專(zhuān)利名稱(chēng)：?jiǎn)尉е平q片架壓條裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及單晶硅太陽(yáng)能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種單晶制絨片架壓 條裝置。
技術(shù)背景單晶硅太陽(yáng)能電池制造工藝流程第一道工序通常為單晶硅表面織構(gòu)化，為了得到 良好的“金字塔”狀的絨面陷光結(jié)構(gòu)，現(xiàn)有已經(jīng)成熟的方法是利用低濃度的氫氧化鈉(氫氧 化鉀)、IPA(異丙醇)、硅酸鈉(硅酸鉀)按一定比例形成制絨液，將硅片放入該制絨液中 腐蝕以達(dá)到制絨的目的。通過(guò)硅片制絨，可以有效地增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收，從而提 高光生電流密度。常規(guī)的硅片制絨工藝實(shí)施過(guò)程中，需要將硅片放置于專(zhuān)用的制絨片架中，為防止 硅片在制絨液中浮起，需要使用壓條裝置將硅片固定在片架中，這樣勢(shì)必影響壓條處制絨 液的流動(dòng)，使壓條處硅片的腐蝕速率與周邊大不相同，導(dǎo)致硅片制絨后壓條處存在明顯壓 條印，進(jìn)而對(duì)后續(xù)的PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象淀積)工序造成影響，使硅片對(duì)應(yīng)的壓 條處形成明顯的色斑。為此，現(xiàn)有技術(shù)中的常用解決方案為增加IPA使用量，借助IPA的高 揮發(fā)性增加溶液的流動(dòng)性，或者為設(shè)備增加鼓泡系統(tǒng)和循環(huán)系統(tǒng)來(lái)增加制絨液的流動(dòng)性， 以減弱壓條印。然而，現(xiàn)有技術(shù)的解決方案中，并沒(méi)有從根本上解決制絨腐蝕中出現(xiàn)的壓條印問(wèn) 題，同時(shí)無(wú)論是增加IPA用量還是增加鼓泡和循環(huán)系統(tǒng)，都增加了單晶硅太陽(yáng)能電池的成 本，不利于大規(guī)模的推廣和應(yīng)用。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型申請(qǐng)的目的在于提供單晶制絨片架壓條裝置， 以解決硅片在制絨腐蝕中出現(xiàn)的壓條印問(wèn)題，并無(wú)需增加IPA用量或增加鼓泡和循環(huán)系 統(tǒng)，以降低單晶硅太陽(yáng)能電池的成本。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案—種單晶制絨片架壓條裝置，包括第一壓條；第二壓條，與第一壓條相互平行；第三壓條，一端連接在第一壓條的中點(diǎn)區(qū)域，另一端連接在第二壓條的中點(diǎn)區(qū) 域；所述第三壓條中設(shè)置有通孔。優(yōu)選的，第三壓條中的通孔設(shè)置在第三壓條與硅片接觸位置相對(duì)應(yīng)的位置。優(yōu)選的，所述第三壓條垂直與第一壓條和第二壓條。[0016]優(yōu)選的，所述通孔為圓形，其直徑為1毫米至2毫米。優(yōu)選的，所述通孔為正方形，其邊長(zhǎng)為1毫米至2毫米。優(yōu)選的，所述通孔為橢圓形、正多邊形或不規(guī)則多邊形。優(yōu)選的，所述第三壓條中設(shè)置有多個(gè)不同形狀的通孔；所述通孔為圓形、橢圓形、正多邊形或不規(guī)則多邊形。優(yōu)選的，所述第三壓條中設(shè)置有多個(gè)通孔；相鄰的兩個(gè)通孔之間的距離相同或不同。優(yōu)選的，所述通孔之間的間距，與硅片接觸第三壓條的各個(gè)位置之間的間距相匹配。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的單晶制絨片架壓條裝置中，在壓條中設(shè)置了通孔，通孔 能夠疏導(dǎo)壓條處制絨液的流動(dòng)，使壓條處制絨液的流動(dòng)與周邊區(qū)域相同，進(jìn)而使硅片壓條 處的腐蝕速率與其它區(qū)域相同，避免了硅片上壓條印的形成，進(jìn)而解決了硅片在PECVD制 程中產(chǎn)生色斑的缺陷。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例 或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅 是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提 下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的單晶制絨片架壓條裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的單晶制絨片架壓條裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的單晶制絨片架壓條裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)有技術(shù)中的單晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程中，在制絨步驟中容易出現(xiàn)硅片壓條處 存在明顯壓條印，使后續(xù)制程中硅片的壓條處形成明顯的色斑。其一種解決方法是增加IPA 用量或增加鼓泡和循環(huán)系統(tǒng)，但這種方案會(huì)增加單晶硅太陽(yáng)能電池的成本，不利于大規(guī)模 的推廣和應(yīng)用。為此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種單晶制絨片架壓條裝置，包括第一壓條；第 二壓條，與第一壓條相互平行；第三壓條，一端連接在第一壓條的中點(diǎn)區(qū)域，另一端連接在 第二壓條的中點(diǎn)區(qū)域；所述第三壓條中設(shè)置有通孔。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的單晶制絨片架壓條裝置中，在壓條中設(shè)置了通孔，通孔 能夠疏導(dǎo)壓條處制絨液的流動(dòng)，使壓條處制絨液的流動(dòng)與周邊區(qū)域相同，進(jìn)而使硅片壓條 處的腐蝕速率與其它區(qū)域相同，避免了硅片上壓條印的形成，進(jìn)而解決了硅片在PECVD制程中產(chǎn)生色斑的缺陷。以上是本實(shí)用新型的核心思想，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí) 用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新 型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一參見(jiàn)圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中的一種單晶制絨片架壓條裝置示意圖，101為第一壓 條，102為第二壓條，103為第三壓條。其中，第三壓條103為與硅片相接觸的壓條，在硅片 制絨步驟中，存在硅片與第三壓條103相接觸的區(qū)域形成壓條印的缺陷。為此，本實(shí)施例提供了一種單晶制絨片架壓條裝置，參見(jiàn)圖2所示，為該裝置的一 種結(jié)構(gòu)示意圖，該裝置具體包括第一壓條201;第二壓條202，與第一壓條201相互平行；第三壓條203，一端連接在第一壓條201的中點(diǎn)區(qū)域，另一端連接在第二壓條202 的中點(diǎn)區(qū)域；所述第三壓條203中設(shè)置有通孔2031。其中，因壓條裝置需要將硅片固定在制絨片架中，為了進(jìn)一步的提高第三壓條203 與硅片接觸處的制絨液的流動(dòng)速率，本實(shí)施例中，所述通孔2031可以設(shè)置在第三壓條203 與硅片接觸位置相對(duì)應(yīng)的位置。所述各個(gè)通孔之間的間距，與硅片接觸壓條的各個(gè)位置之 間的間距相匹配。具體的，如圖2所示，所述第三壓條203還可以垂直于第一壓條201和第二壓條 202。此外，所述通孔可以為圓形，其直徑為1毫米至2毫米。所述通孔還可以為邊長(zhǎng)為 1毫米至2毫米的正方形。所述通孔還可以為橢圓形、正多邊形或不規(guī)則多邊形。本實(shí)施例 中，所述通孔的大小可以根據(jù)所述第三壓條的寬度做相應(yīng)的調(diào)整，并不局限于一個(gè)特定的 范圍之內(nèi)。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的單晶制絨片架壓條裝置中，在壓條中設(shè)置了通孔，通孔 能夠疏導(dǎo)壓條處制絨液的流動(dòng)，使壓條處制絨液的流動(dòng)與周邊區(qū)域相同，進(jìn)而使硅片壓條 處的腐蝕速率與其它區(qū)域相同，避免了硅片上壓條印的形成，進(jìn)而解決了硅片在PECVD制 程中產(chǎn)生色斑的缺陷。實(shí)施例二 參見(jiàn)圖3所示，為本實(shí)施例提供的單晶制絨片架壓條裝置示意圖一種結(jié)構(gòu)示意 圖，該裝置具體包括第一壓條301 ；第二壓條302，與第一壓條301相互平行；第三壓條303，一端連接在第一壓條301的中點(diǎn)區(qū)域，另一端連接在第二壓條302 的中點(diǎn)區(qū)域；所述第三壓條303中設(shè)置有通孔3031。其中，第三壓條303垂直于第一壓條301和第二壓條302。如圖3所示，本實(shí)施例中，所述第三壓條303中可以設(shè)置有多個(gè)不同形狀的通孔 3031，具體包括橢圓形的通孔和矩形通孔。
5[0056]所述通孔3031可以為圓形、橢圓形、正多邊形或不規(guī)則多邊形。本實(shí)施例中，所述通孔可以均勻的設(shè)置于第三壓條上，即相鄰的兩個(gè)通孔之間的 距離相同；還可以根據(jù)第三壓條與硅片的接觸位置，設(shè)置通孔的分布，即相鄰的兩個(gè)通孔之 間的距離可以不相同。本實(shí)施例中，所述各個(gè)通孔之間的間距，與硅片接觸壓條的各個(gè)位置 之間的間距相匹配。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的單晶制絨片架壓條裝置中，在壓條中設(shè)置了通孔，通孔 能夠疏導(dǎo)壓條處制絨液的流動(dòng)，使壓條處制絨液的流動(dòng)與周邊區(qū)域相同，進(jìn)而使硅片壓條 處的腐蝕速率與其它區(qū)域相同，避免了硅片上壓條印的形成，進(jìn)而解決了硅片在PECVD制 程中產(chǎn)生色斑的缺陷。本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都 是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)所公開(kāi)的實(shí) 施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多 種修改對(duì)本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不 脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被 限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬 的范圍。
權(quán)利要求1.一種單晶制絨片架壓條裝置，其特征在于，包括第一壓條；第二壓條，與第一壓條相互平行；第三壓條，一端連接在第一壓條的中點(diǎn)區(qū)域，另一端連接在第二壓條的中點(diǎn)區(qū)域； 所述第三壓條中設(shè)置有通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶制絨片架壓條裝置，其特征在于 第三壓條中的通孔設(shè)置在第三壓條與硅片接觸位置相對(duì)應(yīng)的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶制絨片架壓條裝置，其特征在于 所述第三壓條垂直與第一壓條和第二壓條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶制絨片架壓條裝置，其特征在于 所述通孔為圓形，其直徑為1毫米至2毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶制絨片架壓條裝置，其特征在于 所述通孔為正方形，其邊長(zhǎng)為1毫米至2毫米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶制絨片架壓條裝置，其特征在于 所述通孔為橢圓形、正多邊形或不規(guī)則多邊形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶制絨片架壓條裝置，其特征在于 所述第三壓條中設(shè)置有多個(gè)不同形狀的通孔；所述通孔為圓形、橢圓形、正多邊形或不規(guī)則多邊形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶制絨片架壓條裝置，其特征在于 所述第三壓條中設(shè)置有多個(gè)通孔；相鄰的兩個(gè)通孔之間的距離相同或不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶制絨片架壓條裝置，其特征在于所述通孔之間的間距， 與硅片接觸第三壓條的各個(gè)位置之間的間距相匹配。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供了一種單晶制絨片架壓條裝置，包括第一壓條；第二壓條，與第一壓條相互平行；第三壓條，一端連接在第一壓條的中點(diǎn)區(qū)域，另一端連接在第二壓條的中點(diǎn)區(qū)域；所述第三壓條中設(shè)置有通孔。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的單晶制絨片架壓條裝置中，在壓條中設(shè)置了通孔，通孔能夠疏導(dǎo)壓條處制絨液的流動(dòng)，使壓條處制絨液的流動(dòng)與周邊區(qū)域相同，進(jìn)而使硅片壓條處的腐蝕速率與其它區(qū)域相同，避免了硅片上壓條印的形成，進(jìn)而解決了硅片在PECVD制程中產(chǎn)生色斑的缺陷。
文檔編號(hào)H01L31/18GK201887061SQ20102060317
公開(kāi)日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月11日
發(fā)明者于海嬌, 李建飛, 李揚(yáng), 王守志, 祝耀華 申請(qǐng)人:江陰浚鑫科技有限公司