專(zhuān)利名稱(chēng)：一種金屬化電容薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其為一種金屬化電容薄膜。
背景技術(shù)：
薄膜電容器具有電容量穩(wěn)定、損耗小、耐電壓特性?xún)?yōu)異、絕緣電阻高、頻率特性好、 性能穩(wěn)定、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于電子、家電、通訊、電力等領(lǐng)域。目前的薄膜電容器，一 般由金屬化電容薄膜繞制而成，金屬化電容薄膜是在介質(zhì)薄膜上真空蒸鍍一層金屬電極鍍 層，由于介質(zhì)薄膜與金屬電極鍍層的附著力較弱，在電容繞制過(guò)程中及電容使用中，金屬電 極鍍層容易和介質(zhì)薄膜分離，導(dǎo)致金屬電極鍍層易被擊穿，影響薄膜電容的使用壽命。

實(shí)用新型內(nèi)容為克服上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種金屬電極鍍層不易和介質(zhì)薄膜分離 的金屬化電容薄膜。為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型是采用下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種金屬化電容 薄膜，包括一個(gè)介質(zhì)薄膜，介質(zhì)薄膜采用聚丙烯拉伸形成，介質(zhì)薄膜上設(shè)有通過(guò)真空蒸鍍形 成的金屬電極鍍層，其特征在于介質(zhì)薄膜上設(shè)有若干凹陷帶，凹陷帶內(nèi)設(shè)有金屬加強(qiáng)層， 金屬加強(qiáng)層上邊緣與金屬電極鍍層結(jié)合。本實(shí)用新型和以往技術(shù)相比，具有以下有益效果由于介質(zhì)薄膜上設(shè)有凹陷帶，并 通過(guò)金屬加強(qiáng)層與金屬電極鍍層進(jìn)行結(jié)合，比原來(lái)的金屬化電容薄膜具有更強(qiáng)的結(jié)合力， 在使用過(guò)程中金屬電極鍍層與介質(zhì)薄膜不易分離，延長(zhǎng)了電容的使用壽命。

附圖為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1、凹陷帶，2、金屬電極鍍層，3、介質(zhì)薄膜，4、金屬加強(qiáng)層。
具體實(shí)施方式
參看附圖，一種金屬化電容薄膜，包括一個(gè)介質(zhì)薄膜3，介質(zhì)薄膜3采用聚丙烯拉 伸形成，介質(zhì)薄膜3上設(shè)有通過(guò)真空蒸鍍形成的金屬電極鍍層2，介質(zhì)薄膜3上設(shè)有若干凹 陷帶1，凹陷帶1內(nèi)蒸鍍有金屬加強(qiáng)層4，金屬加強(qiáng)層4的上邊緣與金屬電極鍍層2結(jié)合。所述的金屬電極鍍層2與金屬加強(qiáng)層4可采用鋁、鋅鋁合金。
權(quán)利要求1. 一種金屬化電容薄膜，包括一個(gè)介質(zhì)薄膜，介質(zhì)薄膜上設(shè)有通過(guò)真空蒸鍍形成的金 屬電極鍍層，其特征在于介質(zhì)薄膜上設(shè)有若干凹陷帶，凹陷帶內(nèi)設(shè)有金屬加強(qiáng)層，金屬加 強(qiáng)層上邊緣與金屬電極鍍層結(jié)合。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及電工技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種金屬化電容薄膜，其方案是介質(zhì)薄膜上設(shè)有金屬電極鍍層，介質(zhì)薄膜上設(shè)有凹陷帶，凹陷帶內(nèi)設(shè)有金屬加強(qiáng)層，金屬加強(qiáng)層上邊緣與金屬電極鍍層結(jié)合。由于凹陷帶及金屬加強(qiáng)層的作用，使金屬電極鍍層與介質(zhì)薄膜具有更強(qiáng)的結(jié)合力，不易分離，延長(zhǎng)了電容的使用壽命。
文檔編號(hào)H01G4/14GK201898037SQ20102067650
公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2010年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月23日
發(fā)明者尹朝前, 張廣志, 林志強(qiáng), 薛江華, 辛秀梅, 郭金華 申請(qǐng)人:河北海偉集團(tuán)電子材料有限公司