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Led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):6974713閱讀:152來源:國知局
專利名稱:Led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及LED封裝技術(shù),尤其涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的大功率白光LED封裝方式大部分采用在支架或基板的凹杯內(nèi)點(diǎn)熒光膠的 方式,這樣封裝出的光源空間色溫不均勻(均勻度僅75 %),當(dāng)用此光源與二次透鏡搭配使 用時(shí)會(huì)出現(xiàn)光源空間色溫不均勻的現(xiàn)象即出現(xiàn)黃色的光圈。因而此種封裝方法至少存在以 下缺點(diǎn)由于晶片各表面的出光量不一樣,且晶片所發(fā)出的光通過熒光膠的厚度不一致,最 終導(dǎo)致整個(gè)光源的空間色溫不一致。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題還在于,提供一種LED封裝結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)光 源空間色溫均勻一致,無光圈產(chǎn)生,光效和可靠性較高。為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種LED封裝結(jié)構(gòu),包括基體;固定在所述基體一側(cè)的LED芯片;在所述LED芯 片外側(cè)壓注形成的熒光粉膠體層;在所述熒光粉膠體層外側(cè)壓注形成的、且表面經(jīng)過粗化 處理的透明膠體層。進(jìn)一步地,所述透明膠體層為壓注于內(nèi)腔表面經(jīng)過表面粗化處理的模具或模條內(nèi) 烘烤成型脫模而成的膠體層。進(jìn)一步地,所述透明膠體層采用折射率為1. 41,肖氏A硬度為65的硅膠。進(jìn)一步地,所述熒光粉膠體層采用折射率為1. 54,肖氏A硬度為M的硅膠。本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果是本實(shí)用新型實(shí)施例的LED封裝結(jié)構(gòu)的透明膠體 層經(jīng)過表面粗化處理,熒光粉膠體層是熒光粉膠體中混有重量百分比為5%-10%的納米擴(kuò) 散材料,光通量大大提升,光源空間色溫均勻一致。

圖1是本實(shí)用新型的LED封裝結(jié)構(gòu)具體實(shí)施例的剖面示意圖。圖2是圖1所示LED封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。請(qǐng)參考圖1,為本實(shí)用新型的LED封裝結(jié)構(gòu)具體實(shí)施例的剖面示意圖。本實(shí)施例所 提供的LED封裝結(jié)構(gòu)包括基體10、LED芯片20、熒光粉膠體層30、及透明膠體層40。所述基體10可為金屬支架,陶瓷或金屬基板。所述LED芯片20固定在基體10的一個(gè)側(cè)面;所述熒光粉膠體層30為以LED芯片20為中心在其外側(cè)壓注而形成的一層膠體,所述熒光粉膠體層30是混有重量百分比為5% — 10%的擴(kuò)散粉的熒光粉膠體層,該擴(kuò)散粉 可以改變?cè)瓉淼某龉饴窂健>唧w地,所述擴(kuò)散粉采用納米硅擴(kuò)散材料,或者,所述擴(kuò)散粉采 用由樹脂及硅膠組成的擴(kuò)散材料。所述透明膠體層40為硅膠層,呈半球狀,壓注形成于所述熒光粉膠體層30外側(cè)。其中,所述透明膠體層40為經(jīng)過表面粗化處理的膠體層,由膠體壓注于內(nèi)腔表面 經(jīng)過表面粗化處理的模具或模條內(nèi)烘烤成型脫模而成。一種較佳的實(shí)施方式為,熒光粉膠體層30采用混有重量百分比為7. 5%的納米硅 擴(kuò)散材料且配有熒光粉的折射率為1. 54,肖氏A硬度為M的硅膠,透明膠體層40采用折射 率為1. 41,肖氏A硬度為65的硅膠,熒光粉膠體層30、透明膠體層40的折射率依次減小, 各個(gè)膠層的硬度和熱膨脹系數(shù)相互匹配。請(qǐng)參考圖2,是圖1所示LED封裝結(jié)構(gòu)的立體圖。所述透明膠體層40并非光滑表 面,而是粗化表面,所述LED封裝結(jié)構(gòu)的光通量大大提升,該LED光源不但空間色溫均勻而 且出光效率高。本實(shí)用新型具體工藝流程如下首先,固定LED芯片20。具體操作時(shí),用銀膠將LED芯片20固定到基體10的一 側(cè)面上,然后用金線連接LED芯片20和基體10,再對(duì)固定有LED芯片20的基體10進(jìn)行預(yù)熱。其次,壓注熒光粉膠體層30。具體操作時(shí),首先在配有熒光粉的膠體內(nèi)加入重量百 分比為5 % — 10 %的納米硅擴(kuò)散材料攪拌均勻,然后壓注在所述LED芯片20上并覆蓋整個(gè) LED芯片20,放烤箱內(nèi)烘烤后,形成所述熒光粉膠體層30,在將此半成品放入事先預(yù)熱好的 模具中,所述模具也可為模條,該模具或模條的內(nèi)腔表面已經(jīng)過表面粗化處理。最后,壓注透明膠體層40。具體操作時(shí),將液體透明硅膠壓注在所述模具或模條 內(nèi),烘烤形成透明膠體層40,再進(jìn)行脫模。所述透明膠體層40的折射率小于或等于所述熒 光粉膠體層30的折射率,透光率大于90%。本實(shí)用新型實(shí)施例的LED封裝結(jié)構(gòu)的透明膠體層通過特定的模具壓注成型,其厚 度均勻,經(jīng)過表面粗化處理,光通量大大提升,并通過控制熒光膠層內(nèi)部的納米擴(kuò)散材料及 熒光粉的均勻分布可較好的實(shí)現(xiàn)光源空間色溫均勻一致性,無光圈產(chǎn)生。以上所述是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來說,在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn) 飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括基體;固定在所述基體一側(cè)的LED芯片;在所述LED芯片外側(cè)壓注形成的熒光粉膠體層;在所述熒光粉膠體層外側(cè)壓注形成的、且表面經(jīng)過粗化處理的透明膠體層。
2.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述透明膠體層為壓注于內(nèi)腔表面 經(jīng)過表面粗化處理的模具或模條內(nèi)烘烤成型脫模而成的膠體層。
3.如權(quán)利要求2所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述透明膠體層采用折射率為 1.41,肖氏A硬度為65的硅膠。
4.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述熒光粉膠體層采用折射率為 1.54,肖氏A硬度為討的硅膠。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例涉一種LED封裝結(jié)構(gòu),包括基體;固定在所述基體一側(cè)的LED芯片;在所述LED芯片外側(cè)壓注形成的熒光粉膠體層;在所述熒光粉膠體層外側(cè)壓注形成的、且表面經(jīng)過粗化處理的透明膠體層。本實(shí)用新型的LED封裝結(jié)構(gòu)光源空間色溫均勻一致,無光圈產(chǎn)生,光效和可靠性較高。
文檔編號(hào)H01L33/56GK201893379SQ201020502738
公開日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月24日
發(fā)明者王月飛 申請(qǐng)人:深圳市洲明科技股份有限公司
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