專利名稱：結(jié)構(gòu)化硅晶片的方法、用于它的處理液及其應(yīng)用的制作方法
結(jié)構(gòu)化硅晶片的方法、用于它的處理液及其應(yīng)用
應(yīng)用領(lǐng)域和現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1前序部分的對太陽能電池生產(chǎn)中的硅晶片的處理方法以及適用于該目的的處理液。另外，本發(fā)明涉及本發(fā)明用于實施所述方法的處理液的應(yīng)用。例如，DE 102007026081 Al公開了在太陽能電池生產(chǎn)中硅晶片的結(jié)構(gòu)化。為此， 處理液被施加于硅晶片表面上，從而在硅晶片表面形成角錐形突起。這些促進光耦合進入硅晶片及隨后進入太陽能電池并伴隨改進它們的能量輸出。所述的處理液可包含異丙醇作為添加的蝕刻抑制劑。
目的及其效果本發(fā)明的目標是提供如上述的方法和適用于該目的的處理液，借此可消除現(xiàn)有技術(shù)遇到的問題并且，特別是，可實現(xiàn)更快和更好的處理，即結(jié)構(gòu)化。該目標是通過具有權(quán)利要求1所限定特征的方法，具有權(quán)利要求5所限定特征的處理液，以及具有權(quán)利要求8所限定特征的應(yīng)用來實現(xiàn)的。本發(fā)明有利以及優(yōu)選的實施方式是其他權(quán)利要求的主題，并且在下文中對其進行更詳細的說明。權(quán)利要求的措辭明確提及說明書的內(nèi)容。所述的處理液，其有利的是堿性的處理液，包含添加劑。所述添加劑可以是添加的蝕刻抑制劑，并且根據(jù)本發(fā)明來說是乙基正己醇或環(huán)己醇。這兩種添加劑可有利地相互擇一使用，但是在有些情況下它們可被同時使用。在處理液中這些具體的添加劑的益處是基于這樣的事實在本發(fā)明的另一個實施方式中，由于它們更高的沸點使得在溫度超過其他可能的情況下實施所述方法成為可能。由于乙基正己醇的沸點是182°C以及環(huán)己醇的沸點是161°C這一事實，在實施結(jié)構(gòu)化時，混合了它們的處理液明顯可以在更高的溫度下使用。由于以往的添加劑異丙醇的低沸點為82°c，這要求要么持續(xù)的進行補充異丙醇，以免得到不滿意的結(jié)構(gòu)化結(jié)構(gòu)，要么必須將所述溫度保持在80°C或者更低，這種情況下為了實施處理，即結(jié)構(gòu)化處理，所涉及的程序花費長得多的時間，其也可被認為非常有害。使用本發(fā)明的添加劑，因此可能在80°C或者更高的溫度下實施結(jié)構(gòu)化，例如在大約90°C。這樣處理時間可為10至15分鐘，且優(yōu)選地約11分鐘。接著硅晶片可以從包含處理液的浴中移走并隨后清洗和干燥并進行接下來的處理。在本發(fā)明的另一個實施方式中，硅晶片可以在處理液中被攪動，這同樣地改善或加速結(jié)構(gòu)化。這種情況下也可以提供硅晶片和處理液之間發(fā)生相對運動，也就是說，為了使得處理液保持運動或者顯示出內(nèi)部液體流。本發(fā)明的目標還是通過使用本發(fā)明的所述方法實現(xiàn)的，特別是對在太陽能電池生產(chǎn)中的硅晶片實施處理。本發(fā)明的處理液除了乙基正己醇和環(huán)己醇形式的添加劑之外，還包含水作為另外的組份。添加劑的量可以為0. 3% _4%，以重量計，特別優(yōu)選地為0. 5% -3%，以重量計。在本發(fā)明的另一實施方式中，處理液可以進一步包含Κ0Η。其含量可以為1.5% _5%，以體積計，優(yōu)選含量為2% -3%，以體積計。本發(fā)明的另一個獨立方面是本發(fā)明的用以實施方法的處理液的應(yīng)用，更特別是應(yīng)用于實施上面所述的方法。權(quán)利要求中公開了這些和其他特征，其中各個特征可以單獨地實現(xiàn)，或者在本發(fā)明的任一實施方式中或在其它領(lǐng)域中以次級結(jié)合(subcombinations)的方式組合起來，并且可固有地形成有益的和可專利的實施方式，這些實施方式在此要求保護。至于本發(fā)明的執(zhí)行，同時參考DE 102007026081 Al，其相關(guān)的主題內(nèi)容通過引用包含在本說明書中。在所述的引用中，

圖1和圖2示出了可如何實施該方法，以及因此利用此處示出的所述處理參數(shù)和數(shù)量可同樣好地實施所述方法。
權(quán)利要求
1.一種對用于太陽能電池生產(chǎn)的硅晶片處理的方法，其中為了將其結(jié)構(gòu)化的目的，在硅晶片的表面施加處理液，所述處理液包含添加劑，其特征在于，所述處理液中包含乙基正己醇或環(huán)己醇作為添加劑。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的方法在比太陽能電池生產(chǎn)中用于硅晶片的結(jié)構(gòu)化的傳統(tǒng)方法更高的溫度下實施，所述的更高的溫度的范圍為80°C _95°C，更特別為約90°C。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的處理液施加于硅晶片的時間為 8-20分鐘，更特別所述時間范圍為10-13分鐘。
4.如以上權(quán)利要求任一項所述的方法，其特征在于，所述硅晶片在所述處理液中被攪動，即在其中相對運動。
5.一種用于實施以上權(quán)利要求任一項所述方法的處理液，其特征在于，其除了水外，還包含有乙基正己醇和環(huán)己醇作為添加劑。
6.如權(quán)利要求5所述的處理液，其特征在于，所述添加劑的含量的重量百分比為 0. 3% _4%，優(yōu)選重量百分比為0. 5% -3%。
7.如權(quán)利要求5或6所述的處理液，其特征在于，其進一步包括Κ0Η，所述的KOH的含量的體積百分比優(yōu)選地為1. 5% _5%，且其更特別地體積百分比為2% -3%。
8.用于實施如權(quán)利要求1-4任一項所述方法的如權(quán)利要求5-7任一項定義的處理液的應(yīng)用。
全文摘要
對在太陽能電池生產(chǎn)中的硅晶片處理的方法中，為了將其結(jié)構(gòu)化的目的，將處理液施加于硅晶片的表面。所述處理液包含含量為0.5％-3％重量百分比的乙基正己醇或環(huán)己醇作為添加劑。
文檔編號H01L31/18GK102405529SQ201080010477
公開日2012年4月4日 申請日期2010年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月3日
發(fā)明者I·馬赫爾 申請人:吉布爾.施密德有限責任公司