專利名稱：一種用于處理soi結(jié)構(gòu)的真空處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及真空處理系統(tǒng)，尤其涉及一種用于處理于絕緣體襯底上具有半導(dǎo) 體材料的結(jié)構(gòu)的真空處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制造中常用的一種基底結(jié)構(gòu)包括于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu) (semiconductor on insulation，SOI)，這種結(jié)構(gòu)在經(jīng)過后續(xù)半導(dǎo)體工藝處理或微加工后 常用于制造高性能的薄膜晶體管、太陽能電池和有源矩陣顯示器之類的顯示器以及其他器 件。SOI結(jié)構(gòu)的一種具體結(jié)構(gòu)為S0G(siliCOn on glass)結(jié)構(gòu)，即絕緣體上的硅材料結(jié)構(gòu)， 被國際上公認(rèn)為“二十一世紀(jì)硅集成電路技術(shù)”的基礎(chǔ)。它能突破體硅材料的諸多限制，在 航天領(lǐng)域、光電子領(lǐng)域以及微機(jī)械系統(tǒng)等多方面有廣闊的應(yīng)用前景。下面以SOG結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明，圖1示出了 SOG的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，SOG結(jié) 構(gòu)從下到上主要包括三層結(jié)構(gòu)玻璃襯底層20、中間層21、和硅層22。所述中間層21包括 SiO2和粘合物質(zhì)層等，其用于充當(dāng)所述玻璃襯底層20和硅層22的結(jié)合物質(zhì)層。并且，獲得 SOG結(jié)構(gòu)的方法包括利用壓力、溫度(典型地為150攝氏度)和電壓施加到硅層22和玻璃 襯底20以促進(jìn)其間的接合。由此可知，現(xiàn)有技術(shù)主要通過施加一定溫度(比如，高于常溫)來促進(jìn)半導(dǎo)體材料 和絕緣體襯底的接合從而制成SOI結(jié)構(gòu)，但是在SOI結(jié)構(gòu)制成后會(huì)冷卻到常溫狀態(tài)，由于其 中的各種材料的熱膨脹系數(shù)不同，半導(dǎo)體材料層(如圖ι的硅層2 會(huì)在平面方向發(fā)生扭 曲或位移，使得制得的SOI結(jié)構(gòu)整體上不平整，圖2示出了 SOI結(jié)構(gòu)表面出現(xiàn)不平整的情 況。如圖2所示，由于常溫下玻璃層20’和硅層22’的熱膨脹系數(shù)的不同，導(dǎo)致所述硅層 22’表面以及底層的玻璃層20’整體上呈現(xiàn)緩緩地凸起，所述凸起于水平面大概0. 5mm Imm或更多。而在SOI結(jié)構(gòu)被送入真空處理裝置進(jìn)行后續(xù)微加工處理以在其上面形成微結(jié)構(gòu) 時(shí)，需要將其通過處理室內(nèi)的靜電夾持裝置以靜電夾持的方式固定在處理平臺(tái)上。實(shí)驗(yàn)證 明，現(xiàn)有的SOI結(jié)構(gòu)因?yàn)榍笆龅牟黄秸奶攸c(diǎn)會(huì)造成不能靜電夾持。甚至工程師發(fā)現(xiàn)，即使 夾持后也會(huì)在微加工處理過程中脫離處理平臺(tái)，使得制程因?yàn)閷?duì)準(zhǔn)問題而失敗，浪費(fèi)了人 力物力。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)背景技術(shù)中的上述問題，本實(shí)用新型提出了一種用于處理于絕緣體襯底上具 有半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)的真空處理系統(tǒng)。本實(shí)用新型第一方面提供了一種用于處理于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的工 藝片的真空處理系統(tǒng)，其中，包括具有多個(gè)傳輸口的傳輸室，其中設(shè)置有至少一個(gè)工藝片傳送裝置，所述工藝片可 以通過所述工藝片傳送裝置經(jīng)過上述傳輸口被傳輸；[0009]與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的真空鎖，其用于連接所述傳輸室和外界 環(huán)境，以在不損失所述傳輸室內(nèi)的真空的前提下在外界環(huán)境和所述傳輸室之間進(jìn)行工藝片 傳輸；與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的處理室，所述工藝片在所述處理室中進(jìn) 行制程處理，其中，所述處理室內(nèi)設(shè)置有靜電夾持裝置，在工藝處理時(shí)，所述工藝片被靜電 夾持于該靜電夾持裝置上；與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的工藝片預(yù)處理室，其中，所述工藝片預(yù) 處理室包括一個(gè)或多個(gè)工藝片支撐裝置；一個(gè)或多個(gè)預(yù)處理裝置，其用于在工藝片被送入所述處理室處理之前或在處理的 過程中對(duì)所述工藝片進(jìn)行預(yù)處理，以使得所述工藝片整體上呈現(xiàn)為平坦面。本實(shí)用新型第二方面提供了一種用于處理于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的工 藝片的真空處理系統(tǒng)，其中，包括具有多個(gè)傳輸口的傳輸室，其中設(shè)置有至少一個(gè)工藝片傳送裝置，所述工藝片可 以通過所述工藝片傳送裝置經(jīng)過上述傳輸口被傳輸；與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的處理室，所述工藝片在所述處理室中進(jìn) 行制程處理，其中，所述處理室內(nèi)設(shè)置有靜電夾持裝置，在工藝處理時(shí)，所述工藝片被靜電 夾持于該靜電夾持裝置上；一個(gè)與所述多個(gè)傳輸口的其中一個(gè)相聯(lián)接的真空鎖，其用于連接所述傳輸室和外 界環(huán)境，以在不損失所述傳輸室內(nèi)的真空的前提下在外界環(huán)境和所述傳輸室之間進(jìn)行工藝 片傳輸；所述真空鎖還包括一個(gè)或多個(gè)工藝片支撐裝置，所述真空鎖還包括一個(gè)或多個(gè)預(yù) 處理裝置，所述預(yù)處理裝置用于在工藝片被送入所述處理室處理之前或在處理的過程中對(duì) 所述工藝片進(jìn)行預(yù)處理，以使得所述工藝片整體上呈現(xiàn)為平坦面。本實(shí)用新型能夠有效地平坦化于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)。
通過閱讀
以下結(jié)合附圖對(duì)非限定性實(shí)施例的描述，本實(shí)用新型的其它目的、特征 和優(yōu)點(diǎn)將變得更為明顯和突出。圖1為SOG的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為SOG出現(xiàn)不平整的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例的真空處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的真空處理系統(tǒng)的工藝片預(yù)處理室的 結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例的工藝片預(yù)處理室中設(shè)置電熱阻絲時(shí) 的等效電路示意圖。圖6為根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例的變化例的真空處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意 圖；其中，相同或相似的附圖標(biāo)記表示相同或相似的步驟特征/裝置(模塊)。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行具體說明。本實(shí)用新型提供了一種用于處理于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)的真空 處理系統(tǒng)，其中，所述工藝片典型地為絕緣體上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，更典型地為以玻璃為襯底的 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。其中，所述用于玻璃上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括但不限于用于玻璃上的硅結(jié)構(gòu)。并 且，所述真空處理系統(tǒng)典型地應(yīng)用于TSV制程。下面結(jié)合圖3 5對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行說明。圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例的真空處理系統(tǒng)1的結(jié)構(gòu)示意圖，其 中，包括一個(gè)具有多個(gè)傳輸口的傳輸室14，其中設(shè)置有至少一個(gè)工藝片傳送裝置141，工 藝片可以通過所述工藝片傳送裝置141經(jīng)過這些傳輸口被傳輸至其他腔室。在本實(shí)施例 中，所述多個(gè)傳輸口包括第一傳輸口 1421、第二傳輸口 1422、第三傳輸口 1423和第四傳輸 Π 1424。一個(gè)與所述第四傳輸口 14 相聯(lián)接的真空鎖(load lock) 12，其用于連接所述傳 輸室和外界環(huán)境，以在不損失所述傳輸室內(nèi)的真空的前提下在外界環(huán)境和所述傳輸室之間 進(jìn)行工藝片傳輸。一個(gè)與所述第二傳輸口 1422和第三傳輸口 1423相聯(lián)接的處理室11，所述工藝片 在所述處理室11中進(jìn)行制程，例如，在本實(shí)施例中所述真空處理系統(tǒng)為等離子體TSV刻蝕 系統(tǒng)，則在所述處理室11中通入反應(yīng)氣體，和制造其他反應(yīng)條件，以使得工藝片在第一基 座111和第二基座112上進(jìn)行制程，其中，所述處理室11內(nèi)設(shè)置有靜電夾持裝置(未示出)， 在工藝處理時(shí)，所述工藝片被靜電夾持于該靜電夾持裝置上。一個(gè)與所述第一傳輸口 1421相聯(lián)接的工藝片預(yù)處理室13，其用于對(duì)工藝片進(jìn)行 加熱處理。由于在本實(shí)施例中，所述工藝片典型地為SOI，在對(duì)其進(jìn)行加熱處理后，其硅層的 熱膨脹率會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化，使得本來常溫下如圖2所示的形變扭轉(zhuǎn)，具體地，SOI的邊緣 會(huì)向下凹陷，而中間區(qū)域會(huì)向上凸起，從而得到平坦化的效果。圖4為根據(jù)本實(shí)用新型的一 個(gè)具體實(shí)施例的真空處理系統(tǒng)的工藝片預(yù)處理室的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參見圖4并結(jié)合圖3，可 知，具體地，所述工藝片預(yù)處理室13的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)工藝片支撐裝置1311和1312，其用 于放置工藝片；一個(gè)或多個(gè)預(yù)處理裝置，其用于對(duì)所述工藝片支撐裝置1311和1312上的工 藝片加熱。進(jìn)一步地，所述預(yù)處理裝置的加熱機(jī)制是基于熱交換或輻射產(chǎn)生熱量的。下面將 以熱交換為例進(jìn)行說明，需要說明的是，所述預(yù)處理裝置的加熱機(jī)制并不限于本文所描述/提 及的類型，所有能夠?qū)に嚻M(jìn)行有效加熱的機(jī)制都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。按照本實(shí)用新型，所述預(yù)處理裝置包括設(shè)置于所述工藝片預(yù)處理室壁的一個(gè)或多 個(gè)電熱阻絲，參照?qǐng)D4，可知，工藝片預(yù)處理室的腔壁具有一定厚度，以一個(gè)腔壁a為例，本 實(shí)用新型在所述腔壁a中設(shè)置了一個(gè)或多個(gè)電熱阻絲。并且，所述工藝片預(yù)處理室還包括 一個(gè)氣體通入裝置(未示出)，其用于對(duì)所述工藝片預(yù)處理室中通入氣體，使得所述工藝 片預(yù)處理室腔室內(nèi)充滿氣體，以在所述一個(gè)或多個(gè)電阻絲和所述工藝片表面提供熱交換媒 介。由于氣體通入裝置在現(xiàn)有技術(shù)中已有成熟的支持，在此不再贅述。進(jìn)一步地，根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)具體實(shí)施例，氣體通入裝置還用于往所述預(yù) 處理裝置中通入一具有特定溫度的熱氣體，所述熱氣體用于對(duì)工藝片進(jìn)行加熱。即，對(duì)工藝片的加熱機(jī)制僅依賴于通入的熱氣體帶來的溫度，而不需要在裝置內(nèi)設(shè)置任何加熱裝置。 具體地，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉，具體熱氣體的溫度以及通入時(shí)間應(yīng)與具體制程相對(duì)應(yīng)， 不再贅述。此外，所述工藝片預(yù)處理室13還包括控制裝置，如圖5所示，在本實(shí)施例中，所述 控制裝置包括檢測(cè)裝置D和子控制裝置C。如圖，設(shè)置在工藝片預(yù)處理室壁內(nèi)的電熱阻絲 等效于圖中的電阻R，當(dāng)開關(guān)S關(guān)閉時(shí)，則所述電阻R通過電源P加熱，由此，工藝片預(yù)處理 室13中的工藝片的溫度升高。為了控制工藝片的溫度，所述檢測(cè)裝置D用于檢測(cè)腔壁的溫 度以進(jìn)一步地推斷出所述工藝片的表面溫度，并將獲得的數(shù)值返回給子控制裝置C，當(dāng)所述 工藝片的表面溫度達(dá)到一個(gè)預(yù)定閾值時(shí)，則子控制發(fā)送一個(gè)停止信號(hào)指示開關(guān)S開啟以使 得所述預(yù)處理裝置停止對(duì)所述工藝片進(jìn)行加熱，以使的所述工藝片平坦化。需要說明的是， 上述過程的實(shí)施應(yīng)根據(jù)實(shí)際制程來確定，并沒有嚴(yán)格限制，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，預(yù)定閾值 為100°C，假設(shè)當(dāng)所述檢測(cè)裝置D檢測(cè)到腔壁的溫度達(dá)到130°C時(shí)默認(rèn)此時(shí)工藝片溫度為 100°C，然后所述子控制裝置C控制開關(guān)S閉合，上述過程耗時(shí)2分鐘。進(jìn)一步地，所述預(yù)定閾值的數(shù)值能夠使得所述工藝片的表面平均凸起厚度小于 0. 5mm，所述的預(yù)定閾值的取值范圍為40°C 150°C。圖6示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例的變化例的真空處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示 意圖，如圖6所示，根據(jù)本實(shí)用新型上述優(yōu)選實(shí)施例的一個(gè)變化例，真空處理裝置1甚至不 需要專門設(shè)置預(yù)處理裝置，而是將其整合于比如真空鎖12’中。即，所述真空鎖12’不僅用 于連接所述傳輸室和外界環(huán)境，以在不損失所述傳輸室內(nèi)的真空的前提下在外界環(huán)境和所 述傳輸室之間進(jìn)行工藝片傳輸，還用于在工藝片被送入所述處理室處理之前對(duì)所述工藝片 支撐裝置上的工藝片加熱。在本變化例中，所述真空處理系統(tǒng)的其他組件/腔室功能和結(jié) 構(gòu)和上文中描述的一致，在此不再贅述。具體地，所述真空鎖是基于熱交換或輻射產(chǎn)生熱量。進(jìn)一步地，當(dāng)所述真空鎖的加熱機(jī)制為熱交換時(shí)，所述真空鎖包括設(shè)置于所述真 空鎖室壁的一個(gè)或多個(gè)電阻絲，并且，所述真空鎖還包括一個(gè)氣體通入裝置，其用于對(duì)所述 真空鎖中通入氣體以在所述一個(gè)或多個(gè)電阻絲和所述工藝片表面提供熱交換媒介。所述真 空鎖用于充當(dāng)加熱裝置的具體結(jié)構(gòu)如圖4 5所示，其功能描述與上文一致，在此不再贅 述。進(jìn)一步地，根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)具體實(shí)施例，氣體通入裝置還用于往所述預(yù) 處理裝置中通入一具有特定溫度的熱氣體，所述熱氣體用于對(duì)工藝片進(jìn)行加熱。即，對(duì)工藝 片的加熱機(jī)制僅依賴于通入的熱氣體帶來的溫度，而不需要在裝置內(nèi)設(shè)置任何加熱裝置。 具體地，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉，具體熱氣體的溫度以及通入時(shí)間應(yīng)與具體制程相對(duì)應(yīng)， 不再贅述。進(jìn)一步地，所述預(yù)定閾值的數(shù)值能夠使得所述工藝片的凸起厚度小于0. 5mm，所述 的預(yù)定閾值的取值范圍為40°C 150°C。以上對(duì)本實(shí)用新型的各個(gè)實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明。需要說明的是，上述實(shí)施例僅 是示范性的，而非對(duì)本實(shí)用新型的限制。任何不背離本實(shí)用新型的精神的技術(shù)方案均應(yīng)落 入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及 的權(quán)利要求；“包括”一詞不排除其它權(quán)利要求或說明書中未列出的裝置或步驟；“第一”、“第二”等詞語僅用來表示名稱，而并不表示任何特定的順序。
權(quán)利要求1.一種用于處理于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片的真空處理系統(tǒng)，其中，包括具有多個(gè)傳輸口的傳輸室，其中設(shè)置有至少一個(gè)工藝片傳送裝置，所述工藝片可以通 過所述工藝片傳送裝置經(jīng)過上述傳輸口被傳輸；與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的真空鎖，其用于連接所述傳輸室和外界環(huán) 境，以在不損失所述傳輸室內(nèi)的真空的前提下在外界環(huán)境和所述傳輸室之間進(jìn)行工藝片傳 輸；與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的處理室，所述工藝片在所述處理室中進(jìn)行制 程處理，其中，所述處理室內(nèi)設(shè)置有靜電夾持裝置，在制程處理時(shí)，所述工藝片被靜電夾持 于該靜電夾持裝置上；與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的工藝片預(yù)處理室，其中，所述工藝片預(yù)處理 室包括一個(gè)或多個(gè)工藝片支撐裝置；一個(gè)或多個(gè)預(yù)處理裝置，其用于在工藝片被送入所述處理室處理之前或在處理的過程 中對(duì)所述工藝片進(jìn)行預(yù)處理，以使得所述工藝片整體上呈現(xiàn)為平坦面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述預(yù)處理裝置用于對(duì)所述工 藝片進(jìn)行加熱，所述真空處理系統(tǒng)還包括控制裝置，其用于檢測(cè)所述工藝片的表面溫度，當(dāng) 所述工藝片的表面溫度達(dá)到一個(gè)預(yù)定閾值時(shí)，則發(fā)送一個(gè)停止信號(hào)以指示所述預(yù)處理裝置 停止對(duì)所述工藝片進(jìn)行加熱，以使所述工藝片平坦化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述預(yù)處理裝置是基于熱交換 或輻射提供熱量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述預(yù)處理裝置的加熱機(jī)制 為熱交換時(shí)，所述預(yù)處理裝置包括設(shè)置于所述工藝片預(yù)處理室壁的一個(gè)或多個(gè)電阻絲，并 且，所述工藝片預(yù)處理室還包括一個(gè)氣體通入裝置，其用于對(duì)所述工藝片預(yù)處理室中通入 氣體以在所述一個(gè)或多個(gè)電阻絲和所述工藝片表面提供熱交換媒介。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體通入裝置還用于往所 述預(yù)處理裝置中通入一熱氣體，通過所述熱氣體用于對(duì)工藝片進(jìn)行加熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5任一項(xiàng)所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述預(yù)定閾值的數(shù)值 能夠使得所述工藝片的凸起厚度小于0. 5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述的預(yù)定閾值的取值范圍為 40°C 150°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述于絕緣體襯底上具有半導(dǎo) 體材料的工藝片包括于玻璃襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述于玻璃襯底上具有半導(dǎo)體 材料的工藝片包括于玻璃襯底上具有硅材料的工藝片。
10.一種用于處理于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片的真空處理系統(tǒng)，其中，包括具有多個(gè)傳輸口的傳輸室，其中設(shè)置有至少一個(gè)工藝片傳送裝置，所述工藝片可以通 過所述工藝片傳送裝置經(jīng)過上述傳輸口被傳輸；與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的處理室，所述工藝片在所述處理室中進(jìn)行制 程處理，其中，所述處理室內(nèi)設(shè)置有靜電夾持裝置，在工藝處理時(shí)，所述工藝片被靜電夾持 于該靜電夾持裝置上；一個(gè)與所述多個(gè)傳輸口的其中一個(gè)相聯(lián)接的真空鎖，其用于連接所述傳輸室和外界環(huán) 境，以在不損失所述傳輸室內(nèi)的真空的前提下在外界環(huán)境和所述傳輸室之間進(jìn)行工藝片傳 輸；所述真空鎖還包括一個(gè)或多個(gè)工藝片支撐裝置，所述真空鎖還包括一個(gè)或多個(gè)預(yù)處理 裝置，所述預(yù)處理裝置用于在工藝片被送入所述處理室處理之前或在處理的過程中對(duì)所述 工藝片進(jìn)行預(yù)處理，以使得所述工藝片整體上呈現(xiàn)為平坦面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述預(yù)處理裝置用于對(duì)所述 工藝片進(jìn)行加熱，所述真空處理系統(tǒng)還包括控制裝置，其用于檢測(cè)所述工藝片的表面溫度， 當(dāng)所述工藝片的表面溫度達(dá)到一個(gè)預(yù)定閾值時(shí)，則發(fā)送一個(gè)停止信號(hào)以指示所述真空鎖停 止對(duì)所述工藝片進(jìn)行加熱，以使所述工藝片平坦化。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述真空鎖是基于熱交換或 輻射提供熱量。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)所述真空鎖的加熱機(jī)制為 熱交換時(shí)，所述真空鎖包括設(shè)置于其腔壁的一個(gè)或多個(gè)電阻絲，并且，所述真空鎖還包括一 個(gè)氣體通入裝置，其用于對(duì)所述真空鎖中通入氣體以在所述一個(gè)或多個(gè)電阻絲和所述工藝 片表面提供熱交換媒介。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體通入裝置還用于往 所述真空鎖中通入一熱氣體，通過所述熱氣體用于對(duì)工藝片進(jìn)行加熱。
15.根據(jù)權(quán)利要求10 14任一項(xiàng)所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述預(yù)定閾值的 數(shù)值能夠使得所述工藝片的凸起厚度小于0. 5mm。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述的預(yù)定閾值的取值范圍 為 40°C 150°C。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述于絕緣體襯底上具有半 導(dǎo)體材料的工藝片包括于玻璃襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，所述于玻璃襯底上具有半導(dǎo) 體材料的工藝片包括于玻璃襯底上具有硅材料的工藝片。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種用于處理于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片表面的真空處理系統(tǒng)，其中，包括一個(gè)傳輸室，其中設(shè)置有至少一個(gè)工藝片傳送裝置；一個(gè)真空鎖；至少一個(gè)處理室；一個(gè)工藝片預(yù)處理室，其中，所述工藝片預(yù)處理室還包括一個(gè)或多個(gè)工藝片支撐裝置；一個(gè)或多個(gè)預(yù)處理裝置，其用于對(duì)所述工藝片支撐裝置上的工藝片加熱；控制裝置，其用于檢測(cè)所述工藝片的表面溫度，當(dāng)所述工藝片的表面溫度達(dá)到一個(gè)預(yù)定閾值，則發(fā)送一個(gè)停止信號(hào)以指示所述預(yù)處理裝置停止對(duì)所述工藝片進(jìn)行加熱。其中，還可以將真空鎖和所述預(yù)處理裝置整合為一體。本實(shí)用新型能夠有效地在SOI工藝片夾持之前進(jìn)行平坦化處理。
文檔編號(hào)H01L21/00GK201910405SQ201020184060
公開日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月29日
發(fā)明者劉鵬, 朱班, 杜志游, 許頌臨, 陶珩 申請(qǐng)人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司