專利名稱：一種高頻晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種高頻晶體管
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種微電子元器件，更具體地說，涉及一種高頻晶體管。背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的晶體管，由于金的電導(dǎo)率高、物理化學(xué)性質(zhì)相對穩(wěn)定，易于淀積電鍍，與其 他金屬的熱匹配較好，因此常用來作為晶體管芯片的背金材料，即在外延片背面采用蒸發(fā)、 濺射等方法背金。雖然金與硅的結(jié)合產(chǎn)生的接觸電阻已很小，但是超高頻晶體管由于其高 頻特性的特殊需要，要求各個(gè)結(jié)之間的接觸電阻、接觸電容等越小越好，單純金材料不是背 金材料的最佳選擇。所述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷值得改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于針對上述技術(shù)缺陷，提供一種高頻晶體管，該一種高頻晶 體管可降低晶體管的高頻損耗、提高高頻特性。本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下所述一種高頻晶體管，包括外延片，其特征在于所 述外延片背面設(shè)有背金層，所述背金層包括金屬Pt層、Ni層、Cr層、W層、Au層。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其特征還在于，所述由Pt層、Ni層、Cr層、W層、Au 層所形成的背金層的總厚度為1 士0. ISym0根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其特征還在于，所述外延片與背金層總厚度小于140 微米。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其有益效果在于，本實(shí)用新型經(jīng)超減薄后采用五層 金屬依次濺射在外延片背面，在構(gòu)成外延片的Si (硅)層、Pt(鉬)層、Ni (鎳)層、Cr(鉻) 層、W(鎢)層、Au(金)層中，相鄰層材料之間具有良好的匹配性，可以相互之間的接觸電阻 達(dá)到最小，最終導(dǎo)致整體的接觸電阻都較小，可降低晶體管的高頻損耗，提高高頻特性。本 實(shí)用新型廣泛應(yīng)用在微電子電路中，能耗低，壽命長。

附圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。在附圖中，1、外延片；2、Pt層；3、Ni層；4、Cr層；5、W層；6、Au層。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖以及實(shí)施方式對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的描述如附圖1所示，一種高頻晶體管，包括外延片1，其特征在于，所述外延片1背面由 內(nèi)到外依次設(shè)有由Pt(鉬)層2、Ni(鎳)層3、Cr(鉻)層4、W(鎢)層5、Au(金)層6共 五層的背金層，所述由Pt、Ni、Cr、W、Au所形成的背金層的總厚度為1 士0. 18μπι，外延片經(jīng) 超減薄處理，處理后所述外延片1與背金層總厚度小于140微米，將五種金屬依次蒸發(fā)、濺 射在外延片1杯背面。
權(quán)利要求1.一種高頻晶體管，包括外延片，其特征在于所述外延片(1)背面設(shè)有背金層，所述 背金層包括Pt層⑵、Ni層(3)、Cr層、W層(5)、Au層(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻晶體管，其特征還在于所述由Pt層Q)、Ni層(3)、 &層G)、W層(5)、Au層(6)所形成的背金層的總厚度為1 士0. ISym0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高頻晶體管，其特征還在于所述外延片(1)與背金層 總厚度小于140微米。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高頻晶體管，包括外延片，其特征在于，所述外延片背面設(shè)有背金層，所述背金層包括金屬Pt層、Ni層、Cr層、W層、Au層，所述由Pt層、Ni層、Cr層、W層、Au層所形成的背金層的總厚度為1±0.18μm，所述外延片與背金層總厚度小于140微米。本實(shí)用新型經(jīng)超減薄后采用五層金屬依次濺射在外延片背面，在構(gòu)成外延片的Si(硅)層、Pt(鉑)層、Ni(鎳)層、Cr(鉻)層、W(鎢)層、Au(金)層中，相鄰層材料之間具有良好的匹配性，可以使相互之間的接觸電阻達(dá)到最小，最終導(dǎo)致整體的接觸電阻都較小，可降低晶體管的高頻損耗，提高高頻特性。本實(shí)用新型廣泛應(yīng)用在微電子電路中，能耗低，壽命長。
文檔編號(hào)H01L29/72GK201927608SQ20102062152
公開日2011年8月10日 申請日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者李穩(wěn), 高宗利 申請人:深圳市科瑞半導(dǎo)體有限公司