專利名稱：調(diào)整等離子體處理系統(tǒng)的制作方法
調(diào)整等離子體處理系統(tǒng)
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及等離子體處理系統(tǒng)。特別地，本發(fā)明涉及等離子體處理系統(tǒng)的調(diào)整 (seasoning)等離子體處理室。等離子體處理系統(tǒng)，例如電容耦合等離子體(CCP)系統(tǒng)、電感耦合等離子體(ICP) 系統(tǒng)和變壓器耦合(TCP)等離子體系統(tǒng)，被用在各類工業(yè)中以在晶片上裝配器件。例如，所述各類工業(yè)可包括半導(dǎo)體工業(yè)、磁讀/寫和存儲工業(yè)、光學(xué)系統(tǒng)工業(yè)和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 工業(yè)。等離子體處理系統(tǒng)可在等離子體處理室中產(chǎn)生和保持等離子體以在晶片上進(jìn)行蝕刻和/或沉積從而使得可以在該晶片上形成器件特征(device features) 0有時候，關(guān)于一些重要的參數(shù)，在等離子體室停止操作一段時間后(例如由于一個或更多的工藝故障、閑置或等離子體處理系統(tǒng)的部件的預(yù)防性維護(hù))，等離子體室需要恢復(fù)到穩(wěn)定的、最佳的操作狀態(tài)。將等離子體室恢復(fù)到穩(wěn)定的、最佳的操作狀態(tài)的過程通常被稱為室調(diào)整(chamber seasoning)或CS。等離子體室通常需要被調(diào)整以確保在處理晶片時具有理想的性能。所述CS過程通常包括處理一些調(diào)整晶片(也就是，一般的硅片)和采用傳感器收集重要的處理工藝參數(shù)值以用于確定所述室的狀態(tài)。傳統(tǒng)的等離子體處理系統(tǒng)所包括的傳感器通常是不充足的。因此，會無法得到與CS過程相關(guān)的一些重要的參數(shù)數(shù)據(jù)，導(dǎo)致不能正確地確定等離子體處理室的狀態(tài)。此外，傳統(tǒng)的CS過程基本上依靠經(jīng)驗(yàn)式的實(shí)驗(yàn)和專家經(jīng)驗(yàn)。在一些實(shí)驗(yàn)后，有經(jīng)驗(yàn)的專家會確定并建議需要在所述室中處理的調(diào)整晶片的數(shù)量以使該室進(jìn)入穩(wěn)定的、最佳的操作狀態(tài)，或者調(diào)整的狀態(tài)。依據(jù)專家的經(jīng)驗(yàn)，所述傳統(tǒng)的CS過程可能不會以有系統(tǒng)的方式被執(zhí)行。專家所推薦的調(diào)整晶片的數(shù)量可能是不準(zhǔn)確的或者是非最理想的。如果太多的調(diào)整晶片在CS過程中被處理(這種情況被稱為過度調(diào)整)，將會浪費(fèi)大量時間(特別是需要用于執(zhí)行計量 (metrology)的時間)，相應(yīng)地浪費(fèi)了大量生產(chǎn)能力。如果太少的調(diào)整晶片在CS方法中被處理(這種情況被稱為未充分調(diào)整)，那么具有非最佳重要處理參數(shù)值的未充分調(diào)整或未調(diào)整的等離子體處理室可能會被用來處理產(chǎn)品晶片，其中該產(chǎn)品晶片是相對高成本的薄晶片(filmed wafers)。結(jié)果，等離子體室的部件可能會被損壞，相當(dāng)多數(shù)量的產(chǎn)品晶片可能需要被廢棄和浪費(fèi)，生產(chǎn)時間和其他的資源也可能會被浪費(fèi)，和/或產(chǎn)量也會不理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種用于幫助調(diào)整等離子體處理室的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括計算機(jī)可讀介質(zhì)，該計算機(jī)可讀介質(zhì)至少存儲室調(diào)整程序(或CS程序)。該CS程序可包括用于至少接收第一多個參數(shù)值和第二多個參數(shù)值的編碼程序。所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值與與等離子體處理室的操作相關(guān)的參數(shù)相關(guān)。所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值可來自于由多個傳感器檢測到信號。所述多個傳感器可被配置用于檢測所述多個參數(shù)。所述CS程序還可包括利用所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值來根據(jù)第一套標(biāo)準(zhǔn)(其是一套容錯標(biāo)準(zhǔn))確認(rèn)所述多個參數(shù)的當(dāng)前值是否已穩(wěn)定的編碼程序。所述CS程序還可包括使用所述第二多個參數(shù)值而非所述第一多個參數(shù)值來根據(jù)第二套標(biāo)準(zhǔn)確定所述多個參數(shù)的當(dāng)前值是否已穩(wěn)定在預(yù)定的范圍內(nèi)。該確定可在所述多個參數(shù)的當(dāng)前值根據(jù)所述第一套標(biāo)準(zhǔn)被確認(rèn)已穩(wěn)定以后被執(zhí)行。該系統(tǒng)還可包括成套的電路硬件，用于執(zhí)行與所述CS程序相關(guān)的一個或多個任務(wù)。上述內(nèi)容僅涉及本文所公開的本發(fā)明的多個實(shí)施例中的一個，并且并不是用來限制本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的范圍由本文中的權(quán)利要求列出。本發(fā)明這些和其它特征將會結(jié)合以下附圖在本發(fā)明的詳細(xì)描述中更詳細(xì)地描述。


本發(fā)明在下面的附圖中通過舉例的方式而非限制的方式描述，并且在附圖中相同的參考數(shù)字表示相同的元件，其中根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖1顯示了描述包括室調(diào)整系統(tǒng)(或CS系統(tǒng)) 的等離子體處理系統(tǒng)的示意性框圖。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖2顯示了示意性流程圖，該流程圖描述了與用于幫助調(diào)整等離子體處理室的CS系統(tǒng)相關(guān)的任務(wù)/步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖3A顯示了一示意性的流程圖，該流程圖描述了用于確定基線信息(包括控制限度)的任務(wù)/步驟，所述基線信息用于幫助調(diào)整等離子體處理室。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖IBB顯示了一示意性流程圖，該流程圖顯示了在確定控制限度中用于計算參數(shù)值和相關(guān)的統(tǒng)計結(jié)果的任務(wù)/步驟，所述控制限度用于幫助調(diào)整等離子體處理室。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖3C顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了在確定控制限度中用于創(chuàng)建室調(diào)整矢量(vectors)的任務(wù)/步驟，所述控制限度用于幫助調(diào)整等離子體處理室。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖3D顯示了一流程圖，該流程圖描述了用于計算控制限度的任務(wù)/步驟，所述控制限度用于幫助調(diào)整等離子體室。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖3E顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了在確定控制限度中用于創(chuàng)建室調(diào)整矢量的任務(wù)/步驟，所述控制限度用于幫助調(diào)整等離子體處理室。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖3F顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了用于創(chuàng)建相對度量控制限度和絕對度量控制限度的任務(wù)/步驟，所述相對度量控制限度和絕對度量控制限度用于幫助調(diào)整等離子體處理室。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖4顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了用于計算相對度量和絕對度量的任務(wù)/步驟，所述相對度量和絕對度量用于幫助調(diào)整等離子體處理室。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖5顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了用于確定等離子體處理室是否已經(jīng)穩(wěn)定的任務(wù)/步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖6顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了用于確定等離子體處理室是否已經(jīng)適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定的任務(wù)/步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖7顯示了一流程圖，該流程圖描述了與用于幫助調(diào)整等離子體處理室的CS系統(tǒng)相關(guān)的任務(wù)/步驟。
具體實(shí)施例方式下面參照附圖中所示的幾個實(shí)施例詳細(xì)地描述本發(fā)明。在下面的描述中，說明了許多具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明的透徹的理解。然而，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，顯而易見，本發(fā)明在沒有這些具體細(xì)節(jié)的一部分或所有的情況下也可被實(shí)施。在其它的例子中， 為了不會不必要地使本發(fā)明變得難以理解，一些公知的方法步驟和/或結(jié)構(gòu)沒有被詳細(xì)描述。下面描述了各種實(shí)施例，包括方法和技術(shù)。應(yīng)記住的是本發(fā)明還包含有包括計算機(jī)可讀介質(zhì)的制品，在該計算機(jī)可讀介質(zhì)上存儲有用于執(zhí)行本發(fā)明技術(shù)的實(shí)施例的計算機(jī)可讀指令。所述計算機(jī)可讀介質(zhì)可包括，例如，半導(dǎo)體、磁性的、光電的、光學(xué)的或其它形式的用于存儲計算機(jī)可讀代碼的計算接可讀介質(zhì)。而且，本發(fā)明還包括用于實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例的設(shè)備。這種設(shè)備可包括專用的和/或可編程的電路以實(shí)施與本發(fā)明的實(shí)施例相關(guān)的任務(wù)。這種設(shè)備的例子包括通用計算機(jī)和/或被適當(dāng)編程的專用計算裝置并可包括適用于與本發(fā)明的實(shí)施例相關(guān)的各種任務(wù)的計算機(jī)/計算裝置和專用/可編程電路的組合。本發(fā)明的一個或更多的實(shí)施例涉及用于幫助至少調(diào)整等離子體處理室的室調(diào)整系統(tǒng)(或CS系統(tǒng))。該CS系統(tǒng)可包括至少存儲有室調(diào)整程序(或CS程序)的計算機(jī)可讀介質(zhì)。該CS系統(tǒng)還可包括成套的電路硬件，用于執(zhí)行一個或更多的與該CS程序相關(guān)的任務(wù)。所述CS程序可包括用于至少接收第一多個參數(shù)值和第二多個參數(shù)值的編碼程序。所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值可與與等離子體處理室的操作相關(guān)的多個參數(shù)相關(guān)。所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值可來源于由多個傳感器所檢測到的信號。所述傳感器被配置成檢測所述多個參數(shù)。本發(fā)明的多個實(shí)施例可采用足夠數(shù)量的傳感器(例如，至少3個傳感器)，這些傳感器被適當(dāng)?shù)嘏渲贸墒占糜诒O(jiān)控所述室調(diào)整的足夠的相關(guān)參數(shù)數(shù)據(jù)。有利地，所述等離子體處理室的狀態(tài)可被足夠準(zhǔn)確地確定。所述CS程序也可包括編碼程序，該編碼程序用于根據(jù)第一套標(biāo)準(zhǔn)(或者第一套控制限度(control limits))來確認(rèn)所述多個參數(shù)的當(dāng)前值是否已經(jīng)穩(wěn)定。該確認(rèn)任務(wù)可包括使用所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值來計算相對度量(relative metric) 0 該相對度量與所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值之間的差值相關(guān)。所述CS程序也可包括用于根據(jù)第二套標(biāo)準(zhǔn)(或者第二套控制限度)來確定所述多個參數(shù)的上述的當(dāng)前值是否已經(jīng)穩(wěn)定在預(yù)定的范圍內(nèi)的編碼程序。該確定任務(wù)可在所述多個參數(shù)的當(dāng)前值根據(jù)所述第一套標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)被確認(rèn)已穩(wěn)定以后被執(zhí)行。所述確定任務(wù)可包括使用所述第二多個參數(shù)值而不是所述第一多個參數(shù)值來計算絕對度量(absolute metric)所述CS系統(tǒng)可自動進(jìn)行所述室調(diào)整方法而幾乎不依賴經(jīng)驗(yàn)性的實(shí)驗(yàn)和專家經(jīng)驗(yàn)。因此，可基本防止過度調(diào)整和未充分調(diào)整。有利地，可以保護(hù)生產(chǎn)資源、最小化生產(chǎn)成本并使產(chǎn)量最大化。
本發(fā)明的一個或更多的實(shí)施例涉及包括上述CS系統(tǒng)的等離子體處理系統(tǒng)。本發(fā)明的一個或更多的實(shí)施例涉及與上述的CS系統(tǒng)相關(guān)的方法。通過參考附圖和下面的描述，本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將能被更好地理解。根據(jù)本發(fā)明的一個或更多的實(shí)施例，圖1顯示了一示意性框圖，該框圖描述了等離子體處理系統(tǒng)100。等離子體處理系統(tǒng)100包括用于容納等離子體的等離子體處理室 120，所述等離子體至少用于處理設(shè)置在等離子體處理室120內(nèi)的晶片。等離子體處理系統(tǒng)100也可包括多個用于檢測與等離子體處理室120的操作相關(guān)的多個參數(shù)的傳感器。這些傳感器在圖1的例子中通過傳感器102、傳感器104、傳感器106 和傳感器108示出。這些傳感器可包括電壓-電流探針(或VI探針)、光學(xué)傳感器、溫度傳感器、壓力傳感器等等中的一個或多個。所述參數(shù)可包括與涉及等離子體處理室120的調(diào)整的溫度、除氣(outgassing)問題、表面狀況等等中一個或多個相關(guān)的電氣的、機(jī)械的和/ 或化學(xué)的參數(shù)。在合適的位置包括足夠數(shù)量的傳感器，本發(fā)明的實(shí)施例可獲得用于所述室調(diào)整方法所需的所有重要數(shù)據(jù)。等離子體處理系統(tǒng)100也可包括與所述傳感器耦合的室調(diào)整系統(tǒng)150 (或CS系統(tǒng) 150)，用于幫助調(diào)整等離子體處理室120。CS系統(tǒng)150可包括至少存儲室調(diào)整程序112(或 CS程序11 的計算機(jī)可讀介質(zhì)110。CS程序112可包括用于利用由傳感器提供的參數(shù)值來幫助室調(diào)整的編碼程序。計算機(jī)可讀介質(zhì)110可包括一個或多個存儲單元(或“文件夾(folders) ”)(例如存儲單元116)(例如，文件夾)，用于存儲在調(diào)整過程中使用的基線信息(baseline information) 0該基線信息可表示限定所述穩(wěn)定狀態(tài)的參數(shù)值的范圍。 參數(shù)值的范圍可由與室調(diào)整相關(guān)的參數(shù)目標(biāo)值和導(dǎo)致參數(shù)值偏離目標(biāo)值的可接受的噪音 (noises)和/或誤差的限制來確定。CS系統(tǒng)150也可包括成套的電路硬件114，用于在幫助調(diào)整等離子體處理室120 的過程中執(zhí)行與CS程序112相關(guān)的任務(wù)。所述任務(wù)的例子通過參考附圖2-6被描述。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖2顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了與用于幫助調(diào)整等離子體處理室(例如，圖1的例子中所顯示的等離子體處理室120)的CS 系統(tǒng)150(圖1的例子中所顯示的)相關(guān)的任務(wù)/步驟。在本申請中，術(shù)語“步驟”表示在幫助室調(diào)整過程中的方法步驟和/或與CS系統(tǒng)150相關(guān)的任務(wù)。CS程序112可包括用于執(zhí)行所述步驟和/或所述任務(wù)的計算機(jī)可讀編碼程序。所述任務(wù)/步驟可包括步驟200，其中CS系統(tǒng)15可啟動CS程序112。在步驟202中，CS系統(tǒng)150可確定CS基線信息是否已存在于指定的數(shù)據(jù)存儲單元中，例如圖1的例子中所示的存儲單元116。所述基線信息可表示限定所述穩(wěn)定狀態(tài)的參數(shù)值的范圍。該參數(shù)值的范圍可以被與室調(diào)整相關(guān)的參數(shù)(在下文中被稱為“相關(guān)參數(shù)”) 的目標(biāo)值和導(dǎo)致參數(shù)值從目標(biāo)值偏離的可接受的噪音和/或誤差的限制所確定。如果CS 基線信息沒有存在于指定的數(shù)據(jù)存儲單元中，那么控制會轉(zhuǎn)到步驟204 ；如果CS基線信息存在于指定的數(shù)據(jù)存儲單元中，那么控制將轉(zhuǎn)到步驟206。在步驟204中，CS系統(tǒng)150可構(gòu)建CS基線信息，包括確定相關(guān)的參數(shù)和控制限度。 與構(gòu)建CS基線信息相關(guān)的任務(wù)/步驟的例子會參照圖3A-3F中的例子而被討論。在步驟206中，第一調(diào)整晶片可以在等離子體處理室120中被處理，并且CS系統(tǒng) 150可接收與處理該第一調(diào)整晶片相關(guān)的第一多個參數(shù)值。該第一多個參數(shù)值可來源于由
8被配置成用于檢測與調(diào)整等離子體處理室120相關(guān)的參數(shù)的傳感器(例如，傳感器102、 104,106和108)所接收到的信號。在步驟208中，下一個調(diào)整晶片可以在等離子體處理室120中被處理，并且CS程序150可接收與處理當(dāng)前被處理的調(diào)整晶片相關(guān)的下個多個參數(shù)值。該新的參數(shù)值也可來源于由傳感器所接收的信號，所述傳感器檢測與調(diào)整等離子體處理室120相關(guān)的參數(shù)。在步驟210中，CS系統(tǒng)150可計算與最近被處理的調(diào)整晶片相關(guān)的兩個度量。如果先前沒有計算和保留所述值，那么CS系統(tǒng)150也可計算與第二近被處理的調(diào)整晶片(甚至其它的)相關(guān)兩個度量。所述兩個度量可包括被稱為CS增量的相對度量和被稱為CS總數(shù)的絕對度量。該相對度量表示與處理至少兩個連續(xù)被處理的調(diào)整晶片相關(guān)的有關(guān)參數(shù)值的差值。所述絕對度量表示與處理最近被處理的調(diào)整晶片相關(guān)的有關(guān)參數(shù)值。CS增量和 CS總數(shù)的例子會參照圖4中的例子而被討論。在步驟212中，CS系統(tǒng)150可使用相對度量(即，CS增量)和該相對度量的相關(guān)控制限度(例如，在步驟202和/或204中所獲得的)來確定等離子體處理室120是否已穩(wěn)定，也即，相關(guān)參數(shù)的值是否已經(jīng)聚集在相關(guān)度量的控制限度內(nèi)。與步驟212相關(guān)的任務(wù) /步驟的例子會參考圖4中的例子而被討論。如果CS系統(tǒng)150確定等離子體處理室120還沒有穩(wěn)定，控制將轉(zhuǎn)向步驟214 ；如果CS系統(tǒng)150確定等離子體處理室120已經(jīng)穩(wěn)定，那么控制將轉(zhuǎn)向步驟218。在步驟214中，CS系統(tǒng)150可確定預(yù)定的最大數(shù)量的調(diào)整晶片是否已經(jīng)被處理， 也即，是否已達(dá)到處理的調(diào)整晶片的臨界數(shù)量。通常，在已知數(shù)量的調(diào)整晶片已經(jīng)被處理之前，等離子體處理室120應(yīng)該能夠適當(dāng)?shù)刈兊梅€(wěn)定，即，相關(guān)的參數(shù)應(yīng)該能夠聚集到理想的范圍內(nèi)，除非出現(xiàn)異?，F(xiàn)象。所述預(yù)定的最大數(shù)量可以被設(shè)置成與已知的數(shù)量相等或者被設(shè)置成大于已知的數(shù)量。如果達(dá)到了臨界數(shù)量，那么控制會轉(zhuǎn)向步驟216 ；如果沒有達(dá)到臨界數(shù)量，那么控制會轉(zhuǎn)回到步驟208，在該步驟中會處理下一個晶片并且CS系統(tǒng)150會接收下一個的多個參數(shù)值。在步驟216中，CS系統(tǒng)150可停止與調(diào)整相關(guān)的任務(wù)，并且可匯報等離子體處理室120沒有被調(diào)整。使用CS系統(tǒng)150在已經(jīng)執(zhí)行的任務(wù)/步驟中所接收到的參數(shù)值，工程師能夠確定異常的原因并對等離子體處理系統(tǒng)100進(jìn)行檢修。在步驟218中，CS系統(tǒng)150可使用絕對度量(CS總數(shù))和該絕對度量的相關(guān)控制限度(例如，在步驟202和/或204中所獲得的)來確定等離子體處理室120是否已經(jīng)適當(dāng)?shù)刈兎€(wěn)定，即，相關(guān)的參數(shù)的值是否已經(jīng)匯聚在理想的范圍內(nèi)。與步驟218相關(guān)的任務(wù)/ 步驟的例子會參照圖5的例子被討論。如果CS系統(tǒng)150確定等離子體處理室120沒有適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定，控制會轉(zhuǎn)到步驟214，其中CS系統(tǒng)150可確定是否已達(dá)到處理的調(diào)整晶片的臨界值；如果CS系統(tǒng)150確定等離子體處理室120已經(jīng)適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定，控制會轉(zhuǎn)到步驟220。在步驟220中，CS系統(tǒng)150可匯報室被調(diào)整并已準(zhǔn)備好對產(chǎn)品晶片進(jìn)行處理。從圖2的例子可以知道，CS系統(tǒng)150可自動執(zhí)行室調(diào)整方法，而幾乎不依賴經(jīng)驗(yàn)性的實(shí)驗(yàn)和專家經(jīng)驗(yàn)。可基本防止過度調(diào)整和未充分調(diào)整。有利地，可保護(hù)產(chǎn)品資源、最小化產(chǎn)品成本以及使產(chǎn)品產(chǎn)量最大化。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖3A顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了用于確定幫助調(diào)整等離子體處理室的基線信息(包括控制限度)的任務(wù)/步驟。圖3A的例子中所顯示的任務(wù)/步驟可表示圖2中的例子所示的步驟204(也就是，確定控制限度) 的任務(wù)/步驟的例子。在步驟300中，CS系統(tǒng)150可分析與處理多個調(diào)整晶片(比如，X個調(diào)整晶片)相關(guān)的多個參數(shù)值。例如，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)研究，用于確定相關(guān)參數(shù)的運(yùn)行的調(diào)整晶片的數(shù)量(X)可以多于已知的使室達(dá)到調(diào)整狀態(tài)所需要的數(shù)量的大約25-50%。所述多個參數(shù)值可來源于多個傳感器所檢測到的信號，例如，圖1的例子中所示的傳感器102、104、106和108。在步驟302中，CS系統(tǒng)150可從被分析的參數(shù)中選擇與室調(diào)整相關(guān)的參數(shù)。與室調(diào)整不相關(guān)的參數(shù)會被過濾出來。在步驟304中，CS系統(tǒng)150可計算相關(guān)參數(shù)的瞬時值和穩(wěn)態(tài)值。穩(wěn)態(tài)值是一種與恒定目標(biāo)值相關(guān)的范圍內(nèi)的或者在該范圍邊界的參數(shù)值；如果穩(wěn)態(tài)值不是必須等于恒定目標(biāo)值，那么穩(wěn)態(tài)值也可被認(rèn)為準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)值(quasi-steady-state value) 0瞬時值是在所述范圍外的參數(shù)值。CS系統(tǒng)150也可計算與瞬時值相關(guān)的統(tǒng)計值和與穩(wěn)態(tài)值相關(guān)的統(tǒng)計值。在步驟306中，CS系統(tǒng)150可利用相關(guān)的參數(shù)構(gòu)建室調(diào)整矢量(chamber seasoning vectors)。在步驟308中，CS系統(tǒng)150可計算所述相對度量(S卩，CS增量)和所述絕對值 (即，CS總數(shù))的控制限度。CS增量和CS總數(shù)的例子會參考圖3E和圖3F的例子被討論。與步驟304、步驟306和步驟308相關(guān)的任務(wù)/步驟的例子會分別參考圖3B、圖3C 和圖3D的例子而被討論。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖IBB顯示了示意性流程圖，該流程圖描述了用于在確定用于幫助調(diào)整等離子體處理室的控制限度過程中計算參數(shù)值和相關(guān)統(tǒng)計結(jié)果的任務(wù)/步驟。圖3B的例子中所顯示的任務(wù)/步驟可表示與圖3A的例子中所示的步驟 304(計算相關(guān)參數(shù)的瞬時值和穩(wěn)態(tài)值)相關(guān)的任務(wù)/步驟的例子。在步驟310中，當(dāng)處理X個數(shù)量的調(diào)整晶片時，CS系統(tǒng)150可記錄用于相關(guān)參數(shù)的時間序列數(shù)據(jù)(顯示在圖3A的例子中的步驟300中)。該時間序列數(shù)據(jù)可包括用于相關(guān)參數(shù)的瞬時值(在預(yù)定范圍之外)和穩(wěn)態(tài)值(在所述范圍之內(nèi)或在所述范圍的邊界)。在步驟312中，CS系統(tǒng)150可計算CS方法的瞬時部分的統(tǒng)計結(jié)果。該統(tǒng)計結(jié)果可包括相關(guān)參數(shù)的瞬時值的標(biāo)準(zhǔn)偏差、均值(means)、中間值(mediums)、最大值、最小值等等中的一個或多個。在步驟314中，CS系統(tǒng)150可計算CS方法的穩(wěn)態(tài)部分的統(tǒng)計結(jié)果。該統(tǒng)計結(jié)果可包括相關(guān)參數(shù)的穩(wěn)態(tài)值的標(biāo)準(zhǔn)偏差、均值(means)、中間值(mediums)、最大值、最小值等等中的一個或多個。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖3C顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了用于在確定用于幫助調(diào)整等離子體處理室的控制限度時構(gòu)建室調(diào)整矢量的任務(wù)/步驟。圖 3C的例子中所顯示的任務(wù)/步驟可表示與圖3A的例子中所顯示的步驟306 (構(gòu)建永久參數(shù)的CS矢量)相關(guān)的任務(wù)/步驟的例子。在步驟320中，CS系統(tǒng)150可構(gòu)建相關(guān)參數(shù)的瞬時值的第一矢量和相關(guān)參數(shù)的穩(wěn)態(tài)值的第二矢量。在步驟322中，CS系統(tǒng)150可測量(scale)所述第一矢量和第二矢量以產(chǎn)生相應(yīng)的CS矢量。
參考圖3E的例子討論了與步驟320和步驟322相關(guān)的任務(wù)/步驟的例子。根據(jù)本發(fā)明的一個或更多的實(shí)施例，圖3D顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了用于計算用于幫助調(diào)整等離子體處理室的控制限度的任務(wù)/步驟。圖3D的例子中所顯示的任務(wù)/步驟可表示與圖3A的例子中顯示的步驟308 (計算所述兩個度量的控制限度) 相關(guān)的任務(wù)/步驟的例子。在步驟330中，CS系統(tǒng)150可利用X數(shù)量的調(diào)整晶片的最后的Y來計算平均調(diào)整矢量或基線矢量(以B表示)。例如，X個晶片的最后的10-20% (最低限度為5)可被用于計算基線矢量“B”。因?yàn)樵诨€建設(shè)期間運(yùn)行的晶片的數(shù)量通常大大多于CS所需要的， 所以晶片的最后的10-20%被“調(diào)整”并且它們的相應(yīng)的傳感器信號(即，調(diào)整矢量)將會穩(wěn)定。在步驟332中，CS系統(tǒng)150可用產(chǎn)生控制限度的Y個晶片中的每個來執(zhí)行基線矢量的相關(guān)性分析和/或統(tǒng)計處理。在步驟334中，CS系統(tǒng)150可基于相關(guān)參數(shù)的值之間的差計算相關(guān)的度量控制限度(即，CS增量控制限度)。在步驟336中，CS系統(tǒng)150可基于有關(guān)的參數(shù)的值的總數(shù)來計算絕對的度量控制限度(即，CS總數(shù)控制限度)。參考圖3F的例子討論了與步驟332、步驟334和步驟336相關(guān)的任務(wù)/步驟的例子。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖3E顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了在確定用于幫助調(diào)整等離子體處理室的控制限度中用于構(gòu)建室調(diào)整矢量的任務(wù)/步驟。圖 3E的例子中所顯示的任務(wù)/步驟可表示與圖3C的例子中顯示的步驟320和步驟322相關(guān)的任務(wù)/步驟的例子(構(gòu)建CS矢量)。步驟340可表示圖3C的例子中所顯示的步驟320的例子。在步驟340，假定有m 個相關(guān)參數(shù)，CS系統(tǒng)150可構(gòu)建用于該m個相關(guān)參數(shù)的瞬時值的矢量At和用于該m個相關(guān)參數(shù)的穩(wěn)態(tài)值的矢量As。At和As可用數(shù)學(xué)式表示如下At = Lt1, t2, ... , tm]As = [s1 s2, . . . , sm]其中tj為瞬時值，~為穩(wěn)態(tài)值，并且j = 1，2，· · ·，m。步驟342可表示圖3C的例子中所示的步驟322的例子。在步驟342中，CS系統(tǒng) 150利用在步驟312和314所獲得的標(biāo)準(zhǔn)偏差(standard deviations)來測量矢量At和矢量As以產(chǎn)生相應(yīng)的CS矢量。該CS矢量可用數(shù)學(xué)式表示如下At scaled = Lt1/ σ l t, t2/ σ 2—t，· · ·，tm/ σ m—JAs scaled = [S1/ σ l s2/ σ 2—s，. . . , Sm/ σ m s]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖3F顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了用于構(gòu)建相對度量控制限度和絕對度量控制限度以幫助調(diào)整等離子體處理室的任務(wù)/步驟。圖3F的例子中所顯示的任務(wù)/步驟可表示與圖3D的例子中所描述的步驟332、步驟334和步驟336 (計算控制限度)相關(guān)的任務(wù)/步驟。步驟352可表示圖3D的例子中所描述的步驟332的例子。在步驟352中，CS系統(tǒng)150可使用在圖3D的例子中所描述的步驟330中所獲得的基線矢量B來計算新的參數(shù) R和θ。R和θ可以用數(shù)學(xué)式表示如下Ri t = I Ai t I / I Bt I (瞬間幅值比)Ri s = I Ai s I / I Bs I (穩(wěn)態(tài)幅值比)Θ it = 008^(^^.6,1/(1^1 IBJ))e^^cos^dA^-Bj/dA^llBj))其中i =每個輸入數(shù)據(jù)點(diǎn)(例如，每個晶片)的指數(shù)，t表示瞬間計算結(jié)果/值， 以及s表示穩(wěn)態(tài)計算結(jié)果/值。步驟3M可表示圖3D的例子中所描述的步驟334的例子。在步驟354中，CS系統(tǒng)150可利用來自基線案例(baseline case)的CS增量的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差來計算CS增量控制限度。來自基線案例的CS增量可以用數(shù)學(xué)式表示如下該CS增量控制限度可以用數(shù)學(xué)式表示如下UCLdelta = μ delta+ σ delta*KLCLdelta = μ delta- σ delta*K其中UCLdelta為CS增量值的上控制限度，LCLdelta為CS增量值的下控制限度，μ delta為基線CS增量值的平均值，σ delta為基線CS增量值的標(biāo)準(zhǔn)偏差，以及K為用于設(shè)置CS增量控制限度的用戶可設(shè)置的常量。步驟356可表示圖3D的例子中所描述的步驟336的例子。在步驟356中，CS系統(tǒng)150可利用來自所述基線案例的CS總數(shù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差來計算CS總數(shù)控制限度。 該用于基線案例的CS總數(shù)可以用數(shù)學(xué)式表示如下CS總數(shù)控制限度可以用數(shù)學(xué)式表示如下UCLsum = Usum+Osim^QLCLsum = μ sum_ σ其中UCL·為用于CS總數(shù)值的上控制限度，LCLsum為用于CS總數(shù)值的下控制限度，μ SUffl為基線CS總數(shù)值的平均值，σ ■為基線CS總數(shù)值的標(biāo)準(zhǔn)偏差，以及Q為用于設(shè)置CS總數(shù)控制限度的用戶可設(shè)置的常量，在一個或多個實(shí)施例中，Q = K0根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖4顯示了一示意性流程圖，該流程圖描述了用于計算相對度量和絕對度量的任務(wù)/步驟，所述相對度量和絕對度量用于幫助調(diào)整等離子體處理室。圖4的例子中所顯示的任務(wù)/步驟可表示與圖2的例子中所描述的步驟210 相關(guān)的任務(wù)/步驟的例子(計算CS增量和CS總數(shù))。在步驟402中，CS系統(tǒng)150可計算與最近被處理的調(diào)整晶片相關(guān)的CS增量。該 CS增量可以用數(shù)學(xué)式表示如下
CS 增量=SQRT ((Ri s-Ri-L3)2+ (Rij-Ri-Lt)2+ ( θ , s- θ ^l s)2+ ( θ , t- θ ^l t)2)其中i代表當(dāng)前的數(shù)據(jù)點(diǎn)(例如，與最近被處理的調(diào)整晶片相關(guān)的數(shù)據(jù)點(diǎn))，i_l 表示上一個的數(shù)據(jù)點(diǎn)(例如，與第二近被處理的調(diào)整晶片相關(guān)的數(shù)據(jù)點(diǎn))，以及下標(biāo)s和t 分別表示穩(wěn)態(tài)和瞬間計算結(jié)果(computations)。對于i = 1的情形，CS增量默認(rèn)被設(shè)定為 1以開始進(jìn)行CS分析。在步驟404，CS系統(tǒng)150可計算與最近被處理的調(diào)整晶片相關(guān)的CS總數(shù)。該CS 總數(shù)可以用數(shù)學(xué)式表示如下CS 總數(shù)=MEAN (Ri ,+Ri t+ θ i s+ θ i t)根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖5顯示了一示意性的流程圖，該流程圖描述了用于確定等離子體室是否已經(jīng)穩(wěn)定的任務(wù)/步驟。圖5的例子中所描述的任務(wù)/步驟與圖2的例子中所描述的步驟212(也就是，確定室是否已穩(wěn)定)相關(guān)。在步驟500中，CS系統(tǒng)150可利用接收到的多個相關(guān)的參數(shù)值創(chuàng)建CS矢量。在步驟502中，CS系統(tǒng)150可利用基線統(tǒng)計資料(例如，所述基線值的標(biāo)準(zhǔn)偏差) 測量與上一個被處理的調(diào)整晶片或晶片(N-I)相關(guān)的CS矢量，以及與當(dāng)前處理的調(diào)整晶片或者晶片(N)相關(guān)的CS矢量。結(jié)果，可以產(chǎn)生測量的CS矢量。在一個或多個實(shí)施例中，該當(dāng)前被處理的調(diào)整晶片可表示最近被處理的調(diào)整晶片，所述上一個被處理的調(diào)整晶片可以表示第二近被處理的調(diào)整晶片。在步驟504中，CS系統(tǒng)150可利用用于當(dāng)前的晶片(N)和上一個的晶片(N_l)的被測量的CS矢量來獲得CS增量。在步驟506中，CS系統(tǒng)150可將所述CS增量與所述用于相對度量的控制限度進(jìn)行比較以確定所述相關(guān)的參數(shù)值是否已經(jīng)穩(wěn)定。也即，所述等離子體處理室是否已經(jīng)穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖6顯示了一示意性的流程圖，該流程圖描述了用于確定等離子體處理室是否已經(jīng)適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定的任務(wù)/步驟。圖6的例子中所描述的任務(wù)/步驟與圖2的例子中所描述的步驟218(即，確定室是否適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定)相關(guān)。在步驟600中，CS系統(tǒng)150可接收與當(dāng)前晶片相關(guān)的測量的CS矢量。該測量的 CS矢量可能已經(jīng)在步驟502中被建立。在步驟602中，CS系統(tǒng)150可利用與當(dāng)前晶片相關(guān)的測量的CS矢量來計算當(dāng)前晶片(N)的CS總數(shù)。在步驟604中，CS系統(tǒng)150可將CS總數(shù)與用于絕對度量的控制限度比較來確定相關(guān)的參數(shù)值是否已經(jīng)匯聚在與適當(dāng)?shù)哪繕?biāo)值相關(guān)的適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，即，所述等離子體處理室是否已經(jīng)適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實(shí)施例，圖7顯示了描述與CS系統(tǒng)150(在圖1的例子中被描述)相關(guān)的任務(wù)/步驟的示意性流程圖，所述CS系統(tǒng)150用于幫助調(diào)整等離子體處理室(例如，圖1的例子中所描述的等離子體處理室120)。圖7的例子中所描述的大多數(shù)任務(wù)/步驟與圖2的例子中所描述的大多數(shù)任務(wù)/步驟相似。然而，圖2的例子中的任務(wù) /步驟在確定等離子體處理室120是否已經(jīng)被調(diào)整時提供了晶片數(shù)量臨界值；可選擇地或額外地，圖7的例子中的任務(wù)/步驟在確定等離子體處理室120是否已經(jīng)被調(diào)整時提供了時間臨界值。在步驟700中，CS系統(tǒng)150可啟動CS程序112。
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在步驟702中，CS系統(tǒng)150可確定CS基線信息是否存在于指定的數(shù)據(jù)存儲單元中，例如圖1的例子中描述的存儲單元116。如果CS基線信息沒有存在于指定的數(shù)據(jù)存儲單元中，那么控制會被轉(zhuǎn)到步驟704 ；如果CS基線信息存在于指定的數(shù)據(jù)存儲單元，那么控制會被轉(zhuǎn)到步驟706。在步驟704，CS系統(tǒng)150可創(chuàng)建CS基線信息。在步驟706中，至少一個調(diào)整晶片可以被裝載入等離子體處理室120，從而使得CS 系統(tǒng)150可接收來自于由傳感器102-108所檢測到的信號的參數(shù)值。在步驟708中，CS系統(tǒng)150可收集基于時間的調(diào)整的第一數(shù)據(jù)點(diǎn)。當(dāng)在等離子體處理室120中處理調(diào)整晶片時，所述第一數(shù)據(jù)點(diǎn)(data point)可表示來源于由傳感器 102-108在開始的一段時間內(nèi)所檢測到的信號的第一多個參數(shù)值。在步驟710中，CS系統(tǒng)150可收集下一個基于時間的調(diào)整的數(shù)據(jù)點(diǎn)。當(dāng)在等離子體處理室120內(nèi)處理所述調(diào)整晶片或不同的調(diào)整晶片時，該新的數(shù)據(jù)點(diǎn)可表示來源于由傳感器102-108在新的時間段內(nèi)所檢測到的信號的新的多個參數(shù)值。在步驟712中，CS系統(tǒng)150可使用相對度量(即，CS增量)和用于相對度量的相關(guān)的控制限度(例如，在步驟702和/或704中所獲得的)來確定等離子體處理室是否已經(jīng)穩(wěn)定，即，相關(guān)的參數(shù)值是否已經(jīng)匯聚到相對度量的控制限度內(nèi)。在步驟714中，CS系統(tǒng)150可確定是否已達(dá)到預(yù)定的最大時間(或時間臨界值)。 通常，在已知的時間段內(nèi)，等離子體室120應(yīng)該已經(jīng)適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定，即，相關(guān)參數(shù)應(yīng)該已經(jīng)匯聚到適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，除非出現(xiàn)異常情況。所述預(yù)定的時間臨界值可以被設(shè)置成與已知的時間段相等或者被設(shè)置成大于已知的時間段。如果已經(jīng)達(dá)到該臨界時間，控制會轉(zhuǎn)到步驟 716 ；如果還沒有達(dá)到該臨界時間，那么控制會轉(zhuǎn)回到步驟710，其中下一個的多個參數(shù)值會被CS系統(tǒng)150接收。在步驟716中，CS系統(tǒng)150可停止與調(diào)整相關(guān)的任務(wù)并且可匯報等離子體處理室 120沒有被調(diào)整。然后，可以進(jìn)行檢修。在步驟718中，CS系統(tǒng)150可使用絕對度量(CS總數(shù))以及用于該絕對度量(例如，在步驟702和/或704中獲得的)的相關(guān)控制限度來確定等離子體處理室120是否已經(jīng)適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定，即，相關(guān)的參數(shù)的值是否已經(jīng)匯聚入適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。如果CS系統(tǒng)150確定等離子體室120還沒有適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定，那么控制會轉(zhuǎn)到步驟714，其中CS系統(tǒng)150可確定是否已經(jīng)達(dá)到臨界值時間；如果CS系統(tǒng)150確定等離子體處理室120已經(jīng)適當(dāng)?shù)胤€(wěn)定，那么控制會轉(zhuǎn)到步驟720。在步驟720中，CS系統(tǒng)150可匯報室已被調(diào)整并已準(zhǔn)備好用于處理產(chǎn)品晶片。圖7的例子中所描述的實(shí)施例可以在最小限度地依賴經(jīng)驗(yàn)性的實(shí)驗(yàn)和專家經(jīng)驗(yàn)的情況下自動執(zhí)行室調(diào)整過程?；旧峡梢苑乐惯^度調(diào)整和未充分調(diào)整。此外，通過以時間為基礎(chǔ)的室調(diào)整，能最小化調(diào)整晶片的消耗，并且也能最小化用于裝載和卸載調(diào)整晶片的時間。根據(jù)以上內(nèi)容可以知道，本發(fā)明的實(shí)施例可采用被適當(dāng)?shù)嘏渲贸墒占糜趫?zhí)行室調(diào)整的足夠的相關(guān)參數(shù)數(shù)據(jù)的足夠數(shù)量的傳感器。因此，等離子體處理室的狀態(tài)能夠被充分而準(zhǔn)確地確定。本發(fā)明的實(shí)施例也可在最低限度地依賴經(jīng)驗(yàn)性的實(shí)驗(yàn)和專家經(jīng)驗(yàn)的情況下自動執(zhí)行室調(diào)整方法。因此，基本上能防止過度調(diào)整和未充分調(diào)整。有利地，可以保護(hù)生產(chǎn)資源，最小化生產(chǎn)成本并使產(chǎn)量最大化。本發(fā)明的實(shí)施例也可在室調(diào)整過程中最小化調(diào)整晶片的消耗。有利地，能最小化與調(diào)整晶片相關(guān)的成本，并且也能夠最小化用于裝載和卸載調(diào)整晶片所耗費(fèi)的時間。盡管根據(jù)多個實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是還存在落入本發(fā)明的范圍的替換、變化和等同物。也應(yīng)當(dāng)注意的是，存在有許多執(zhí)行本發(fā)明的方法和裝置的可供選擇的方法。而且，本發(fā)明的實(shí)施例在其它的應(yīng)用中也具有實(shí)用性。為方便起見，本文提供了摘要部分，并且因?yàn)樽謹(jǐn)?shù)限制，摘要部分相應(yīng)地被寫成用于閱讀方便并且不應(yīng)被用來限制權(quán)利要求的范圍。因此，下面所附的權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)被解釋為包括所有落入本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的這樣的替換、變化和等同物。
權(quán)利要求
1.一種用于幫助調(diào)整等離子體處理室的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括至少存儲有室調(diào)整程序的計算機(jī)可讀介質(zhì)，該室調(diào)整程序至少包括 用于接收至少第一多個參數(shù)值和第二多個參數(shù)值的編碼程序，所述第一多個參數(shù)值和第二多個參數(shù)值與與所述等離子體處理室的操作相關(guān)的多個參數(shù)相關(guān)，所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值來源于由多個傳感器檢測到的信號，該多個傳感器被配置用于檢測所述多個參數(shù)值，編碼程序，該編碼程序利用所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值來根據(jù)第一套標(biāo)準(zhǔn)確認(rèn)所述多個參數(shù)的當(dāng)前值是否已經(jīng)穩(wěn)定，以及編碼程序，該編碼程序利用所述第二多個參數(shù)值而不是所述第一多個參數(shù)值來根據(jù)第二套標(biāo)準(zhǔn)確定所述多個參數(shù)的當(dāng)前值是否已經(jīng)穩(wěn)定在預(yù)定的范圍內(nèi)，該確定在所述多個參數(shù)的當(dāng)前值已經(jīng)根據(jù)所述第一套標(biāo)準(zhǔn)被確認(rèn)已經(jīng)穩(wěn)定以后被執(zhí)行；以及成套的電路硬件，用于執(zhí)行一個或多個與所述室調(diào)整程序相關(guān)的任務(wù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一多個參數(shù)值來源于在處理第一晶片期間所檢測到的第一信號， 所述第二多個參數(shù)值來源于在所述第二晶片期間所檢測到的第二信號，以及所述第二晶片在所述第一晶片被處理之后被處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值來源于在處理同一晶片期間所檢測到的信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括編碼程序，其用于計算與所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值之間的差值相關(guān)的相對度量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括編碼程序，其利用所述第二多個參數(shù)值而不是所述第一多個參數(shù)值來計算絕對度量。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括利用所述第一多個參數(shù)值來創(chuàng)建第一矢量的編碼程序； 利用所述第二多個參數(shù)值來創(chuàng)建第二矢量的編碼程序； 利用標(biāo)準(zhǔn)偏差值來測量所述第一矢量以產(chǎn)生第一測量的矢量的編碼程序；以及利用所述標(biāo)準(zhǔn)偏差值來測量所述第二矢量以產(chǎn)生第二測量的矢量的編碼程序。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括利用所述第一測量的矢量和所述第二測量的矢量來計算相對度量的編碼程序，該相對度量被用于所述確認(rèn)；以及利用所述第二測量的矢量而不是所述第二測量的矢量來計算絕對度量的編碼程序，該絕對度量被用于所述確定。
8.一種用于產(chǎn)生等離子體以至少處理晶片的等離子體處理系統(tǒng)，該等離子體處理系統(tǒng)包括用于容納所述等離子體的等離子體處理室；多個傳感器，其用于檢測與所述等離子體處理室的操作相關(guān)的多個參數(shù)； 計算機(jī)可讀介質(zhì)，其至少存儲有室調(diào)整程序，該室調(diào)整程序至少包括 編碼程序，其用于至少接收第一多個參數(shù)值和第二多個參數(shù)值，該第一多個參數(shù)值和第二多個參數(shù)值與所述多個參數(shù)相關(guān)，該第一多個參數(shù)值和第二多個參數(shù)值來自于由所述多個傳感器檢測到的信號，編碼程序，該編碼程序利用所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值來根據(jù)第一套標(biāo)準(zhǔn)確認(rèn)所述多個參數(shù)的當(dāng)前值是否已經(jīng)穩(wěn)定，以及編碼程序，該編碼程序利用所述第二多個參數(shù)值而不是所述第一多個參數(shù)值來根據(jù)第二套標(biāo)準(zhǔn)確定所述多個參數(shù)的當(dāng)前值是否已經(jīng)穩(wěn)定在預(yù)定的范圍內(nèi)，該確定在所述多個參數(shù)的當(dāng)前值根據(jù)所述第一套標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)被確認(rèn)已經(jīng)穩(wěn)定之后被執(zhí)行；以及成套的電路硬件，其用于執(zhí)行一個或多個與所述室調(diào)整程序相關(guān)的任務(wù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中，所述第一多個參數(shù)值來自于在處理第一晶片期間檢測到的第一信號， 所述第二多個參數(shù)值來自于在處理第二晶片期間檢測到的第二信號，以及所述第二晶片在所述第一晶片已經(jīng)被處理之后被處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體系統(tǒng)，其中所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值來自于在處理同一晶片期間所檢測到的信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括編碼程序，該編碼程序用于計算與所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值之間的差值相關(guān)的相對度量。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括編碼程序，該編碼程序利用所述第二多個參數(shù)值而不是所述第一多個參數(shù)值來計算絕對度量。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括 編碼程序，該編碼程序利用所述第一多個參數(shù)值來創(chuàng)建第一矢量； 編碼程序，該編碼程利用所述第二多個參數(shù)值來創(chuàng)建第二矢量；編碼程序，該編碼程序利用標(biāo)準(zhǔn)偏差值來測量所述第一矢量以產(chǎn)生第一測量的矢量；以及編碼程序，該編碼程序利用所述標(biāo)準(zhǔn)偏差值來測量所述第二矢量以產(chǎn)生第二測量的矢量。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包括編碼程序，該編碼程序利用所述第一測量的矢量和所述第二測量的矢量來計算相對度量，該相對度量被用于所述確認(rèn)；以及編碼程序，該編碼程序利用所述第二測量的矢量而不是所述第二測量的矢量來計算絕對度量，該絕對度量被用于所述確定。
15.一種用于幫助調(diào)整等離子體處理室的方法，該方法包括接收第一多個參數(shù)值和第二多個參數(shù)值，所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值中的每個與與所述等離子體處理室的操作相關(guān)的多個參數(shù)相關(guān)，所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值來源于由多個傳感器檢測到的信號，所述多個傳感器被配置成用于檢測所述多個參數(shù)；利用所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值來根據(jù)第一套標(biāo)準(zhǔn)確認(rèn)所述多個參數(shù)的當(dāng)前值是否已經(jīng)穩(wěn)定；以及利用所述第二多個參數(shù)值而不是所述第一多個參數(shù)值來根據(jù)第二套標(biāo)準(zhǔn)確定所述多個參數(shù)的當(dāng)前值是否已經(jīng)穩(wěn)定在預(yù)定的范圍內(nèi)，該確定在所述多個參數(shù)的當(dāng)前值根據(jù)所述第一套標(biāo)準(zhǔn)被確認(rèn)已經(jīng)穩(wěn)定之后被執(zhí)行。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，包括從在處理第一晶片期間檢測到的第一信號得到所述第一多個參數(shù)值， 從在處理第二晶片期間檢測到的第二信號得到所述第二多個參數(shù)值，以及在所述第一晶片被處理之后處理所述第二晶片。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括從在處理同一晶片期間檢測到的信號得到所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括計算與所述第一多個參數(shù)值和所述第二多個參數(shù)值之間的差值相關(guān)的相對度量。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括利用所述第二多個參數(shù)值而不是所述第一多個參數(shù)值來計算絕對度量。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括 利用所述第一多個參數(shù)值創(chuàng)建第一矢量； 利用所述第二多個參數(shù)值創(chuàng)建第二矢量；利用標(biāo)準(zhǔn)偏差值測量所述第一矢量以產(chǎn)生第一測量的矢量；以及利用所述標(biāo)準(zhǔn)偏差值測量所述第二矢量以產(chǎn)生第二測量的矢量； 利用所述第一測量的矢量和所述第二測量的矢量計算相對度量，該相對度量被用于所述確認(rèn)；以及利用所述第二測量的矢量而不是所述第二測量的矢量來計算絕對度量，該絕對度量被用于所述確定。
全文摘要
一種用于幫助調(diào)整等離子體處理室的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括存儲有室調(diào)整程序(或CS程序)的計算機(jī)可讀介質(zhì)。該CS程序包括編碼程序，該編碼程序用于接收與所述等離子體處理室的操作相關(guān)的一組參數(shù)的第一多個值和第二多個值。所述CS程序包括利用所述第一多個值和所述第二多個值來確認(rèn)所述參數(shù)的當(dāng)前值是否已經(jīng)穩(wěn)定的編碼程序。該CS程序也包括利用所述第二多個值而不是所述第一多個值來確定參數(shù)的當(dāng)前值是否已穩(wěn)定在預(yù)定范圍內(nèi)的編碼程序。該系統(tǒng)還包括用于執(zhí)行與所述CS程序相關(guān)的一個或多個任務(wù)的電路硬件。
文檔編號H01L21/3065GK102511072SQ201080027738
公開日2012年6月20日 申請日期2010年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月30日
發(fā)明者布萊恩·崔, 維甲壓庫馬爾·C·凡尼高泊 申請人:朗姆研究公司