專利名稱:一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種采用蔭罩技術(shù)構(gòu)建生產(chǎn)線的制造方法及系統(tǒng),其適用于具有形成 于其上電子元件的印刷電路板、精密電子回路及顯示板的制作。
背景技術(shù):
目前,國內(nèi)外微電子制造的主流技術(shù)為光蝕刻技術(shù),而光刻機及基板材料尺寸決 定了產(chǎn)出的顯示屏及底板的最大尺寸?,F(xiàn)有技術(shù)無法做出超過其光刻機尺寸上限的底板及 顯示屏,且無法及時、迅速地滿足客戶的自定義尺寸底板和顯示屏的需求,并且該技術(shù)還存 在投資規(guī)模大,占地面積大、對環(huán)境要求高、產(chǎn)品單一和產(chǎn)品生產(chǎn)時間長等技術(shù)問題。針對上述問題,人們開發(fā)出了利用氣相沉積蔭罩板工藝來進行微電子制造,并開 發(fā)了諸如中國發(fā)明專利公告CN101027424B公開的“使用小面積蔭罩板制造大面積底板的 系統(tǒng)和方法”。上述專利公告在實際應(yīng)用中確能實現(xiàn)使用小面積蔭罩板制造大面積底板的功效, 但是其僅示出了沉積時所需的系統(tǒng)以及具體沉積時的一步步方法,即僅憑借上述專利公 告,本領(lǐng)域技術(shù)人員僅能制造出一個半成品,而無法得到一件完整的微電子元器件,由此具 有產(chǎn)品功能不全的缺陷,實有待改善。有鑒于此,本發(fā)明人針對現(xiàn)有微電子元器件制造方法的上述缺陷深入研究,遂有 本案產(chǎn)生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于提供一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法,以解決現(xiàn) 有技術(shù)中采用氣相沉積蔭罩板工藝無法制造出完整微電子元氣件的問題。為了達成上述目的,本發(fā)明的解決方案是
一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法,其中,包括如下步驟
A、按照與完全位于沉積真空箱內(nèi)的蔭罩板和沉積材料源可操作關(guān)系,將蔭罩板準確定 位在基板的第一區(qū)域;
B、通過真空蒸鍍將材料沉積在基板的第一區(qū)域上,形成圖形;
C、通過傳動裝置將蔭罩板和沉積材料源準確定位在基本的第二區(qū)域;
D、通過真空蒸鍍將材料沉積在基板的第二區(qū)域上,形成圖形,并形成材料間的立體重
疊;
E、根據(jù)設(shè)計,重復(fù)步驟C和步驟D,完成元器件的構(gòu)成及連接;
F、將基板推進到退火真空箱,進行退火處理;
G、將基板推進到測試真空箱,利用探針對基板測試點進行測試;
H、將基板推進到切割真空箱,對基板按設(shè)計進行切割;
I、將基板推進到裝配真空箱,對切割好的基板進行裝配,并完成整個元器件的制造。進一步,該沉積真空箱包括連續(xù)設(shè)置的多個,并該傳動裝置推動基板沿沉積真空箱運動而使蔭罩板與基板上的沉積區(qū)域準確定位。進一步,該沉積真空箱為一個,并該傳動裝置推動蔭罩板和沉積材料源在沉積真 空箱內(nèi)運動而使蔭罩板與基板上的沉積區(qū)域準確定位。進一步,每個蔭罩板在蒸鍍完成后,還包括對蔭罩板進行徹底清洗的步驟。本發(fā)明的第二目的在于提供一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的系統(tǒng),其具體結(jié) 構(gòu)為
一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的系統(tǒng),其中,包括基板、傳動裝置以及依序設(shè)置 的用于向基板上沉積材料的沉積真空箱、用于沉積完材料的基板進行退火處理的退火真空 箱、對經(jīng)退火處理的基板進行測試的測試真空箱、對測試后的基板進行切割的切割真空箱 以及對基板進行裝配的裝配真空箱,該沉積真空箱具有位于其中的蔭罩板和沉積材料源, 該傳動裝置驅(qū)使基板與蔭罩板準確定位。進一步,該沉積真空箱為連續(xù)設(shè)置的多個,并該傳動裝置則推動基板沿沉積真空 箱運動而使蔭罩板與基板上的沉積區(qū)域準確定位。進一步,該沉積真空箱為一個,并該傳動裝置推動蔭罩板和沉積材料源在沉積真 空箱內(nèi)運動而使蔭罩板與基板上的沉積區(qū)域準確定位。采用上述結(jié)構(gòu)后,本發(fā)明涉及的一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法,其通 過步驟A、B、C、D和E后即可實現(xiàn)整個基板的蔭罩沉積,并經(jīng)退火真空箱消除沉積事件中產(chǎn) 生的應(yīng)力、穩(wěn)定尺寸、減少變形與裂紋傾向、細化晶粒、調(diào)整組織以及消除組織缺陷;接著經(jīng) 由測試真空箱測定各個產(chǎn)品單元的性能,并對產(chǎn)品單元予以區(qū)分,并經(jīng)由切割真空箱按整 個基板的設(shè)計要求進行切割,最后經(jīng)裝配后形成了整個元器件,由此本發(fā)明通過上述步驟 后即能實現(xiàn)一個完整元器件的生產(chǎn)。
圖1為本發(fā)明涉及一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法的工藝流程圖; 圖2為本發(fā)明根據(jù)上述原理的一個具體生產(chǎn)系統(tǒng)示意圖。圖中
生產(chǎn)系統(tǒng)100基板10
蔭罩板11沉積材料源14
沉積真空箱:101、101A、101B、......101N-1U01N
退火真空箱102 測試真空箱103 切割真空箱104 裝配真空箱105。
具體實施例方式為了進一步解釋本發(fā)明的技術(shù)方案,下面通過具體實施例來對本發(fā)明進行詳細闡 述。如圖1所示,其示出的為本發(fā)明一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法,其中, 包括如下步驟
4A、按照與完全位于沉積真空箱內(nèi)的蔭罩板和沉積材料源可操作關(guān)系,將蔭罩板準確定 位在基板的第一區(qū)域;
B、通過真空蒸鍍將材料沉積在基板的第一區(qū)域上,形成圖形;
C、通過傳動裝置將蔭罩板和沉積材料源準確定位在基本的第二區(qū)域;具體的,其可以 選用基板移動的方式,亦可以選用蔭罩板移動的方式來實現(xiàn)第二區(qū)域的定位;當選用基板 移動方式時,該沉積真空箱包括連續(xù)設(shè)置的多個,該傳動裝置則推動基板沿沉積真空箱運 動而使蔭罩板與基板上的沉積區(qū)域準確定位;當選用蔭罩板移動方式時,該沉積真空箱僅 需設(shè)置為一個,該傳動裝置則推動蔭罩板和沉積材料源在沉積真空箱內(nèi)運動而使蔭罩板與 基板上的沉積區(qū)域準確定位;
D、通過真空蒸鍍將材料沉積在基板的第二區(qū)域上,形成圖形,并形成材料間的立體重 疊;通過重疊而可實現(xiàn)基板的縫合效果;
E、根據(jù)設(shè)計,重復(fù)步驟C和步驟D,完成元器件的構(gòu)成及連接;通過將該基板劃分為多 個區(qū)域,從而可以實現(xiàn)小面積蔭罩板形成大面積底板的功效,作為其中的一種實現(xiàn)方式,可 以查閱中國專利公告CN101027424B中的表述,在此就不詳細闡述;當然實現(xiàn)小面積蔭罩板 形成大面積底板的方式并不限于上述專利公告,比如其可以選擇沉積區(qū)域的劃分方法,即 將第一區(qū)域和第二區(qū)域等均劃分為多個小塊,而通過在每一個沉積真空箱內(nèi)都設(shè)置一組蔭 罩板,并每組蔭罩板包括多個蔭罩板,并且一組蔭罩板中每一個蔭罩板分別對應(yīng)于不同區(qū) 域中的一個小塊區(qū)域,由此成型整個基板是通過不同沉積真空箱的分別沉積而實現(xiàn)疊合并 實現(xiàn)整個基板的沉積;其中,優(yōu)選的,每個蔭罩板在蒸鍍完成后,還包括對蔭罩板進行徹底 清洗的步驟;
F、將基板推進到退火真空箱,進行退火處理;具體的,其通過對溫度的控制,消除沉積 事件中產(chǎn)生的應(yīng)力、穩(wěn)定尺寸、減少變形與裂紋傾向;并起到細化晶粒、調(diào)整組織和消除組 織缺陷的功效;
G、將基板推進到測試真空箱,利用探針對基板測試點進行測試;具體的,其通過探針對 測試點進行測試,并對產(chǎn)品的電氣特性進行測試,從而測定整個基板上各產(chǎn)品單元的性能 而對各產(chǎn)品單元予以區(qū)分;
H、將基板推進到切割真空箱,對基板按設(shè)計進行切割;其具體是按照當前設(shè)計要求進 行切割;
I、將基板推進到裝配真空箱,對切割好的基板進行裝配,并完成整個元器件的制造。這樣,本發(fā)明涉及的一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法,其通過步驟A、B、 C、D和E后即可實現(xiàn)整個基板的蔭罩沉積,并經(jīng)退火真空箱、測試真空箱、切割真空箱以及 裝配真空箱裝配后形成了整個元器件,由此本發(fā)明通過上述步驟后即能實現(xiàn)一個完整元器 件的生產(chǎn)。需要說明的是,該基板是指形成元件的底部基礎(chǔ)層,該基板可以具備以下性質(zhì),比 如透明的、非透明的、柔性的、非柔性的、有顏色的或非導(dǎo)電的;如果該基板是導(dǎo)電的則需在 電子元件與基板之間設(shè)置絕緣層,該基板可以具有任何所需的尺寸及形狀。而通過本發(fā)明 形成的元器件,可以為任何電子元件,比如二極管的P、N結(jié)和電極;金屬氧化物半導(dǎo)體場效 應(yīng)管的柵極、源極和漏極;雙極型三極管的基極、集電極和發(fā)射極;電阻的阻體和電極;電 容的電極及介質(zhì)材料;通過通過上述沉積亦可以實現(xiàn)基板、電子元件之間的連接而形成回
如圖2所示,其示出的為本發(fā)明具體應(yīng)用時的一個具體生產(chǎn)系統(tǒng)示意圖,其中,該 生產(chǎn)系統(tǒng)100包括連續(xù)設(shè)置的多個沉積真空箱101A、101B、……、101N-1和101N、基板10、 傳動裝置(圖中未示出)以及退火真空箱102、測試真空箱103、切割真空箱104和裝配真空 箱105,當然其還包括蔭罩板11與基板10之間的對準系統(tǒng)(圖中未示出),此處該多個沉積 真空箱101、退火真空箱102、測試真空箱103、切割真空箱104和裝配真空箱105之間采用 的為串聯(lián)設(shè)置,并且示出了 N個沉積真空箱,并每個沉積真空箱101均具有位于其中的一個 或多個沉積材料源14,該傳動裝置則驅(qū)動基板沿沉積真空箱軸線運動,本系統(tǒng)可以根據(jù)當 前需要而對基板進行多層的沉積,從而實現(xiàn)元器件的生產(chǎn)制造。需要說明的是,圖2所示的 僅為本案的一個實施例,其并不限制本發(fā)明。上述實施例和圖式并非限定本發(fā)明的產(chǎn)品形態(tài)和式樣,任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員對其所做的適當變化或修飾,皆應(yīng)視為不脫離本發(fā)明的專利范疇。
權(quán)利要求
1. 一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法,其特征在于,包括如下步驟A、按照與完全位于沉積真空箱內(nèi)的蔭罩板和沉積材料源可操作關(guān)系,將蔭罩板準確定 位在基板的第一區(qū)域;B、通過真空蒸鍍將材料沉積在基板的第一區(qū)域上,形成圖形;C、通過傳動裝置將蔭罩板和沉積材料源準確定位在基本的第二區(qū)域;D、通過真空蒸鍍將材料沉積在基板的第二區(qū)域上,形成圖形,并形成材料間的立體重疊;E、根據(jù)設(shè)計,重復(fù)步驟C和步驟D,完成元器件的構(gòu)成及連接;F、將基板推進到退火真空箱,進行退火處理;G、將基板推進到測試真空箱,利用探針對基板測試點進行測試;H、將基板推進到切割真空箱,對基板按設(shè)計進行切割;I、將基板推進到裝配真空箱,對切割好的基板進行裝配,并完成整個元器件的制造。
2.如權(quán)利要求1所述的一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法,其特征在于,該沉 積真空箱包括連續(xù)設(shè)置的多個,并該傳動裝置推動基板沿沉積真空箱運動而使蔭罩板與基 板上的沉積區(qū)域準確定位。
3.如權(quán)利要求1所述的一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法,其特征在于,該沉 積真空箱為一個,并該傳動裝置推動蔭罩板和沉積材料源在沉積真空箱內(nèi)運動而使蔭罩板 與基板上的沉積區(qū)域準確定位。
4.如權(quán)利要求1所述的一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法,其特征在于,每個 蔭罩板在蒸鍍完成后,還包括對蔭罩板進行徹底清洗的步驟。
5.一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的系統(tǒng),其特征在于,包括基板、傳動裝置以及依 序設(shè)置的用于向基板上沉積材料的沉積真空箱、用于沉積完材料的基板進行退火處理的退 火真空箱、對經(jīng)退火處理的基板進行測試的測試真空箱、對測試后的基板進行切割的切割 真空箱以及對基板進行裝配的裝配真空箱,該沉積真空箱具有位于其中的蔭罩板和沉積材 料源,該傳動裝置驅(qū)使基板與蔭罩板準確定位。
6.如權(quán)利要求5所述的一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的系統(tǒng),其特征在于,該沉 積真空箱為連續(xù)設(shè)置的多個,并該傳動裝置則推動基板沿沉積真空箱運動而使蔭罩板與基 板上的沉積區(qū)域準確定位。
7.如權(quán)利要求5所述的一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的系統(tǒng),其特征在于,該沉 積真空箱為一個,并該傳動裝置推動蔭罩板和沉積材料源在沉積真空箱內(nèi)運動而使蔭罩板 與基板上的沉積區(qū)域準確定位。
全文摘要
本發(fā)明公開一種采用蔭罩技術(shù)生產(chǎn)線制造器件的方法及系統(tǒng),其先在沉積真空箱內(nèi)完成材料沉積,具體包括A、按照與完全位于沉積真空箱內(nèi)的蔭罩板和沉積材料源可操作關(guān)系,將蔭罩板準確定位在基板的第一區(qū)域;B、通過真空蒸鍍將材料沉積在基板的第一區(qū)域上,形成圖形;C、通過傳動裝置將蔭罩板和沉積材料源準確定位在基本的第二區(qū)域;D、通過真空蒸鍍將材料沉積在基板的第二區(qū)域上,形成圖形,并形成材料間的立體重疊;根據(jù)設(shè)計,重復(fù)步驟C和步驟D,完成元器件的構(gòu)成及連接;接著依次經(jīng)過退火真空箱進行退火處理、測試真空箱進行測試、切割真空箱進行切割以及裝配真空箱的裝配后,而實現(xiàn)對完整的元器件進行成型制造。
文檔編號H01L21/00GK102122612SQ20101059171
公開日2011年7月13日 申請日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月16日
發(fā)明者潘重光 申請人:潘重光