專利名稱：晶片清洗設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶片清洗，尤其是涉及一種晶片清洗設(shè)備、特別是用于太陽能硅 片的清洗設(shè)備。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的硅片清洗機在清洗室和烘干室之間直接氣體連通，硅片清洗之后被放到傳 輸部上運輸入烘干室中。由于烘干室的進料口處非完全密封，大量的氣體將很容易從清洗 室進入烘干室中，這時，含有大量清洗用化學(xué)品的氣體將會造成已清洗完成的硅片表面的 污染，導(dǎo)致清洗不完全。另外，由于烘干室的出料口處也非密封，因此，外部空氣也很容易進 入烘干室中污染硅片表面。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，需要提供一種晶片清洗設(shè)備，該晶片清洗設(shè)備可以降低清洗室和外部 空氣對后續(xù)干燥過程中對晶片造成的污染。根據(jù)本實用新型的實施例的晶片清洗設(shè)備，包括清洗室；烘干室，所述烘干室與 所述清洗室相鄰設(shè)置；以及傳輸部，所述傳輸部貫穿所述烘干室而設(shè)置，用于將待清洗晶片 從清洗室傳輸至烘干室，其中所述烘干室進一步包括用于運入和運出所述待清洗晶片的 進料口和出料口，所述傳輸部通過進料口 ；至少一個進風(fēng)口，所述進風(fēng)口設(shè)置在所述傳輸部 的上方；與所述進風(fēng)口相對應(yīng)的至少一個加熱器，用于加熱供給的氣體；設(shè)置在所述傳輸 部與進風(fēng)口的相對一側(cè)的抽風(fēng)口，用于排出烘干室內(nèi)的氣體；和第一氣體導(dǎo)流件，所述第一 氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部 相鄰，用于阻止來自清洗室的氣流從貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處流入烘干室。根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備，不但可以避免清洗室中含有大量清洗用化學(xué)用 品的氣體進入烘干室中而降低對后續(xù)干燥過程中對晶片造成的污染，還可以降低外部空氣 在后續(xù)干燥過程中對晶片造成的污染，清洗效果好，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單。根據(jù)本實用新型的實施例的晶片清洗設(shè)備還具有如下附加特征所述烘干室進一步包括至少一個與所述加熱器相對設(shè)置的過濾器，用于過濾被 加熱的氣體。在本實用新型的一種實施方式中，所述第一氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向平行于所述 傳輸部的傳輸方向。烘干室中的被加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第一氣體導(dǎo)流件的阻擋作用 在傳輸部的上游部分形成了一個封閉空間，阻斷氣流完全流向抽風(fēng)口，以便于形成了流向 清洗室的氣流，從而阻止氣流從清洗室流向烘干室。在本實用新型的另一種實施方式中，所述第一氣體導(dǎo)流件靠近上游的一端與所述 傳輸部的距離不小于所述第一氣體導(dǎo)流件遠離上游的另外一端與所述傳輸部的距離。這 樣，被加熱的氣體在上游部分的上方向下運動到傾斜的第一氣體導(dǎo)流件上時，由于反射作 用而被第一氣體導(dǎo)流件反射到進料口處從而形成了流向清洗室的氣流，使得在傳輸部的上游部分更為有效地阻止氣流從清洗室流向烘干室，防止從清洗室流出的空氣對待烘干的晶 片的表面產(chǎn)生玷污。在本實用新型的另一種實施方式中，所述第一氣體導(dǎo)流件與傳輸部之間的夾角為 5-30度或者10-60度。所述烘干室進一步包括第二氣體導(dǎo)流件，所述第二氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述 烘干室的傳輸部的上游處且在豎直方向上位于抽風(fēng)口的一側(cè)，所述第二氣流導(dǎo)流件垂直于 所述傳輸部的傳輸方向。第二氣體導(dǎo)流件的設(shè)置，也是為形成從烘干室流向清洗室的氣流， 從而達到阻止清洗室流入烘干室的氣流，防止清洗室中的臟氣流進入烘干室?guī)韺?面的玷污。所述烘干室進一步包括第三氣體導(dǎo)流件，所述第三氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述 烘干室的傳輸部的下游處且豎直方向上位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部相鄰，用于阻止 烘干室外部的氣流從貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處流入烘干室。這樣，烘干室中的被 加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第三氣體導(dǎo)流件的阻擋作用在傳輸部的下游部分形成了一個 封閉空間，阻斷氣流完全流向抽風(fēng)口，以便于形成了流向出料口的氣流，從而可阻止氣流從 外部流向烘干室進而玷污烘干室中的待烘干晶片。所述第三氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向平行于所述傳輸部的傳輸方向。所述第三氣體導(dǎo)流件靠近下游的一端與所述傳輸部的距離不小于所述第三氣體 導(dǎo)流件遠離下游的另外一端與所述傳輸部的距離。這樣，被加熱的氣體在下游部分的上方 向下運動到傾斜的第三氣體導(dǎo)流件上時，由于反射作用而被第三氣體導(dǎo)流件反射到出料口 處從而形成了流出烘干室的氣流，使得在傳輸部的下游部分更為有效地阻止氣流從外部流 入烘干室，防止從外界空氣對待烘干的晶片的表面產(chǎn)生玷污。在本實用新型的另一種實施方式中，所述第三氣體導(dǎo)流件與傳輸部之間的夾角為 5-30度或者10-60度。所述烘干室進一步包括第四氣體導(dǎo)流件，所述第四氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述 烘干室的傳輸部的下游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)，且所述第四氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向垂直 于所述傳輸部的傳輸方向。第四氣體導(dǎo)流件的設(shè)置，也是為形成從烘干室流向出料口的氣 流，從而達到阻止從外部流入烘干室的氣流，防止外部空氣進入烘干室?guī)韺砻娴?玷污。在本實用新型的再一種實施方式中，所述第一氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向垂直于所 述傳輸部的傳輸方向。貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處的上方設(shè)置有進風(fēng)口。貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處的上方設(shè)置有加熱器。貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處的上方設(shè)置有進風(fēng)口。貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處的上方設(shè)置有加熱器。所述烘干室設(shè)有3-4個進風(fēng)口，分別設(shè)置在所述烘干室的頂部或者側(cè)上方。所述抽風(fēng)口處設(shè)置有抽風(fēng)機，所述抽風(fēng)機用于將抽送的氣體返回到所述進風(fēng)口 處。所述烘干室進一步設(shè)置有壓縮氣體供給口，用于向所述烘干室內(nèi)供給壓縮氣體， 以保持烘干室內(nèi)氣體量的平衡，所述壓縮氣體可以為壓縮空氣、氮氣或者不與晶片反應(yīng)的任何其他氣體。本實用新型附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述 中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

本實用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從
以下結(jié)合附圖對實施例的描述中 將變得明顯和容易理解，其中圖1為根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備的烘干室的實施例一的第一個示例的內(nèi) 部示意圖，其中，第一氣體導(dǎo)流件241的設(shè)置方向與沿縱向方向平行；圖2為圖1中所示的烘干室的實施例一的第二個示例的內(nèi)部示意圖，其中，第一氣 體導(dǎo)流件241的設(shè)置方向傾斜；圖3為圖1中所示的烘干室的實施例一的第三個示例的內(nèi)部示意圖，其中，第一氣 體導(dǎo)流件241的設(shè)置方向垂直；圖4為根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備的烘干室的實施例二的內(nèi)部示意圖；圖5為根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備的烘干室的實施例三、四的內(nèi)部示意圖， 其中，第三氣體導(dǎo)流件243的設(shè)置方向與縱向方向平行；圖6為圖5中所示的烘干室的實施例三、四的內(nèi)部示意圖，其中，第三氣體導(dǎo)流件 243的設(shè)置方向傾斜；以及圖7為根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面詳細描述本實用新型的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始 至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參 考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本實用新型，而不能解釋為對本實用新型的 限制。在本實用新型的描述中，術(shù)語“內(nèi)”、“外”、“上”、“下”、“上游”、“下游”等指示的方
位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實用新型而不是要 求本實用新型必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。在本 實用新型的描述中，術(shù)語“橫向”指的是垂直于圖紙面的方向，“縱向”指的是沿傳輸部的傳 輸方向，而“豎向”指的是圖中上下方向。另外，附圖中的箭頭表示氣體流向。下面將參考圖1-圖7來說明根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備。如圖1-圖6所示，根據(jù)本實用新型的實施例的晶片清洗設(shè)備，包括清洗室1、與清 洗室1相鄰設(shè)置的烘干室2和傳輸部3。其中，傳輸部3貫穿烘干室2而設(shè)置，用于將待清 洗晶片從清洗室1傳輸至烘干室2。其中，晶片8放在在承載籃7上，而承載籃7放在清洗 框6中，該清洗框6被傳輸部3從清洗室1運輸?shù)胶娓墒?中。如圖1-7所示，烘干室2包括用于運入和運出待清洗晶片8的進料口 27和出料口 28、至少一個進風(fēng)口 21、與進風(fēng)口 21相對應(yīng)的至少一個加熱器22、抽風(fēng)口 23和氣體導(dǎo)流 件。貫穿烘干室2的傳輸部通過進料口 27進入烘干室2，而后通過出料口 28。在本實用新型的一個示例中，傳輸部可以為在烘干室2中進行循環(huán)運動的傳輸帶3，因此，置有清 洗后待烘干的晶片8的清洗框6被放置在傳輸帶3的上層傳輸帶31上，并從清洗室1中被 運輸入烘干室2中，而后晶片8被烘干后被運出烘干室2并出料。至少一個進風(fēng)口 21設(shè)置在傳輸部3的上方，例如可以為1個。在本實用新型的一 個示例中，進風(fēng)口 21設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的上游處的上方。而在本實用新型的 另一個示例中，進風(fēng)口 21設(shè)置貫穿烘干室2的傳輸部3的下游處的上方。進風(fēng)口 21例如 也可以為3-4個，分別設(shè)置在烘干室2的頂部或者側(cè)上方。至少一個加熱器22設(shè)置在傳輸部的上方且位于進風(fēng)口 21的下方用于加熱烘干室 2內(nèi)從進風(fēng)口 21供給的氣體。在本實用新型的一些示例中，加熱器設(shè)置在貫穿烘干室2的 傳輸部3的上游處的上方。在本實用新型的另一些示例中，加熱器設(shè)置在貫穿烘干室2的 傳輸部3的下游處的上方。抽風(fēng)口 23設(shè)置在所述傳輸部與進風(fēng)口 21的相對一側(cè)，即圖中以進料口為界分成 的上下兩側(cè)中的下側(cè)。抽風(fēng)口 23處設(shè)置有抽風(fēng)機(圖未示)，該抽風(fēng)機用于排出烘干室2 內(nèi)的氣體并又送至進風(fēng)口，從而使得熱風(fēng)在烘干室2中內(nèi)部循環(huán)。在本實用新型的一個示例中，烘干室2中還進一步包括至少一個與加熱器22相對 設(shè)置的過濾器25。至少一個過濾器25與至少一個加熱器22均相對應(yīng)，且過濾器25設(shè)在加 熱器的正對下方用于過濾吹到晶片上的被加熱的氣體。另外，可選地，在烘干室2上還形成有壓縮氣體供給口 26，從而可采用壓縮氣體對 烘干室2內(nèi)進行補風(fēng)，以保持烘干室2內(nèi)氣體量的平衡。所述壓縮氣體可以為壓縮空氣、氮 氣或者不與晶片反應(yīng)的任何其他氣體。壓縮氣體供給口 26例如可以設(shè)置在烘干室2的下 部且位于傳輸部3的下方，也可以設(shè)置在烘干室2的上部且位于過濾器25上方。下面將通過四個實施例來進行具體說明氣體導(dǎo)流件的設(shè)置。實施例一在本實施例中，設(shè)置有第一氣體導(dǎo)流件241，如圖1-圖3所示。第一氣體導(dǎo)流件241設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的上游處且在豎直方向上位 于抽風(fēng)口 23的一側(cè)、與傳輸部3相鄰，例如圖中位于進料口 27下方且傳輸部3的旁邊，用 于阻止來自清洗室1的氣流從貫穿烘干室2的傳輸部3的上游處流入烘干室2。這樣，烘干 室2中的被加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第一氣體導(dǎo)流件241的作用在傳輸部3的上游部分 形成了一個封閉空間，以便于形成了流向清洗室1的氣流，從而阻止氣流從清洗室1流向烘 干室2。在本實用新型的第一個示例中，第一氣體導(dǎo)流件241中的設(shè)置方向平行于傳輸部 3的傳輸方向(即縱向方向)，如圖1所示。在本實用新型的第二個示例中，第一氣體導(dǎo)流件241靠近上游的一端與傳輸部3 的距離不小于第一氣體導(dǎo)流件241遠離上游的另外一端與傳輸部3的距離，由此，在第一氣 體導(dǎo)流件241與縱向方向水平線之間形成了一個銳角夾角α，如圖2所示，這樣，被加熱的 氣體在上游部分的上方向下運動到傾斜的第一氣體導(dǎo)流件241上時，由于反射作用而被第 一氣體導(dǎo)流件241反射到進料口 27處從而形成了流向清洗室1的氣流，使得在傳輸部3的 上游部分更為有效地阻止氣流從清洗室1流向烘干室2，防止從清洗室1流出的空氣對待烘 干的晶片8的表面產(chǎn)生玷污。根據(jù)本實用新型的一個實施例，該夾角α的范圍可為5-30度。根據(jù)本實用新型的另外一個實施例，所述角度α可以為10-60度。當(dāng)然，在本實用新型的第三個示例中，第一氣體導(dǎo)流件241中的設(shè)置方向垂直于 傳輸部3的傳輸方向，如圖3所示。另外，在本實施例中，壓縮氣體供給口 26是可選地，可采用壓縮氣體對烘干室2內(nèi) 進行補風(fēng)，以保持烘干室2內(nèi)氣體量的平衡。實施例二 在本實施例中，除了第一氣體導(dǎo)流件241外，烘干室2還進一步包括第二氣體導(dǎo)流 件242，如圖4所示。第二氣體導(dǎo)流件242設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的上游處且位于抽風(fēng)口 23的 一側(cè)，即圖4中位于進料口 27下方且傳輸部3的旁邊，第二氣流導(dǎo)流件垂直于傳輸部3的 傳輸方向。在本實施例中，第一氣體導(dǎo)流件241和第二氣體導(dǎo)流件242可以同時采用，也可以 只采用其中的一個，目的均為形成從烘干室2流向清洗室1的氣流，從而達到阻止清洗室1 流入烘干室2的氣流，防止清洗室中的臟氣流進入烘干室2帶來對晶片表面的玷污。但值 得注意的是，前述實施例一的第三個示例中的垂直于傳輸部3的傳輸方向設(shè)置的第一氣體 導(dǎo)流件241單獨采用即可，而不需要同時采用第二氣體導(dǎo)流件242。同實施例一，在本實施例中，壓縮氣體供給口 26是可選的。實施例三在本實施例中，在前述實施例一、二的基礎(chǔ)上，烘干室2進一步包括第三氣體導(dǎo)流 件243，如圖5和圖6所示。第三氣體導(dǎo)流件243設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的下游處且在豎直方向上位 于抽風(fēng)口 23的一側(cè)、與傳輸部3相鄰，即位于出料口 28下方且傳輸部3的旁邊，用于阻止 烘干室2外部的氣流從貫穿烘干室2的傳輸部3的下游處流入烘干室2。這樣，烘干室2中 的被加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第三氣體導(dǎo)流件243的作用在傳輸部3的下游部分形成了 一個封閉空間，以便于形成了流向出料口 28的氣流，從而可阻止氣流從外部流向烘干室2 進而玷污烘干室2中的待烘干晶片8。在本實用新型實施例的一個示例中，第三氣體導(dǎo)流件243中的設(shè)置方向平行于傳 輸部3的傳輸方向。如圖5所示。在本實用新型實施例的另一個示例中，第三氣體導(dǎo)流件243靠近下游的一端與傳 輸部3的距離不小于第三氣體導(dǎo)流件243遠離下游的另外一端與傳輸部3的距離，如圖6 中所示。由此，在第三氣體導(dǎo)流件243與縱向方向水平線之間形成了一個夾角β，如圖6 所示，這樣，被加熱的氣體在下游部分的上方向下運動到傾斜的第三氣體導(dǎo)流件243上時， 由于反射作用而被第三氣體導(dǎo)流件243反射到出料口 28處從而形成了流出烘干室2的氣 流，使得在傳輸部3的下游部分更為有效地阻止氣流從外部流入烘干室2，防止從外界空氣 對待烘干的晶片8的表面產(chǎn)生玷污。根據(jù)本實用新型的一個實施例，該夾角β的范圍可為 5-30度。根據(jù)本實用新型的另外一個實施例，所述夾角β可以為10-60度。在本實施例中，在烘干室2上形成有壓縮氣體口 26，從而可采用壓縮氣體對烘干 室2內(nèi)進行補風(fēng)，以保持烘干室2內(nèi)氣體量的平衡。實施例四[0065]在本實施例中，在前述實施例三的基礎(chǔ)上，烘干室2還進一步包括第四氣體導(dǎo)流 件244，如圖5-圖6所示。第四氣體導(dǎo)流件244設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的下游處且在豎直方向上位 于抽風(fēng)口 23的一側(cè)，即圖中位于出料口 28下方且傳輸部3的旁邊。第四氣體導(dǎo)流件244 中的設(shè)置方向垂直于傳輸部3的傳輸方向。在本實施例中，第三氣體導(dǎo)流件243和第四氣體導(dǎo)流件244可以同時采用，也可以 只采用其中的一個，目的均為形成從烘干室2流向外部的氣流，從而達到阻止外部空氣反 流入烘干室2的氣流，防止外部空氣進入烘干室2帶來對晶片表面的玷污。在本實施例中，在烘干室2上形成有壓縮氣體口 26，從而可采用壓縮氣體對烘干 室2內(nèi)進行補風(fēng)，以保持烘干室2內(nèi)氣體量的平衡。在本實用新型的上述多個實施例中，實施例三和四可更有效地過濾烘干室2內(nèi)的 空氣，可用于清洗室1內(nèi)的氣體中含有大量清洗用化學(xué)用品或烘干室2外部空氣較臟的情 況。而對于烘干室2外部空氣較為干凈的情況下，采用實施例一和實施例二即可達到效果。下面以實施例四為例來說明根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備的烘干室中的工作 過程，其中，以第一和第三氣體導(dǎo)流件的設(shè)置方向傾斜為例來進行說明。如圖7所示，首先，當(dāng)待烘干的晶片8通過承載籃7和放置承載籃7的清洗框6放 到傳輸帶3的上層傳輸帶31上，并從清洗室1中被運輸入烘干室2中。然后，氣體由進風(fēng)口 21供入烘干室2中，并由加熱器22進行加熱，同時，通過過濾 器進行過濾，以對帶烘干的晶片8進行烘干作業(yè)。同時，被加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第一氣體導(dǎo)流件241的作用在傳輸部3的上 游部分形成了一個封閉空間，并且由于第三氣體導(dǎo)流件243的作用在傳輸部3的下游部分 形成了一個封閉空間，這樣，在傳輸部3的上游部分和下游部分分別形成了流向清洗室1的 氣流和流向出料口 28的氣流，從而阻止了清洗室中含有化學(xué)品的氣流從清洗室1流向烘干 室2，同時阻止了外部空氣流入烘干室2中，由此，避免了對烘干室2內(nèi)晶片的污染。最后，晶片8在烘干后被運出烘干室2并出料。此外，如圖7所示，根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備還可以包括上料臺5和下料臺 5。其中，上料臺5相鄰于清洗室1且位于清洗室的上游，用于向清洗室內(nèi)供給待清洗晶片。 而下料臺5與烘干室2相鄰且位于烘干室的下游，用于輸出已清洗及烘干的晶片。根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備，可以避免清洗室中含有大量清洗用化學(xué)用品的 氣體進入烘干室中而降低對后續(xù)干燥過程中對晶片造成的污染，還可以降低外部空氣在后 續(xù)干燥過程中對晶片造成的污染，清洗效果好，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單。根據(jù)本實用新型的晶片清洗 設(shè)備，例如可用來清洗硅片。任何提及“ 一個實施例”、“實施例”、“示意性實施例，，等意指結(jié)合該實施例描述的 具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例中。在本說明書各處的該示 意性表述不一定指的是相同的實施例。而且，當(dāng)結(jié)合任何實施例描述具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特 點時，所主張的是，結(jié)合其他的實施例實現(xiàn)這樣的構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點均落在本領(lǐng)域技術(shù)人 員的范圍之內(nèi)。盡管參照本實用新型的多個示意性實施例對本實用新型的具體實施方式
進行了 詳細的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計出多種其他的改進和實施例，這些改進和實施例將落在本實用新型原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán) 利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改 進，而不會脫離本實用新型的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進，其范圍由所 附權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求一種晶片清洗設(shè)備，其特征在于，包括清洗室；烘干室，所述烘干室與所述清洗室相鄰設(shè)置；以及傳輸部，所述傳輸部貫穿所述烘干室而設(shè)置，用于將待清洗晶片從清洗室傳輸至烘干室，其中所述烘干室進一步包括用于運入和運出所述待清洗晶片的進料口和出料口，所述傳輸部通過進料口；至少一個進風(fēng)口，所述進風(fēng)口設(shè)置在所述傳輸部的上方；與所述進風(fēng)口相對應(yīng)的至少一個加熱器，用于加熱供給的氣體；設(shè)置在所述傳輸部與進風(fēng)口的相對一側(cè)的抽風(fēng)口，用于排出烘干室內(nèi)的氣體；和第一氣體導(dǎo)流件，所述第一氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部相鄰，用于阻止來自清洗室的氣流從貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處流入烘干室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進一步包括 至少一個與所述加熱器相對設(shè)置的過濾器，用于過濾被加熱的氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述第一氣體導(dǎo)流件靠近上游 的一端與所述傳輸部的距離不小于所述第一氣體導(dǎo)流件遠離上游的另外一端與所述傳輸 部的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進一步包括 第二氣體導(dǎo)流件，所述第二氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處且在豎直方向上位于抽風(fēng)口的一側(cè)，所述第二氣流導(dǎo)流件垂直于所述傳輸部的傳輸方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進一步包括 第三氣體導(dǎo)流件，所述第三氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處且豎直方向上位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部相鄰，用于阻止烘干室外部的氣流從貫穿所述 烘干室的傳輸部的下游處流入烘干室。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述第三氣體導(dǎo)流件靠近下游 的一端與所述傳輸部的距離不小于所述第三氣體導(dǎo)流件遠離下游的另外一端與所述傳輸 部的距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進一步包括 第四氣體導(dǎo)流件，所述第四氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)，且所述第四氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向垂直于所述傳輸部的傳輸方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述第一氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置 方向垂直于所述傳輸部的傳輸方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，貫穿所述烘干室的傳輸部的上 游處的上方設(shè)置有進風(fēng)口。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，貫穿所述烘干室的傳輸部的上 游處的上方設(shè)置有加熱器。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，貫穿所述烘干室的傳輸部的下 游處的上方設(shè)置有進風(fēng)口。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，貫穿所述烘干室的傳輸部的下 游處的上方設(shè)置有加熱器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室設(shè)有3-4個進風(fēng)口， 分別設(shè)置在所述烘干室的頂部或者側(cè)上方。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述抽風(fēng)口處設(shè)置有抽風(fēng)機， 所述抽風(fēng)機用于將抽送的氣體返回到所述進風(fēng)口處。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進一步設(shè)置有 壓縮氣體供給口，用于向所述烘干室內(nèi)供給壓縮氣體。
專利摘要本實用新型公開了一種晶片清洗設(shè)備，包括清洗室；與所述清洗室相鄰設(shè)置的烘干室；以及貫穿所述烘干室的傳輸部，其中烘干室進一步包括進料口和出料口；至少一個進風(fēng)口，設(shè)置在傳輸部的上方；與進風(fēng)口相對應(yīng)的至少一個加熱器；設(shè)置在所述傳輸部與進風(fēng)口的相對一側(cè)的抽風(fēng)口；和第一氣體導(dǎo)流件，所述第一氣體導(dǎo)流件設(shè)置在傳輸部的上游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部相鄰。根據(jù)本實用新型的晶片清洗設(shè)備，不但可以避免清洗室中含有大量清洗用化學(xué)用品的氣體進入烘干室中而降低對后續(xù)干燥過程中對晶片造成的污染，還可以降低外部空氣在后續(xù)干燥過程中對晶片造成的污染，清洗效果好，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單。
文檔編號H01L31/18GK201699041SQ201020236590
公開日2011年1月5日 申請日期2010年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月17日
發(fā)明者王敬, 翟志華 申請人:王敬;江西旭陽雷迪高科技股份有限公司