至少一個(gè)垂直部件電路組成，它們連接到至少一個(gè)彎曲部分，并且通過該至少一個(gè)彎曲部分來彼此區(qū)分開。例如，天線圖案240可以被形成為一特定類型的傳輸線，如彎曲類型、螺旋類型、臺階類型、環(huán)狀類型等等。而且，可以以倒L天線(ILA)、倒F天線(IFA)、單極天線等的形式來設(shè)計(jì)天線圖案對0。天線裝置200在預(yù)定的頻帶中發(fā)送和接收信號。即，當(dāng)通過饋送點(diǎn)241提供電能時(shí)，天線圖案240在特定頻帶中諧振，并且由此傳遞信號。這里，天線圖案MO的諧振頻帶可以從OHz到5GHz中選擇，并且也根據(jù)天線圖案240的尺寸、形狀等來進(jìn)行調(diào)整。天線裝置200的特性可依賴于磁載體230的尺寸。也就是說，可根據(jù)磁載體230 的尺寸來調(diào)整用于天線圖案MO的諧振的頻帶。例如，當(dāng)磁載體230被形成為具有較小的尺寸時(shí)，天線圖案240可以在較高的帶寬中諧振。在一個(gè)示例中，磁載體230分別具有40毫米的長度(CL)、5毫米的寬度(CW)和5 毫米的厚度(CH)。而且，在接地層220和磁載體230之間的距離(⑶)是3毫米。而且，在倒 F天線(IFA)結(jié)構(gòu)中，天線圖案240具有2毫米的寬度(PW)以及在饋送電路和短路電路之間的3毫米的距離(PD)。而且，接地層220具有90毫米的長度(GL)和50毫米的寬度(GW)。 在這種情況下，天線裝置200具有圖3所示的特性。即，天線裝置200在820-960MHZ的大約150MHz帶寬的頻帶中諧振。這里，天線裝置200在820-960MHZ的頻帶中具有52-99%的平均為71%的輻射強(qiáng)度。在另一個(gè)示例中，磁載體230分別具有15毫米的長度(CL)、5毫米的寬度(CW)和5 毫米的厚度(CH)。而且，在接地層220和磁載體230之間的距離(⑶)是3毫米。而且，在倒 F天線(IFA)結(jié)構(gòu)中，天線圖案240具有2毫米的寬度(PW)以及在饋送電路和短路電路之間的3毫米的距離(PD)。而且，接地層220具有90毫米的長度(GL)和50毫米的寬度(GW)。 在這種情況下，天線裝置200具有圖4所示的特性。S卩，天線裝置200在1710-1990MHZ的大約250MHz帶寬的頻帶中諧振。這里，天線裝置200在1710-1990MHZ的頻帶中具有33-79% 的平均為59%的輻射強(qiáng)度。而且，當(dāng)天線圖案240在OHz和5GHz之間諧振時(shí)，磁載體230的磁導(dǎo)率(μ，μ，， μ ”)和介電常數(shù)(ε，ε ’，ε ”)中的至少一個(gè)被維持在特定范圍內(nèi)。這里，當(dāng)磁載體230 的磁導(dǎo)率被維持時(shí)，磁載體230的損耗率在OHz和5GHz之間得到抑制。換句話說，磁載體 230在天線圖案240諧振時(shí)具有低損耗，磁載體230的Y型六角晶系鐵氧體具有高頻特性。 這些高頻特性可依賴于Y型六角晶系鐵氧體的成分，特別是硅酸鹽玻璃。如表1中所示，高頻特性可以是類似的，而與在Y型六角晶系鐵氧體中的硅酸鹽玻璃相關(guān)的至少一個(gè)因素(即，添加的成分、添加的量和燒結(jié)溫度)無關(guān)。在表1中，玻璃A 是指包含重量百分比為65的二氧化硅、重量百分比為20的氧化硼、重量百分比為7的氧化鋰、重量百分比為5的氧化鉀、以及重量百分比為3的氧化鋇的硅酸鹽玻璃。此外，玻璃B 是指石英玻璃，而玻璃C是指氣相二氧化硅玻璃。表 權(quán)利要求
1.一種用于制造Y型六角晶系鐵氧體的方法，所述方法包括混合氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷；在給定煅燒溫度煅燒混合的氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷，以化合成基鐵氧體；并且在將硅酸鹽玻璃添加到所述基鐵氧體中后，在給定燒結(jié)溫度燒結(jié)所述基鐵氧體和所述硅酸鹽玻璃，其中，所述燒結(jié)溫度低于所述煅燒溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述燒結(jié)溫度的范圍從1000°C到1180°C。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述燒結(jié)溫度的范圍從1090°C到1110°C。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述基鐵氧體和所述硅酸鹽玻璃的燒結(jié)執(zhí)行大約兩個(gè)小時(shí)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述基鐵氧體和所述硅酸鹽玻璃的燒結(jié)包括將重量百分比的范圍從0. 5到5的硅酸鹽玻璃添加到重量百分比為100的基鐵氧體中。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括執(zhí)行稱重過程，在所述稱重過程中，對于重量百分比為100的硅酸鹽玻璃，分別準(zhǔn)備重量百分比為60-100的二氧化硅、重量百分比為0-20 的氧化硼、重量百分比為0-10的氧化鋰、重量百分比為0-5的氧化鉀、重量百分比為0-5的氧化鈉、以及重量百分比為0-5的氧化鋇。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述硅酸鹽玻璃包括石英玻璃和氣相二氧化硅玻璃中的一種。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述稱重過程包括準(zhǔn)備重量百分比為65的二氧化硅、重量百分比為20的氧化硼、重量百分比為7的氧化鋰、重量百分比為5的氧化鉀和氧化鈉之一、以及重量百分比為3的氧化鋇。
9.一種Y型六角晶系鐵氧體的組合物，所述組合物包括由氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷組成的基鐵氧體；和添加到所述基鐵氧體中的硅酸鹽玻璃。
10.如權(quán)利要求9所述的組合物，其中，重量百分比的范圍從0.5到5的硅酸鹽玻璃被添加到重量百分比為100的基鐵氧體中。
11.如權(quán)利要求10所述的組合物，其中，所述硅酸鹽玻璃包括重量百分比為60-100的二氧化硅、重量百分比為0-20的氧化硼、重量百分比為0-10的氧化鋰、重量百分比為0-5 的氧化鉀、重量百分比為0-5的氧化鈉和重量百分比為0-5的氧化鋇。
12.如權(quán)利要求11所述的組合物，其中，所述硅酸鹽玻璃包括石英玻璃和氣相二氧化硅玻璃中的一種。
13.如權(quán)利要求11所述的組合物，其中，所述硅酸鹽玻璃包括重量百分比為65的二氧化硅、重量百分比為20的氧化硼、重量百分比為7的氧化鋰、重量百分比為5的氧化鉀和氧化鈉中的一個(gè)、以及重量百分比為3的氧化鋇。
14.如權(quán)利要求10所述的組合物，其中，所述基鐵氧體包括重量百分比為60的氧化鐵、重量百分比為20的碳酸鋇和重量百分比為20的氧化鈷。
15.一種天線裝置，包括Y型六角晶系鐵氧體，所述裝置包括磁載體，由Y型六角晶系鐵氧體形成，所述Y型六角晶系鐵氧體包括由氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷組成的基鐵氧體、以及添加到所述基鐵氧體中的硅酸鹽玻璃；和天線圖案，形成在所述磁載體的表面上，并且在提供電源時(shí)在特定頻帶中諧振。
16.如權(quán)利要求15所述的天線裝置，其中，所述硅酸鹽玻璃的重量百分比的范圍從0.5 到5，并且被添加到重量百分比為100的基鐵氧體中。
17.如權(quán)利要求15所述的天線裝置，其中，所述頻帶的范圍從OHz到5GHz，以及其中， 在所述天線圖案諧振時(shí)，所述磁載體的磁導(dǎo)率和介電常數(shù)中的至少一個(gè)被維持。
18.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中，所述硅酸鹽玻璃包括重量百分比為60-100的二氧化硅、重量百分比為0-20的氧化硼、重量百分比為0-10的氧化鋰、重量百分比為0-5的氧化鉀、重量百分比為0-5的氧化鈉和重量百分比為0-5的氧化鋇。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其中，所述硅酸鹽玻璃包括石英玻璃和氣相二氧化硅玻璃中的一種。
20.如權(quán)利要求18所述的裝置，其中，所述硅酸鹽玻璃包括重量百分比為65的二氧化硅、重量百分比為20的氧化硼、重量百分比為7的氧化鋰、重量百分比為5的氧化鉀和氧化鈉中的一個(gè)、以及重量百分比為3的氧化鋇。
全文摘要
提供一種制造Y型六角晶系鐵氧體的方法以及使用該Y型六角晶系鐵氧體的天線。Y型六角晶系鐵氧包括由氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷組成的基鐵氧體以及添加到重量百分比為100的基鐵氧體中的重量百分比范圍為0.5到5的硅酸鹽玻璃。所述天線裝置包括磁載體和在其上形成的天線圖案。所述磁載體由Y型六角晶系鐵氧體組成，并且所述天線圖案在被提供電源時(shí)在特定頻帶中諧振。為了制造Y型六角晶系鐵氧體，執(zhí)行煅燒過程，在所述煅燒過程中，氧化鐵、碳酸鋇和氧化鈷在混合后在給定煅燒溫度被化合成基鐵氧體。執(zhí)行燒結(jié)過程以在向所述基鐵氧體添加硅酸鹽玻璃后在低于煅燒溫度的給定燒結(jié)溫度燒結(jié)所述基鐵氧體和所述硅酸鹽玻璃。
文檔編號H01F41/02GK102598169SQ201080041012
公開日2012年7月18日 申請日期2010年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月28日
發(fā)明者樸一丁, 李重熙, 韓榮浩 申請人:三星電子株式會社, 成均館大學(xué)校產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán)