專利名稱：一種封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，在封裝場效應(yīng)管產(chǎn)品時(shí)，場效應(yīng)管產(chǎn)品內(nèi)部的芯片金屬表面上，一般會焊接 三根鍵合線(常叫做內(nèi)引線)，其中兩根鍵合線是用來與芯片的源極相連的，另一根鍵合線 是用來與芯片的門極相連，芯片背面的漏極直接貼合在基本上。鍵合線一般采用鋁線。鍵 合線的一端采用高頻鍵合技術(shù)，使其焊接在外引線焊結(jié)點(diǎn)處，而鍵合線的另一端則采用高 頻鍵合技術(shù)融化在芯片的金屬表面上，以完成鍵合線和芯片的焊結(jié)，鍵合線與芯片的金屬 表面之間接觸的部位形成鍵合焊點(diǎn)。但是，由于目前鋁線制作工藝的限制，鋁線最小直徑只能做到5mils，芯片表面的 至少三個(gè)鍵合焊點(diǎn)也必須占據(jù)一定面積，為了保證產(chǎn)品質(zhì)量，芯片的面積有一定要求，如果 要將芯片面積做的更小、又對產(chǎn)品的整體成本不會產(chǎn)生較大影響，需要對場效應(yīng)管的內(nèi)部 封裝結(jié)構(gòu)做進(jìn)一步改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種既能將場效應(yīng)管 內(nèi)部的芯片面積做小、同時(shí)能保證芯片上鍵合線的電性能、產(chǎn)品整體成本不會受到影響的 封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為該封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線 結(jié)構(gòu)，包括焊接在場效應(yīng)管內(nèi)部的芯片金屬表面上的三根鍵合線，其特征在于所述三根鍵 合線中與芯片的源極相連的兩根鍵合線采用鋁線焊接，與芯片的門極相連的鍵合線采用金 線焊接。作為改進(jìn)，所述與芯片的門極相連的鍵合線在所述芯片金屬表面形成的鍵合焊點(diǎn) 的球徑為金線直徑的2 3倍。再改進(jìn)，所述與芯片的門極相連的鍵合線在所述芯片金屬表面形成的鍵合焊點(diǎn)的 厚度為金線直徑的40% 80%。再改進(jìn)，所述與芯片的門極相連的鍵合線的弧高至少為15mils。較好的，所述內(nèi)部芯片設(shè)置在基板的右上角。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于通過將與芯片的門極相連的鍵合線采 用金線代替鋁線，金線的直徑最小可以做到lmils，不僅能有效縮小芯片面積，還能保證鍵 合線的電性能，芯片面積縮小了，產(chǎn)品整體成本不會受到影響。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。請參見圖1所示，該封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬基板1、引線框架2、 芯片3及引線結(jié)構(gòu)，其中芯片3的背面貼合在金屬基板1的右上角，芯片3金屬表面上設(shè)置 有三根鍵合線組成的引線結(jié)構(gòu)，這三根鍵合線中與芯片3的源極相連的兩根鍵合線4、5采 用鋁線焊接，與芯片3的門極相連的鍵合線6采用金線焊接。并且與芯片3的門極相連的 鍵合線6在所述芯片金屬表面形成的鍵合焊點(diǎn)的球徑為金線直徑的3倍，與芯片3的門極 相連的鍵合線6在所述芯片金屬表面形成的鍵合焊點(diǎn)的厚度為金線直徑的60%，與芯片3 的門極相連的鍵合線6的弧高為15mils。
權(quán)利要求1.一種封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)，包括焊接在場效應(yīng)管內(nèi)部的芯片金屬表面上的 三根鍵合線，其特征在于所述三根鍵合線中與芯片的源極相連的兩根鍵合線采用鋁線焊 接，與芯片的門極相連的鍵合線采用金線焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述與芯片的 門極相連的鍵合線在所述芯片金屬表面形成的鍵合焊點(diǎn)的球徑為金線直徑的2 3倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述與芯片 的門極相連的鍵合線在所述芯片金屬表面形成的鍵合焊點(diǎn)的厚度為金線直徑的40% 80%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述與 芯片的門極相連的鍵合線的弧高至少為15mils。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯 片設(shè)置在基板的右上角。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種封裝場效應(yīng)管的內(nèi)部引線結(jié)構(gòu)，包括焊接在場效應(yīng)管內(nèi)部的芯片金屬表面上的三根鍵合線，其特征在于所述三根鍵合線中與芯片的源極相連的兩根鍵合線采用鋁線焊接，與芯片的門極相連的鍵合線采用金線焊接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于通過將與芯片的門極相連的鍵合線采用金線代替鋁線，金線的直徑最小可以做到1mils，不僅能有效縮小芯片面積，還能保證鍵合線的電性能，芯片面積縮小了，產(chǎn)品整體成本不會受到影響。
文檔編號H01L23/49GK201887037SQ20102056672
公開日2011年6月29日 申請日期2010年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者段康勝 申請人:寧波明昕微電子股份有限公司