專利名稱：一種防止晶粒漂移的整流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種防止晶粒漂移的整流器技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及一種整流器，尤其涉及一種防止晶粒漂移的整流器。
技術(shù)背景[0002]整流器是利用二極管的單向?qū)щ娞匦詫涣麟娺M行整流，故被廣泛應用于交流 電轉(zhuǎn)換成直流電的電路中?，F(xiàn)有整流器二極管晶粒的引線框的焊接區(qū)域常見結(jié)構(gòu)為平面 結(jié)構(gòu)。引線框的焊接區(qū)域涂點焊錫膏，放上二極管晶粒之后，在入爐焊接過程中錫膏處 于融融狀態(tài)，焊接后二極管晶粒的位置偏移難以準確控制。因此如何解決現(xiàn)有錫膏焊接 過程中二極管晶粒漂移的問題，是本實用新型研究的問題。發(fā)明內(nèi)容[0003]本實用新型提供一種防止晶粒漂移的整流器，該整流器可防止焊接過程中焊錫 融融狀態(tài)時晶粒的漂移問題。[0004]為達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是一種防止晶粒漂移的整流 器，該整流器的環(huán)氧封裝體內(nèi)部由連接片、引線框、二極管晶粒組成，該引線框的焊接 區(qū)與所述二極管晶粒之間通過焊錫膏連接；所述引線框的焊接區(qū)上表面設有凹槽，所述 焊錫膏位于該凹槽內(nèi)及凹槽周邊，所述二極管晶粒位于所述凹槽上方并通過所述焊錫膏 與引線框的焊接區(qū)上連接。[0005]上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下[0006]1、上述方案中，所述凹槽為方形或圓形。[0007]由于上述技術(shù)方案運用，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點[0008]本實用新型是一種防止晶粒漂移的整流器，在該引線框晶粒焊接區(qū)域的中心位 置有一個小于晶粒尺寸的圓形或方形凹槽。在入爐焊接過程中，凹槽內(nèi)的錫膏厚度大 于其周圍平面區(qū)域，錫膏處于高溫融融狀態(tài)時，芯片受到凹槽內(nèi)液態(tài)錫膏的粘結(jié)力大于 周圍區(qū)域，故此結(jié)構(gòu)可以有效的減少芯片漂移，使焊接后晶粒的位置更趨于焊接區(qū)域中 心。該結(jié)構(gòu)同時具有其他兩優(yōu)點，第一，當芯片擺放位置稍微偏離焊接區(qū)域中心時，由 于上述凹槽內(nèi)錫膏的粘結(jié)力，芯片可以自動向中心位置對齊；第二，當焊接區(qū)域涂點的 錫膏量略多于正常水平時凹槽內(nèi)可以含有一定量的錫膏，避免由于錫膏過量導致芯片嚴 重偏移或芯片短路污染等問題。


[0009]附圖1為現(xiàn)有現(xiàn)有引線框結(jié)構(gòu)；[0010]附圖2為本實用性新型引線框結(jié)構(gòu)主視圖；[0011]附圖3為附圖2的側(cè)視圖；[0012]附圖4為本實用性新型結(jié)構(gòu)示意圖。[0013]以上附圖中1、連接片；2、引線框；3、二極管晶粒；4、焊接區(qū)；5、焊錫膏；6、電流傳輸端；7、凹槽。
具體實施方式
[0014]
以下結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述[0015]實施例一種防止晶粒漂移的整流器，[0016]該整流器的環(huán)氧封裝體內(nèi)部主要由連接片1、引線框2、二極管晶粒3組成，該 引線框2 —端的焊接區(qū)4與所述二極管晶粒3之間通過焊錫膏5連接，該引線框2另一端 是作為所述整流器的電流傳輸端6;其特征在于所述引線框2的焊接區(qū)4上表面設有凹 槽7，所述焊錫膏5位于該凹槽7內(nèi)及凹槽7周邊，所述二極管晶粒3位于所述凹槽7上 方并通過所述焊錫膏5與引線框2的焊接區(qū)4連接。[0017]所述凹槽7為方形或圓形。[0018]所述二極管晶粒3的中心與所述凹槽7中心在所述二極管晶粒3的水平方向上重疊。[0019]上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技 術(shù)的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范 圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護 范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種防止晶粒漂移的整流器，該整流器的環(huán)氧封裝體內(nèi)部主要由連接片(1)、引線 框O)、二極管晶粒C3)組成，該引線框( 一端的焊接區(qū)(4)與所述二極管晶粒(3)之 間通過焊錫膏( 連接，該引線框( 另一端是作為所述整流器的電流傳輸端(6)；其特 征在于所述引線框O)的焊接區(qū)(4)上表面設有凹槽(7)，所述焊錫膏(5)位于該凹槽 (7)內(nèi)及凹槽(7)周邊，所述二極管晶粒(3)位于所述凹槽(7)上方并通過所述焊錫膏(5) 與引線框O)的焊接區(qū)⑷連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流器，其特征在于所述凹槽(7)為方形或圓形。
專利摘要一種防止晶粒漂移的整流器，該整流器的環(huán)氧封裝體內(nèi)部由連接片、引線框、二極管晶粒組成，該引線框的焊接區(qū)與所述二極管晶粒之間通過焊錫膏連接；其特征在于所述引線框的焊接區(qū)上表面設有凹槽，所述焊錫膏位于該凹槽內(nèi)及凹槽周邊，所述二極管晶粒位于所述凹槽上方并通過所述焊錫膏與引線框的焊接區(qū)上連接。本實用新型可防止焊接過程中焊錫融融狀態(tài)時晶粒的漂移問題。
文檔編號H01L23/495GK201812815SQ201020271748
公開日2011年4月27日 申請日期2010年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月27日
發(fā)明者何洪運, 姜旭波, 張雄杰, 程琳 申請人:蘇州固锝電子股份有限公司