專利名稱：：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：在此的示例性實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法，更具體地，涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其形成方法。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體器件通常被認(rèn)為是電子產(chǎn)業(yè)中的重要器件，因?yàn)榘雽?dǎo)體器件具有諸如多功能和/或低制造成本的特征。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是能存儲(chǔ)邏輯數(shù)據(jù)并能讀取所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件主要分為揮發(fā)性存儲(chǔ)器件或非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件。揮發(fā)性存儲(chǔ)器件在電源關(guān)閉時(shí)不保留存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。DRAM器件和SRAM器件是代表性的揮發(fā)性存儲(chǔ)器件。相反地，非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件在電源關(guān)閉時(shí)保留存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。閃存器件是代表性的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器件。隨著電子產(chǎn)業(yè)越來越多地發(fā)展，需要半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件具有更大的容量。因此，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件具有更高度集成的趨勢(shì)。然而，由于各種問題，難以實(shí)現(xiàn)高集成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。例如，用于定義微圖案的光刻工藝具有限制。因?yàn)殡y以減小微圖案的占有面積(occupiedarea)，所以實(shí)現(xiàn)更高度集成的半導(dǎo)體器件的能力受限。為了解決這些問題，已經(jīng)進(jìn)行了更多的研究來實(shí)現(xiàn)高度集成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
發(fā)明內(nèi)容在此的實(shí)例實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法，更具體地，涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其形成方法。實(shí)例實(shí)施方式提供對(duì)于集成度進(jìn)行了優(yōu)化的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其形成方法。實(shí)例實(shí)施方式提供具有高可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其形成方法。發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括器件隔離圖案，形成在基板中以限定在第一方向上延伸的有源部分；以及第一掩埋柵和第二掩埋柵，分別設(shè)置在形成在有源部分和器件隔離圖案中的凹槽的第一內(nèi)側(cè)壁和第二內(nèi)側(cè)壁上。凹槽在不與第一方向平行的第二方向上延伸，第一掩埋柵和所述第二掩埋柵彼此獨(dú)立地受控。該器件還包括柵電介質(zhì)膜，該柵電介質(zhì)膜分別插置在第一掩埋柵與凹槽的第一內(nèi)側(cè)壁之間以及在第二掩埋柵與凹槽的第二內(nèi)側(cè)壁之間；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，分別形成在凹槽兩側(cè)上的有源部分的上部中；以及公共摻雜區(qū)，形成在凹槽的底表面下面的有源部分中。在一些實(shí)例實(shí)施方式中，第一掩埋柵可設(shè)置在第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁上，第二掩埋柵可設(shè)置在第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁上。在其它實(shí)例實(shí)施方式中，第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁可相對(duì)于第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁橫向地凹入以限定第一底切區(qū)。第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁可相對(duì)于第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁橫向地凹入以限定第二底切區(qū)。第一掩埋柵可設(shè)置在第一底切區(qū)中。第二掩埋柵可設(shè)置在第二底切區(qū)中。在又一實(shí)例實(shí)施方式中，第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁可包括由有源部分形成的第一有源下側(cè)壁以及由器件隔離圖案形成的第一非有源下側(cè)壁。第一非有源下側(cè)壁比第一有源下側(cè)壁橫向地凹入更多，從而由第一掩埋柵控制的第一溝道區(qū)可包括在第一方向上延伸的第一部分和在第二方向上延伸的第二部分。第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁可包括由有源部分形成的第二有源下側(cè)壁以及由器件隔離圖案形成的第二非有源下側(cè)壁。第二非有源下側(cè)壁可比第二有源下側(cè)壁橫向地凹入更多，從而由第二掩埋柵控制的第二溝道區(qū)包括在第一方向上延伸的第一部分和在第二方向上延伸的第二部分。在其它實(shí)例實(shí)施方式中，第一掩埋柵可以具有在第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁上自對(duì)準(zhǔn)的側(cè)壁。在再一實(shí)例實(shí)施方式中，第一掩埋柵可具有彼此相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，第一掩埋柵的第一側(cè)壁可鄰近第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁，第一掩埋柵的第二側(cè)壁可以比第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁橫向地凹入更多。第二掩埋柵可具有彼此相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，第二掩埋柵的第一側(cè)壁可鄰近第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁，第二掩埋柵的第二側(cè)壁可以比第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁橫向地凹入更多。在其它實(shí)例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還可包括第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，電連接到第一摻雜區(qū)；第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，電連接到第二摻雜區(qū)；以及公共布線，電連接到公共摻雜區(qū)。在又一實(shí)例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還可包括公共柱，設(shè)置在凹槽中并連接到公共摻雜區(qū)；第一絕緣間隔體，插置在公共柱與第一掩埋柵之間；以及第二絕緣間隔體，插置在公共柱與第二掩埋柵之間。公共布線可電連接到公共柱的上表面。在平行的又一實(shí)例實(shí)施方式中，第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以是包括電連接到第一摻雜區(qū)的第一存儲(chǔ)電極的第一電容器。第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以是包括電連接到第二摻雜區(qū)的第二存儲(chǔ)電極的第二電容器。公共布線可以是在第一掩埋柵和第二掩埋柵上橫跨過的位線。在再一實(shí)例實(shí)施方式中，第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可包括第一可變電阻器，其能變化為具有彼此不同的電阻率的多個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)；以及第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可包括第二可變電阻器，其能變化為具有彼此不同的電阻率的多個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。在其它實(shí)例實(shí)施方式中，第二方向可以不與第一方向垂直。在又一實(shí)例實(shí)施方式中，第二方向可以垂直于第一方向。在其它實(shí)例實(shí)施方式中，基板可包括單元陣列區(qū)和外圍電路區(qū)，有源部分以及第一掩埋柵和第二掩埋柵可設(shè)置在單元陣列區(qū)中。半導(dǎo)體儲(chǔ)存器件還可包括設(shè)置在外圍電路區(qū)中的基板中的外圍器件隔離圖案；在外圍有源部分上橫跨過的外圍柵極；以及外圍柵極電介質(zhì)膜，插置在外圍有源部分的上表面與外圍柵極之間。公共布線可由與外圍柵極的上部相同的材料形成。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)例實(shí)施方式，提供包括一基板的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該基板具有器件隔離圖案和通過器件隔離圖案劃界的有源部分。凹槽形成在有源部分和器件隔離圖案中。有源區(qū)在第一方向上延伸以及凹槽沿與第一方向交叉的第二方向延伸。該器件還包括在有源部分中的公共摻雜區(qū)、在凹槽的相對(duì)側(cè)壁上設(shè)置的第一和第二掩埋柵、分別圍繞第一和第二掩埋柵的柵電介質(zhì)膜以及在有源部分中并且在部分的凹槽上方的第一和第二摻雜區(qū)。第一摻雜區(qū)設(shè)置在第一掩埋柵上方，第二摻雜區(qū)設(shè)置在第二掩埋柵上方。在實(shí)例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括在第一掩埋柵上方的第一溝道區(qū)和在第二掩埋柵上方的第二溝道區(qū)。第一溝道區(qū)沿著第一方向延伸到第一掩埋柵的最外面的側(cè)壁，并沿著第二方向在有源部分中延伸。第二溝道區(qū)沿著第一方向延伸到第二掩埋柵的最外面的側(cè)壁，并沿著第二方向在有源部分中延伸。在又一實(shí)例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括公共柱，在凹槽中插置在第一掩埋柵和第二掩埋柵之間并連接到公共摻雜區(qū)；第一絕緣間隔物，插置在公共柱與第一掩埋柵之間；以及第二絕緣間隔物，插置在公共柱與第二掩埋柵之間。第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以電連接到第一摻雜區(qū)，第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以電連接到第二摻雜區(qū)，公共布線可以電連接到公共摻雜區(qū)。公共布線可以電連接到公共柱的上表面。第一掩埋柵形成在第一絕緣間隔體的最外面的側(cè)壁上以限定從第一絕緣間隔物體向延伸的第一底切區(qū)。第二掩埋柵形成在第二絕緣間隔體的最外面的側(cè)壁上以限定從第二絕緣間隔體橫向延伸的第二底切區(qū)。第一掩埋柵設(shè)置在第一底切區(qū)中，第二掩埋柵設(shè)置在第二底切區(qū)中。第一絕緣間隔體的最外面的側(cè)壁包括上部和朝第一掩埋柵橫向地延伸超過上部的下部。第二絕緣間隔體的最外面的側(cè)壁包括上部和朝第二掩埋柵橫向地延伸超過上部的下部。第一絕緣間隔體的最外面的側(cè)壁包括下部和橫向地延伸超過下部的上部。第二絕緣間隔體的最外面的側(cè)壁包括下部和橫向地延伸超過下部的上部。在發(fā)明構(gòu)思的再一實(shí)例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的形成方法可包括在基板中形成器件隔離圖案以限定在第一方向上延伸的有源部分，以及在有源部分和器件隔離圖案中形成凹槽。凹槽沿不與第一方向平行的第二方向延伸。該方法還包括在凹槽的第一和第二內(nèi)側(cè)壁上形成柵電介質(zhì)膜；分別在凹槽的第一和第二內(nèi)側(cè)壁上形成第一和第二掩埋柵；在凹槽的底表面下面的有源區(qū)中形成公共摻雜區(qū)；以及在凹槽的兩側(cè)上的有源區(qū)中形成第一和第二摻雜區(qū)。第一和第二掩埋柵可以彼此獨(dú)立地受控。在某些實(shí)例實(shí)施方式中，凹槽的形成可包括在有源部分和器件隔離圖案上形成硬掩模膜，硬掩模膜具有在第二方向上延伸的開口；以及各向異性蝕刻開口下面的有源部分和器件隔離圖案。在其它實(shí)例實(shí)施方式中，第一初始凹槽可以通過各向異性蝕刻形成。凹槽的形成還可包括分別在第一初始凹槽的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁上形成蝕刻保護(hù)間隔體；通過使用硬掩模膜和蝕刻保護(hù)間隔體作為蝕刻掩模來各向異性刻蝕在第一初始凹槽下面的有源部分和器件隔離圖案而形成第二初始凹槽；以及通過使位于蝕刻保護(hù)間隔體下面的第二初始凹槽的兩個(gè)下側(cè)壁橫向地凹入而形成具有第一和第二底切區(qū)的凹槽。第一掩埋柵可以形成在第一底切區(qū)中，該第一底切區(qū)設(shè)置在凹槽的第一內(nèi)側(cè)壁的凹入的下側(cè)壁上。第二掩埋柵可以形成在第二底切區(qū)中以設(shè)置在凹槽的第二內(nèi)側(cè)壁的凹入的下側(cè)壁上。在再一實(shí)例實(shí)施方式中，第二初始凹槽的兩個(gè)下側(cè)壁的每個(gè)均可包括由第二有源部分形成的第一部分以及由器件隔離圖案形成的第二部分。形成具有第一和第二底切區(qū)的凹槽還可包括使第二初始凹槽的兩個(gè)下側(cè)壁的第一部分橫向地凹入；以及使第二初始凹槽的兩個(gè)下側(cè)壁的第二部分橫向地凹入。在平行的其它實(shí)例實(shí)施方式中，第二初始凹槽的兩個(gè)下側(cè)壁的第二部分可以比第二初始凹槽的兩個(gè)側(cè)壁的第一部分橫向地凹入更多。在再一實(shí)例實(shí)施方式中，該方法還可包括在凹槽的第一和第二內(nèi)側(cè)壁上方形成第一和第二絕緣間隔物，從而分別覆蓋第一和第二掩埋柵；以及在第一絕緣間隔物與第二絕緣間隔物之間形成公共柱，從而連接到公共摻雜區(qū)。在另一實(shí)例實(shí)施方式中，該方法還可包括形成連接到公共柱的頂表面的公共布線；以及形成電連接到第一摻雜區(qū)的第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件以及電連接到第二摻雜區(qū)的第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。包括附圖以提供對(duì)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的進(jìn)一步理解，且附圖結(jié)合入說明書中并構(gòu)成說明書的一部分。附圖示出了發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，并與文字描述一起，用于解釋發(fā)明構(gòu)思的原理。在附圖中圖1是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件；圖2A是沿圖1的線1-1’、11-11’和III-III’截取的橫截面視圖；圖2B是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的修改實(shí)例的沿圖1的線1-1’和11-11’截取的橫截面視圖，示出半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的埋入柵極；圖2C是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的另一修改實(shí)例的沿圖1的線1-1’和II-11’截取的橫截面視圖，示出半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的埋入柵極；圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的沿圖1的線I-I’、11-11’和III-III’截取的橫截面視圖，示出半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件；圖4A是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的其它數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件；圖4B是沿圖4A的線IV-IV，和V_V，截取的橫截面視圖；圖5是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的修改實(shí)例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件；圖6A是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的另一修改實(shí)例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件；圖6B是沿圖6A的線VI-VI，和VII-VII，截取的橫截面視圖；圖7A是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的又一修改實(shí)例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件；圖7B是沿圖7A的線VIII-VIII’和IX-XI’截取的橫截面視圖；圖8至圖M是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的沿圖1的線I-I’、11-11’和III-Iir截取的橫截面視圖，示出半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件；圖25A是平面圖，示出在圖14中示出的掩模圖案；圖25B是平面圖，示出根據(jù)修改實(shí)例的在圖14中示出的掩模圖案；圖沈是方塊圖，示意性地示出包括基于發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電子系統(tǒng)的實(shí)例；以及圖27是方塊圖，示意性地示出包括基于發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)卡的實(shí)例。具體實(shí)施例方式現(xiàn)將參考其中顯示一些實(shí)例實(shí)施方式的附圖更全面地描述多個(gè)實(shí)例實(shí)施方式。然而，在此公開的特定結(jié)構(gòu)和功能細(xì)節(jié)僅是用于描述實(shí)例實(shí)施方式目的的代表性結(jié)構(gòu)和細(xì)節(jié)。因而，本發(fā)明可以以許多替換的形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)解釋為限于僅在此闡述的實(shí)例實(shí)施方式。因此，應(yīng)該理解，無意將實(shí)例實(shí)施方式限制于所公開的具體形式，而是相反地，實(shí)例實(shí)施方式將覆蓋落入本發(fā)明范圍內(nèi)的所有變型、等效物和替代物。在附圖中，為了清晰，可以夸大層和區(qū)域的厚度，且在附圖的整個(gè)描述中相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。雖然可以在此使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件，但是這些元件應(yīng)不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只用于區(qū)分一個(gè)元件與另一元件。例如，第一元件可以被稱為第二元件，類似地，第二元件可以被稱為第一元件，而不脫離實(shí)例實(shí)施方式的范圍。如在此所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的一個(gè)或更多的任何和所有組合。將理解，當(dāng)元件被稱為“連接到”或“耦接到”另一元件時(shí)，它可以直接連接到或耦接到另一元件，或者可以存在中間的元件。相反，如果元件被稱為“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件，則沒有中間元件存在。用于描述元件之間的關(guān)系的其它詞應(yīng)以相似的方式解釋(例如，“在......之間”與“直接在......之間”，“相鄰”與“直接相鄰”等)。這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實(shí)施方式的目的且不旨在限制實(shí)例實(shí)施方式。如這里所用的，單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思。將進(jìn)一步理解當(dāng)在此說明書中使用時(shí)術(shù)語“包括”和/或“包含”說明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組分的存在，但是不排除存在或添加一個(gè)或更多其它特征、整體、步驟、操作、元件、組分和/或其組。在這里為了描述的方便，可以使用空間相對(duì)術(shù)語(諸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等)來描述一個(gè)元件或特征與其它元件或特征如圖中所示的關(guān)系。將理解空間相對(duì)術(shù)語旨在包含除了在圖中所繪的方向之外裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征的“下方”或“下面”的元件則應(yīng)取向在所述其它元件或特征的“上方”。因此，例如，術(shù)語“下方”可以包含上方和下方兩個(gè)方向。裝置也可以被以另外的方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它取向觀看或參考)且應(yīng)該相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對(duì)描述語。在這里參考橫截面圖示描述了實(shí)例實(shí)施方式，該圖示是理想實(shí)施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。同樣地，可以預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，實(shí)例實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于這里所示的具體的區(qū)域形狀，而是可以包括由于例如由制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)可以具有倒圓(rounded)或彎曲的特征和/或在其邊緣具有(例如，注入濃度)梯度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的突然變化。相似地，由注入形成的埋入?yún)^(qū)可以引起埋入?yún)^(qū)與通過其進(jìn)行注入的表面之間的區(qū)域中的某些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的且它們的形狀不必示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀且不旨在限制范圍。還應(yīng)該注意，在某些替代實(shí)現(xiàn)中，所提到的功能/動(dòng)作可不與圖中所提到的次序一致。例如，根據(jù)有關(guān)的功能和/動(dòng)作，連續(xù)示出的兩幅圖實(shí)際上可基本同時(shí)地執(zhí)行，或者有時(shí)可以以相反的順序執(zhí)行。為了更明確地描述實(shí)例實(shí)施方式，將參考附圖詳細(xì)地描述多個(gè)方面。然而，本發(fā)明不限于所描述的實(shí)例實(shí)施方式。在此的實(shí)例實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法，更具體地，涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其形成方法。圖1是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。圖2A是沿圖1的線I-I’、11-11’和III-III’截取的橫截面視圖。在圖2A中，參考標(biāo)記A表示沿圖1的線1-1’截取的橫截面視圖，參考標(biāo)記B表示沿圖1的線11-11’截取的橫截面視圖，參考標(biāo)記C表示沿圖1的線III-III’截取的橫截面視圖。參考圖1和圖2A，半導(dǎo)體基板100(在以下文中，被稱為基板)可包括單元陣列區(qū)90和外圍電路區(qū)95?；?00可以是硅基板、鍺基板或硅-鍺基板。單元器件隔離圖案103a可以設(shè)置在單元陣列區(qū)90中的基板100中，外圍器件隔離圖案103b可以設(shè)置在外圍電路區(qū)95的基板100中。單元器件隔離圖案103a可以在單元陣列區(qū)90的基板100上定義多個(gè)單元有源部分(cellactiveportion)105。外圍器件隔離圖案10可以在外圍電路區(qū)95中的基板100上定義外圍有源部分106。單元有源部分105可以與基板100的被單元器件隔離圖案103a圍繞的一部分相應(yīng)。外圍有源部分106可以與基板100的被外圍器件隔離圖案10圍繞的一部分相應(yīng)。單元器件隔離圖案103a可以由氧化物和/或氮化物形成。外圍器件隔離圖案10可以由氧化物和/或氮化物形成。單元器件隔離圖案103a可以是多層的，外圍器件隔離圖案10可以是多層的。外圍器件隔離圖案10的寬度可以大于單元器件隔離圖案103a的寬度。因此，在單元器件隔離圖案103a中層的數(shù)量可以比外圍器件隔離圖案10中層的數(shù)量少。如在圖1中所示，多個(gè)單元有源部分105可以沿著多個(gè)行和多個(gè)列二維地布置。每個(gè)單元有源部分105可以在第一方向(例如，沿“S”方向)上延伸。每個(gè)單元有源部分105可具有在第一方向上延伸的矩形形狀。第一方向平行于基板100的上表面。凹槽112b可以形成在單元有源部分105和單元器件隔離圖案103a上。凹槽112b可以橫穿單元有源部分105。凹槽112b在不與第一方向平行的第二方向上(例如，沿y軸)延伸。第二方向也可以與基板100的上表面平行。第二方向可相應(yīng)于圖1的y軸方向。第二方向可以不與第一方向垂直。第一方向相應(yīng)于在圖1中示出的“S”方向。凹槽112b可在第二方向上延伸以橫穿構(gòu)成一列的多個(gè)單元有源部分105。也就是說，凹槽112b可以形成在單元器件隔離圖案103a和共同地構(gòu)成一列的多個(gè)單元有源部分105中。多個(gè)凹槽112b可以形成在單元陣列區(qū)90中。多個(gè)凹槽112b可分別相應(yīng)于多列。每個(gè)凹槽112b可具有彼此面對(duì)的第一內(nèi)側(cè)壁和第二內(nèi)側(cè)壁以及底表面。第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b可以設(shè)置在每個(gè)凹槽11中。第一掩埋柵127a設(shè)置在凹槽112b的第一內(nèi)側(cè)壁上。第二掩埋柵127b設(shè)置在凹槽112b的第二內(nèi)側(cè)壁上。柵電介質(zhì)膜125可以插置在第一掩埋柵127a與凹槽11的第一內(nèi)側(cè)壁之間以及在第二掩埋柵127b與凹槽112b的第二內(nèi)側(cè)壁之間。優(yōu)選地是，第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b彼此獨(dú)立地受控。第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b可以由導(dǎo)電材料形成。例如，第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b可包括摻雜的半導(dǎo)體材料(例如，摻雜硅或摻雜鍺)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)、金屬(例如，鎢、鈦或鉭)或金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，鎢硅化物、鈷硅化物或鈦硅化物)等等的至少之一。柵電介質(zhì)膜125可以由氧化物、氮化物和/或氮氧化物形成。凹槽112b的第一內(nèi)側(cè)壁可包括上部113和下部(11和116a)。第一內(nèi)側(cè)壁的上部113被稱為第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁。第一內(nèi)側(cè)壁的下部(11和116a)被稱為第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁。同樣地，凹槽112b的第二內(nèi)側(cè)壁的上部114被稱為第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁。第二內(nèi)側(cè)壁的下部(11和116b)被稱為第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁。第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁113可包括由單元有源部分105形成的一部分和由單元器件隔離圖案103a形成的一部分。第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116a)也可包括由單元有源部分105形成的一部分和由單元器件隔離圖案103a形成的一部分。第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁的部分11被稱為第一有源下側(cè)壁115a。第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁的部分116a被稱為第一非有源下側(cè)壁116a。同樣地，第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁114可包括由單元有源部分105形成的一部分和由單元器件隔離圖案103a形成的一部分。第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116b)可包括由單元有源部分105形成的一部分11和由單元器件隔離圖案103a形成的一部分116b。第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁的部分11被稱為第二有源下側(cè)壁11恥。第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁的部分116b被稱為第二非有源下側(cè)壁116b。第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b的最上端可以比單元有源部分105的最上表面低。第一掩埋柵127a可以設(shè)置在凹槽11的第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116a)上。第二掩埋柵127b可以設(shè)置在凹槽11的第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116b)上。第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(115a和116a)可以比第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁113橫向地凹入更多。因而，可以限定第一底切區(qū)Ucl。同樣地，第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116b)可以比第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁114橫向地凹入更多。因而，可以限定第二底切區(qū)Uc2。凹槽112b的第一內(nèi)側(cè)壁和第二內(nèi)側(cè)壁可以關(guān)于凹槽112b的底表面對(duì)稱。第一掩埋柵127a可以設(shè)置在第一底切區(qū)Ucl中，從而第一掩埋柵127a可以設(shè)置在第一個(gè)內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116a)上。第二掩埋柵127b可以設(shè)置在第二底切區(qū)Uc2中，從而第二掩埋柵127b可以設(shè)置在第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(115b和116b)上。因此，第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b可以在第二方向上平行地延伸。第一掩埋柵127a可以穿過構(gòu)成一列的多個(gè)單元有源部分105。同樣地，第二掩埋柵127b可以穿過構(gòu)成一列的多個(gè)單元有源部分105。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，第一有源下側(cè)壁11的從第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁113橫向凹入的深度可以基本上與第一非有源下側(cè)壁116a的橫向凹入深度相同。因此，第一掩埋柵127a可具有基本一致的寬度。同樣地，第二有源下側(cè)壁11的從第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁114橫向凹入的深度可以基本上與第二非有源下側(cè)壁116b的橫向凹入深度相同。因此，第二掩埋柵127b也可具有基本一致的寬度。第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b可以彼此對(duì)稱。公共摻雜區(qū)143可以設(shè)置在凹槽112b的底表面下面的單元有源部分105中。第一摻雜區(qū)150a和第二摻雜區(qū)150b可以分別地設(shè)置在凹槽112b兩側(cè)上的單元有源部分105中。第一摻雜區(qū)150a和第二摻雜區(qū)150b可以分別基本上設(shè)置在單元有源部分105的在底切區(qū)Ucl和Uc2上方的部分中。單元有源部分105摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑，摻雜區(qū)143、150a和150b摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑。例如，單元有源部分105可以由ρ型摻雜劑摻雜，摻雜區(qū)143、150a和150b可以由η型摻雜劑摻雜。替代地，單元有源部分105可以由η型摻雜劑摻雜，摻雜區(qū)143、150a和150b可以由ρ型摻雜劑摻雜。第一掩埋柵127a可以控制在第一有源下側(cè)壁11處限定的豎直溝道區(qū)，第二掩埋柵127b可以控制在第二有源下側(cè)壁11處限定的豎直溝道區(qū)。第一掩埋柵127a、第一摻雜區(qū)150a和公共摻雜區(qū)143可以包括在第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管內(nèi)。第二掩埋柵127b、第二摻雜區(qū)150b和公共摻雜區(qū)143可以包括在第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管內(nèi)。第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管共用公共摻雜區(qū)143。第一掩埋柵127a可具有彼此相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一掩埋柵127a的第一側(cè)壁鄰近第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116a)。如在圖2A中所示，第一掩埋柵127a的第二側(cè)壁可以與第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁113自對(duì)準(zhǔn)。同樣地、第二掩埋柵127b可具有彼此相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第二掩埋柵127b的第一側(cè)壁鄰近第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116b)。第二掩埋柵127b的第二側(cè)壁可以與第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁114自對(duì)準(zhǔn)。公共柱14可以設(shè)置在凹槽112b中以連接到公共摻雜區(qū)143。第一絕緣間隔體133a可以設(shè)置在公共柱14與第一掩埋柵127a之間。第一絕緣間隔體133a可以向上延伸以插置在第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁113與公共柱14之間。第二絕緣間隔體13可以插置在公共柱14與第二掩埋柵127b之間。第二絕緣間隔體13可以向上延伸以插置在公共柱14與第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁114之間。第一絕緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13可以在第二方向上彼此平行地延伸。多個(gè)公共柱14可以設(shè)置在單元陣列區(qū)90中并且沿行和列二維地布置。每個(gè)公共柱14可以連接到形成在多個(gè)單元有源部分105中的每個(gè)公共摻雜區(qū)143。公共柱14彼此間隔開。構(gòu)成一列的多個(gè)公共柱14可以設(shè)置在每個(gè)凹槽112b中并且在第二方向上彼此間隔開。填充電介質(zhì)圖案135可以填充凹槽112b的位于單元器件隔離圖案103a中的部分。換句話說，填充電介質(zhì)圖案135可以填充凹槽112b的在構(gòu)成一列的多個(gè)公共柱14之間的部分。如在圖2A的區(qū)域B中所示，第一絕緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13的部分的下端可以延伸以彼此連接。第一絕緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13的部分的連接延伸部(connectedextension)可以位于填充電介質(zhì)圖案135下面。公共柱14可具有比單元有源部分105的最上表面向上突出更多的突出部分。第一絕緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13也可具有比單元有源部分105的最上表面向上突出更多的突出部分。第一絕緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13的突出部分可以分別與公共柱14的突出部分的兩個(gè)側(cè)壁接觸。填充電介質(zhì)圖案135也可以具有比單元有源部分105的最上表面向上突出更多的突出部分。公共柱145a、絕緣間隔體133a和13以及填充電介質(zhì)圖案135的突出部分的上表面可以彼此共面。公共柱14可以由導(dǎo)電材料形成。例如，公共柱14可以包括摻雜的半導(dǎo)體材料(例如，摻雜硅或摻雜鍺)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)、金屬(例如，鎢、鈦或鉭)或金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，鎢硅化物、鈷硅化物或鈦硅化物)等等的至少之一。例如，第一絕緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13可以由氧化物、氮化物和/或氮氧化物形成。填充電介質(zhì)圖案135可以由相對(duì)于第一絕緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13具有蝕刻選擇性的電介質(zhì)材料形成。例如，當(dāng)?shù)谝唤^緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13可以由氮化物和/或氮氧化物形成時(shí)，填充電介質(zhì)圖案135可以由氧化物形成。替代地，當(dāng)?shù)谝唤^緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13可以由氧化物或類似物形成時(shí)，填充電介質(zhì)圖案135可以由氮化物和/或氮氧化物形成。蓋電介質(zhì)膜153a可以形成在單元陣列區(qū)90中。蓋電介質(zhì)膜153a可以設(shè)置在單元有源部分105和單元器件隔離圖案103a上。蓋電介質(zhì)膜153a可具有與公共柱145a、絕緣間隔體133a和13以及填充電介質(zhì)膜135的上表面共面的平坦化上表面。蓋電介質(zhì)膜153a可以由相對(duì)于填充電介質(zhì)膜135具有蝕刻選擇性的電介質(zhì)材料形成。蓋電介質(zhì)膜153a可以由與絕緣間隔體133a和13相同的材料形成。公共布線(commonwiring)16可以設(shè)置在蓋電介質(zhì)膜153a上以連接到公共柱14fe。公共布線16可以在垂直于第二方向的第三方向上延伸。第三方向可以相應(yīng)于圖1中的χ軸方向。如在圖1中所示，公共布線16可以連接到構(gòu)成每行的多個(gè)公共柱145a。多個(gè)公共布線16可以形成在單元陣列區(qū)90中。多個(gè)公共布線16可以分別相應(yīng)于多行。本發(fā)明不限于此。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式，多個(gè)公共布線16可以在另一個(gè)方向上延伸。單元蓋掩模圖案168a可以形成在每個(gè)公共布線16上。單元蓋掩模圖案168a可具有在公共布線16的兩個(gè)側(cè)壁上自對(duì)準(zhǔn)的兩個(gè)側(cè)壁。參見圖1和圖2A，外圍柵極170可以設(shè)置在外圍電路區(qū)95中以橫跨過外圍有源區(qū)106。外圍柵電介質(zhì)膜155可以插置在外圍柵極170與外圍有源區(qū)106的上表面之間。外圍柵極170可以包括被依次層疊的下柵160a和上柵16恥。外圍蓋掩模圖案168b可以形成在外圍柵170上。外圍蓋掩模圖案168b可具有在外圍柵170的兩個(gè)側(cè)壁上自對(duì)準(zhǔn)的兩個(gè)側(cè)壁。外圍源/漏極171設(shè)置在外圍柵極170兩側(cè)上的外圍有源區(qū)106中。外圍源/漏極171可由與摻雜區(qū)150a和150b相同的摻雜劑形成，或者可以摻雜有與摻雜區(qū)150a和150b不同的摻雜劑。外圍柵極170的下柵極160a可以由能調(diào)整功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，下柵極160a可以由摻雜的半導(dǎo)體材料(例如，摻雜硅、摻雜鍺和/或摻雜硅-鍺)形成。上柵極16可以由電阻率低于下柵極160a的導(dǎo)電材料形成。例如，上柵極16可以包括金屬(例如，鎢、鈦或鉭)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)或金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，鎢硅化物、鈷硅化物或鈦硅化物)等等的至少之一。例如，單元陣列區(qū)90的公共布線16可以包括金屬(例如，鎢、鈦或鉭)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)或金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，鎢硅化物、鈷硅化物或鈦硅化物)等等的至少之一。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，公共布線16可以由與外圍柵極170的上柵極16相同的材料形成。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，公共布線16可以與外圍柵極170的上柵極16同時(shí)形成。單元蓋掩模圖案168a和外圍蓋掩模圖案168b可以由相同的材料形成。例如，單元蓋掩模圖案168a和外圍蓋掩模圖案168b可以由氧化物、氮化物和/或氮氧化物形成，但是不限于此。蓋掩模圖案168a和外圍蓋掩模圖案168b可以由彼此不同的材料形成。側(cè)壁間隔體172可以設(shè)置在公共布線16和單元蓋掩模圖案168a的兩個(gè)側(cè)壁上。外圍柵極間隔體173可以設(shè)置在外圍柵極170和外圍蓋掩模圖案168b的兩個(gè)側(cè)壁上。根據(jù)該配置，公共布線16的兩個(gè)側(cè)壁和上表面可以被側(cè)壁間隔體172和單元蓋掩模圖案168a圍繞，外圍柵極170的兩個(gè)側(cè)壁和上表面可以被外圍柵極間隔體173和外圍蓋掩模圖案168b圍繞?；?00可以用層間電介質(zhì)膜175覆蓋。層間電介質(zhì)膜175可具有與單元蓋掩模圖案168a和外圍蓋掩模圖案168b的上表面共面的平坦化上表面。然而，本發(fā)明不限于此。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，層間電介質(zhì)膜175可以覆蓋單元蓋掩模圖案168a和外圍蓋掩模圖案168b的上表面。優(yōu)選地是，側(cè)壁間隔體172和外圍柵極間隔體173由相同的電介質(zhì)材料形成。間隔體172和173以及蓋掩模圖案168a和168b可以由相對(duì)于層間電介質(zhì)膜175具有蝕刻選擇性的電介質(zhì)材料形成。例如，當(dāng)層間電介質(zhì)膜175由氧化物形成時(shí)，間隔體172和173以及蓋掩模圖案168a和168b可以由氮化物和/或氮氧化物形成。第一接觸插塞180a可以依次穿透層間電介質(zhì)膜175和蓋電介質(zhì)膜153a從而連接到第一摻雜區(qū)150a。第二接觸插塞180b可以依次穿透層間電介質(zhì)膜175和蓋電介質(zhì)膜153a從而連接到第二摻雜區(qū)150b。第一接觸插塞180a和第二接觸插塞180b可具有與側(cè)壁間隔體172自對(duì)準(zhǔn)的側(cè)壁。多個(gè)第一接觸插塞180a可以形成在單元陣列區(qū)90中。S卩，多個(gè)第一接觸插塞180a可以分別連接到形成在多個(gè)單元有源部分105中的第一摻雜區(qū)150a。同樣地，多個(gè)第二接觸插塞180b也可以形成在單元陣列區(qū)90中。也就是說，多個(gè)第二接觸插塞180b也可以分別連接到形成在多個(gè)單元有源部分105中的第二摻雜區(qū)150b。第一接觸插塞180a和第二接觸插塞180b可以包括諸如摻雜的半導(dǎo)體材料(例如，摻雜硅、摻雜鍺和/或摻雜硅-鍺)、金屬(例如，鎢、鈦或鉭)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)或金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，鎢硅化物、鈷硅化物或鈦硅化物)等等的至少一種導(dǎo)電材料。第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl可以設(shè)置在單元陣列區(qū)90的層間電介質(zhì)膜175上從而連接到第一接觸插塞180a。因此，第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl可以經(jīng)由第一接觸插塞180a電連接到第一摻雜區(qū)150a。第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2可以設(shè)置在單元陣列區(qū)90的層間電介質(zhì)膜175上從而連接到第二接觸插塞180b。因此，第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2可以經(jīng)由第二接觸插塞180b電連接到第二摻雜區(qū)150b。第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2可以以多種形式實(shí)現(xiàn)。例如，第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2可以實(shí)現(xiàn)為電容器或可變電阻器。第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2將在以下詳細(xì)地描述。第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元可以設(shè)置在每個(gè)單元有源部分105處。第一存儲(chǔ)單元可以包括第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl以及包括第一摻雜區(qū)150a和第一掩埋柵127a的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管。第二存儲(chǔ)單元可以包括第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2以及包括第二摻雜區(qū)150b和第二掩埋柵127b的第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管。第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以相應(yīng)于第一存儲(chǔ)單元的開關(guān)元件。第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以相應(yīng)于第二存儲(chǔ)單元的開關(guān)元件。外圍接觸插塞18可以穿透外圍電路區(qū)95中的層間電介質(zhì)膜175以連接到外圍源/漏極171。外圍柵極接觸插塞182b可以穿透外圍蓋掩模圖案168b以連接到外圍柵極170。外圍接觸插塞18和外圍柵極接觸插塞182b可以包括摻雜的半導(dǎo)體材料(例如，摻雜硅、摻雜鍺和/或摻雜硅-鍺)、金屬(例如，鎢、鈦或鉭)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)或金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，鎢硅化物、鈷硅化物或鈦硅化物)等等的至少一種。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，第一接觸插塞180a、第二接觸插塞180b、外圍接觸插塞18和外圍柵極接觸插塞182b可以由相同的導(dǎo)電材料形成。第一外圍布線18可以設(shè)置在外圍電路區(qū)95中的層間電介質(zhì)膜175上以連接到外圍接觸插塞18加。第二外圍布線184b可以設(shè)置在外圍電路區(qū)95中的層間電介質(zhì)膜175上以連接到外圍柵極接觸插塞182b。第一外圍布線18和第二外圍布線184b可以包括金屬(例如，鎢、鈦或鉭)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)或金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，鎢硅化物、鈷硅化物或鈦硅化物)等等的至少之一。第一外圍布線18和第二外圍布線184b的兩個(gè)側(cè)壁和上表面可以被外圍側(cè)壁間隔體187和外圍蓋圖案185圍繞。外圍側(cè)壁間隔體187和外圍蓋圖案185可以由氮化物和/或氮氧化物形成。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，當(dāng)相同的操作電壓被施加到外圍柵極170和外圍源/漏極171時(shí)，第一外圍布線18和第二外圍布線184b可以橫向延伸以彼此連接。根據(jù)上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，彼此獨(dú)立受控的第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b可以設(shè)置在一個(gè)凹槽112b中。根據(jù)該配置，有可能最小化第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元的占有面積，該第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元分別包括第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b。因?yàn)榈谝谎诼駯?27a和第二掩埋柵127b的線寬可以不通過光刻定義且可以設(shè)置在凹槽112b的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁上，所以有可能最小化第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元的占有面積。當(dāng)凹槽112b的線寬可以通過光刻法被定義為最小的線寬(IF)時(shí)，第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元的每個(gè)均能實(shí)現(xiàn)為4F2。因此，有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)于高集成度優(yōu)化的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。通過凹槽112b的內(nèi)側(cè)壁的凹入下側(cè)壁，第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b可以分別設(shè)置在第一底切區(qū)Ucl和第二底切區(qū)Uc2中。根據(jù)該配置，第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b的線寬可以擴(kuò)大，從而能使第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b的電阻下降。因此，有可能實(shí)現(xiàn)以高速操作并具有優(yōu)良可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。接下來，將根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的不同的修改實(shí)例來描述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。在修改實(shí)例中，相同的附圖標(biāo)記指定相同的組件。在上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b可具有分別在凹槽112b的第一內(nèi)側(cè)壁的第一上側(cè)壁113和第二內(nèi)側(cè)壁的第二上側(cè)壁114上自對(duì)準(zhǔn)的側(cè)壁。第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b可具有不同的形式。將參考附圖描述不同的形式。圖2B是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思實(shí)例實(shí)施方式的修改實(shí)例的沿圖1的線1-1’和11-11’截取的橫截面視圖，示出半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的掩埋柵。參見圖2B，第一掩埋柵127a’可以設(shè)置在第一底切區(qū)Ucl中，第二掩埋柵127b’可以設(shè)置在第二底切區(qū)Uc2中。第一掩埋柵127a’可具有彼此相對(duì)的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁。第一掩埋柵127a’的第一側(cè)壁可以鄰近凹槽112b的第一個(gè)內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116b)。在這種情況下，第一掩埋柵127a’的第二側(cè)壁可以比凹槽112b的第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁113橫向地凹入更多。因此，第一掩埋柵127a’可以僅填充第一底切區(qū)Ucl的一部分。第一絕緣間隔體133a可以橫向地延伸以填充第一底切區(qū)Ucl的另一部分。同樣地，第二掩埋柵127b’可具有第一側(cè)壁和與第一側(cè)壁相對(duì)的第二側(cè)壁，該第一側(cè)壁鄰近凹槽112b的第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁(11和116a)。第二掩埋柵127b’的第二側(cè)壁可以比凹槽11的上側(cè)壁114橫向地凹入更多。第二掩埋柵127b’可以僅填充第二底切區(qū)Uc2的一部分。第二絕緣間隔體13可以橫向地延伸以填充第二底切區(qū)Uc2的另一部分。第一掩埋柵127a’和第二掩埋柵127b’可以由與圖1和圖2A中示出的第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b相同的材料形成。通過使第一掩埋柵127a’和第二掩埋柵127b’的第二側(cè)壁比上側(cè)壁113和114橫向地凹入更多，有可能增大公共柱14與第一掩埋柵127a’之間的距離以及公共柱14與第二掩埋柵127b’之間的距離。因此，能最小化公共柱14與第一掩埋柵127a’和第二掩埋柵127b’之間的寄生電容。圖2C是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思實(shí)例實(shí)施方式的另一修改實(shí)例的沿圖1的線1-1’和11-11’截取的橫截面視圖，示出半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的掩埋柵。參見圖2c，凹槽112’可具有彼此面對(duì)的第一和第二內(nèi)側(cè)壁。凹槽112’的第一個(gè)內(nèi)側(cè)壁可具有彼此對(duì)準(zhǔn)并形成一個(gè)平坦表面的下側(cè)壁和上側(cè)壁。凹槽112’的第二內(nèi)側(cè)壁也可具有彼此對(duì)準(zhǔn)并形成一個(gè)平坦表面的下側(cè)壁和上側(cè)壁。也就是說，可不形成在圖2A和圖2B中示出的底切區(qū)Ucl和Uc2。第一掩埋柵127as可以設(shè)置在凹槽112’的第一個(gè)內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁上，第二掩埋柵127bs可以設(shè)置在凹槽112’的第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁上。第一掩埋柵127as和第二掩埋柵127bs可以由與圖1和圖2A中示出的第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b相同的材料形成。在上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl和DS2可以以多種形式實(shí)現(xiàn)。將參考附圖描述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl和DS2的具體實(shí)例。圖3是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思實(shí)例實(shí)施方式的沿圖1的線I-I’、11-11’和III-III’截取的橫截面視圖，示出半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。參見圖3，第一存儲(chǔ)電極SEl可以設(shè)置在第一接觸插塞180a上，第二存儲(chǔ)電極SE2可以設(shè)置在第二接觸插塞180b上。第一存儲(chǔ)電極SEl和第二存儲(chǔ)電極SE2可具有圓柱形形狀以增大表面面積。然而，本發(fā)明不限于此。第一存儲(chǔ)電極SEl和第二存儲(chǔ)電極SE2可以以不同于圓柱形形狀的形狀實(shí)現(xiàn)。電容器電介質(zhì)膜210可以設(shè)置在第一存儲(chǔ)電極SEl和第二存儲(chǔ)電極SE2的表面上。電容器電介質(zhì)膜210可具有基本一致的厚度。上電極220可以設(shè)置在電容器電介質(zhì)膜210上。上電極220覆蓋第一存儲(chǔ)電極SEl和第二存儲(chǔ)電極SE2的表面。第一電容器可以包括第一存儲(chǔ)電極SE1、上電極220的覆蓋第一存儲(chǔ)電極SEl的表面的一部分、和插置在其間的電容器電介質(zhì)膜210。第二電容器可以包括第二存儲(chǔ)電極SE2、上電極220的覆蓋第二存儲(chǔ)電極SE2的表面的一部分、和插置在其間的電容器電介質(zhì)膜210。第一電容器可以相應(yīng)于第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl(如在圖1和圖2A中所示)。第二電容器可以相應(yīng)于第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2(如在圖1和圖2A中所示)。包括第一電容器和第二電容器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以相應(yīng)于DRAM器件。在這種情況下，公共布線16可以相應(yīng)于位線。公共布線16可以在垂直于第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b的縱向方向(也就是說，其中凹槽112b沿其延伸的第二方向)的方向上延伸。接下來，將參考附圖描述圖1和圖2A中示出的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl和DS2的不同形式。圖4A是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的不同形式。圖4B是沿圖4A的線IV-IV’和V-V’截取的橫截面圖。在圖4B中，在圖4B中的參考標(biāo)記D表示沿圖4A的線IV-IV’截取的橫截面圖，參考標(biāo)記E表示沿圖4A的線V-V’截取的橫截面圖。參見圖4A和圖4B，第一可變電阻器VRl和第二可變電阻器VR2分別電連接到第一接觸插塞180a和第二接觸插塞180b。第一可變電阻器VRl和第二可變電阻器VR2的每一個(gè)可變化至電阻率彼此不同的多個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。第一可變電阻器VRl和第二可變電阻器VR2的每一個(gè)可以是磁隧道結(jié)圖案、相變材料圖案或者能產(chǎn)生或破壞細(xì)絲(filament)的材料圖案。當(dāng)?shù)谝豢勺冸娮杵鱒Rl和第二可變電阻器VR2是磁隧道結(jié)圖案時(shí)，第一可變電阻器VRl和第二可變電阻器VR2的每一個(gè)可以包括磁化方向固定的參考層、磁化方向可變的自由層以及插置在參考層與自由層之間的隧道阻擋層。當(dāng)自由層的磁化方向平行于參考層的磁化方向時(shí)，可變電阻器VRl和VR2的每一個(gè)可具有第一電阻率。當(dāng)自由層的磁化方向反平行于參考層的磁化方向時(shí)，可變電阻器VRl和VR2的每一個(gè)可具有高于第一電阻率的第二電阻率。自由層的磁化方向可以被流經(jīng)可變電阻器VRl和VR2中每一個(gè)的電流中電子的自旋扭矩改變。參考層可以是包括反鐵磁性層、鐵磁層和非磁性層(例如，釕)的多層薄膜。自由層可以由鐵磁材料形成。隧道阻擋層可以由例如鋁氧化物和/或鎂氧化物形成。當(dāng)?shù)谝豢勺冸娮杵鱒Rl和第二可變電阻器VR2由能產(chǎn)生和破壞至少細(xì)絲的材料形成時(shí)，第一可變電阻器VRl和第二可變電阻器VR2可以包括鈮氧化物、鈦氧化物、鎳氧化物、鋯氧化物、釩氧化物、PCMO((Pr,Ca)MnO3)、鍶-鈦氧化物、鋇_鍶_鈦氧化物、鍶_鋯氧化物、鋇-鋯氧化物、或鋇-鍶-鋯氧化物等等的至少之一。當(dāng)?shù)谝豢勺冸娮杵鱒Rl和第二可變電阻器VR2的每一個(gè)形成為具有其中產(chǎn)生至少細(xì)絲的材料圖案時(shí)，可變電阻器VRl和VR2的每個(gè)可具有低電阻率。當(dāng)?shù)谝豢勺冸娮杵鱒Rl和第二可變電阻器VR2的每一個(gè)形成為具有其中至少細(xì)絲被破壞的材料圖案時(shí)，可變電阻器VRl和VR2的每個(gè)可具有高的電阻率?？勺冸娮杵鱒Rl和VR2能根據(jù)產(chǎn)生細(xì)絲的數(shù)目來存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)。細(xì)絲可具有通過連接空位(vacancy)而形成的通道形狀。替代地，細(xì)絲可具有通過連接金屬原子而形成的金屬橋形狀。當(dāng)?shù)谝豢勺冸娮杵鱒Rl和第二可變電阻器VR2形成為具有相變材料圖案時(shí)，第一可變電阻器VRl和第二可變電阻器VR2可包括具有碲(Te)和硒(Se)(其是硫族化物原子)的至少之一的相變材料。相變材料可以在結(jié)晶狀態(tài)與非晶狀態(tài)之間變化。結(jié)晶狀態(tài)的相變材料可具有比非晶狀態(tài)的相變材料低的電阻率。例如，可變電阻器VRl和VR2可包括Ge-Sb-Te、As-Sb-Te、As-Ge-Sb-Te、Sn-Sb-Te,Ag-In-Sb-Te,In-Sb-Te,第5A族元素-釙-Te、第6A族元素-釙-Te、第5A族元素-釙-Se，第6A族元素-釙-Se、Ge-Sb，In-Sb,Ga-Sb或摻雜的Ge-Sb-Te等等的至少之一。第一可變電阻器VRl可以包括在圖1和圖2A中示出的第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl中。第二可變電阻器VR2可以包括在圖1和圖2A中示出的第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2中?？勺冸娮杵鱒Rl和VR2、層間電介質(zhì)膜175和公共布線16可以被上層間電介質(zhì)膜223覆蓋。上布線230可以設(shè)置在上層間電介質(zhì)膜223上。上布線230可以通過上插塞225電連接到第一可變電阻器VRl或第二可變電阻器VR2，該上插塞225穿過上層間電介質(zhì)膜223形成。如圖4A中所示，上布線230可在垂直于第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b的延伸方向的方向上延伸。在該情況下，上布線230可以電連接到第一可變電阻器VRl和第二可變電阻器VR2，該第一可變電阻器VRl分別連接到構(gòu)成一行的單元有源部分105，該第二可變電阻器VR2分別連接到構(gòu)成鄰近所述一行的另一行的單元有源部分105。然而，本發(fā)明不限于此。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，上布線230可平行于單元有源部分10516延伸并且可以電連接到連接到每個(gè)單元有源部分105的第一可變電阻器VRl和第二可變電阻器VR2。當(dāng)可變電阻器VRl和VR2包括于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件中時(shí)，上布線230可相應(yīng)于位線。在該情況下，公共布線16可用作施加參考電壓(例如，接地電壓)的布線。如圖4A中所示，公共布線16可在垂直于第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b的縱向方向的方向上延伸。替代地，公共布線16可平行于第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b延伸。包括可變電阻器VRl和VR2的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可應(yīng)用于在圖1、圖2A、圖2B和圖2C中示出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。此外，包括可變電阻器VRl和VR2的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可應(yīng)用到根據(jù)其他的修改實(shí)例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件(參見圖5、圖6和圖7)，這將在以下描述。當(dāng)根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可包括可變電阻器VRl和VR2時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以實(shí)現(xiàn)為非易失性存儲(chǔ)裝置。根據(jù)修改實(shí)例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可包括在圖1和圖2A中示出的外圍電路區(qū)95和外圍場(chǎng)效應(yīng)晶體管。上述單元有源部分105可具有另一種形式，這將參考附圖來描述。圖5是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的修改實(shí)例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。參見圖5，多個(gè)單元有源部分105和10沿行和列(C1、C2、C3、C4.......)在基板的單元陣列區(qū)中二維地布置。單元有源部分105和10可包括形成在奇數(shù)列(Cl、C3.......)中的第一單元有源部分105和形成在偶數(shù)列(C2、C4.......)中的第二單元有源部分10fe。每個(gè)第一單元有源部分105可沿第一方向延伸，每個(gè)第二單元有源部分10可沿不同于第一方向的第二方向延伸。多個(gè)凹槽112b沿第三方向延伸。每個(gè)凹槽112b可橫穿在每列(Cl、C2、C3、C4.......)中的單元有源部分105或10fe。凹槽112b可以平行于列。第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b設(shè)置在每個(gè)凹槽112b中從而在第三方向上彼此平行地延伸。第三方向相應(yīng)于圖5中的y軸方向。第三方向不與第一方向和第二方向平行。第三方向可以不與第一方向和第二方向垂直。第一有源部分105可以與第二有源部分10對(duì)稱。特別地，關(guān)于在第一列Cl與第二列C2之間經(jīng)過并沿第三方向延伸的虛線，第一列Cl中的第一有源部分105可以與第二列C2中的第二有源部分10對(duì)稱。因此，形成在列中的第一有源部分105和第二有源部分10可以布置成波形。第一方向可相應(yīng)于圖5中的“S”方向。第二方向可相應(yīng)于圖5中的“Sa”方向。在圖5中，為了便于描述，更詳細(xì)地示出了修改實(shí)例的特征。然而，本發(fā)明不限于該修改實(shí)例。參考圖1至圖4描述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的特征適用于圖5中的修改實(shí)例。根據(jù)該修改實(shí)例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可包括在圖1和圖2A中示出的外圍電路區(qū)95和外圍場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖6A是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的另一修改實(shí)例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。圖6B是沿圖6A的線VI-VI，和VII-VII，截取的橫截面視圖。在圖6B中，參考標(biāo)記F表示沿圖6A的線VI-VI’截取的橫截面視圖，參考標(biāo)記G表示沿圖6A的線VII-VII’截取的橫截面視圖。參考圖6A和圖6B，多個(gè)單元有源部分105’沿著行和列在基板100上二維地布置。每個(gè)單元有源部分105’可具有沿第一方向延伸的矩形形狀。多個(gè)凹槽112b可沿第二方向平行地延伸。每個(gè)凹槽112b橫穿構(gòu)成每列的多個(gè)單元有源部分105’和在單元有源部分105’之間的單元器件隔離圖案103a。第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b設(shè)置在每個(gè)凹槽112b中。如圖6A中所示，第一方向可以垂直于第二方向，其中第一方向是每個(gè)單元有源部分105’的縱向方向，第二方向是凹槽112b的縱向方向。根據(jù)該修改實(shí)例，第一方向可相應(yīng)于圖6A的χ軸方向，第二方向可相應(yīng)于圖6B的y軸方向。根據(jù)該修改實(shí)例，公共布線165a’可沿第一方向延伸。公共布線165a’可以設(shè)置一對(duì)相鄰行之間的單元器件隔離圖案103a上方。公共布線165a’可接觸導(dǎo)電墊250，該導(dǎo)電墊250接觸公共柱14fe。特別地，導(dǎo)電墊250可接觸公共柱14的上表面并沿第二方向延伸，從而被設(shè)置在該對(duì)行之間的單元器件隔離圖案103a上方。公共布線165a’可與導(dǎo)電墊250的位于單元器件隔離圖案103a上方的一部分的上表面接觸。導(dǎo)電墊250可以設(shè)置在下層間電介質(zhì)膜248中，該下層間電介質(zhì)膜248插置在蓋電介質(zhì)膜153a與層間電介質(zhì)膜175之間。下層間電介質(zhì)膜對(duì)8的上表面可以與導(dǎo)電墊250的上表面共面。例如，導(dǎo)電墊250可包括摻雜半導(dǎo)體材料(例如，摻雜硅或摻雜鍺)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)、金屬(例如，鎢、鈦或鉭)、或金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，鎢硅化物、鈷硅化物或鈦硅化物)等等的至少之一。下層間電介質(zhì)膜248可以由氧化物、氮化物和/或氮氧化物形成。第一接觸插塞180a’和第二接觸插塞180b’可穿透層間電介質(zhì)膜175、下層間電介質(zhì)膜248和蓋電介質(zhì)膜153a以分別與第一摻雜區(qū)150a和第二摻雜區(qū)150b接觸。在圖1和圖2A中示出的第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2可分別與第一接觸插塞180a’和第二接觸插塞180b’的上表面接觸。在圖3中示出的電容器或在圖4A和圖4B中示出的可變電阻器可應(yīng)用于第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2。公共布線165a’可以由與在圖1和圖2A中示出的公共布線16相同的材料形成。第一接觸插塞180a’和第二接觸插塞180b’可以由與圖1和圖2A中示出的第一接觸插塞180a和第二接觸插塞180b相同的材料形成。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，當(dāng)連接到第一接觸插塞180a’和第二接觸插塞180b’的第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件包括在圖4A和圖4B中示出的可變電阻器時(shí)，在圖6A和圖6B中示出的公共布線165a’可沿第二方向(也就是說，與第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b平行的方向)延伸。在該情況下，可以不形成導(dǎo)電墊250和下層間電介質(zhì)膜M8。參考圖6A和圖6B描述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可包括在圖1和圖2A中示出的外圍電路區(qū)95和外圍場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖7A是平面圖，示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的又一修改實(shí)例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。圖7B是沿圖7A的線VIII-VIII’和IX-IX’截取的橫截面視圖。在圖7B中，參考標(biāo)記H表示沿圖7A的線VIII-VIII’截取的橫截面視圖，參考標(biāo)記I表示沿圖7A的線IX-IX'截取的橫截面視圖。參考圖7A和圖7B，多個(gè)單元有源部分105可以沿著行和列在單元陣列區(qū)的基板100上二維地布置。每個(gè)單元有源部分105可具有沿第一方向延伸的矩形形狀。凹槽112b’設(shè)置在單元有源部分105以及設(shè)置在單元有源部分105之間的單元器件隔離圖案103a中。凹槽112b’沿第二方向延伸。第一方向可相應(yīng)于圖7A的“S”方向，第二方向可相應(yīng)于圖7B的y軸方向。凹槽112b’具有彼此面對(duì)的第一內(nèi)側(cè)壁和第二內(nèi)側(cè)壁以及底表面。凹槽112b’的第一內(nèi)側(cè)壁可包括上側(cè)壁113和下側(cè)壁。凹槽112b’的第二內(nèi)側(cè)壁可包括上側(cè)壁114和下側(cè)壁。第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁可以比上側(cè)壁113橫向地凹入更多以限定第一底切區(qū)Ucl’。第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁可以比上側(cè)壁114橫向地凹入更多以限定第二底切區(qū)Uc2’。凹槽112b’的第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁可包括由單元有源部分105形成的第一有源下側(cè)壁11和由單元器件隔離圖案103a形成的第一非有源下側(cè)壁116a’。第一非有源下側(cè)壁116a’可以比第一有源下側(cè)壁11橫向地凹入更多。因此，凹槽112b’的第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁還可包括由位于第一非有源下側(cè)壁116a’與第一有源下側(cè)壁11之間的單元有源部分105形成并沿第一方向延伸的側(cè)壁。位于單元有源部分105中第一底切區(qū)Ucl，的第一部分的第一寬度Wl可以小于位于單元器件隔離圖案103a中的第一底切區(qū)Ucl，的第二部分的第二寬度W2。同樣地，凹槽112b’的第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁可包括由單元有源部分105形成的第二有源下側(cè)壁11和由單元器件隔離圖案103a形成的第二非有源下側(cè)壁116b’。第二非有源下側(cè)壁116b’可以比第二有源下側(cè)壁11橫向地凹入更多。因此，凹槽112b’的第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁還可包括由位于第二非有源下側(cè)壁116b’與第二有源下側(cè)壁11之間的單元有源部分105形成并沿沿第一方向延伸的側(cè)壁。位于單元有源部分105中第二底切區(qū)Uc2’的第一部分的第一寬度可以小于位于單元器件隔離圖案103a中的第二底切區(qū)Uc2’的第二部分的第二寬度。第一掩埋柵127a可以形成在第一底切區(qū)Ucl中以設(shè)置在第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁上。第二掩埋柵127b可以形成在第二底切區(qū)Uc2’中以設(shè)置在第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁上。柵電介質(zhì)膜125插置在第一掩埋柵127a與第一內(nèi)側(cè)壁之間以及在第二掩埋柵127b與第二內(nèi)側(cè)壁之間。依據(jù)第一底切區(qū)Ucl’的形狀，第一掩埋柵127a可覆蓋第一有源下側(cè)壁115a、第一非有源下側(cè)壁116a'以及沿第一方向延伸并由第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁中的第一有源下側(cè)壁11與第一非有源下側(cè)壁116a'之間的單元有源部分105形成的側(cè)壁。因此，由第一掩埋柵127a控制的溝道區(qū)310可以實(shí)現(xiàn)為包括沿第一方向延伸的一部分305和沿第二方向延伸的一部分300的三維形狀。在該情況下，位于凹槽112b'的底表面下面的公共摻雜區(qū)143'可橫向地延伸。公共摻雜區(qū)143'的一端可橫向地延伸至第一非有源下側(cè)壁116a'比第一有源下側(cè)壁11橫向地凹入更多的程度。因此，因?yàn)闇系绤^(qū)310的溝道寬度擴(kuò)大，所以有可能增大包括第一掩埋柵127a的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開啟電流。同樣地，依據(jù)第二底切區(qū)Uc2'的形狀，第二掩埋柵127b可覆蓋第二有源下側(cè)壁11、第二非有源下側(cè)壁116b'以及沿第一方向延伸并由第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁中的第二有源下側(cè)壁11與第二非有源下側(cè)壁116b'之間的單元有源部分105形成的側(cè)壁。因此，由第二掩埋柵127b控制的溝道區(qū)也可以實(shí)現(xiàn)為包括沿第一方向延伸的一部分和沿第二方向延伸的一部分的三維形狀。在該情況下，公共摻雜區(qū)143'的另一個(gè)端可橫向地延伸至第二非有源下側(cè)壁116b比第二有源下側(cè)壁11橫向地凹入更多的程度。根據(jù)修改實(shí)例的技術(shù)精神適用于參考圖1、圖2A、圖2B、圖3、圖4、圖5和圖6描述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。接下來，將描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的形成方法。圖8至圖M是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的沿圖1的線I-I'、II-II'和III-III'截取的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的橫截面圖。參考圖8，可以制備基板100，該基板100包括單元陣列區(qū)和外圍電路區(qū)。限定單元有源部分105的單元溝槽可以形成在單元陣列區(qū)中，限定外圍有源部分106的外圍溝槽可以形成在外圍電路區(qū)中。單元有源部分105可沿第一方向延伸，如圖1中所示?？梢孕纬商畛鋯卧獪喜鄣膯卧骷綦x圖案103a以及可以形成填充單元溝槽的外圍器件隔離圖案10北。單元器件隔離圖案103a和外圍器件隔離圖案10可包括形成在單元溝槽和外圍溝槽的側(cè)壁上的熱氧化層。單元器件隔離圖案103a和外圍器件隔離圖案10還可包括形成在熱氧化層上的襯墊層。襯墊層可以形成為例如氮化物層和/或氮氧化物層。單元器件隔離圖案103a和外圍器件隔離圖案10還可包括在襯墊層上的填充氧化物層以填充單元溝槽和外圍溝槽。填充氧化物層可包括，例如，高密度等離子體氧化物層和/或SOG層(旋涂玻璃層)。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，單元溝槽的寬度小于外圍溝槽的寬度。因此，單元器件隔離圖案103a可僅包括熱氧化物層和襯墊層，外圍器件隔離圖案10可包括熱氧化物層、襯墊層和填充氧化物層。雖然沒有示出，但是當(dāng)熱氧化物層形成在外圍器件隔離圖案10中時(shí)，熱氧化物層可以形成在單元有源部分105和外圍有源部分106的上表面上。在有源部分105和106的上表面上的熱氧化物層可用作緩沖氧化物層。硬掩模膜110可以形成在包括器件隔離圖案103a和10的基板100的整個(gè)表面上。硬掩模膜110可以由相對(duì)于有源部分105和106具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，硬掩模膜110可包括氮化物膜和/或氮氧化物膜。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，硬掩模膜110還可包括位于氮化物膜和/或氮氧化物膜下面的氧化物膜。硬掩模膜110可以被圖案化以形成開口111。開口111可沿不與第一方向平行的第二方向延伸以與單元有源部分105交叉。單元有源部分105和單元器件隔離圖案103a可以設(shè)置在開口111的底表面下面。在單元陣列區(qū)中，多個(gè)開口111可以平行于第二方向形成在硬掩模膜110中。在外圍電路區(qū)中的硬掩模膜110可覆蓋外圍有源部分106和外圍器件隔離圖案10。參考圖9，通過使用硬掩模圖案110作為蝕刻掩模進(jìn)行第一各向異性刻蝕工藝，第一初始凹槽112可以形成在開口111下面的單元有源部分105和單元器件隔離圖案103a中。在單元有源部分105和單元器件隔離圖案103a中的第一初始凹槽112的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁可相應(yīng)于在圖2A中示出的凹槽112b的第一和第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁113和114。蝕刻保護(hù)間隔體121可以分別形成在開口111和第一初始凹槽112的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁上。蝕刻保護(hù)間隔體121可以是多層。例如，蝕刻保護(hù)間隔體121可包括第一間隔體120a和第二間隔體120b。第一間隔體120a可以設(shè)置在第二間隔體120b與開口111和第一初始凹槽112的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁之間。第一間隔體120a和第二間隔體120b可以由彼此不同的材料形成。第一初始凹槽112的底表面暴露于蝕刻保護(hù)間隔體121之間。參考圖10，第一初始凹槽112的底表面可以通過使用硬掩模膜110和蝕刻保護(hù)間隔體121作為蝕刻掩模來進(jìn)行第二各向異性刻蝕工藝而被蝕刻。因此，可以形成第二初始凹槽112a。第二初始凹槽11的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁可以用蝕刻保護(hù)間隔體121覆蓋。第二初始凹槽11的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁被暴露。第二初始凹槽11的底表面也被暴露。參考圖11，通過使用硬掩模膜110和蝕刻保護(hù)間隔體121作為蝕刻掩模，初始凹槽112的在蝕刻保護(hù)間隔體121下面的兩個(gè)下側(cè)壁橫向地凹入。因此，可以形成凹槽112b。第二初始凹槽11的兩個(gè)下側(cè)壁的凹入工藝可包括第一凹入工藝和第二凹入工藝。由第二初始凹槽11的兩個(gè)下側(cè)壁的單元有源部分105形成的部分可以通過第一凹入工藝而橫向地凹入。第一凹入工藝可以是各向同性蝕刻(例如，濕法蝕刻)。由第二初始凹槽11的兩個(gè)下側(cè)壁的單元器件隔離圖案103a形成的部分可以通過第二凹入工藝而橫向地凹入。第二凹入工藝可以也是各向同性蝕刻(例如，濕法蝕刻)。第二凹入工藝可以在第一凹入工藝之后進(jìn)行。替代地，第一凹入工藝可以在第二凹入工藝之后進(jìn)行。當(dāng)單元器件隔離圖案103a可以由多層膜形成時(shí)，第二凹入工藝可包括多個(gè)子凹入工藝。例如，當(dāng)單元器件隔離圖案103a包括熱氧化物層和襯墊層時(shí)，第二凹入工藝可包括第一子凹入工藝和第二子凹入工藝。由第二初始凹槽11的兩個(gè)下側(cè)壁中的熱氧化物層形成的部分可以通過第一子凹入工藝而橫向地凹入。由第二初始凹槽11的兩個(gè)下側(cè)壁中的襯墊層形成的部分可以通過第二子凹入工藝而橫向地凹入。第一和第二子凹入工藝可以是各向同性蝕刻。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，第二子凹入工藝(例如，襯墊層的凹入)可以在第一子凹入工藝(例如，熱氧化物膜的凹入)之后進(jìn)行。在該情況下，第二間隔體120b可以由相對(duì)于熱氧化物層具有蝕刻選擇性的材料形成，第一間隔體120a可以由相對(duì)于襯墊層具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，第二間隔體120b可以由氮化物和/或氮氧化物形成，第一間隔體可以由氧化物形成。替代地，第一子子凹入工藝可以在第二子子凹入工藝之后進(jìn)行。在該情況下，第二間隔體120b可以由相對(duì)于襯墊層具有蝕刻選擇性的材料形成，第一間隔體120a可以由相對(duì)于熱氧化物層具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，第二間隔體120b可以由氧化物形成，第一間隔體120a可以由氮化物和/或氮氧化物形成。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式，在第二凹入工藝(也就是說，由單元器件隔離圖案103a形成的部分的凹入)中的凹入深度(recessdepth)可以實(shí)質(zhì)上與在第一凹入工藝(也就是說，由單元有源部分105形成的部分的凹入)中的凹入深度相同。這樣，有可能形成參考圖1和圖2A描述的凹槽112b。替代地，在第二凹入工藝中的凹入深度可以比在第一凹入工藝中的凹入深度深。這樣，有可能形成參考圖7A和圖7B描述的凹槽112b’。在第一凹入工藝和第二凹入工藝期間，凹槽112b的上側(cè)壁可以被蝕刻保護(hù)間隔體121保護(hù)。這樣，第一底切區(qū)Ucl和第二底切區(qū)Uc2可以被限定在凹槽112b中。在第一凹入工藝和第二凹入工藝之后，剩余的蝕刻保護(hù)間隔體121可以被移除以暴露凹槽112b的上側(cè)壁。參考圖12，柵電介質(zhì)膜125可以形成在凹槽112b的暴露的第一和第二內(nèi)側(cè)壁上。柵電介質(zhì)膜125可以通過熱氧化形成。替代地，柵電介質(zhì)膜125可以通過原子層沉積形成。柵電介質(zhì)膜125可包括氧化物、氮化物、氮氧化物和/或高k材料(例如，鉿氧化物或鋁氧化物)的至少之一。柵導(dǎo)電膜127可以形成在具有柵電介質(zhì)膜125的基板100上。柵導(dǎo)電膜127可以21填充第一底切區(qū)Ucl和第二底切區(qū)Uc2。柵導(dǎo)電膜127可填充凹槽112b的一部分。犧牲膜可以形成在基板100上以完全填滿凹槽112b。犧牲膜可被平坦化直到暴露柵導(dǎo)電膜127。平坦化的犧牲膜可以被進(jìn)一步凹入。如圖12中所示，凹入的犧牲膜129的上表面可以比單元有源部分105的最上表面低。犧牲膜1可以由相對(duì)于硬掩模膜110和柵導(dǎo)電膜127具有蝕刻選擇性的材料形成。例如，凹入的犧牲膜1可以由氧化物形成。參考圖13，隨后，柵導(dǎo)電膜127的位于凹入的犧牲膜129的上表面上方的一部分可以被去除?？梢酝ㄟ^各向同性蝕刻移除一部分柵導(dǎo)電膜127。在該情形下，柵導(dǎo)電膜127的填充底切區(qū)Ucl和Uc2的部分可以保留，柵導(dǎo)電膜127的位于凹入的犧牲膜1下面的部分可以保留。隨后，可以移除凹入的犧牲膜129。當(dāng)凹入的犧牲膜129被凹入時(shí)，可以移除柵電介質(zhì)膜125的形成在凹槽112b的上側(cè)壁上的一部分。在這時(shí)候，至少保留位于底切區(qū)Ucl和Uc2中的柵電介質(zhì)膜125。參考圖14，剩余的柵導(dǎo)電膜127可以通過使用硬掩模膜110作為蝕刻掩模被各向異性蝕刻。因此，第一掩埋柵127a可以形成在第一底切區(qū)Ucl中，第二掩埋柵127b可以形成在第二底切區(qū)Uc2中。隨后，絕緣間隔體膜133可共形地形成在基板100的整個(gè)表面上。絕緣間隔體膜133覆蓋第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，可以在形成絕緣間隔體膜133之前通過各向同性蝕刻而使第一掩埋柵127a和第二掩埋柵127b凹入。這樣，有可能形成參考圖2B描述的第一掩埋柵127a’和第二掩埋柵127b’。填充電介質(zhì)膜可以形成在絕緣間隔體膜133上以填充凹槽112b。填充電介質(zhì)膜可以被平坦化直到硬掩模膜110上的絕緣間隔體膜133被暴露，從而形成填充電介質(zhì)圖案135。填充電介質(zhì)圖案135可以由相對(duì)于絕緣間隔體膜133和硬掩模膜110具有蝕刻選擇性的電介質(zhì)材料形成。例如，絕緣間隔體膜133和硬掩模膜110可以由氮化物和/或氮氧化物形成，填充電介質(zhì)圖案135可以由氧化物形成。掩模圖案137可以形成在具有填充電介質(zhì)圖案135的基板100上。掩模圖案137可包括由圖1和圖2A中所示的公共柱14限定的開口。在圖25A中示出根據(jù)實(shí)例實(shí)施方式的掩模圖案137的形狀。將參考圖25A來描述掩模圖案137。圖25A是平面圖，示出在圖14中示出的掩模圖案。參考圖14和圖25A，掩模圖案137可以形成為與凹槽112b交叉的線形狀。特別地，多個(gè)掩模圖案137可平行于第三方向延伸。第三方向垂直于第二方向，第二方向是凹槽112b的縱向方向。掩模圖案137可以在第二方向上彼此間隔開。每個(gè)掩模圖案137覆蓋凹槽112b的位于單元器件隔離圖案103a中的一部分。在該情形下，暴露絕緣間隔體膜133的一部分和填充電介質(zhì)圖案135的一部分，該些部分是形成在凹槽112b的位于單元有源部分105中的另一部分。替代地，掩模圖案137可以實(shí)現(xiàn)為另一形狀，這將參考圖25B來描述。圖25B是平面圖，示出根據(jù)修改實(shí)例的在圖14中示出的掩模圖案。參考圖25B，掩模圖案137a可覆蓋基板100的整個(gè)表面。在該情形下，掩模圖案137a可包括沿行和列二維地布置的開口138。開口138彼此間隔開。開口138可以暴露在22凹槽112b的位于單元有源部分105中的一部分中的絕緣間隔體膜133的一部分和填充電介質(zhì)圖案135的一部分。在下面的描述中，為了便于描述，將描述使用圖25A中示出的掩模圖案137的方法。參考圖15，填充電介質(zhì)圖案135和絕緣間隔體膜133可以通過使用掩模圖案137作為蝕刻掩模被順序地蝕刻，從而形成公共接觸孔140，另外第一絕緣間隔體133a和第二絕緣間隔體13可以分別形成在凹槽112b的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁上。在這時(shí)候，絕緣間隔體膜的在掩模圖案137下面且在硬掩模膜110上的一部分133r可保留。同時(shí)，可保留填充電介質(zhì)圖案135的位于單元器件隔離圖案103a中并被掩模圖案137覆蓋的部分。可保留柵電介質(zhì)膜125的在公共接觸孔140的底表面上的一部分。參考圖16，可以移除掩模圖案137。摻雜劑離子可以被注入到在公共接觸孔140下面的單元有源部分105中以形成公共摻雜區(qū)143。掩模圖案137可以在注入摻雜劑離子之前或注入摻雜劑離子之后被移除。保留在公共接觸孔140的底表面上的柵電介質(zhì)膜125可用作用于注入摻雜劑離子的離子注入緩沖膜。然而，本發(fā)明不限于此。保留在公共接觸孔140的底表面上的柵電介質(zhì)膜125可以在注入摻雜劑離子之前被移除，以及緩沖氧化物膜可以在注入摻雜劑離子之前形成。在下面的描述中，將描述剩余的柵電介質(zhì)膜125被用作離子注入緩沖膜的情形。在公共摻雜區(qū)143形成之后，可以通過移除剩余的柵電介質(zhì)膜125而暴露公共摻雜區(qū)143。隨后，柱導(dǎo)電膜145形成在基板100的整個(gè)表面上、公共接觸孔140由柱導(dǎo)電膜145填充。參考圖17，柱導(dǎo)電膜145可以被平坦化直到暴露出硬掩模膜110，從而形成填充柱接觸孔140的公共柱14fe。在該情形下，絕緣間隔體膜的剩余部分1331可以被一起移除。填充電介質(zhì)膜135的高于硬掩模膜110的上表面的一部分可以被一起移除。柱導(dǎo)電膜145可以通過化學(xué)機(jī)械拋光被平坦化。參考圖18，可以移除硬掩模膜110。公共柱14以及絕緣間隔體133a和133b可包括比單元有源部分105的最上表面向上突出更多(更高)的一部分。摻雜劑離子可以被注入到在凹槽112b兩側(cè)上的單元有源部分105中，以形成第一摻雜區(qū)150a和第二摻雜區(qū)150b。參考圖19和圖20，可以在形成第一摻雜區(qū)150a和第二摻雜區(qū)150b之后在基板100的整個(gè)表面上形成蓋電介質(zhì)膜153。隨后，蓋電介質(zhì)膜153可以被平坦化直到暴露公共柱14和絕緣間隔體133a和13北。因此，被平坦化的蓋電介質(zhì)膜153a的上表面可以與公共柱14的上表面以及絕緣間隔體133a和13的上表面共面。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，當(dāng)?shù)谝粨诫s區(qū)150a和第二摻雜區(qū)150b通過在存在硬掩模膜110的狀態(tài)下注入摻雜劑離子而形成時(shí)，可以省略硬掩模膜110的去除、蓋電介質(zhì)膜153的形成以及蓋電介質(zhì)膜153的平坦化。參考圖21，在外圍電路區(qū)中的被平坦化的蓋電介質(zhì)膜153a可以被選擇性地去除以暴露外圍有源部分106的上表面106。在該情形下，保留在單元陣列區(qū)中的被平坦化的蓋電介質(zhì)膜153a。外圍柵電介質(zhì)膜155可以形成在暴露的外圍有源部分106上。例如，外圍柵電介質(zhì)膜155可以通過熱氧化和/或化學(xué)氣相沉積形成。第一導(dǎo)電膜160形成在基板100的整個(gè)表面上。第一導(dǎo)電膜160可以由具有外圍場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極所需的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，第一導(dǎo)電膜160可以由摻雜半導(dǎo)體材料(例如，摻雜硅、摻雜鍺、和/或摻雜硅-鍺)形成。雖然沒有示出，但是在形成外圍電介質(zhì)膜155的過程中，外圍柵電介質(zhì)膜155也可形成在公共柱14上。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，在公共柱14上的外圍柵電介質(zhì)膜155可以在形成第一導(dǎo)電膜160之前被移除。替代地，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)例實(shí)施方式，外圍柵電介質(zhì)膜155和第一導(dǎo)電膜160可以依次形成在公共柱14上。氧化物膜162可以形成在第一導(dǎo)電膜160上。氧化物膜162可起反射防止膜的作用。氧化物膜162可保護(hù)在外圍電路區(qū)中的第一導(dǎo)電膜160。光致抗蝕劑圖案163可以形成以覆蓋外圍電路區(qū)中的氧化物膜162。在該情形下，單元陣列區(qū)中的氧化物膜162被暴Mo參考圖22，通過使用光致抗蝕劑圖案163，可以去除在單元陣列區(qū)中的氧化物膜162和第一導(dǎo)電膜160以暴露公共柱14的上表面。當(dāng)外圍柵電介質(zhì)膜155和第一導(dǎo)電膜160順序地形成在公共柱14上時(shí)，如上所述，可以通過使用光致抗蝕劑圖案163作為蝕刻掩模而去除在單元陣列區(qū)中的氧化物膜162、第一導(dǎo)電膜160和外圍柵電介質(zhì)膜155，從而暴露公共柱14的上表面。隨后，光致抗蝕劑圖案163被移除并且外圍電路區(qū)中的氧化物膜162被移除以暴露外圍電路區(qū)中的第一導(dǎo)電膜160。參考圖23，第二導(dǎo)電膜165形成在基板100的整個(gè)表面上。在單元陣列區(qū)中的第二導(dǎo)電膜165與暴露的公共柱14的上表面接觸。在外圍電路區(qū)中的第二導(dǎo)電膜165與第一導(dǎo)電膜160的上表面接觸。第二導(dǎo)電膜165可以由電阻率低于第一導(dǎo)電膜160的電阻率的導(dǎo)電材料形成。例如，第二導(dǎo)電膜165可包括金屬(例如，鎢、鈦、或鉭)、導(dǎo)電的金屬氮化物(例如，鈦氮化物或鉭氮化物)、或金屬-半導(dǎo)體化合物(例如，鎢硅化物、鈷硅化物、或鈦硅化物)中的至少之一。蓋掩模膜168可以形成在第二導(dǎo)電膜165上。蓋掩模膜168可以由例如氧化物膜、氮化物膜和/或氮氧化物形成。參考圖對(duì)，在單元陣列區(qū)中的蓋掩模膜168和第二導(dǎo)電膜165被順序地圖案化以形成順序?qū)盈B的公共布線16和單元蓋掩模圖案168a。在外圍電路區(qū)中的蓋掩模膜168、第二導(dǎo)電膜165和第一導(dǎo)電膜160被順序地圖案化以形成順序?qū)盈B的外圍柵極170和外圍蓋掩模圖案168b。外圍柵極170包括順序?qū)盈B的下柵極160a和上柵極16恥。公共布線16和上柵極16形成在部分的第二導(dǎo)電膜165中。因此，公共布線16和上柵極16由相同的材料形成。公共布線16和外圍柵極170可以同時(shí)形成。外圍源/漏極171通過將摻雜劑離子注入到外圍柵極170兩側(cè)上的外圍有源部分106中而形成。通過在基板100的整個(gè)表面上共形地形成間隔體膜并使間隔體膜經(jīng)受各向異性刻蝕，側(cè)壁間隔體172形成在單元蓋掩模圖案168a和公共布線16的兩個(gè)側(cè)壁上以及外圍柵間隔體173形成在外圍柵極170和外圍蓋掩模圖案168b的兩個(gè)側(cè)壁上。因此，側(cè)壁間隔體172和外圍柵極間隔體173可以同時(shí)形成，且可以由相同的材料形成。層間電介質(zhì)膜175形成在基板100的整個(gè)表面上。層間電介質(zhì)膜175可以被平坦化直到暴露蓋掩模圖案168a和168b的上表面。形成第一接觸插塞180a和第二接觸插塞180b，從而穿透在單元陣列區(qū)中被平坦化的層間電介質(zhì)膜175和蓋電介質(zhì)膜153a并且分別與第一摻雜區(qū)150a和第二摻雜區(qū)150b接觸。外圍接觸插塞18可以形成為穿透在外圍電路區(qū)中的被平坦化的層間電介質(zhì)膜175并且與外圍源/漏極171接觸。外圍柵極接觸插塞182b可以形成為穿透外圍蓋掩模圖案168b。第一接觸插塞180a、第二接觸插塞180b、外圍接觸插塞18和外圍柵極接觸插塞182b可以同時(shí)形成并且由彼此相同的材料形成。第一外圍布線18和第二外圍布線184b可以形成在外圍電路區(qū)中的層間電介質(zhì)膜175上，從而分別與外圍接觸插塞18和外圍柵極接觸插塞182b接觸。外圍蓋圖案185可以形成在第一外圍布線18和第二外圍布線184b上。外圍側(cè)壁間隔體187可以形成在第一外圍布線184a、第二外圍布線184b和外圍蓋圖案185的側(cè)壁上。第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DSl和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件DS2(在圖1和圖2A中示出)可以形成為分別與第一接觸插塞180a和第二接觸插塞180b接觸。這樣，有可能實(shí)現(xiàn)在圖1和圖2A中示出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。第一和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可以通過圖3中示出的電容器形成。這樣，有可能實(shí)現(xiàn)在圖3中示出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。替代地，第一和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件可包括在圖4A和圖4B中示出的可變電阻器。這樣，有可能實(shí)現(xiàn)參考圖4A和圖4B描述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，在圖2C中示出的凹槽112’可以通過在形成上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法中由參考圖9描述的第一各向異性刻蝕工藝蝕刻足夠的深度來進(jìn)行蝕刻而形成。這樣，有可能實(shí)現(xiàn)在圖2C中示出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。在圖2C中示出形成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法可能不需要參考圖9、圖10和圖11描述的形成蝕刻保護(hù)間隔體121、第二各向異性刻蝕工藝和凹入工藝。在圖6A和圖6B中示出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的形成方法可以類似于參考圖8至圖25描述的方法。然而，在移除外圍電路區(qū)中的蓋電介質(zhì)膜153a之前，如參考圖20所描述的，該方法還可包括形成下層間電介質(zhì)膜M8以及在下層間電介質(zhì)膜M8中形成導(dǎo)電墊250。隨后的工藝可以以與參考圖20至圖M相同的方式進(jìn)行。在圖7A和圖7B中示出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的形成方法可以類似于參考圖8至圖25描述的方法。這樣，已經(jīng)參考圖11描述了在圖7A和圖7B中的凹槽112b’的形成方法。公共摻雜區(qū)143’可以在掩埋柵127a和127b形成之前形成。例如，在凹槽112b’形成之后并且在填充底切區(qū)Ucl和Uc2之前，可以通過以摻雜劑離子進(jìn)行傾斜注入而形成在圖7B中示出的公共摻雜區(qū)143’。根據(jù)上述實(shí)例實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以以多種形式的半導(dǎo)體封裝實(shí)現(xiàn)。例如，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以以諸如以下的封裝方式被封裝層疊封裝(PoP)、球柵陣列(BGAs)、芯片級(jí)封裝(CSI^s)、帶引線的塑料芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、窩伏爾組件中管芯封裝(dieinwafflepack)、晶圓形式中管芯(dieinwaferform)、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(plasticmetricquadflatpack(MQFP))、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外型封裝(smalloutline(SOIC))、收縮型小外形封裝(SSOP)、薄小外型封裝(thinsmalloutline(TSOP))、系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶圓級(jí)制造封裝(wafer-levelfabricatedpackage(WFP))或晶圓級(jí)處理堆疊封裝(wafer-levelprocessedstackpackage(ffSP))。圖沈是方框圖，示意性地示出包括基于發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)精神的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電子系統(tǒng)的實(shí)例。參考圖沈，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的再一實(shí)施方式的電子系統(tǒng)1100包括控制器1110、輸入/輸出(I/O)裝置1120、存儲(chǔ)器件1130、接口1140和匯流線1150。控制器1110、輸入/輸出(I/O)裝置1120、存儲(chǔ)器件1130和/或接口1140可以經(jīng)由匯流線1150彼此連接。匯流線1150相應(yīng)于數(shù)據(jù)經(jīng)過其被傳送和接收的路徑。控制器1110包括微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、微控制器、和能執(zhí)行類似功能的邏輯單元的至少之一。I/O裝置1120可包括鍵區(qū)(keypad)、鍵盤(keyboard)、顯示器件等等。存儲(chǔ)器件1130可儲(chǔ)存數(shù)據(jù)和/或指令。存儲(chǔ)器件1130可包括參考圖1至圖7描述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的至少之一。存儲(chǔ)器件1130還可包括快閃存儲(chǔ)裝置。接口1140可以以有線或無線形式實(shí)現(xiàn)。例如，接口1140可包括天線、有線/無線收發(fā)器等等。雖然沒有示出，但是電子系統(tǒng)1100還可包括用于改善控制器1110的操作的操作存儲(chǔ)器裝置。操作存儲(chǔ)器裝置可包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的SRAM裝置和/或DRAM裝置。電子系統(tǒng)1100適用于PDA(個(gè)人數(shù)字助理)、便攜式計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本(webtablet)、無線電話、移動(dòng)式電話、數(shù)字音樂播放器、存儲(chǔ)卡或能在無線環(huán)境中發(fā)送和/或接收信息的任何電子器件。圖27是方框圖，示意性地示出包括基于發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)精神的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)卡的實(shí)例。參考圖27，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施方式的存儲(chǔ)卡1200包括存儲(chǔ)器件1210。存儲(chǔ)器件1210可包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的非易失性存儲(chǔ)器裝置。存儲(chǔ)器件1210還可包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式的DRAM裝置。此外，存儲(chǔ)器件1210還可包括快閃存儲(chǔ)裝置等等。存儲(chǔ)卡1200可包括通常控制主機(jī)與存儲(chǔ)器件1210之間的數(shù)據(jù)交換的存儲(chǔ)控制器1220。存儲(chǔ)控制器1220可包括通?？刂拼鎯?chǔ)卡的操作的處理單元1222。存儲(chǔ)控制器1220可包括用作處理單元1222的操作存儲(chǔ)器的SRAM1221。存儲(chǔ)控制器1220還可包括主機(jī)接口1223和存儲(chǔ)接口1225。主機(jī)接口1223可具有在存儲(chǔ)卡1200與主機(jī)之間交換數(shù)據(jù)的協(xié)議。存儲(chǔ)接口1225可連接存儲(chǔ)控制器1220到存儲(chǔ)器件1210。存儲(chǔ)控制器1220還可包括糾錯(cuò)塊(Ecc)12M。糾錯(cuò)塊12M可檢測(cè)并糾正從存儲(chǔ)器件1210讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤。雖然沒有示出，但是存儲(chǔ)卡1200還可包括存儲(chǔ)代碼數(shù)據(jù)從而與主機(jī)接口的ROM裝置。存儲(chǔ)卡1200可以用作便攜式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)卡。替代地，存儲(chǔ)卡1200可以實(shí)現(xiàn)為代替計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器的固態(tài)盤(SSD)。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)例實(shí)施方式，獨(dú)立受控的第一與第二掩埋柵設(shè)置在凹槽中。根據(jù)該配置，有可能最小化每個(gè)均包括第一和第二掩埋柵的第一和第二存儲(chǔ)器單元的占有面積。因此，有可能實(shí)現(xiàn)高度集成并具有良好可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。雖然與已經(jīng)結(jié)合在附圖中示出的本發(fā)明的實(shí)例實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但是不限于此，發(fā)明構(gòu)思可以以其它具體形式修改而不脫離發(fā)明構(gòu)思的范圍和基本特征。因此，應(yīng)該理解上述主題將被理解為說明性的而不是限制性的。該申請(qǐng)要求享有2009年12月31日提交的韓國專利申請(qǐng)10-2009-0135332的權(quán)益，在此結(jié)合其全部內(nèi)容作為參考。權(quán)利要求1.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括器件隔離圖案，形成在基板中以限定在第一方向上延伸的有源部分；第一掩埋柵和第二掩埋柵，分別設(shè)置在形成在所述有源部分和所述器件隔離圖案中的凹槽的第一內(nèi)側(cè)壁和第二內(nèi)側(cè)壁上，所述凹槽在不與所述第一方向平行的第二方向上延伸，所述第一掩埋柵和所述第二掩埋柵彼此獨(dú)立地受控；柵電介質(zhì)膜，分別插置在所述第一掩埋柵與所述凹槽的所述第一內(nèi)側(cè)壁之間以及在所述第二掩埋柵與所述凹槽的所述第二內(nèi)側(cè)壁之間；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，分別形成在所述凹槽的兩側(cè)上的所述有源部分的上部中；以及公共摻雜區(qū)，形成在所述凹槽的底表面下面的所述有源部分中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第一掩埋柵設(shè)置在所述第一內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁上，所述第二掩埋柵設(shè)置在所述第二內(nèi)側(cè)壁的下側(cè)壁上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第一內(nèi)側(cè)壁的所述下側(cè)壁相對(duì)于所述第一內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁橫向地凹入以限定第一底切區(qū)，所述第二內(nèi)側(cè)壁的所述下側(cè)壁相對(duì)于所述第二內(nèi)側(cè)壁的上側(cè)壁橫向地凹入以限定第二底切區(qū)，所述第一掩埋柵設(shè)置在所述第一底切區(qū)中，以及所述第二掩埋柵設(shè)置在所述第二底切區(qū)中。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第一內(nèi)側(cè)壁的所述下側(cè)壁包括由所述有源部分形成的第一有源下側(cè)壁以及由所述器件隔離圖案形成的第一非有源下側(cè)壁，所述第一非有源下側(cè)壁比所述第一有源下側(cè)壁橫向地凹入更多，從而由所述第一掩埋柵控制的第一溝道區(qū)包括在所述第一方向上延伸的第一部分和在所述第二方向上延伸的第二部分，所述第二內(nèi)側(cè)壁的所述下側(cè)壁包括由所述有源部分形成的第二有源下側(cè)壁以及由所述器件隔離圖案形成的第二非有源下側(cè)壁，以及所述第二非有源下側(cè)壁比所述第二有源下側(cè)壁橫向地凹入更多，從而由所述第二掩埋柵控制的第二溝道區(qū)包括在所述第一方向上延伸的第一部分和在所述第二方向上延伸的第二部分。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，電連接到所述第一摻雜區(qū)；第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，電連接到所述第二摻雜區(qū)；以及公共布線，電連接到所述公共摻雜區(qū)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括公共柱，設(shè)置在所述凹槽中并連接到所述公共摻雜區(qū)；第一絕緣間隔體，插置在所述公共柱與所述第一掩埋柵之間；以及第二絕緣間隔體，插置在所述公共柱與所述第二掩埋柵之間，其中，所述公共布線電連接到所述公共柱的上表面。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件是第一電容器，其包括電連接到所述第一摻雜區(qū)的第一存儲(chǔ)電極，所述第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件是第二電容器，其包括電連接到所述第二摻雜區(qū)的第二存儲(chǔ)電極，所述公共布線是橫跨過所述第一掩埋柵和所述第二掩埋柵的位線。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件包括第一可變電阻器，其可變化為具有彼此不同的電阻率的多個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，以及所述第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件包括第二可變電阻器，其可變化為具有彼此不同的電阻率的多個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第二方向不與所述第一方向垂直。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。全文摘要本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括分別設(shè)置在形成于有源部分和器件隔離圖案中的凹槽的兩個(gè)內(nèi)側(cè)壁上的第一掩埋柵和第二掩埋柵。第一掩埋柵和第二掩埋柵彼此獨(dú)立地受控。文檔編號(hào)H01L29/06GK102157527SQ201010614320公開日2011年8月17日申請(qǐng)日期2010年12月30日優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日發(fā)明者吳容哲,鄭鉉雨,金岡昱,金熙中,金鉉琦申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社