專利名稱：一種超高壓半導(dǎo)體整流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，特別涉及一種超高壓半導(dǎo)體整流器。
背景技術(shù)：
普通型超高壓半導(dǎo)體整流二極管，它是一種半導(dǎo)體整流器件，廣泛應(yīng)用于各種高 頻電源、汽車等消費(fèi)電子、消毒器、電腦顯示器、負(fù)離子發(fā)生器、以及高檔的電蚊拍等設(shè)施 中。其輸出電流從20毫安到1000毫安分類不等，反向擊穿電壓據(jù)芯片規(guī)格不同有1000V、 2000V、3000V、4000V、5000V等類別。目前，產(chǎn)品反向電壓可以達(dá)到4000V及5000V的標(biāo)準(zhǔn)， 但其逆向恢復(fù)時(shí)間卻不能滿足客戶產(chǎn)品快恢復(fù)的要求，目前同類產(chǎn)品的逆向恢復(fù)時(shí)間均為 1000ns 以上。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型公開了一種超高壓半導(dǎo)體整流器，包括多層硅芯片、兩銅引線、環(huán)氧塑 封體，多層硅芯片位于兩銅引線端面之間，通過焊料與銅引線焊接，硅橡膠將兩銅引線端面 間的多層硅芯片以及焊料層包裹在其中，而整個(gè)超高壓半導(dǎo)體整流器除銅引線兩端頭外， 其余部分均包裹在環(huán)氧樹脂注塑成的塑封體內(nèi)。其中，所述多層硅芯片中其中一層硅芯片為快速恢復(fù)類芯片。本實(shí)用新型的有益效果是在同類產(chǎn)品的多層硅芯片疊焊的結(jié)構(gòu)上，將其中一層 芯片由普通型設(shè)計(jì)為快恢復(fù)類芯片，這樣就可使產(chǎn)品的逆向恢復(fù)時(shí)間降低至300ns以下， 因此本實(shí)用新型不僅有耐壓高的特點(diǎn)，而且具有恢復(fù)時(shí)間快、效率高、節(jié)能等特點(diǎn)。

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型更容易被理解，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型做 更詳細(xì)說明。參閱圖1，一種超高壓半導(dǎo)體整流器，包括多層硅芯片3、兩銅引線2、環(huán)氧塑封體 1，多層硅芯片3位于兩銅引線2端面之間，通過焊料與銅引線2焊接，硅橡膠5將兩銅引線 2端面間的多層硅芯片3以及焊料層4包裹在其中，而整個(gè)超高壓半導(dǎo)體整流器除銅引線2 端頭外，其余部分均包裹在環(huán)氧樹脂注塑成的塑封體1內(nèi)。銅引線2的端頭為其與多層硅 芯片3焊接的端面的對(duì)應(yīng)的另一端。其中，所述多層硅芯片3中其中一層硅芯片為快速恢復(fù)類芯片。
權(quán)利要求一種超高壓半導(dǎo)體整流器，其特征在于包括多層硅芯片、兩銅引線、環(huán)氧塑封體，多層硅芯片位于兩銅引線端面之間，通過焊料與銅引線焊接，硅橡膠將兩銅引線端面間的多層硅芯片以及焊料層包裹在其中，而整個(gè)超高壓半導(dǎo)體整流器除銅引線兩端頭外，其余部分均包裹在環(huán)氧樹脂注塑成的塑封體內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種超高壓半導(dǎo)體整流器，其特征在于所述多層硅芯片中其 中一層硅芯片為快速恢復(fù)類芯片。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種超高壓半導(dǎo)體整流器，包括多層硅芯片、兩銅引線、環(huán)氧塑封體，多層硅芯片位于兩銅引線端面之間，通過焊料與銅引線焊接，硅橡膠將兩銅引線端面間的多層硅芯片以及焊料層包裹在其中，而整個(gè)超高壓半導(dǎo)體整流器除銅引線兩端頭外，其余部分均包裹在環(huán)氧樹脂注塑成的塑封體內(nèi)。本實(shí)用新型的有益效果是在同類產(chǎn)品的多層硅芯片疊焊的結(jié)構(gòu)上，將其中一層芯片由普通型設(shè)計(jì)為快恢復(fù)類芯片，這樣就可使產(chǎn)品的逆向恢復(fù)時(shí)間降低至300ns以下，因此本實(shí)用新型不僅有耐壓高的特點(diǎn)，而且具有恢復(fù)時(shí)間快、效率高、節(jié)能等特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L25/07GK201752014SQ20102024704
公開日2011年2月23日 申請(qǐng)日期2010年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月2日
發(fā)明者安國星, 李述洲 申請(qǐng)人:重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司