專利名稱：一種大功率三極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種大功率三極管
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地說(shuō)，涉及一種絕緣型大功率三極管。背景技術(shù)：
目前，一般的晶體管的集電極就是其熱基板，即集電極和散熱基板是相通的。在使 用過(guò)程中需要采用絕緣措施將晶體管與散熱器隔開(kāi)，通常用云母片或滌綸薄膜覆導(dǎo)熱硅脂 后，貼裝于功率器件與散熱器之間。這種絕緣措施將導(dǎo)致熱阻大幅度提高，實(shí)際耗散功率降 低，可靠性下降。采用這種絕緣方式易產(chǎn)生漏電絕緣不佳和短路等故障，同時(shí)對(duì)散熱器表面 和器件安裝面的光潔度要求不高。所述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷值得改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)上述技術(shù)缺陷，提供一種大功率三極管，該一種大功 率三極管將集電極與散熱基板隔開(kāi)，既保證了電的絕緣，又保證了熱的快速傳導(dǎo)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下所述一種大功率三極管，包括芯片、熱沉、底板和引 腳，其特征在于，芯片的安裝面上涂覆熱硅脂，并貼裝于熱沉上，熱沉與底板之間設(shè)有導(dǎo)熱 絕緣電陶瓷片，熱沉上設(shè)有晶體管的一只引腳，引腳通過(guò)引線與芯片相連，所述導(dǎo)熱絕緣電 陶瓷片雙面涂鍍有金屬層。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其特征還在于，所述導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片選用高導(dǎo)熱 率絕緣的電子陶瓷片，所述的電子陶瓷片的厚度為150-250微米。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其特征還在于，所述的電子陶瓷片的單面涂鍍金屬 層的厚度為8-18微米。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其有益效果在于，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊、電流線性 耗、噪音低、耗散功率大、熱阻小。本實(shí)用新型采用電子陶瓷作絕緣導(dǎo)熱層，熱導(dǎo)率高，其集 電極-基極間擊穿強(qiáng)度大于1000V。安裝于同樣表面積的散熱器上，熱阻比云母片絕緣情況 低 20%。

附圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為本實(shí)用新型的內(nèi)部結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。在附圖中，1、芯片；2、底板；3、熱沉；4、導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片；5、引腳；6、引線。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖以及實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的描述如附圖1、附圖2所示，一種大功率三極管，包括芯片1、熱沉3、底板2和引腳5，其 特征在于，芯片1的安裝面上涂覆熱硅脂，并貼裝于熱沉3上，該芯片1優(yōu)選采用雙極型晶 體管，熱沉3與底板2之間設(shè)有導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片4，熱沉3上設(shè)有晶體管的一只引腳5，該
3熱沉3優(yōu)選采用銅，引腳5通過(guò)引線6與芯片1相連，所述導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片4雙面涂鍍有所述導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片4選用高導(dǎo)熱率絕緣的電子陶瓷片，所述的電子陶瓷片 的厚度為150-250微米。所述的電子陶瓷片的單面涂鍍金屬層的厚度為8-18微米。所述的電子陶瓷片雙面涂鍍的金屬層優(yōu)選采用鎳。
權(quán)利要求1.一種大功率三極管，包括芯片、熱沉、底板和引腳，其特征在于芯片(1)的安裝面上 涂覆熱硅脂，并貼裝于熱沉C3)上，熱沉C3)與底板( 之間設(shè)有導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片，熱 沉(3)上設(shè)有晶體管的一只引腳(5)，引腳(5)通過(guò)引線(6)與芯片(1)相連，所述導(dǎo)熱絕 緣電陶瓷片(4)雙面涂鍍有金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率三極管，其特征在于所述導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片(4) 選用高導(dǎo)熱率絕緣的電子陶瓷片，所述的電子陶瓷片的厚度為150-250微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種大功率三極管，其特征在于所述的電子陶瓷片的單面 涂鍍金屬層的厚度為8-18微米。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種大功率三極管，包括芯片、熱沉、底板和引腳，其特征在于，芯片的安裝面上涂覆熱硅脂，并貼裝于熱沉上，熱沉與底板之間設(shè)有導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片，熱沉上設(shè)有晶體管的一只引腳，引腳通過(guò)引線與芯片相連，所述導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片雙面涂鍍有金屬層。所述導(dǎo)熱絕緣電陶瓷片選用高導(dǎo)熱率絕緣的電子陶瓷片，所述的電子陶瓷片的厚度為150-250微米。所述的電子陶瓷片的單面涂鍍金屬層的厚度為8-18微米。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊、電流線性好、噪音低、耗散功率大、熱阻小。
文檔編號(hào)H01L29/73GK201927610SQ20102062154
公開(kāi)日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者李穩(wěn), 高宗利 申請(qǐng)人:深圳市科瑞半導(dǎo)體有限公司