專利名稱：一種單層芯片超高壓半導(dǎo)體整流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，特別涉及一種單層芯片超高壓半導(dǎo)體整流器。
背景技術(shù)：
普通型超高壓半導(dǎo)體整流二極管，它是一種半導(dǎo)體整流器件，廣泛應(yīng)用于各種離頻電源、汽車等消費(fèi)電子、消毒器、電腦顯示器、負(fù)離子發(fā)生器、以及高檔的電蚊拍等設(shè)施中。其輸出電流從20毫安到1000毫安分類不等，反向擊穿電壓據(jù)芯片規(guī)格不同有3000V、 4000V、5000V到上萬(wàn)伏等類別。目前，產(chǎn)品是通過(guò)3層或以上芯片疊加焊接完成，其反向電壓可以達(dá)到4000V、5000V及上萬(wàn)伏的標(biāo)準(zhǔn)，但其正向壓降在4伏以上。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單層芯片超離壓半導(dǎo)體整流器，對(duì)現(xiàn)有同類產(chǎn)品進(jìn)行了改進(jìn)，使其正向壓降低、效率高、節(jié)能。為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)效果，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下包括單層硅芯片、兩銅引線、環(huán)氧塑封體，多層硅芯片位于兩銅引線端面之間，通過(guò)焊料與銅引線焊接，硅橡膠將兩銅引線端面間的多層硅芯片以及焊料層包裹在其中，而整個(gè)超高壓半導(dǎo)體整流器除銅引線兩端頭外，其余部分均包裹在環(huán)氧樹(shù)脂注塑成的塑封體內(nèi)。其中，所述單層硅芯片由區(qū)熔硅片擴(kuò)散而成。本實(shí)用新型的有益效果是將同類產(chǎn)品的多層硅芯片疊焊的結(jié)構(gòu)改為單層硅芯片，其正向壓降只有同等電壓水平產(chǎn)品的三分之一，這樣就可使產(chǎn)品的正向壓降得到明顯改善，因此本實(shí)用新型不僅有耐壓高的特點(diǎn)，而且具有正向壓降低、效率高、節(jié)能等特點(diǎn)。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型更容易被理解，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型做更詳細(xì)說(shuō)明。參閱圖1，一種超高壓半導(dǎo)體整流器，包括單層硅芯片3、兩銅引線2、環(huán)氧塑封體 1，單層硅芯片3位于兩銅引線2端面之間，通過(guò)焊料與銅引線2焊接，硅橡膠5將兩銅引線 2端面間的單層硅芯片3以及焊料層4包裹在其中，而整個(gè)超高壓半導(dǎo)體整流器除銅引線2 端頭外，其余部分均包裹在環(huán)氧樹(shù)脂注塑成的塑封體1內(nèi)。銅引線2的端頭為其與單層硅芯片3焊接的端面對(duì)應(yīng)的另一端。其中，所述單層硅芯片3由區(qū)熔硅片擴(kuò)散而成。
權(quán)利要求1. 一種單層芯片超高壓半導(dǎo)體整流器，其特征在于包括由區(qū)熔硅片擴(kuò)散而成的單層硅芯片、兩銅引線、環(huán)氧塑封體，單層硅芯片位于兩銅引線端面之間，通過(guò)焊料與銅引線焊接，硅橡膠將兩銅引線端面間的多層硅芯片以及焊料層包裹在其中，而整個(gè)超高壓半導(dǎo)體整流器除銅引線兩端頭外，其余部分均包裹在環(huán)氧樹(shù)脂注塑成的塑封體內(nèi)。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單層芯片超高壓半導(dǎo)體整流器，包括由區(qū)熔硅片擴(kuò)散而成的單層硅芯片、兩銅引線、環(huán)氧塑封體，單層硅芯片位于兩銅引線端面之間，通過(guò)焊料與銅引線焊接，硅橡膠將兩銅引線端面間的多層硅芯片以及焊料層包裹在其中，而整個(gè)超高壓半導(dǎo)體整流器除銅引線兩端頭外，其余部分均包裹在環(huán)氧樹(shù)脂注塑成的塑封體內(nèi)。本實(shí)用新型的有益效果是采用單層硅芯片，可以顯著降低產(chǎn)品的正向壓降，使產(chǎn)品自身的功耗降低，提高產(chǎn)品的可靠性；另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，可以提高裝填工藝的效率，提高產(chǎn)品的合格率。
文檔編號(hào)H01L29/861GK201975396SQ201020563910
公開(kāi)日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2010年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月18日
發(fā)明者王震 申請(qǐng)人:重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司