專利名稱：一種led芯片圖形襯底制備裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片圖形襯底制備裝置。
背景技術(shù)：
氮化鎵基發(fā)光二極管主要是異質(zhì)外延在平坦的襯底上，其中襯底可以為藍(lán)寶石、 碳化硅或硅。光從外延層進(jìn)入襯底時，由于界面比較平坦，光的入射角比較小，且氮化鎵和襯底折射率相差不大，導(dǎo)到反射率低，大部分光會逸出到襯底，不能有效反射回到外延層， 出光效率低。目前解決以上問題的策略，主要是采用圖形襯底，如中國專利文獻(xiàn)CN101814426A 于2010年8月25日公開的一種藍(lán)寶石圖形襯底的制作方法，具體步驟是(1)在藍(lán)寶石的上表面沉積一層低折射率材料、厚度為1埃-999埃的薄膜；( 用光阻在所述的薄膜上制備掩模圖形；C3)通過刻蝕，將光刻膠掩模的圖形轉(zhuǎn)移到所述的薄膜上，得到圖形下底的寬度為0. 5-3 μ m、間距0. 5-3 μ m的凸起，凸起厚度為1埃-999埃；(4)清洗藍(lán)寶石，去除殘留的光阻。本發(fā)明具有能大大降低制作PSS成本、增加光的全反射角從而更有利于出光、提高出光效率、更有利于激光剝離、提高成品LED芯片優(yōu)良率的優(yōu)點。前述專利文獻(xiàn)中所涉及的光刻設(shè)備，在大批量生產(chǎn)中，效率明顯偏低，加工成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種適合于大批量生產(chǎn)的LED芯片圖形襯底制備裝置。本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)
一種LED芯片圖形襯底制備裝置，用于等靜壓底模的制作，等靜壓底模用于圖形襯底坯料壓型，其特征在于包括依次設(shè)置的UV涂布單元、壓印及光固單元、沖型單元，還包括設(shè)置于前端的放料單元和設(shè)置于后端的收卷單元；沖型單元還包括底模邊框收卷輥筒。LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述壓印及光固單元進(jìn)一步包括滾壓部件和光固部件，所述滾壓部件包括成形輥和二個引導(dǎo)輥，二個引導(dǎo)輥界定出加工材料與成形輥的滾壓包角，所述滾壓包角為45°至60°之間。LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述滾壓包角為52°。LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述沖型單元為平壓式模切裝置。LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述沖型單元為輪轉(zhuǎn)式模切裝置。LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述壓印及光固單元與所述沖型單元之間具有一緩沖空間。LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述壓印及光固單元進(jìn)一步包括滾壓部件和光固部件，所述滾壓部件包括成形輥和二個引導(dǎo)輥，二個引導(dǎo)輥界定出加工材料與成形輥的滾壓包角，所述滾壓包角為52° ；所述沖型單元為平壓式模切裝置；所述壓印及光固單元與所述沖型單元之間具有一緩沖空間。LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述緩沖空間由設(shè)置在壓印及光固單元之后的主動拉料輥筒和沖型單元界定而成。本發(fā)明的LED芯片圖形襯底制備裝置，用于等靜壓底模的制作，包括依次設(shè)置的 UV涂布單元、壓印及光固單元、沖型單元，還包括設(shè)置于前端的放料單元和設(shè)置于后端的收卷單元；沖型單元還包括底模邊框收卷輥筒；與現(xiàn)有技術(shù)相比，更適合于大批量生產(chǎn)。


圖1是一種設(shè)以離型膜為載體的等靜壓底模的示意圖。圖2是一種等靜壓底模的示意圖。圖3是本發(fā)明第一個實施例的示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳述。參考圖1至圖3，本發(fā)明的第一個實施例是一種LED芯片圖形襯底制備裝置，用于等靜壓底模901的制作，對于連續(xù)作業(yè)，制成的等靜壓底模901需要一個載體902，本實施例中，采用離型膜作為載體，包括依次設(shè)置的UV涂布單元402、壓印及光固單元404、沖型單元501，還包括設(shè)置于前端的放料單元401和設(shè)置于后端的收卷單元405 ；沖型單元501還包括底模邊框收卷輥筒502。所述壓印及光固單元404進(jìn)一步包括滾壓部件和光固部件4044，所述滾壓部件包括成形輥4041和二個引導(dǎo)輥4042及4043，二個引導(dǎo)輥4042及4043界定出加工材料與成形輥4041的滾壓包角，本實施例中，所述滾壓包角為為52°。當(dāng)然，根據(jù)發(fā)明人的實驗，所述包角也可以采用45°至60°之間的其它角度，事實上，包角太小，不易完不成光固過程， 包角太大被加工材料與成形輥又不易脫離。本實施例之沖型單元是平壓式模切裝置，對于大批量生產(chǎn)來說，也可以采用輪轉(zhuǎn)式模切裝置。所述壓印及光固單元與所述沖型單元之間具有一緩沖空間，緩沖空間由設(shè)置在壓印及光固單元之后的主動拉料輥筒和沖型單元界定而成。
權(quán)利要求
1.一種LED芯片圖形襯底制備裝置，用于等靜壓底模的制作，其特征在于包括依次設(shè)置的UV涂布單元、壓印及光固單元、沖型單元，還包括設(shè)置于前端的放料單元和設(shè)置于后端的收卷單元；沖型單元還包括底模邊框收卷輥筒。
2.根據(jù)權(quán)利要1所述的LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述壓印及光固單元進(jìn)一步包括滾壓部件和光固部件，所述滾壓部件包括成形輥和二個引導(dǎo)輥，二個引導(dǎo)輥界定出加工材料與成形輥的滾壓包角，所述滾壓包角為45°至60°之間。
3.根據(jù)權(quán)利要1所述的LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述滾壓包角為 52°。
4.根據(jù)權(quán)利要1所述的LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述沖型單元為平壓式模切裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要1所述的LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述沖型單元為輪轉(zhuǎn)式模切裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要1所述的LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述壓印及光固單元與所述沖型單元之間具有一緩沖空間。
7.根據(jù)權(quán)利要1所述的LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述壓印及光固單元進(jìn)一步包括滾壓部件和光固部件，所述滾壓部件包括成形輥和二個引導(dǎo)輥，二個引導(dǎo)輥界定出加工材料與成形輥的滾壓包角，所述滾壓包角為52° ；所述沖型單元為平壓式模切裝置；所述壓印及光固單元與所述沖型單元之間具有一緩沖空間。
8.根據(jù)權(quán)利要7所述的LED芯片圖形襯底制備裝置，其特征在于所述緩沖空間由設(shè)置在壓印及光固單元之后的主動拉料輥筒和沖型單元界定而成。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片圖形襯底制備裝置，LED芯片圖形襯底制備裝置專用于等靜壓底模的制作，其特征在于包括依次設(shè)置的UV涂布單元、壓印及光固單元、沖型單元，還包括設(shè)置于前端的放料單元和設(shè)置于后端的收卷單元；沖型單元還包括底模邊框收卷輥筒。本發(fā)明提供一種適合于大批量生產(chǎn)的LED芯片圖形襯底制備裝置。
文檔編號H01L33/00GK102169927SQ20101061897
公開日2011年8月31日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者李金明 申請人:東莞市萬豐納米材料有限公司