專(zhuān)利名稱(chēng)：晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)電池，具體涉及一種晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié) 構(gòu)，屬于太陽(yáng)能應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，常規(guī)能源的持續(xù)使用帶來(lái)了能源緊缺以及環(huán)境惡化等一系列經(jīng)濟(jì)和社會(huì) 問(wèn)題，發(fā)展太陽(yáng)能電池是解決上述問(wèn)題的途經(jīng)之一。因此，世界各國(guó)都在積極開(kāi)發(fā)太 陽(yáng)電池，而高轉(zhuǎn)換效率、低成本是太陽(yáng)電池發(fā)展的主要趨勢(shì)，也是技術(shù)研究者追求的目 標(biāo)?，F(xiàn)有的制造晶體硅太陽(yáng)電池的制造流程為表面清洗及織構(gòu)化、擴(kuò)散、清洗刻 蝕去邊、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)形成歐姆接觸、測(cè)試。這種商業(yè)化晶體硅電池制 造技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單、成本較低，適合工業(yè)化、自動(dòng)化生產(chǎn)，因而得到了廣泛應(yīng)用。其中， 絲網(wǎng)印刷用于制備電極，N電極位于晶體硅電池的正面，P電極位于晶體硅電池的背面； 現(xiàn)有的絲網(wǎng)印刷的正面電極結(jié)構(gòu)如附圖1所示，包括設(shè)于晶體硅片正面的兩條主柵線3和 若干條垂直于主柵線的細(xì)柵線4，形成晶體硅電池的N電極；其背面P電極結(jié)構(gòu)一般包括 2條印刷于硅片背面的銀導(dǎo)體條，形成P電極，N、P電極均需用焊帶引出，從而形成晶 體硅太陽(yáng)電池的互連。然而，上述結(jié)構(gòu)的晶體硅太陽(yáng)電池存在如下問(wèn)題由于晶體硅片正面的兩條主 柵線的長(zhǎng)度幾乎貫穿整個(gè)硅片背面，占據(jù)了較大的面積，使得該正面電極結(jié)構(gòu)遮光面積 比較大，理論值在7%左右，從而減少了太陽(yáng)光的利用率，降低了組件的光電轉(zhuǎn)換效率。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型目的是提供一種晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)，以提高太陽(yáng)電池 的光電轉(zhuǎn)換效率。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種晶體硅太陽(yáng)電池的正面 電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片，所述晶體硅片的正面設(shè)有至少2個(gè)電流收集單元，所述電流 收集單元包括電流收集點(diǎn)和收集柵線；所述晶體硅片的電流收集點(diǎn)處設(shè)有通孔，通孔內(nèi) 設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池正面的電流收集單元連接，另一端構(gòu)成電池背面的 N電極連接點(diǎn)。上文中，所述電流收集單元的電流收集點(diǎn)優(yōu)選位于收集柵線的中央，所述收集 柵線可以是曲線或直線，各電流收集單元可以相互連通或分別獨(dú)立。各個(gè)電流收集單元 可采用絲網(wǎng)印刷或噴墨打印的的方法等距或不等距的分布在電池片的正面。所述晶體硅片的電流收集點(diǎn)處的通孔可以采用激光打孔或化學(xué)腐蝕的方法制作。優(yōu)選的技術(shù)方案，所述電流收集單元為9 25個(gè)，呈點(diǎn)陣排列，均布于晶體硅 片的正面。例如，當(dāng)電流收集單元為9個(gè)，可以設(shè)成3排，每排3個(gè)電流收集單元，各電流收集單元等距分布于晶體硅片的正面。上述技術(shù)方案中，所述收集柵線為細(xì)銀柵線。上文中，所述晶體硅片的邊緣設(shè)有細(xì)柵線，該細(xì)柵線可以采用閉合或者非閉合 連接，并可跨越多個(gè)電流收集單元。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的優(yōu)點(diǎn)是1、本實(shí)用新型在晶體硅片的正面設(shè)置電流收集單元，代替了現(xiàn)有的主柵線和細(xì) 柵線結(jié)構(gòu)，由于電流收集單元占據(jù)的面積較小，理論值在5%左右，從而解決了正面電極 結(jié)構(gòu)遮蔽入射光的問(wèn)題，提高了太陽(yáng)光的利用率，也相應(yīng)提高了太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。2、本實(shí)用新型在晶體硅片的電流收集點(diǎn)處設(shè)置通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，從而 將晶體硅電池的正面N電極引到背面，即將晶體硅電池的互連放在了一個(gè)平面上，既有 利于組件的生產(chǎn)操作，增加可靠性；又大幅降低了串聯(lián)電阻，提升了組件的光電轉(zhuǎn)換效率。3、本實(shí)用新型將電流收集單元設(shè)成點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)，在實(shí)現(xiàn)其引出功能的同時(shí)降低了 銀漿的消耗量，降低了成本。4、本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于生產(chǎn)制備，且成本較低，適于推廣應(yīng)用。
圖1是背景技術(shù)中晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、電流收集點(diǎn)；2、收集柵線；3、主柵線；4、細(xì)柵線。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述實(shí)施例一參見(jiàn)圖2所示，一種晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片，所述晶 體硅片的正面設(shè)有16個(gè)電流收集單元，所述電流收集單元包括電流收集點(diǎn)1和細(xì)銀柵 線；所述晶體硅片的電流收集點(diǎn)處設(shè)有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電 池正面的電流收集單元連接，另一端構(gòu)成電池背面的N電極連接點(diǎn)。所述電流收集單元 呈點(diǎn)陣排列，設(shè)成4排，每排4個(gè)電流收集單元，均布于晶體硅片的正面。晶體硅片的 邊緣設(shè)有細(xì)柵線，細(xì)柵線邊緣采用環(huán)狀閉合連接。電流收集點(diǎn)通過(guò)通孔中的銀漿引到電池片背面實(shí)現(xiàn)背接觸，其中電流收集點(diǎn)與 所述的孔為同一位置。所述收集柵線為直線，相鄰的4個(gè)電流收集點(diǎn)之間構(gòu)成復(fù)數(shù)個(gè)回 字形結(jié)構(gòu)。實(shí)施例二參見(jiàn)圖3所示，一種晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片，所述晶 體硅片的正面設(shè)有9個(gè)電流收集單元，所述電流收集單元包括電流收集點(diǎn)1和細(xì)銀柵線； 所述晶體硅片的電流收集點(diǎn)處設(shè)有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池正面的電流收集單元連接，另一端構(gòu)成電池背面的N電極連接點(diǎn)。所述電流收集單元呈點(diǎn) 陣排列，設(shè)成3排，每排3個(gè)電流收集單元，均布于晶體硅片的正面。晶體硅片的邊緣 設(shè)有細(xì)柵線，細(xì)柵線邊緣采用環(huán)狀閉合連接。電流收集點(diǎn)通過(guò)通孔中的銀漿引到電池片背面實(shí)現(xiàn)背接觸，其中電流收集點(diǎn)與 所述的孔為同一位置。實(shí)施例三參見(jiàn)圖4所示，一種晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片，所述晶 體硅片的正面設(shè)有25個(gè)電流收集單元，所述電流收集單元包括電流收集點(diǎn)1和細(xì)銀柵 線；所述晶體硅片的電流收集點(diǎn)處設(shè)有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電 池正面的電流收集單元連接，另一端構(gòu)成電池背面的N電極連接點(diǎn)。所述電流收集單元 呈點(diǎn)陣排列，設(shè)成5排，每排5個(gè)電流收集單元，均布于晶體硅片的正面。電流收集點(diǎn)通過(guò)通孔中的銀漿引到電池片背面實(shí)現(xiàn)背接觸，其中電流收集點(diǎn)與 所述的孔為同一位置。所述電流收集單元的收集柵線為曲線，形成網(wǎng)狀，且各電流收集 單元相互獨(dú)立。
權(quán)利要求1.一種晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片，其特征在于所述晶體硅 片的正面設(shè)有至少2個(gè)電流收集單元，所述電流收集單元包括電流收集點(diǎn)(1)和收集柵線 (2)；所述晶體硅片的電流收集點(diǎn)處設(shè)有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電 池正面的電流收集單元連接，另一端構(gòu)成電池背面的N電極連接點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電流 收集單元為9 25個(gè)，呈點(diǎn)陣排列，均布于晶體硅片的正面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述收集 柵線為細(xì)銀柵線。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極結(jié)構(gòu)，包括晶體硅片，所述晶體硅片的正面設(shè)有至少2個(gè)電流收集單元，所述電流收集單元包括電流收集點(diǎn)和收集柵線；所述晶體硅片的電流收集點(diǎn)處設(shè)有通孔，通孔內(nèi)設(shè)有銀漿，銀漿的一端與晶體硅電池正面的電流收集單元連接，另一端構(gòu)成電池背面的N電極連接點(diǎn)。本實(shí)用新型解決了正面電極結(jié)構(gòu)遮蔽入射光的問(wèn)題，提高了太陽(yáng)光的利用率，也相應(yīng)提高了太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK201796897SQ20102018842
公開(kāi)日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月13日
發(fā)明者王栩生, 王立建, 章靈軍 申請(qǐng)人:蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司, 阿特斯(中國(guó))投資有限公司