專(zhuān)利名稱(chēng)：用于oled面板的像素電路，具有該像素電路的顯示設(shè)備以及使用該像素電路驅(qū)動(dòng)oled面 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板，且更具體而言，涉及用于具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)且不受用作驅(qū)動(dòng)元件的晶體管的可靠性特性影響的OLED面板的像素電路，本發(fā)明還涉及具有該像素電路的顯示設(shè)備以及使用該像素電路驅(qū)動(dòng)OLED面板的方法。
背景技術(shù)：
一般地，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板分為無(wú)源矩陣OLED (PMOLED)面板和有源矩陣OLED (AMOLED)面板。OLED面板還可以制造為透明OLED面板。PMOLED面板因?yàn)槠涮匦远哂邢鄬?duì)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)。然而，PMOLED面板、尤其是透明PMOLED面板有問(wèn)題的地方在于，由于透明陰極的高電阻和分割材料的透明性的劣化，在以點(diǎn)矩陣方式制造它們時(shí)存在限制。因此，這種PMOLED面板主要僅用于適于最多圖標(biāo)格式的小尺寸面板，在文本或圖形圖像的顯示方面具有很多限制。同時(shí)，在AMOLED面板的情況中，可以解決PMOLED在各個(gè)像素根據(jù)掃描線順序驅(qū)動(dòng)時(shí)出現(xiàn)的亮度的不均勻和劣化的問(wèn)題。而且，這種AMOLED面板的有利之處在于，與PMOLED面板不同，它可以制造為具有相對(duì)大尺寸的點(diǎn)矩陣面板。然而，這種AMOLED面板的問(wèn)題在于，因?yàn)樗ㄟ^(guò)調(diào)節(jié)用作驅(qū)動(dòng)元件的晶體管的電流量而驅(qū)動(dòng)，所以需要高度可靠的晶體管。而且，AMOLED面板的問(wèn)題還在于，由于作為驅(qū)動(dòng)元件的晶體管的特性的變動(dòng)，出現(xiàn)亮度的不均勻。為了解決該問(wèn)題，附加地需要諸如補(bǔ)償電路或電容器的組件，且因而AMOLED面板的結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜。因此，存在制造AMOLED面板的成本增加的問(wèn)題。此后，將參照?qǐng)DI和2詳細(xì)描述用于PMOLED面板和AMOLED面板的像素電路的問(wèn)題。圖I是示出了用于常規(guī)PMOLED面板的像素電路的電路圖。參照?qǐng)D1，PMOLED面板100包括以點(diǎn)矩陣形式實(shí)施的多個(gè)像素電路110。在圖I中，僅示例性示出了一個(gè)像素電路110。各像素電路110可以概念性地且簡(jiǎn)單地表示為使用單個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管OLED11實(shí)施。OLED1J^端子分別連接到掃描線和數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)線連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)，且掃描線連接到掃描線驅(qū)動(dòng)電路(未示出)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路可以將亮度分成各個(gè)級(jí)，且向各個(gè)像素電路110提供關(guān)于分成級(jí)的亮度的數(shù)據(jù)。而且，掃描線驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)掃描驅(qū)動(dòng)方法順序驅(qū)動(dòng)各個(gè)掃描線。在這種情況下，因?yàn)榱炼葦?shù)據(jù)被提供到數(shù)據(jù)線且掃描線被順序驅(qū)動(dòng)，電流流過(guò)每個(gè)OLED11,且每個(gè)OLED11因而發(fā)光。
然而，當(dāng)掃描線根據(jù)順序驅(qū)動(dòng)方法連接到像素電路110時(shí)，由于掃描線的電阻之間的差異，出現(xiàn)亮度的不均勻。而且，由于掃描線和數(shù)據(jù)線的高電阻，出現(xiàn)亮度的劣化，且因而常規(guī)PMOLED面板100在需要制造的面板的尺寸方面存在技術(shù)限制。圖2是示出了用于常規(guī)AMOLED面板的像素電路的電路圖。參照?qǐng)D2，AMOLED面板200包括以點(diǎn)矩陣形式實(shí)施的多個(gè)像素電路210。在圖2中，類(lèi)似于圖1，僅示例性示出一個(gè)像素電路210。在各像素電路210中，連接在數(shù)據(jù)線和掃描線之間的晶體管QP21用于執(zhí)行切換。預(yù)定的亮度數(shù)據(jù)通過(guò)數(shù)據(jù)線提供到像素電路210，且“低”信號(hào)通過(guò)各個(gè)掃描線被順序施加到像素電路210，使得各個(gè)晶體管QP21導(dǎo)通。
然后，數(shù)據(jù)電壓被輸入到晶體管QP22的柵極端子，使得在電容器C21形成固定電壓。晶體管QP22基于輸入到柵極端子的數(shù)據(jù)電壓和晶體管QP22的閾值電壓決定施加到OLED21的電流。在這種情況下，可以看出，即使在掃描線上驅(qū)動(dòng)“高”信號(hào)且晶體管QP21截止，通過(guò)數(shù)據(jù)線提供的電壓仍保留在電容器C21中而沒(méi)有變化。S卩，可以看出，AMOLED面板200解決了由于掃描線的順序驅(qū)動(dòng)在PMOLED面板100中出現(xiàn)的亮度的不均勻的問(wèn)題。然而，AMOLED面板200的晶體管QP22的不利之處在于，依賴(lài)于制造工藝，其特性中的變化嚴(yán)重。因此，取決于相應(yīng)單元像素中的晶體管QP22的特性中的變化，點(diǎn)矩陣AMOLED面板200導(dǎo)致亮度的不均勻。目前，為了解決上述AMOLED面板中出現(xiàn)的亮度的不均勻的問(wèn)題，使用向每個(gè)像素添加多個(gè)晶體管和電容器的補(bǔ)償電路技術(shù)。然而，由于其制造過(guò)程復(fù)雜且麻煩，使用補(bǔ)償電路技術(shù)的AMOLED面板200在制造中具有很多困難。而且，因?yàn)槊總€(gè)晶體管QP22直接控制施加到OLED21的電流，因而AMOLED面板200承受高的電壓和電流應(yīng)力。因此，為了制造高質(zhì)量AMOLED面板200，仍存在確保晶體管QP22的高度可靠性的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明考慮現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的上述問(wèn)題做出，且本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于OLED面板的像素電路，與AMOLED面板相比，其在簡(jiǎn)化OLED面板的結(jié)構(gòu)的同時(shí)不導(dǎo)致亮度的不均勻的問(wèn)題。本發(fā)明的另一目的是提供具有該像素電路的顯示設(shè)備。本發(fā)明的又一目的是提供一種使用該像素電路驅(qū)動(dòng)OLED面板的方法。根據(jù)用于實(shí)現(xiàn)這些目的的本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板的像素電路，其包括開(kāi)關(guān)元件，由從多條掃描線順序選出的掃描線中的相應(yīng)一個(gè)輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)，且被配置成基于通過(guò)多條數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一個(gè)輸入的亮度數(shù)據(jù)傳輸驅(qū)動(dòng)電流；以及0LED，被配置成使用開(kāi)關(guān)元件傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流發(fā)光。優(yōu)選地，開(kāi)關(guān)元件可以包括晶體管，其柵極端子連接到相應(yīng)掃描線，其漏極端子連接到相應(yīng)數(shù)據(jù)線，且其源極端子連接到0LED。優(yōu)選地，OLED可以具有連接到晶體管的源極端子的陽(yáng)極和連接到公共電極的陰極。優(yōu)選地，晶體管可以是N型或P型金屬氧化物薄膜晶體管。優(yōu)選地，金屬氧化物薄膜晶體管可以包括有源層，該有源層由選自氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZnO)和氧化銦鎵鋅(IGZO)組成的組中的任意一種材料制成。優(yōu)選地，OLED可以包括透明OLED (TOLED)。優(yōu)選地，OLED可以包括基板、在基板上形成的第一電極、在第一電極上形成的有機(jī)層、在有機(jī)層上形成的第二電極以及在有機(jī)層和第二電極之間和/或在第二電極上形成且配置成包括選自由氧化物、氮化物、鹽及其混合物組成 的組中的任意一種的透明層。優(yōu)選地，氧化物可以包括選自以下氧化物組成的組中的任意一種氧化物Mo03、ITO、IZO、I0、Zn0、T0、Ti02、Si02、W03、Al203、Cr203、Te02 以及 SrO20優(yōu)選地，氮化物可以包括選自由SiN和AIN組成的組中的任意一種氮化物。優(yōu)選地，鹽可以包括選自以下鹽組成的組中的任意一種鹽Cs2C03、LiC03、KC03、NaC03、LiF、CsF 以及 ZnSe。優(yōu)選地，透明層可以形成為具有等于或大于0. Inm且小于IOOnm的厚度。優(yōu)選地，有機(jī)層可以包括摻雜有選自由低功函數(shù)金屬及其混合物組成的組中的任意一種的電子輸運(yùn)層以促進(jìn)電子從第二電極的注入。優(yōu)選地，低功函數(shù)金屬可以包括選自由以下金屬組成的組中的任意一種Cs、Li、Na、K 和 Ca。優(yōu)選地，低功函數(shù)金屬的混合物可以包括選自由以下混合物組成的組中的任意一種Li-Al,LiF, CsF 和 Cs2CO30優(yōu)選地，取決于波長(zhǎng)(nm)，OLED可以呈現(xiàn)出70%至99%的透射率。根據(jù)實(shí)現(xiàn)目的的本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示設(shè)備，包括掃描線驅(qū)動(dòng)電路，用于通過(guò)多條掃描線順序輸出掃描信號(hào)；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，用于通過(guò)多條數(shù)據(jù)線傳輸亮度數(shù)據(jù)；以及用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板的一個(gè)或更多像素電路，該像素電路在矩陣形式的掃描線和數(shù)據(jù)線交叉的位置連接和形成，其中，像素電路中的每一個(gè)包括開(kāi)關(guān)元件，由通過(guò)從多條掃描線中順序選出的掃描線中的相應(yīng)一條掃描線輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)，且配置成基于通過(guò)數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線輸入的亮度數(shù)據(jù)傳輸驅(qū)動(dòng)電流；以及0LED，配置成使用開(kāi)關(guān)元件傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流發(fā)光。根據(jù)實(shí)現(xiàn)目的的本發(fā)明的另一方面，提供了一種使用像素電路驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板的方法，該像素電路分別包括用于選擇性驅(qū)動(dòng)像素的晶體管，該方法包括使用通過(guò)從多條掃描線中順序選出的掃描線中的相應(yīng)一條輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)每個(gè)晶體管，該晶體管基于通過(guò)多條數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一條輸入的亮度數(shù)據(jù)向OLED傳輸驅(qū)動(dòng)電流，且該OLED使用該驅(qū)動(dòng)電流發(fā)光。優(yōu)選地，在使用通過(guò)從多條掃描線中順序選出的掃描線中的相應(yīng)一條掃描線輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)每個(gè)晶體管時(shí)，掃描信號(hào)可以通過(guò)晶體管的柵極端子輸入。優(yōu)選地，在晶體管基于通過(guò)多條數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一條輸入的亮度數(shù)據(jù)向OLED傳輸驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流可以通過(guò)晶體管的漏極端子輸入，且晶體管可以通過(guò)其源極端子向OLED傳輸驅(qū)動(dòng)電流。優(yōu)選地，在OLED使用驅(qū)動(dòng)電流發(fā)光時(shí)，OLED可以具有連接到晶體管的源極端子的陽(yáng)極和連接到透明公共電極的陰極，使得通過(guò)陽(yáng)極傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流施加到連接到陰極的透明公共電極。有益效果如上所述，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，在常規(guī)PMOLED面板的結(jié)構(gòu)中提供用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)的晶體管，因而解決了諸如由于掃描線的順序驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致的亮度不均勻以及常規(guī)AMOLED面板的結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的電路復(fù)雜度的問(wèn)題。而且，通過(guò)在有機(jī)層和第二電極(陰極)之間和/或在第二電極上形成包括選自由氧化物、氮化物、鹽及其混合物組成的組中的任意一個(gè)的透明層來(lái)實(shí)現(xiàn)TOLED面板，因而使得TOLED能夠?qū)崿F(xiàn)雙側(cè)發(fā)射且改善透射率。
而且，透明層由選自由氧化物、氮化物、鹽及其混合物組成的組中的任意一種組成，所以可以防止第二電極的內(nèi)部電阻的增加，因而改善產(chǎn)品的電學(xué)性能。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)不限于上述優(yōu)點(diǎn)，且本領(lǐng)域技術(shù)人員將從所附權(quán)利要求的描述清楚地理解此處未描述的其他優(yōu)點(diǎn)。


圖I是示出了用于常規(guī)PMOLED面板的像素電路的電路圖；圖2是示出了用于常規(guī)AMOLED面板的像素電路的電路圖；圖3是示出了用于根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的像素電路的電路圖；圖4是示出了具有用于根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的像素電路的顯示設(shè)備的框圖；圖5是示出了驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的方法的流程圖；圖6是包括在用于根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的像素電路中的OLED的剖面圖；圖7是示出了取決于OLED的透明層的透射率的圖；圖8是示出了取決于OLED的透明層的亮度的圖；圖9是示出了當(dāng)OLED的透明層由氧化物、鹽或其混合物制成時(shí)的透射率的圖；以及圖10是示出了制作包括在用于根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的像素電路中的OLED的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述?，F(xiàn)在將參照附圖進(jìn)行說(shuō)明，其中在整個(gè)附圖中，相同的附圖標(biāo)記用于指示相同或類(lèi)似的組件。而且，在本發(fā)明的說(shuō)明中，如果判斷相關(guān)公知的構(gòu)造或功能的描述使得本發(fā)明的主旨不清楚，則將省略其詳細(xì)描述。此后，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。圖3是示出了用于根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的像素電路的電路圖。參照?qǐng)D3，根據(jù)本發(fā)明的OLED面板300可以包括以點(diǎn)矩陣形式存在的多個(gè)像素。這種點(diǎn)矩陣形式適于相對(duì)較大的顯示設(shè)備。在圖3中，僅示例性示出了點(diǎn)矩陣形式的OLED面板300的一個(gè)像素。同時(shí)，在每個(gè)像素中提供的像素電路310包括晶體管Qn31和有機(jī)發(fā)光二極管OLED31。此后，將詳細(xì)描述OLED面板300的結(jié)構(gòu)和操作。
首先，OLED面板300的像素電路310的結(jié)構(gòu)如下面所描述。晶體管QN31的柵極端子連接到掃描線XN，且其漏極端子連接到數(shù)據(jù)線Yn。在這種情況下，通過(guò)掃描線施加掃描信號(hào)，且通過(guò)數(shù)據(jù)線施加指示亮度的亮度數(shù)據(jù)。而且，晶體管QN31的源極端子連接到OLED31。掃描信號(hào)可以從掃描線驅(qū)動(dòng)電路420 (參照?qǐng)D4)輸入，且作為數(shù)據(jù)信號(hào)的亮度數(shù)據(jù)可以從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路410(參照?qǐng)D4)輸入。此處，掃描信號(hào)通過(guò)從多條掃描線順序選出的掃描線中的相應(yīng)一個(gè)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路420輸入。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路410和掃描線驅(qū)動(dòng)電路420可以以與 在PMOLED面板中使用的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(參照?qǐng)DI的描述)和掃描線驅(qū)動(dòng)電路(參照?qǐng)DI的描述)相同的方式實(shí)施而無(wú)
需改變。在這種情況下，OLED面板300可以制造為透明的。透明OLED (TOLED)面板(此后通過(guò)附圖標(biāo)記“300”指示)優(yōu)選地實(shí)施為使得晶體管QN31是金屬氧化物薄膜晶體管(MOTFT)。這是由于這一事實(shí)MOTFT可以制造為透明的。當(dāng)然，MOTFT可以由各種材料制成。例如，有源層可以由氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZnO)或氧化銦鎵鋅(IGZO)制成。此處，陰極可以實(shí)施為透明電極。因?yàn)殛帢O用作本發(fā)明的OLED面板300中的公共電極，因而與常規(guī)PMOLED面板100不同，不會(huì)出現(xiàn)高電阻或透明度劣化的問(wèn)題。如上所述，盡管是PMOLED面板，但本發(fā)明的OLED面板300使用陰極公共電極。而且，因?yàn)殡娏鲝臄?shù)據(jù)線流向陰極公共電極，不會(huì)出現(xiàn)由于掃描線的高電阻導(dǎo)致的亮度劣化的問(wèn)題。同時(shí)，本發(fā)明的OLED面板300的特征在于可以使用在常規(guī)PMOLED面板中使用的基于順序驅(qū)動(dòng)方法的掃描線驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路而無(wú)需改變。接下來(lái)，將詳細(xì)描述像素電路310的操作。首先，亮度數(shù)據(jù)通過(guò)連接到晶體管QN31的數(shù)據(jù)線施加到像素電路310。亮度數(shù)據(jù)可以包括將亮度分成不同級(jí)而獲得的不同電流。同時(shí)，相關(guān)掃描信號(hào)通過(guò)晶體管QN31的柵極端子從掃描線施加到像素電路310。此處，掃描信號(hào)通過(guò)相應(yīng)掃描線順序施加。因此，當(dāng)相關(guān)掃描信號(hào)在預(yù)定亮度數(shù)據(jù)施加到數(shù)據(jù)線的狀態(tài)下通過(guò)各掃描線施加到各像素電路310的晶體管QN3I的柵極端子時(shí)，晶體管QN3I導(dǎo)通。亮度數(shù)據(jù)電流通過(guò)導(dǎo)通的晶體管QN31傳輸。因?yàn)殡娏髁鹘?jīng)OLED31, OLED31因而發(fā)光。如上所述，晶體管QN31用作僅用于OLED31的開(kāi)關(guān)元件。這意味著當(dāng)晶體管QN3i導(dǎo)通時(shí)，其電壓超過(guò)晶體管飽和電壓，且然后晶體管QN31用作電流路徑。在常規(guī)AMOLED面板中，因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管產(chǎn)生以驅(qū)動(dòng)OLED，因而常規(guī)AMOLED面板在性能方面具有取決于特性(諸如相對(duì)于晶體管本身的閾值電壓的可靠性)的變化的限制。然而，在本發(fā)明的OLED面板300中，因?yàn)榫w管QN31僅用作開(kāi)關(guān)元件，只要晶體管被驅(qū)動(dòng)為開(kāi)關(guān)元件，性能中的變化或劣化就不會(huì)出現(xiàn)。因此，不需要用于AMOLED的補(bǔ)償電路技術(shù)等導(dǎo)致的復(fù)雜構(gòu)造。同時(shí)，在常規(guī)PMOLED面板中，因?yàn)殡娏餍盘?hào)通過(guò)數(shù)據(jù)線或掃描線施加，面板的驅(qū)動(dòng)可能由于電阻而受限。相反，在本發(fā)明的OLED面板300中，PMOLED的掃描線電流路徑通過(guò)晶體管QN31消除，且陰極用作公共接地電極，且因而可以克服電阻導(dǎo)致的限制。圖4是示出了具有用于根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的像素電路的顯示設(shè)備的框圖。參照?qǐng)D4，具有根據(jù)本發(fā)明的OLED面板300的顯示設(shè)備400可以包括OLED面板300、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路410以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路420。下面將描述顯示設(shè)備的這些組件。首先，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路410通過(guò)多條數(shù)據(jù)線提供亮度數(shù)據(jù)。即，通過(guò)將亮度分為多級(jí)獲得的電流通過(guò)數(shù)據(jù)線提供。而且，掃描線驅(qū)動(dòng)電路420通過(guò)多條掃描線順序輸出掃描信號(hào)。掃描線驅(qū)動(dòng)電路420可以使用常規(guī)PMOLED面板使用的掃描線驅(qū)動(dòng)方法而無(wú)需改變。
在這種情況中，反相器電路可以附加地插入到常規(guī)掃描線驅(qū)動(dòng)電路的輸出級(jí)。反相器電路是用于反轉(zhuǎn)通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)電路420輸出的掃描信號(hào)的組件。當(dāng)在根據(jù)本發(fā)明的OLED面板300中使用的晶體管QN31制造為N型晶體管時(shí)，基于常規(guī)PMOLED驅(qū)動(dòng)方法的掃描線形成P型負(fù)電壓，且因而需要諸如反相器電路的附加組件。從IC芯片的制造的角度，這種反相器可以制造為嵌入在電路中且可以根據(jù)選擇N型還是P型晶體管QN31而選擇性地使用。而且，OLED面板300包括以點(diǎn)矩陣形式配置的多個(gè)像素，各像素包括根據(jù)本發(fā)明的像素電路310。像素電路310可以在矩陣的掃描線和數(shù)據(jù)線交叉的每個(gè)位置連接和形成，且可以包括晶體管QN31和有機(jī)發(fā)光二極管OLED31。像素電路310的晶體管QN31由通過(guò)從多條掃描線順序選出的掃描線中的相應(yīng)一個(gè)輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)，且根據(jù)通過(guò)數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一個(gè)輸入的亮度數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)電流。同時(shí)，像素電路310的OLED31使用從晶體管QN31傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流發(fā)光。晶體管QN3I和OLED31的詳細(xì)操作與上面參照?qǐng)D3描述的操作相同。上述OLED面板300和具有OLED面板300的顯示設(shè)備400可以使用典型的電路制造工藝制造。在OLED面板300和顯示設(shè)備400中使用的每個(gè)晶體管可以制造為具有底柵薄膜晶體管(TFT)結(jié)構(gòu)或頂柵TFT結(jié)構(gòu)。圖5是示出了用于驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的方法的流程圖。參照?qǐng)D5，驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的方法執(zhí)行為使得，在步驟S100，在分別包括用于選擇性驅(qū)動(dòng)像素的晶體管QN31的像素電路310中，各晶體管QN31被通過(guò)從多條掃描線順序選出的掃描線中的相應(yīng)一條輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)。在這種情況中，掃描信號(hào)可以通過(guò)晶體管QN31的柵極端子輸入。接下來(lái)，在步驟S200，晶體管QN31基于通過(guò)數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一條輸入的亮度數(shù)據(jù)向OLED31傳輸驅(qū)動(dòng)電流。此處，驅(qū)動(dòng)電流可以通過(guò)晶體管QN31的漏極端子輸入到相應(yīng)像素電路310且可以通過(guò)晶體管QN31的源極端子傳輸?shù)?LED31。接下來(lái)，在步驟S300，OLED31使用通過(guò)晶體管QN3i的源極端子傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流發(fā)光。在這種情況下，OLED31的陽(yáng)極可以連接到晶體管QN31的源極端子且OLED31的陰極可以連接到透明公共電極。同時(shí)，晶體管QN3I可以?xún)?yōu)選地是N型或P型金屬氧化物薄膜晶體管(MOTFT)。在這種情況下，MOTFT可以配置成包括有源層，該有源層由選自以下成分組成的組中的任意一個(gè)制成氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZnO)或氧化銦鎵鋅(IGZO)。
圖6是示出了包括用于根據(jù)本發(fā)明的OLED面板的像素電路中的OLED的截面圖。如圖6所不，根據(jù)本發(fā)明的OLED31I包括基板10、第一電極30、第二電極50、有機(jī)層70和透明層90。基板10支持第一電極30、第二電極50、有機(jī)層70和透明層90?；?0由具有透明屬性的玻璃或塑料材料制成，使得發(fā)射的光可以經(jīng)過(guò)基板10。第一電極30常被稱(chēng)為下電極且在基板10上形成。第一電極30是陽(yáng)極，S卩，正(+)電極，且使用濺射方法、離子電鍍方法 和使用電子(e)槍的熱蒸發(fā)方法中的任意一個(gè)在基板10上形成。此處，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，盡管具有透明性的氧化銦錫電極用于第一電極30，但可以使用具有透明性的氧化銦鋅電極。與第一電極30相對(duì)的第二電極50常被稱(chēng)為上電極，且在有機(jī)層70上形成。第二電極50是與作為正電極的第一電極30相反的陰極，即負(fù)(-)電極。第二電極50由選自以下成分組成的群組中的任意一種制成具有透明性的銀(Ag)、鋁(Al)和錳-銀(Mg-Ag)合金。有機(jī)層70夾置在第一電極30和第二電極50之間，且通過(guò)第一電極30和第二電極50之間的電學(xué)傳導(dǎo)發(fā)光。有機(jī)層70包括空穴注入層(HIL)72、空穴輸運(yùn)層(HTL)74、發(fā)射層(EML)76、電子輸運(yùn)層(ETL)78以及電子注入層(EIL)79，使得有機(jī)層70可以使用第一電極30和第二電極50之間的電學(xué)傳導(dǎo)發(fā)光。此處，使用涂覆方法、熱蒸發(fā)方法、旋轉(zhuǎn)涂敷方法、濺射方法、電子(e)束蒸發(fā)方法和化學(xué)氣相沉積(CVD)方法之一,有機(jī)層70被夾置在第一電極30和第二電極50之間?？昭ㄗ⑷雽?2用于使得空穴能夠從第一電極30注入，且空穴輸運(yùn)層74用作從空穴注入層72注入的空穴的移動(dòng)路徑，使得注入的空穴可以遇到來(lái)自第二電極50的電子。電子注入層79用于使得電子能夠從第二電極50注入，且電子輸運(yùn)層78用作從電子注入層79注入的電子的移動(dòng)路徑，使得在發(fā)射層76中電子遇到從空穴輸運(yùn)層74移動(dòng)的空穴。為了促進(jìn)來(lái)自第二電極50的電子的注入，電子輸運(yùn)層78可以摻雜有選自由低功函數(shù)金屬(low-work-function metal)及其組合組成的組中的任意一種，該金屬可以施加而不管電子注入層79的存在與否。此處，低功函數(shù)金屬可以包括Cs、Li、Na、K和Ca，且其混合物可以包括Li_Al、LiF、CsF 和 Cs2CO3。同時(shí)，發(fā)射層76夾置在空穴輸運(yùn)層74和電子輸運(yùn)層78之間，且使用來(lái)自空穴輸運(yùn)層74的空穴和來(lái)自電子輸運(yùn)層78的電子發(fā)光。即，發(fā)射層76通過(guò)在空穴輸運(yùn)層74和電子輸運(yùn)層78的邊界表面上相遇的空穴和電子發(fā)光。透明層90可以在有源層70和第二電極50之間和/或在第二電極50上形成。例如，透明層90可以在第二電極50的頂面和底面上均形成，或者在第二電極50的頂面或底面上形成。盡管該實(shí)施方式示出透明層90在第二電極50的頂面和底面上均形成的配置的示例，本發(fā)明不限于此，而是，透明電極90僅在第二電極50的頂面或底面上形成的配置可以應(yīng)用于本發(fā)明。透明層90可以包括在有機(jī)層70和第二電極50之間形成的第一透明層91以及在第二電極50的頂面上形成的第二透明層92。優(yōu)選地，第一透明層91可以在有機(jī)層70的電子注入層79和第二電極50之間形成，且可以在電子注入層79本身中形成。而且，第二透明層92可以布置在面對(duì)第一透明層91的第二電極50的頂面上。此處，透明層90用于使得第二電極50具有透明性和高透射性。而且，透明層90以薄膜的形式配置，且因而減小了第二電極50的表面電阻，由此防止TOLED面板的性能劣化。在描述氧化物、氮化物、鹽及其混合物之后，將參照?qǐng)D7至9描述透明層90的特性。根據(jù)本發(fā)明的透明層90可以包括選自由氧化物、氮化物、鹽及其混合物組成的組中的任意一種。 在這種情況中，氧化物可以包括Mo03、ITO、IZ0、10、ZnO、TO、TiO2, Si02、W03、A1203、Cr2O3, TeO2以及SrO2。氮化物可以包括SiN和AIN。而且，鹽可以包括Cs2C03、LiC03、KC03、NaC03、LiF、CsF 以及 ZnSe。如圖7至圖9所示，盡管因?yàn)榭梢哉宫F(xiàn)良好的透射性和亮度，優(yōu)選地使用包括在透明層90中的氧化物、氮化物、鹽及其混合物，但是不同于這些材料的任意材料可以包括在透明層90中，只要這些材料能夠使得第二電極50具有透明性和高透射性即可。盡管透明層90的第一透明層91和第二透明層92由相同的材料制成，但它們可以由不同的材料制成。例如，第一透明層91可以包括氧化物，第二透明層92可以包括氮化物、鹽或其混合物。另選地，第一透明層91可以包括氮化物，且第二透明層92可以包括氧化物、鹽或其混合物。另選地，第一透明層91可以包括鹽，且第二透明層92可以包括氧化物、氮化物或其混合物。優(yōu)選地，透明層90的厚度等于或大于0. Inm且小于lOOnm。限制透明層90的厚度的原因在于，例如當(dāng)透明層90的厚度小于0. Inm時(shí)，透射率增加，且電阻也隨之正比增加，且因而TOLED面板300的性能劣化。相反，當(dāng)透明層90的厚度等于或大于IOOnm時(shí)，由于電阻的減小，性能不劣化，但是由于透明層90的厚度的增加，透射率減小。同時(shí)，優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的透明層90優(yōu)選地使用熱蒸發(fā)形成。參照?qǐng)D7至9，將參照上述構(gòu)造描述具有根據(jù)本發(fā)明的上述配置的OLED的特性。圖7是示出了取決于在根據(jù)本發(fā)明的OLED I中是否存在透明層90的透射率的圖示。在圖7中，“a”指示用于具有根據(jù)本發(fā)明的透明層90的OLED I的曲線，且“b”指示用于不同于本發(fā)明的沒(méi)有透明層90的OLED的曲線。取決于波長(zhǎng)(nm)，根據(jù)本發(fā)明的OLED I可以呈現(xiàn)從70 %至99 %的范圍的透射率。例如，如圖7所示，在取決于波長(zhǎng)(nm)的透射率方面，根據(jù)本發(fā)明的TOLED面板300在550nm的波長(zhǎng)呈現(xiàn)約80%的透射率，而沒(méi)有透明層90的TOLED面板呈現(xiàn)約47%的透射率。參照這些結(jié)果，可以看出具有透明層90的TOLED面板300的透射率高達(dá)沒(méi)有透明層90的TOLED面板的透射率的I. 7倍。圖8是示出了取決于在OLED I中是否存在透明層90的亮度的圖示。在圖8中，“c”指示用于根據(jù)本發(fā)明的OLED I的曲線，且“d”指示用于沒(méi)有透明層90的OLED的曲線。在取決于IOV的電壓的亮度方面，具有透明層90的TOLED面板300呈現(xiàn)約25000的亮度且沒(méi)有透明層90的TOLED面板呈現(xiàn)約20000的亮度。因此，可以看出，取決于是否存在透明層90，存在I. 2倍的亮度差異。在圖9 中，曲線 “e” 指示用于由諸如 Mo03、ITO、IZO、10、ZnO、TO、Ti02、Si02、冊(cè)3、△1203、0203、1602或5102的氧化物制成的透明層90的透射率，且曲線“廣’指示由諸如0820)3、LiCO3, KCO3, NaCO3, LiF、CsF或ZnSe制成的透明層90的透射率。如圖9所示，當(dāng)透明層90由氧化物制成時(shí)獲得約80%的透射率，而當(dāng)透明層90由鹽制成時(shí)獲得約75%的透射率。盡管由氧化物制成的透明層90的透射率比由鹽制成的透射層90的透射率高5%，這僅是小的差異，所以?xún)?yōu)選地，如本發(fā)明的實(shí)施方式所示，選擇性地使用氧化物、鹽及其混合物。下面將參照?qǐng)D10描述制造根據(jù)本發(fā)明的OLED I的方法。
首先，在步驟S10，在基板10上形成作為正(+)電極的第一電極30。在基板10上形成第一電極30之后，在步驟S30，在第一電極30上形成有機(jī)層70。在這種情況下，在第一電極30上形成的有機(jī)層70按照空穴注入層72、空穴輸運(yùn)層74、發(fā)射層76、電子輸運(yùn)層78和電子注入層79的順序形成。在步驟S50，在有機(jī)層70上形成第一透明層91。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，第一透明層 91 可以包括諸如 MoO3> ITO、IZO、I0、Zn0、T0、Ti02、Si02、W03、Al203、Cr2O3JeO2 或 SrO2氧化物?？紤]電阻和透射性，第一透明層91的厚度等于或大于0. Inm且小于lOOnm。此后，在步驟S70，在第一透明層91上形成第二電極50。第二電極50是負(fù)(-)電極且由薄金屬膜形成。用作第二電極50的該薄金屬膜由Ag、Al和Mg-Ag合金中的任意一種制成。在步驟S90，在第二電極50上形成第二透明電極92。第二透明點(diǎn)面積92可以如步驟S50那樣包括氧化物。然而，在第二電極50上形成的第二透明層92可以包括選自由諸如SiN和AIN的氮化物以及諸如Cs2C03、LiC03、KC03、NaC03、LiF、CsF和ZnSe的鹽及其混合物中的任意一種。因此，透明層90形成為其中布置有第二電極50，使得可以實(shí)現(xiàn)雙側(cè)光發(fā)射，且可以改善透射率。而且，透明層90可以被形成為調(diào)節(jié)第二電極50的厚度，由此改善透射率和電學(xué)性倉(cāng)泛。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)不限于上述優(yōu)點(diǎn)，且本領(lǐng)域技術(shù)人員將從所附權(quán)利要求的描述清楚地理解此處未描述的其他優(yōu)點(diǎn)。盡管僅用于說(shuō)明性目的公開(kāi)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識(shí)到在不偏離如所附權(quán)利要求公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和精神的條件下，各種修改、添加和替換是可行的。工業(yè)應(yīng)用性本發(fā)明可以用于制作具有用于OLED面板的像素電路的顯示設(shè)備，與AMOLED面板相比，其在簡(jiǎn)化OELD面板的結(jié)構(gòu)的同時(shí)，不導(dǎo)致亮度的不均勻的問(wèn)題。
權(quán)利要求
1.一種用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板的像素電路，所述像素電路包括 開(kāi)關(guān)兀件，由通過(guò)從多條掃描線中順序選出的掃描線中的相應(yīng)一條掃描線輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)，且被配置成基于通過(guò)多條數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線輸入的亮度數(shù)據(jù)傳輸驅(qū)動(dòng)電流；以及 0LED，被配置成使用由所述開(kāi)關(guān)元件傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流發(fā)光。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素電路，其中所述開(kāi)關(guān)元件包括晶體管，所述晶體管的柵極端子連接到相應(yīng)掃描線，所述晶體管的漏極端子連接到相應(yīng)數(shù)據(jù)線，且所述晶體管的源極端子連接到所述0LED。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其中所述OLED具有連接到所述晶體管的源極端子的陽(yáng)極和連接到公共電極的陰極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素電路，其中所述晶體管是N型或P型金屬氧化物薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素電路，其中所述金屬氧化物薄膜晶體管包括有源層，所述有源層由選自氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZnO)和氧化銦鎵鋅(IGZO)組成的組中的任意一種材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素電路，其中所述OLED包括透明OLED(TOLED)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素電路，其中所述OLED包括 基板； 在所述基板上形成的第一電極； 在所述第一電極上形成的有機(jī)層； 在所述有機(jī)層上形成的第二電極；以及 在所述有機(jī)層和所述第二電極之間和/或在所述第二電極上形成的透明層，所述透明層被配置成包括選自由氧化物、氮化物、鹽及其混合物組成的組中的任意一種材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素電路，其中所述氧化物包括選自以下氧化物組成的組中的任意一種氧化物:Mo03、IT0、IZ0、I0、Zn0、T0、Ti02、Si02、W03、Al203、Cr203、Te02 以及 SrO20
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素電路，其中所述氮化物包括選自由SiN和AIN組成的組中的任意一種氮化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素電路，其中所述鹽包括選自以下鹽組成的組中的任意一種鹽Cs2C03、LiCO3' KCO3> NaCO3> LiF、CsF 以及 ZnSe。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素電路，其中所述透明層被形成為具有等于或大于0.Inm且小于IOOnm的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素電路，其中所述有機(jī)層包括摻雜有選自由低功函數(shù)金屬及其混合物組成的組中的任意一種的電子輸運(yùn)層以促進(jìn)電子從所述第二電極的注入。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路，其中所述低功函數(shù)金屬包括選自由以下金屬組成的組中的任意一種金屬-.Cs、Li、Na、K和Ca。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素電路，其中所述低功函數(shù)金屬的混合物可以包括選自由以下混合物組成的組中的任意一種混合物L(fēng)i-Al、LiF、CsF和Cs2C03。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素電路，其中取決于波長(zhǎng)(nm)，所述OLED呈現(xiàn)出70%至99%的透射率。
16.一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備包括 掃描線驅(qū)動(dòng)電路，用于通過(guò)多條掃描線順序輸出掃描信號(hào)； 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，用于通過(guò)多條數(shù)據(jù)線傳輸亮度數(shù)據(jù)；以及 用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板的一個(gè)或更多像素電路，所述像素電路在矩陣形式的所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線交叉的位置連接和形成，其中，各所述像素電路包括開(kāi)關(guān)元件，由通過(guò)從多條掃描線中順序選出的掃描線中的相應(yīng)一條掃描線輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)，且被配置成基于通過(guò)所述多條數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一條輸入的亮度數(shù)據(jù)傳輸驅(qū)動(dòng)電流；以及0LED，被配置成使用所述開(kāi)關(guān)元件傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流發(fā)光。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中所述開(kāi)關(guān)元件包括晶體管，所述晶體管的柵極端子連接到相應(yīng)掃描線，所述晶體管的漏極端子連接到相應(yīng)數(shù)據(jù)線，且所述晶體管的源極端子連接到所述0LED。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示設(shè)備，其中所述OLED具有連接到所述晶體管的源極端子的陽(yáng)極和連接到公共電極的陰極。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示設(shè)備，其中所述晶體管是N型或P型金屬氧化物薄膜晶體管。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中所述OLED包括透明OLED(TOLED)。
21.一種使用像素電路驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板的方法，所述像素電路分別包括用于選擇性驅(qū)動(dòng)像素的晶體管，所述方法包括 使用通過(guò)從多條掃描線中順序選出的掃描線中的相應(yīng)一條掃描線輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)每個(gè)晶體管； 所述晶體管基于通過(guò)多條數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線輸入的亮度數(shù)據(jù)向OLED傳輸驅(qū)動(dòng)電流；以及 所述OLED使用所述驅(qū)動(dòng)電流發(fā)光。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中在使用通過(guò)從所述多條掃描線中順序選出的掃描線中的相應(yīng)一條掃描線輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)各晶體管時(shí)，通過(guò)所述晶體管的柵極端子輸入掃描信號(hào)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中在所述晶體管基于通過(guò)所述多條數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一條數(shù)據(jù)線輸入的亮度數(shù)據(jù)向所述OLED傳輸驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，通過(guò)所述晶體管的漏極端子輸入所述驅(qū)動(dòng)電流，且所述晶體管通過(guò)其源極端子向所述OLED傳輸驅(qū)動(dòng)電流。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中在所述OLED使用驅(qū)動(dòng)電流發(fā)光時(shí)，所述OLED的陽(yáng)極連接到晶體管的源極端子，并且所述OLED的陰極連接到透明公共電極，使得通過(guò)所述陽(yáng)極傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流施加到連接到所述陰極的透明公共電極。
全文摘要
此處公開(kāi)了用于OLED面板的像素電路、具有該像素電路的顯示設(shè)備以及驅(qū)動(dòng)該OLED面板的方法。用于OLED面板的像素電路包括開(kāi)關(guān)元件，該開(kāi)關(guān)元件通過(guò)從多條掃描線順序選擇的掃描線中的相應(yīng)一個(gè)輸入的掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)，且配置成基于通過(guò)多條數(shù)據(jù)線中的相應(yīng)一個(gè)輸入的亮度數(shù)據(jù)傳輸驅(qū)動(dòng)電流。OLED使用開(kāi)關(guān)元件傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流發(fā)光。OLED具有連接到晶體管的源極端子的陽(yáng)極和連接到公共電極的陰極。因此，可以解決由于掃描線的順序驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致的亮度的不均勻和劣化以及常規(guī)AMOLED面板的電路的復(fù)雜性的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102714018SQ201080007966
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2010年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月16日
發(fā)明者崔東旭 申請(qǐng)人:娜我比可隆株式會(huì)社